热发射扫描电镜技术规格及要求
场发射扫描电镜购置
圆形对称芯片，独立封装FET场效应管，避免X射线轰击
谱峰稳定性：1,000cps到100,000cps，Mn Ka峰谱峰漂移小于1eV，分辨率变化小于1eV, 48小时内峰位漂移小于1.5eV
具备零峰修正功能,可以快速稳定谱峰,开机后无需重新修正峰位。
1.7电子发射源：Schottky型场发射（热场发射）电子源。
★1.8 Gemini镜筒：无交叉光路设计，电子束仅在样品表面进行一次汇聚，彻底消除电子束交叉三次发生能量扩散大的问题。
★1.9电子束加速器：无需切换模式即可实现低电压模式下电子束在镜筒内维持较高能量到达样品表面，可低至20V。能适应的表面凹凸不平样品不导电样品、成分复杂样品、需要倾斜观测的样品。
1.19附件接口：在样品室上提供14个附件接口，可同时接三台EDS探测器。
1.20样品台类型：双操纵杆控制5轴全自动马达驱动，9桩样品台一个，19桩样品台一个
1.21样品台装配方式：抽屉式拉门。
1.22样品台移动范围：
★1.22.1 X=125mm,
★1.22.2 Y=125mm,
1.22.3 Z=50mm,
3进口原装离子溅射仪
3.1靶的尺寸：直径50mm
3.2真空度：约0.1torr
3.3最大离子束电压：3kv
3.4离子流控制范围：1~9mA
3.5样品室内径：100mm
1
320万
320万
探测器自动伸缩，精确定位，无需手摇。
能谱仪图像处理器及脉冲处理器均与计算机采用分立式设计，电子图像清晰度8192*8192，全谱面分布图清晰度4096*4096
图像灰度、对比度自动调节，二次电子像及背散射像可同时采集
场发射环境扫描电镜配置及技术规格表
––显示器：24寸LCD显示器
1.8真空系统
––涡轮分子泵250l/sec和2个离子泵，两个无油机械泵；
––“穿过透镜”的压差真空系统，低真空模式下抽气区域不少于3个；
––样品室真空度：高真空模式下＜6×10-4Pa，低真空模式下＜10～130Pa，环境真空模式下＜10～4000Pa
1）EBSD探测器
–– EBSD探头，适用于场发射电镜的高速EBSD探测器，能与EDS硬件同时使用，高端的高灵敏度CCD相机，加速电压大于３kV，及束流大于500 pA时，可以采集到明显的衍射花样。30×25mm矩形荧光屏；花样像素分辨率：640×480×12位；花样采集速度：920花样/秒8×8binning，630花样/秒4×4binning；
––定性分析：可自动标识谱峰，可设定自动标定的元素范围，可进行谱重构，对重叠峰进行可视化谱峰剥离。
––定量分析：可对抛光表面或粗糙表面定量分析。采用定量修正技术，可对倾斜样品进行修正，并增强对轻元素的修正；具备有标样定量分析及无标样定量分析方法。
4）计算机及其附件部分
––计算机工作站，EDS与EBSD共用高级工作站系统，Intel Xeon E5-2609 (3.10 GHz, 6 MB cache, 4 cores)处理器，Windows 7 64-bit操作系统，16 GB内存，1 TB硬盘，SATA SuperMulti DVD读写光驱，24”TFT-LCD Monitor，Microsoft Office 2010办公软件(最低配置)；
––额定功率：20KVA；
––输入电压范围：210-475VV；输出电压范围：AC 220V（1±1%）V；
––输入频率围：46-64Hz，输出频率范围：市电模式：46-54Hz/56-64Hz；
场发射扫描电子显微镜系统 技术参数
场发射扫描电子显微镜系统技术参数一、货物名称及数量：场发射扫描电子显微镜系统一台二、主要技术规格及要求2.1 基本要求2.1.1发射源：热场发射电子枪*2.1.2物镜系统：电磁/静电式物镜系统，电子束无交叉光路设计*2.1.3分辨率：0.8 nm @ 15kV1.6 nm @ 1kV*2.1.4加速电压范围：20V－30kV，连续可调*2.1.5放大倍数范围：12X－1,000,000X，连续可调2.1.6探针电流：范围 4pA-20nA，连续可调稳定度优于 0.2 %/h2.1.7减震方式：自动水平系统2.2 真空系统2.2.1样品室极限真空度：≤2×10-4 Pa2.2.2换样抽真空时间：小于3 min。
2.3 样品室及样品台*2.3.1样品室尺寸（不小于）：内部直径520mm，高度300mm2.3.2 集成8英寸样品交换室*2.3.3 配备四个探测器：环形高效完全内置式In-lens二次电子探测器样品室内ET SE二次电子探测器4QBSD AsB背散射电子探测器样品室内红外CCD摄像机*2.3.4 样品台：类型 6轴全自动马达驱动超优中心样品台安装抽屉式控制双操纵杆控制盒*2.3.5 样品台马达移动范围（不小于）： 152mm（X方向），152mm（Y方向），43mm（Z方向），10mm（Z’方向），-15 - 60°（倾斜），360°（旋转）2.3.6 能谱仪工作条件：工作距离8.5 mm，X射线出射角35°*2.3.7 物镜光栏：数量不少于 6孔更换与对中方式电磁式2.4 图像处理系统2.4.1配套计算机系统（不低于）：CPU Intel Pentium 2 Quad;2.33 GHz Quad Core，RAM 4 Gb，硬盘 1TB，光盘刻录机，19″TFT显示屏，键盘，鼠标，USB接口。
2.4.2显示图像分辨率：不小于 1024×768像素2.4.3最大存储图像分辨率：不小于3072×2304像素2.4.4存储图象格式：TIFF、BMP与JPEG2.4.5降噪方式：像素平均、帧/行平均、帧/行叠加2.5 控制系统2.5.1操作系统Windows XP，电镜操作控制软件。
场发射环境扫描电镜配置及技术规格表
––网络打印机：最大打印幅面：A4；打印速度：A4：达到14ppm；最高分辨率：600×600dpi；耗材类型：鼓粉一体；硒鼓寿命：2000页；首页打印时间：小于10秒；月打印负荷：达到5000页；进纸盒容量：150页手动进纸器；内存：2MB。
2.2电子束背散射衍射仪（EBSD）系统（可与EDS实现一体化）
––样品台移动重复精度：2um（X/Y方向）
––样品室尺寸：≥250mm；兼容性高，预留EDS、EBSD、波谱仪以及其他标准扩展接口。
1.6检测器
––高真空模式，E-T二次电子探头；
––低真空模式，大视场低真空气体二次电子探头(LFD)
––环境真空下模式，气体二次电子探头(GSED)
––高灵敏度，低电压固体背散射电子检测器
1.9冷却系统
––配有循环水冷却器
1.10其他配件或易损件
––配置相关配件或易损件（备用灯丝+光阑3套）。
2附件
2.1X射线能谱仪（EDS）
1）探测器
––探头类型：电制冷硅漂移（SDD）探测器，采用场效应管（FET）集成设计的高速SDD芯片，有效探测器面积≥30mm2
––能量分辨率：在100,000CPS条件下Mn Ka保证优于129eV，轻元素分辨率：C-K/57eV, F-K/67eV
可观察和检测非均相有机和无机材料样品的表面微观形貌观察及成分分析。它可以进行二次电子形貌分析和背散射电子衬度成像分析。能谱分析能够实现点分析、面分析、线扫描和面扫描，背散射电子衍射分析可以进行晶体取向成像、显微织构、晶界等分析。
热发射扫描电镜技术规格及要求(新)
热发射扫描电镜技术规格及要求1、设备组成、布置方式及用途说明1.1 设备名称：热发射扫描电镜1.2 数量：一套1.3 场发射扫描电镜主要由以下部分组成：①主机：热场发射扫描电镜②附件：电制冷能谱(EDS)与EBSD一体化系统；离子束镀膜仪；精密切割机；半自动研磨/抛光机；振动抛光机。
1.4 推荐布置方式：开放式布置。
1.5. 电镜主要用于材料的微观形貌观察，要求该设备可以直接对导电（金属材料、半导体材料）和不导电的材料（陶瓷、塑料、玻璃等）进行观察，以满足研究近似原始状态下相关样品的观察和分析需求；配上能谱仪，可对材料的微区成分进行定性和定量分析及元素线扫描和面分布分析；配上EBSD，可通过实时采集背散射电子以及标定背散射电子衍射花样，快速获取逐点的晶体学结构信息，分析研究材料的晶体取向、微观织构及其相关的材料性能等。
1.6. 能通过程序控制实现自动化检测。
2、技术指标要求2.1. 场发射扫描电镜FESEM场发射扫描电镜作为最关键部件，要求选用国际知名品牌产品。
投标文件应对所选用场发射显微镜品牌、特色及技术指标给予详细描述。
2.2．附件：电制冷能谱(EDS)与EBSD一体化系统该附件为场发射扫描电镜关键附属设备，用于材料的微区结构分析。
2.3．附件：离子束镀膜仪功能：适用于不同材质的试样表面喷镀导电层。
主要技术指标：1. 样品能够快速镀膜，只产生极小的热量；2. 控制样品旋转和摇摆速率，确保样品镀膜均一；3. 样品载台适用于各种SEM样品；4. 配有测膜厚度装置（FTM），能够连续测量沉积速率；5. 提供多种材质（C、Pt、Au、Cr）的靶材；6. 隐藏在腔体内的耙材完全与溅射污染物隔离；7. 可选配第二个耙材交换仪器即可再增加两个耙材，可在保持真空的情况下极短时间内选择两个可用耙材中任意一个。
2.4．附件：精密切割机功能：适用于不同材质的试样取样，包括陶瓷，金属，稀土材料，复合材料，生物材料等；能自动完成试样的切割，并有良好的切割效果，试样损伤小；对于失效分析的试样能精确定位切割。
场发射扫描电镜技术参数
场发射扫描电镜技术参数场发射扫描电镜技术参数一、系统基本信息：1.1系统名称：场发射扫描电镜。
1.2系统数量：1套。
1.3系统组成：主机，Schottky型场发射电子源，无交叉光路Gemini镜筒,圆形一体化样品室，5轴全自动马达驱动样品台，环形Inlens二次电子探测器，样品室二次电子探测器，背散射电子探测器，CCD摄像机，计算机系统，操作软件，真空系统，循环水冷却系统、空气压缩机、能谱仪，原装进口离子溅射仪，备用热场发射灯丝1根，导电胶带2卷。
二、用途：该设备主要用于金属材料、非金属材料、纳米材料的检测，可以对样品进行直接的超高分辨微观形貌观察和微区元素分析。
三、技术要求：1工作条件：1.1电源电压：220V±10V,单相50Hz，工作温度：18°C-25°C，磁场：≤3mGauss，湿度：≤60%RH，接地：独立的接地线。
1.2仪器运行的持久性：长时间连续工作。
2性能指标：★2.1分辨率：***************@1kV★2.2加速电压：0.02-30kV★2.3加速电压调整步长：每档10V连续可调2.4探针电流：12pA-20nA2.5稳定性：优于0.2%/h2.6放大倍数范围： 10-1,000,000×3电子光学系统：3.1电子发射源：Schottky型场发射（热场发射）电子源。
★3.2 Gemini镜筒：无交叉光路设计，电子束仅在样品表面进行一次汇聚，彻底消除电子束交叉三次发生能量扩散大的问题。
★3.3电子束加速器：无需切换模式即可实现低电压模式下电子束在镜筒内维持较高能量到达样品表面，可低至20V。
能适应的表面凹凸不平样品不导电样品、成分复杂样品、需要倾斜观测的样品。
★3.4透镜系统：电磁透镜/静电透镜式复合物镜。
在任何电压条件下样品表面不形成磁场，在极短工作距离下对磁性样品的高分辨成像。
3.5聚焦：工作距离：范围可由1mm至50mm。
扫描电子显微镜技术标准和服务要求【模板】
扫描电子显微镜技术标准和服务要求一、技术标准（一）具体技术指标要求1. 运行环境：房间温度：15-25 ℃；相对湿度：小于60%；适用电源：单相，220 V±10%，50/60 Hz，6KVA，要求连续供电；单独地线：接地电阻不小于40 Ω。
2. 设备用途：用于材料表面微观形貌、组织、成分分析研究。
3. 技术规格：3.1 组成：主机(包括真空系统、电子光学系统、检测器系统、控制系统），冷却循环水，空压机、能谱仪，计算机，标准工具及附件；★3.2 电子枪：场发射电子枪，电子源直径小于等于5nm,亮度大于等于2x109 A/cm2sr；3.3 SE分辨率15KV：≤0.7nm (工作距离4mm)；3.4 SE分辨率1KV：≤0.9nm；3.5 加速电压：0.1 ~ 30kV；3.6 透镜系统：大于等于3级电磁透镜系统；3.7 最大探针电流小于等于2nA；3.8 放大倍数：20-********倍；★3.9 物镜光阑：4孔可调式（30 - 50 - 80 - 100 um）；内置加热自清洁装置；3.10 样品台驱动：大于等于3轴马达自动驱动；3.11 通过预抽室交换样品，预抽室端面透明，可观察到样品交换过程；3.12 具有样品安装到位提示，避免样品在安装时脱落；3.13 具有高位和低位二次电子探测器，高位探测器安装在物镜上方，可选择接受SE、BSE信号；3.14 电子束电位移：±12 μm ( WD = 8 mm)；3.15 扫描模式：TV扫描，快扫描，慢扫描；3.16 图像储存：640×480，1280×960，2560×1920，5120×3480像素；3.17 捕捉的图片可存储在临时图片栏内，可选择单张存储或批量存储，可自动连续命名；3.18 电子图像移动：±12μm (WD=8mm)；3.19 真空系统：（1）真空度：电子枪真空度优于1.9*10-8Pa ；样品室真空度优于10-4Pa；（2）真空泵：分子泵（磁悬浮型）300L/S×1台，机械泵— 2 —134L/Min×1台，离子泵59L/S×1,19L/S×2台3.20 保护：断电、漏电、真空保护；3.21 用户可自行完成烘烤维护和镜筒合轴维护。
项目名称及要求：热场发射透射电子显微镜系
项目名称及要求：热场发射透射电子显微镜系统项目概述：所购置的热场发射透射电子显微镜属于较高端的科研与教学仪器设备。
主要用于各种材料的高分辨形貌观察、微区晶体结构、相结构、成分分析和选取电子衍射分析测定等，该系统主要由电子光学系统、高压系统、真空系统、能谱仪、CCD成像和制样等部分组成，服务于我校师生、周边院校等单位。
系统总体构成：电镜主机（包含真空系统、电子光学系统、高压系统、检测器单元等）、冷却循环水系统、能谱仪、自动变压器、CCD成像系统、控制计算机、制样设备、后备电源、标准工具包及相关附件。
主要指标见附件：热场发射透射电子显微镜（TEM）技术参数附件：热场发射透射电子显微镜（TEM）技术参数（注：技术指标中前加“*”号为必须满足的条款，不允许负偏差）1. 运行环境：1.1 工作温度：18-23 ︒C1.2 工作湿度：≤ 60% （20 ︒C）1.3 适用电源：单相，220 V（±10%），50 Hz；三相，380 V（±10%），50 Hz1.4 磁场：水平≤ 80 nTp-p，垂直≤ 100 nTp-p1.5 接地电阻：≤ 0.4 Ω1.6 仪器运行的持久性：仪器可连续长期使用2. 设备用途2.1 科学研究2.2 主要用于材料的高分辨形貌观察、晶体结构、相结构、成分分析和电子衍射分析测定等，主要由电镜主机、冷却循环水、能谱仪、自动变压器、CCD成像、制样设备等部件构成。
*3. 技术规格3.1 电子枪3.1.1 电子枪类型：肖特基场发射电子枪3.1.2 束流：≥ 0.6 nA（束斑尺寸为1 nm时）3.1.3 束斑漂移：≤ 1 nm/min3.2 分辨率3.2.1 点分辨率：≤ 0.24 nm3.2.2 线分辨率：≤ 0.102 nm3.2.3 信息分辨率：≤ 0.14 nm3.2.4 能量分辨率：≤ 0.75 eV3.3 放大倍数3.3.1 倍数范围：25-1,000,000倍3.3.2 放大倍数重复性:≤ 5%3.4 加速电压3.4.1 电压范围：20-200 kV3.4.2 加速电压全程范围内切换仅需通过软件即可完成3.4.3 加速电压稳定性：≤ 1 ppm/10min3.4.4 物镜电流稳定性：≤ 2 ppm/min3.5 最小束斑尺寸3.5.1 透射模式（TEM）：≤ 1 nm3.5.2 EDS/NBD/CBD模式：≤ 0.3 nm3.6 电子衍射3.6.1 最大会聚角：≥ 100 mrad3.6.2 最大接受角：≥ 13︒3.7 物镜3.7.1 球差系数：≤ 1.2 mm3.7.2 色差系数：≤ 1.2 mm3.7.3 最小聚焦步长：≤ 1.8 nm3.8 相机长度：80-4,500 mm3.9 照明模式3.9.1 两种照明模式：平行光模式和汇聚束模式。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
热发射扫描电镜技术规格及要求热发射扫描电镜技术规格及要求1、设备组成、布置方式及用途说明1.1 设备名称：热发射扫描电镜1.2 数量：一套1.3 场发射扫描电镜主要由以下部分组成：①主机：热场发射扫描电镜②附件：电制冷能谱(EDS)与EBSD一体化系统；离子束镀膜仪；精密切割机；半自动研磨/抛光机；振动抛光机。
1.4 推荐布置方式：开放式布置。
1.5. 电镜主要用于材料的微观形貌观察，要求该设备可以直接对导电（金属材料、半导体材料）和不导电的材料（陶瓷、塑料、玻璃等）进行观察，以满足研究近似原始状态下相关样品的观察和分析需求；配上能谱仪，可对材料的微区成分进行定性和定量分析及元素线扫描和面分布分析；配上EBSD，可通过实时采集背散射电子以及标定背散射电子衍射花样，快速获取逐点的晶体学结构信息，分析研究材料的晶体取向、微观织构及其相关的材料性能等。
1.6. 能通过程序控制实现自动化检测。
2、技术指标要求2.1. 场发射扫描电镜FESEM场发射扫描电镜作为最关键部件，要求选用国际知名品牌产品。
投标文件应对所选用场发射显微镜品牌、特色及技术指标给予详细描述。
1性能参数1.1分辨率二次电子像（SE）15KV1nm 1KV 1.6nm分析模式（EDS或EBSD分析）15KV3nm背散射电子像（BSE）30KV 2.5nm1.2放大倍数30-800,000×放大倍数误差≤3 %调节自动放大倍数修正功能，放大倍数预设功能；连续可调1.3加速电压0.2-30KV调节连续可调1.4探针电流（束流范围）4pA-100nA 稳定度优于0.2%/h 调节连续可调1.5成像模式二次电子像；背散射电子像调节模式二次电子和背散射电子成像系统可以任意比率混合，自动调节和手动调节亮度、对比度2电子光学系统2.1电子枪（灯丝）标书需详细描述本产品的电子光学系统特点具有自动对中和启动电子枪功能；在显示器中显示全部发射器参数的状态信息；灯丝寿命优于两年。
2.2透镜控制系统需在标书上详细说明透镜控制系统；实现了大小样品的高分辨率。
取代机械式可调光阑，避免机械上的误差和人为的误操作。
2.3物镜光阑物镜光栏应能自加热自清洁；无需拆卸镜筒即可更换物镜光阑；光阑寿命优于两年。
2.4电子束位移扫描旋转、动态聚焦和倾斜校正补充，图像旋转连续调整，工作距离改变自动旋转补偿；样品倾斜时自动聚焦并修正。
3样品室3.1样品台五轴马达驱动，同时保留各轴手动，移动范围：X≥50mm；Y≥50mm；Z ≥25mm；T≥-5～+70°；R=360°连续旋转，电脑控制全对中旋转控制，内置样品防撞警报器3.2样品室最大可装载直径不小于150mm样品；兼容性高，预留了EDS、EBSD以及其他标准扩展接口。
3.3重复性重复性：2 µm；3.4 稳定性最小步长：90 nm；漂移：在稳定20min后，在360 s内（样品台不倾斜），样品台漂移小于40 nm；3.5 样品台控制样品台移动：在屏幕图形上用鼠标控制及操纵杆控制；灵敏度与放大倍数相协调；样品台导航：由模拟样品台移动的Smart SEM 图形来进行；接触报警：与屏幕上的信息同时进行音响报警。
4检测器4.1镜筒内二次电子检测器一个和背散射电子检测器各一个；样品室二次电子检测器一个和背散射电子检测器各一个4.2 样品室红外CCD相机一个5电脑控制、数字图像记录系统和标准应用软件5.1配置与EDS和EBDS的数据连接通道；5.2具有自动控制功能：自动真空控制、自动调节饱和电流、透镜光阑对中、自动调焦、加速电压偏压自动补偿、电子束大小电流自动调整、自动调整扫描速度（根据信噪比）、自动调整对比度&亮度、自动消像散。
5.3图像处理：最大像素不小于4096×3536像素。
图像显示：单幅图像显示或4帧图像（SE和BSE,混合像，CCD像）同时显示，双分屏显示（显示电镜工作参数）；图像记录: TIFF, BMP或JPEG; 几何量实时测量（任何倍率下误差低于3%以下)；标准配备多种测量软件工具；图像存取和管理软件；操作软件内建帮助软件，协助使用者查询相关操作步骤；具有产品控制和数据处理的其他标配功能。
5.4电镜控制操作软件。
6控制和数据处理系统6.1基于以太网架构的数据传输系统；Intel双核控制和操作计算机系统（要求标书需明确配置）；Windows XP操作系统；中央处理器：CPU：Intel P4 3.2GHz。
内存：3.45G；外界接口：串行、并行、SCSI、USB 2.0接口、网络；硬盘1000GB；CD、DVD刻录；显示器：19英寸LCD显示器（标书需明确厂家与型号）7真空系统7.1涡轮分子泵，离子泵，前级机械泵；换样时间：≤300秒（高真空模式）；电子枪室真空度10-7Pa 数量级；样品室真空度：高真空模式下10-4Pa数量级。
8工作条件和安装要求8.1电源:220V/50Hz；运行环境温度:15-25度；运行环境：相对湿度<80%；仪器运行的持久性：可连续运行；8.2能在武汉理工大学测试中心一楼安装，并保证设备的验收指标要求。
9安全保护9.1具有突然真空下降、断水、断电、接地故障自动保护10 冷却系统10.1配有循环水冷却器11其他配件或易损件11.1配置相关配件或易损件（备用灯丝+光阑3套，含技术人员服务费及差旅费）。
2.2． 附件：电制冷能谱(EDS)与EBSD 一体化系统该附件为场发射扫描电镜关键附属设备，用于材料的微区结构分析。
EDS1 探测器1.1 （*）芯片类型* 硅漂移SDD 电子制冷探头（Silicon Drift Detector ），独立封装FET 场效应管，圆型硅漂移晶体, 超薄窗设计。
独立真空，仅消耗电能，无需循环水及其他真空泵或风扇制冷，没有震动。
1.2 （*）有效探测面积*不低于30mm 2，同等条件下, 大大提高计数率。
配合场发射SEM 低电压下工作，可以显著提高能谱的信号强度及空间分辨率 1.3 （*）能量分辨率* (Mn-Ka)：在100,000CPS 条件下测量，优于131V ； 轻素分辨率：C-K 优于52eV1.4 最大输入（输出）计数能谱仪处理器与计算机采用分立设计，采用1394卡进行通讯。
最大输入计数不小于850,000cps ，输出最大计数率大于300,000CPS, 可处理最大计数率大于700,000CPS 1.5 窗口类型超薄探测窗口 1.6 元素分析范围* Be4~U921.7 峰背比例优于15,000:11.8 谱峰稳定性 1,000cps 到100,000cps ，Mn Ka 峰谱峰漂移小于1eV ，分辨率变化小于1eV , 48小时内峰位漂移小于1.5eV 。
1. 10 开机速度具备零峰修正功能, 可以快速稳定谱峰, 开机5分钟内即可得到稳定的定量结果。
1. 11无漏磁电子陷阱设计，对扫描电镜无任何影响 2（*）能谱应用软件厂家需在标书中需详细反映产品软件特点:能谱应用软件基于Windows 7平台，采用多任务设计，可以同时并行数个任务，并支持分屏显示及远程控制。
导航器界面设计,操作简便，界面友好, 并具有中文和英文操作界面，可以自由切换;定性分析: 可自动标识谱峰, 除惰性气体元素外, 无禁止自动标定的元素; 可进行谱重构，对重叠峰进行手动峰剥离;定量分析: 采用XPP 定量修正技术和高帽数字滤波技术, 可对倾斜样品进行修正, 并增强对轻元素的修正; 具有完备的虚拟标样库; 具备有标样定量分析及无标样定量分析方法; 可以得到归一化和非归一化定量结果, 可以用化学配位法得到非归一化结果;其它功能: 具备全谱智能面分布/线扫描分析功能，一次采集, 能存储每一扫描位置(x, y)的所有元素的信息, 用户随后可以在离线状态下从图像上的任何位置重建谱图、线扫描和面分布图.全谱智能面分布图分辨率4096*4096。
电子图像分辨率8192*8192.其它功能: 可将电镜图象传输到能谱仪的显示器上,并以该图为中心做微区分析, 可显示电子作用区大小, 可对点, 矩形, 任意多边形, 任意不规则区域等进行分析；实验报告:多种输出格式, 单键可生成Word 文档, 及HTML 格式；离线数据再处理等软件包；标书需详细提供产品功能的软件特点。
3 计算机及其附件部分奔腾4 主频3.0G Hz ，2G 内存，500G HD ，DVD-RW ，22”液晶显示器，网卡 EBSD1 E BSD 探测器1.1 （*）EBSD 探头* 适用于场发射电镜的高速EBSD 探测器，能与EDS 硬件同时使用，高端的高灵敏度CCD 相机，加速电压大于３ＫＶ，及束流大于５００p Ａ时，可以采集到明显的衍射花样。
40×30mm 大面积矩形荧光屏；花样像素分辨率：640×480×12位，高精度马达驱动；确保扫描电镜的真空密封；具备安全保护装置；配置散射探测器（FSD ）；可以充分靠近样品而不遮挡能谱探头,无需电子制冷，CCD 相机直接安装于荧光屏后，充分靠近样品。
1.2 （*）花样采集速度 ≥106点/秒(8*8 binning)1.3 标定成功率 任何扫描速度下，用以多晶镍（Ni ）为标样，测量>99%的标定成功率。
1.4 （*）取向精准度任何扫描速度下，获得优于0.3 度的取向精准度，并可同时给出数据可用性的量化指标； 2 （*）数据库系统 具有专用的EBSD 和ICSD 数据库；具有人工建立数据库和添加源于XRD 的通用数据库功能。
3（*）软件功能与能谱联合使用，具备图像采集系统：具有SEM成像功能，可支持多种SEM图像类型，图片尺寸不低于4096×4096；具备EBSD花样自由采集，无标样自动系统校准功能，拥有极图与反极图，取向分布，相区分与鉴定，能够分析晶界织构，以及EDS和EBSD的同步分析，离线数据再处理等软件包；标书需详细提供产品功能的软件特点。
4（☆）计算机提供通讯连接和高性能计算机工作站，保证解析的高速度；标书需详细提供产品功能的特点。
2.3．附件：离子束镀膜仪功能：适用于不同材质的试样表面喷镀导电层。
主要技术指标：1. 样品能够快速镀膜，只产生极小的热量；2. 控制样品旋转和摇摆速率，确保样品镀膜均一；3. 样品载台适用于各种SEM样品；4. 配有测膜厚度装置（FTM），能够连续测量沉积速率；5. 提供多种材质（C、Pt、Au、Cr）的靶材；6. 隐藏在腔体内的耙材完全与溅射污染物隔离；7. 可选配第二个耙材交换仪器即可再增加两个耙材，可在保持真空的情况下极短时间内选择两个可用耙材中任意一个。
2.4．附件：精密切割机功能：适用于不同材质的试样取样，包括陶瓷，金属，稀土材料，复合材料，生物材料等；能自动完成试样的切割，并有良好的切割效果，试样损伤小；对于失效分析的试样能精确定位切割。