模拟电子技术第5版课件第2章_0

---------------------------------------------------------------最新资料推荐------------------------------------------------------ 模拟电子技术第5版课件第2章模拟电子技术(第 2 版) 第 2 章自我检测题习题详解自我检测题参考答案一、填空题 1.三极管用来放大时，应使发射结处于正向偏置，集电结处于反向偏置。

2.温度升高时，三极管的电流放大系数增大，反向饱和电流 ICBO增大，正向结电压UBE下降。

3. 有两只三极管：A 管 =200， ICEO=200A；B 管 =80， ICEO=10A，其他参数大致相同，一般应选 B 管。

4.共射基本放大电路的电压放大倍数为负值，说明输出信号与输入信号相位相差 180o。

5.放大电路未输入信号时的状态称为静态，其在特性曲线上对应的点为静态工作点；有信号输入时的状态称为动态，动态工作点移动的轨迹为交流负载线。

6.在放大电路的下限截止频率处，放大倍数的幅度为中频处的0.707 倍，这主要是由电路的频率特性引起的。

7.场效应管是通过改变栅源电压来改变漏极电流（输出电流）的，所以它是一个电压控制电流源（或电压控制）器件。

二、是非题 1.由于放大的是变化量，所以在输入直流信号时，任何放大电路的输出量都没有变化。

（）提示：1 / 13直接耦合放大电路就有变化。

2.用无源元件组成电路(如 LC 谐振电路)也能将电压或电流幅度变大，因此也能组成放大电路。

() 3.放大电路中各电量的交流成分是由交流信号源提供的。

（）提示：增加的幅度所需能量是由直流电源提供的。

4.通常的 JFET 在漏极与源极互换时，仍有正常的放大作用。

（）三、选择题 1.在共射基本电路中，集电极电阻 RC的作用是（C）。

A.放大电流B.调节 IBQC.防止输出交流信号对地短，把放大了的电流转换成电压。

2. 在共射基本电路中，当用直流电压表测得 UCEVCC时，有可能是因为（A）；当测得UCE0，有可能是因为（B） A. Rb开路 B. Rb过小 C. Rc开路3.当输入电压为正弦信号时，如果 PNP 管共发射极放大电路发生饱和失真，则输出电压波形将(A)。

A.正半周削波B.负半周削波C.不削波 4.为了使高阻输出的放大电路与低阻输入的放大负载很好地配合，可以在放大电路与负载之间插入（B）。

A.共射电路B.共集电路C.共基电路四、测得工作在放大电路中的几个晶体管三个电极的电位 U1、 U2、U3分别为下列各组数值，判别它们是 NPN 型还是 PNP 型？是硅管还是绪管？确定 e、 b、 c 极。

---------------------------------------------------------------最新资料推荐------------------------------------------------------⑴U1=3.5V、 U2=2.8V、 U3=15V； NPN 硅管 1 为基极，2 为发射极，3 为集电极。

⑵U1=11.8V、 U2=12V、 U3=5V； PNP 锗管 1 为基极，2 为发射极，3 为集电极。

⑶U1=6V、 U2=7.7V、 U3=8V 。

PNP 锗管 2 为基极， 3 为发射极， 1 为集电极。

第 2 章习题参考答案 2.1 填空题 1.三极管具有电流放大作用的实质是利用改变基极电流对集电极或发射极电流的控制。

2.三极管在电路中的三种基本连接方式分别是：①共发射极；②共集电极；③共基极。

3.放大器的输出电阻小，向外输出信号时，自身损耗小，有利于提高带负载能力。

4.放大器中的电流和电压有直流分量、交流分量和总量(或叠加量) 之分，在书写符号时要按规律加以区别。

5.N 沟道增强型MOS 管栅源之间正向电压UGS 增大时，沟道电阻电阻减小。

2.2 是非题 1.NPN 型晶体管是由硅材料制成的。

() 2.晶体管有两个结，因此能用两个二极管连成一个晶体管。

() 3.放大器的基本性能是具有信号放大能力。

() 4.频率失真是由电路中的电抗元件(电容、电感)引起的。

3 / 13() 2.3 选择题 1.某 NPN 硅管在放大电路中测得各极对地电压分别为 UC=12V， UB=4V， UE=0V，由此可判别三极管（D）。

A.处于放大状态B.处于饱和状态C.处于截止状态D.已损坏 2.电路静态是指输入交流信号( C )时的电路状态。

A.幅值不变B. 频率不变C.幅值为零 3.对直流通路而言，放大电路中的电容应视为( B)。

A.直流电源B.开路C. 短路 4. N 沟道场效应管的电流是由沟道中(A )在漏、源之间电场作用下形成的。

A.电子B.空穴C.电子和空穴 5.基本共射电路中， =50 的晶体管换成 =100 的晶体管，其他参数不变，设电路不会产生失真，则电压放大倍数( C )。

A.约为原来的 1/2B.基本不变C.约为原来的 2 倍D. 约为原来的 4 倍 2.4 测得工作在放大状态的某晶体管的电流方向、大小如图 P2.1 所示，⑴求另一电极电流，并在图中标出实际方向；⑵判断并标出 e、 b、 c 极，判断该管是 NPN 型还是 PNP 型；⑶估算值。

解：⑴判别方法如下：晶体管三个极的电流具有如下关系 IE IC IB IE= IC+IB 且IB最小。

IE ICIB 本例中， I3I1 I1应为基极电流 I2= I3－ I1=2.1 mA －0.1 mA =2mA I3应为发射极电流， I2应为集电极电流根据 KVL，---------------------------------------------------------------最新资料推荐------------------------------------------------------ 晶体管流进电流应等于流出电流，②极的电流应从晶体管流出，图中标出实际方向应自上而下。

⑵判断并标出 e、 b、 c 极：① 基极 b，②集电极 c，③发射极 e 该管为 PNP 管。

⑶估算值 =BCII=2 mA－0.1 mA =20 2.5 测得电路中几个晶体管各电极对地电压如图 P2.2 所示，其中某些管子已损坏。

对于已损坏的管子，判断损坏情况；对于其他管子，判断它们各工作放大、饱和和截止中的哪个状态？解：图 a 的三极管为 NPN 型 Si 管，处于放大状态。

图 b 的三极管为 NPN 型 Si 管，处于饱和状态。

图 c 的三极管为 NPN 型管，管子损坏，发射结开路。

图 d 的三极管为 PNP 型 Ge 管，处于放大状态。

图 e 的三极管为 PNP 型管，处于截止状态。

图 f 的三极管为 PNP 型 Si 管，处于饱和状态。

图 g 的三极管为 NPN 型管，处于截止状态。

图 h 的三极管为 NPN 型 Si 管，处于放大状态。

2.6 当输入正弦波电压时，试分析图 P2.3 所示的各电路是否具有电压放大作用？为什么？解：图(a)所示电路，不能放大交流信号。

因为，三极管的基极接直流电源，导致输入端的交流信号短路到地，不能有效加到三极管。

5 / 13图(b)所示电路，由于电容 C2隔直流，三极管不能得到直流偏置而不能工作于放大状态，电路不能放大交流信号。

2.7 某放大电路及晶体管输出特性曲线如图 P2.4 所示，图中 VCC=12V，Rc=5.1 k， Rb=300 k， RL=5.1 k，晶体管 UBE忽略不计。

试用图解法确定静态工作点 Q。

解：用图解法确定静态工作点Q的步骤如下：① 求IB 40bCCbBECCB=R=RVUVIA ② 输出回路的直流负载线方程为 VCC=ICRC+UCE ③求特殊点设 IC=0，则 UCE= Vcc，在横坐标轴上得截点 M（Vcc， 0）；设 UCE=0，则 IC= Vcc/Rc，在纵坐标轴上得截点 N（0， Vcc/Rc）。

代入电路参数， Vcc=12V， Vcc/Rc=2.35mA。

④ 作负载线连结截点 M（V12V， 0）、 N（0， 2.35mA）所得直线即为直流负载线。

⑤求Q点直流负载线MN与输出特性曲线族中IB=40A 曲线的交点即为静态工作点。

⑥从图上读得静态工作点参数 2.8 电路如图P2..5所示，若晶体管UBE=0.7V， UCE(sat)=0.3V， =50。

⑴估算工作点Q；⑵求Au、 Ri、 Ro。

解：⑴ Ω=Ω=R=kVkVVUVI5603 .175607 .---------------------------------------------------------------最新资料推荐------------------------------------------------------ 018bBEQCCBQ30.9A ICQ=IBQ=5030.9A 1.54mA UCEQ=VCC－ICQRc=18V －(1.54mA 3.9 k)=11.98V 该电路静态工作点为：IBQ=30.9A， ICQ=1.54 mA， UCEQ=11.98V。

⑵ 该电路()()ΩΩ+Ω=++Ω116154. 12651300261300bemAImVrE LR=RC//RL2k rRuuAbeLiou== =－502/ 1.161－86 Rirbe1.161 k 2.9 分压式工作点稳定电路如图 P2.6 所示，已知三极管 3DG4 的 =60， UCE(sat)=0.3V、UBE=0.7V。

⑴估算工作点 Q；⑵求 Au、 Ri、 Ro。

解：⑴ RRV+RUb2b1CCb2B =20k16V/82k4V RUUIIeBEBEC==（4－0.7）V/2 k=1.65mA U C E＝VC C－I C RC－I E ReVCC－I C ( RC +R e )=16V－1.65mA5 k=7.75V IICB==1.65 mA /60=27.5A ⑵()()ΩΩ+Ω=++Ω126165. 12661300261300bemAImVrE LCLRRR///==(35.6/8.6) k= 1.95k rRuuAbeLiou== ＝－601.95/1.261－92.8 ///////21bibbiRRRRR==rberbe 1.261k RoRC=3 k 2.10 试分析图 P2.7 所示电路能否正常放大，并说明理由。

解：图 P2.7（a）所示电路不能正常放大， UDS为正值符合条件。

因栅源电压为正偏电压，而 N 沟道结型场效应管要能正常放大，UGS必须为负值。

图 P2.7（b）所示电路不能正常放大，因该场效应管为增强7 / 13型场效应管，该电路为自偏压电路，不能提供形成导电沟道的偏置电压。