世昂磁控溅射仪操作指南 修改[dxy]

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磁控溅射仪操作规范

磁控溅射仪操作规范

JSD450-Ⅲ型磁控溅射镀膜机
操作步骤及规范
开机
1、打开冷水机。

设定温度:冬天10-15℃,夏天5℃
2、打开放气阀破真空,然后关闭放气阀(之后整个工作过程务必保证放气
阀均是关闭状态。

本机阀门均是逆时针打开,顺时针关闭)
3、打开总控电源
4、打开真空计(电阻单元真空范围10Pa,电离单元0.1-10-6Pa)
5、打开灯,检查镀膜腔是否关紧(观察腔四周是否有光线)
6、打开机械泵电磁阀,此时务必保证放气阀已经关闭!!!
7、打开预抽阀
8、当压强达到10Pa以下打开分子泵→运行→关闭预抽阀→完全打开插板阀工作
1、当腔内压强真空度达到要求后,打开气罐(指针调至刻度1-2之间),关
小插板阀,仪器的工作气压为1-10Pa。

2、关闭电离单元按下“自动”→电离→打开进气阀→流量计(mL/min)
3、在保持输入气体比例基本不变的条件下调节进气量或者调节插板阀使气
压处于1-10Pa,最好是5Pa,流量计开关一般在“阀控”。

4、打开射频开关“ON”观察有无起灰,若无起灰再调节功率或进气量
关机
气体流量计归零→关闭状态→关闭进气阀→关闭控气阀→关闭插板阀→关闭气瓶→射频/直流功率归零→“OFF”→温度电源归零关闭→流量计关闭→分子泵停止待转速归零→关闭开关→关闭电磁阀→关闭机械泵→放气阀打开→放完气以后关闭。

桌面式磁控溅射仪安全操作及保养规程

桌面式磁控溅射仪安全操作及保养规程

桌面式磁控溅射仪安全操作及保养规程前言磁控溅射是一种薄膜制备技术。

在实验中,操作规程的遵守和设备的维护是确保实验成功运行和保证操作安全的重要环节。

本文档旨在提供一份完善的磁控溅射仪的操作和保养规范,以便实验人员遵守,在保证实验安全的前提下,取得更好的实验结果。

安全操作规程操作前准备1.磁控溅射仪操作前需要佩戴防护手套,以免触摸表面造成人体损伤或者使样品污染。

2.鼓风机、备料器、真空泵、离子源等附属设备都应该经过检查,确保正常工作。

3.磁控溅射仪应该安装在较为稳固的工作台上, 并连接好地线。

样品放置1.样品的面向离子源的一面需要平整,并保持进行擦洗和超声波清洗,避免各种杂质附着。

2.样品放置的位置需要注意:应该放在离子源正下方,可以选择放置在省略口里、盛装材料的桶里或者浇口前,从而避免样品放置不平或不稳定。

操作过程1.打开磁控溅射仪开关,等待加热棒达到设定的高温。

该过程可能需要等待5-10分钟,实验人员需要关注加热棒的状态,以确保安全操作。

2.向磁控溅射仪的离子源加入稳定的靶材料,通电,让靶材料进行放电。

此时,室内气体将被放电,引起碰撞,使介入到的石墨被离解,最后沉积在样品表面。

3.沉积完成后,应该等待磁控溅射仪的温度降低至正常温度,并将样品从夹具中取下备用。

操作后整理1.在样品取出后,关闭磁控溅射开关,将离子源从磁控溅射仪中拆除,清理靶材料和离子源。

2.将样品送到显微镜下进行检查和测试,并将其保存在样品柜中。

维护保养方法日常维护1.磁控溅射仪禁止长时间不使用,应该在使用之前进行充分检查,以确保正常工作。

2.清洁进入工作室的空气。

在每个操作结束后通风室至少10分钟以上,有效避免氧化或异物回流造成的影响。

3.定期检查磁控溅射仪中压力表、气瓶的液位以及腐蚀和氧化等痕迹,若出现异常,应该立即进行维修或者更换。

涂层异常情况的处理1.表面不平整:如果样品表面出现不均匀、不平整等情况,应该从样品放置和离子源的放置方面加强调整。

实用实验磁控溅射操作规程

实用实验磁控溅射操作规程

磁控溅射操作规程1、开电闸开关D(磁控溅射总电源和空调),E(电风扇和射频电源),F(循环水)。

打开程序控制器,按下“放气”阀,充入N2气。

当指示灯从真空跳到大气时,关闭N2气,把充气罐移走。

2、按按钮“升”,升起腔盖,放时样品和靶材。

一个直流靶位,二个射频靶位。

直流靶只能溅射导体。

(Ar+溅射在绝缘体不中和形成高压)3、按按钮“降”,降腔盖(注意:如果控制失灵,应立即关闭控制器开关)。

盖好的判断是:盖上盖后,能摇动升降柱(送皮带送到头,然后再拉回一个皮带,再试升降柱,如果不行,再试一次)。

4、按按钮“低抽”,机械泵进行抽真空,程序控制器面板上显示从“大气”到“真空”。

当压强小于1.0×10Pa时(一般为8.7Pa左右),打开循环水进出阀(共四个阀门),再打开循环水总开关F,启动隔壁房间内的循环水。

循环水进出阀横是开、纵是关。

5、在程序控制器中打开“高抽”阀。

再启动分子泵电源:先按下启动总开关,到显示屏幕显示450HZ时,再按“启动”键,可以看到转速在上升,直至450HZ。

6、当离子规小于1.0×10-2Pa时,打开程序真空计电源。

7、当程控真空计显示达到1.5×10-3Pa时,打开照明(旋钮打到最大),相当于除气(使腔体内壁上分子脱离),可以看到气压求数变大(真空计)。

同时打开流量显示仪预热和打开射频电源预热,然后关闭照明(旋钮打到最小)。

8、如果要加热样品,则把开关由“照明”切换到“加热”,打开温度显示屏底下的加热开关,并通过旋动温度显示屏下方的小旋钮调节设置温度。

9、到达预计压强8.4×10-4Pa左右时,关闭程控真空计。

打开“充气”阀,关闭“高抽”阀,打开Ar气罐总阀,再打开减压阀(不要超过一小格),控制Ar流量。

真空计打到“contr”档,打开流量计“阀控”,先将真空计拨到0.5,流量计也拨到0.5,当流量计求数开始变动时,再将真空计拨到3.0,同时拨动流量计示数(约在87左右),目的是让求数打到3Pa。

磁控溅射与分子束外延安全操作及保养规程

磁控溅射与分子束外延安全操作及保养规程

磁控溅射与分子束外延安全操作及保养规程1. 引言磁控溅射和分子束外延是一种常用的薄膜生长技术,广泛应用于材料科学、表面工程、光电子学和纳米器件制备等领域。

然而,这些技术涉及高温、高真空和高能量密度等危险因素,因此在操作过程中必须严格遵循安全操作规程,以确保实验人员的人身安全和设备的正常运行。

本文将介绍磁控溅射和分子束外延的安全操作规程和日常保养注意事项。

2. 磁控溅射安全操作规程2.1 准备工作•安全防护:佩戴防护眼镜、手套和防护服,确保人身安全。

•仪器检查:检查溅射装置的各个部件是否完好无损,确保仪器正常工作。

•工作环境:确保操作场所干燥、通风良好,避免引发火灾和爆炸。

2.2 操作步骤1.打开溅射装置的真空泵,并监控真空度的变化,确保达到所需的工作真空度。

2.将待沉积的靶材安装到溅射装置中,并确保靶材表面干净平整。

3.连接电源,确保正负极的接线正确,避免电源短路。

4.打开气体进气阀,将工作气体注入溅射装置,注意控制气体流量和压力。

5.打开溅射源开关,产生磁场并加热靶材,开始溅射过程。

6.溅射结束后,关闭气体进气阀,关闭溅射源开关,待装置冷却后方可停止真空泵运行。

7.清理工作区域,清除沉积物和废气,保持工作区环境整洁。

2.3 安全注意事项•高真空环境下操作时,避免突然打开大气门,以免引起爆炸或损坏真空装置。

•注意靶材的选择和安装,避免使用破损或有毒的靶材。

•在溅射过程中,要随时检查溅射源和真空泵的运行情况,确保仪器正常工作。

•操作过程中禁止随意触碰溅射源和加热装置,以免烫伤。

•操作完成后,尽量将溅射装置恢复至初始状态,避免对下次实验产生影响。

3. 分子束外延安全操作规程3.1 准备工作•安全防护:佩戴防护眼镜、手套和防护服,确保人身安全。

•仪器检查:检查分子束外延装置的各个部件是否完好无损,确保仪器正常工作。

•工作环境:确保操作场所干燥、通风良好,避免引发火灾和爆炸。

3.2 操作步骤1.打开分子束外延装置的真空泵,并监控真空度的变化,确保达到所需的工作真空度。

磁控溅射仪操作手册

磁控溅射仪操作手册

磁控溅射仪操作手册一.设备开机:1.确认室内工作环境适合磁控溅射仪工作。

2.开电源。

在总闸打开的情况下,打开控制磁控溅射仪用电的设备开关②;开磁控溅射仪的电源开关。

3.等显示屏上能看见炉腔真空度开冷却循环水。

4.将空气阀开关调至半开状态,开氩气瓶,氧气瓶和氮气瓶至0.1MPa。

5.开分子泵。

显示屏进入正常模式之后,调制AUTO档点“AUTO PUMP”自动开启机械泵和分子泵。

然后仪器自动抽取分子泵待。

前级阀(Backing Valve)和高阀(Hi-Va)依次变绿开始抽取主真空室真空。

二.放样Ⅰ.进样1)在Arm@Home是绿色的情况下,点击“LL AUTO VENT”,送样室开始放气。

2)放完气之后,开送样室的大门,将放有待镀膜的样品的工件盘放入送样线的机械手上,关上送样室的大门,合上大门的开关。

3)点击“LL AUTO PUMP”(根据需要可能需要两次),开始给送样室抽取真空。

待LL AUTO PUMP由绿变红时,抽取真空完毕。

Ⅱ.送样1)点击“LL ISOLATION VALVE”,将进样室和主真空室的阀门打开即可开始送样。

2)传送样品时,将控制进样的“UP-DOWN”开关调到“UP”档,逆时针转动转盘,当带有工件盘的机械手到达主真空室的对应位置。

3)将控制进样的“UP-DOWN”开关调到“DOWN”档,即将工件盘送入主真空室对应工的件台上。

4)顺时针转动转盘,直至机械手移至送样室对应的部位,这时能听到进样室和主真空室的阀门关闭的响动信号,此时机械手已经归位。

三.样品清洗(AUTO模式)1.选择自动模式,依次点击“Navigate”,“AUTO CONFIGURATION”进入自动挡的电源选择界面。

2.在自动挡的电源选择界面选取偏压溅射,设置偏压溅射的参数,可以参考如下图。

设置好偏压功率,溅射时间,工件盘旋转速率,本地真空,气体流量。

3.点击“Overview”进入主界面,观察腔室的真空度,如果真空度未达到5×10-6Torr需要灌液氮辅助抽真空。

磁控溅射的使用流程

磁控溅射的使用流程

磁控溅射的使用流程1. 简介磁控溅射是一种常用于薄膜制备的物理气相沉积技术,通过在真空环境中使用外加磁场来控制离子在固体表面的击穿行为,从而实现材料沉积。

本文档将介绍磁控溅射的使用流程。

2. 实验准备在进行磁控溅射实验前,需要进行以下准备工作:•准备目标材料:选择适合溅射的材料目标,并确保其表面质量良好。

•真空室准备:检查真空室的密封性,确保真空度符合要求。

•溅射设备:检查溅射设备的机械结构和电气系统是否正常工作。

3. 开始实验以下是磁控溅射的基本使用流程:3.1 设置工艺参数在开始实验之前,需要设置以下工艺参数:1.气体流量:根据实验需求设置工艺气体的流量,通常使用氩气作为惰性气体。

2.溅射功率:控制溅射功率调节器,根据目标材料和膜层要求设置溅射功率值。

3.前驱体材料:如有需要,设置前驱体材料的流量和温度。

3.2 准备目标材料1.首先,将目标材料固定在溅射装置的靶架上,并确保目标材料与靶架之间的接触良好。

3.3 抽真空1.打开真空泵,将气体抽出真空室,直到达到所需真空度。

2.检查真空度指示器的读数,确保真空度稳定在所需范围内。

3.4 开始溅射1.打开溅射控制器的电源开关。

2.选择合适的溅射参数,并在控制界面上设置相应的数值。

3.打开氩气罩上的气体流量调节阀,调节气体流量。

4.打开氩气阀门,使气体进入溅射室。

5.打开溅射源的开关,开始溅射过程。

3.5 结束实验1.当达到所需的膜层厚度后,关闭溅射源和气体流量。

2.关闭溅射控制器的电源开关。

3.关闭氩气阀门,停止气体流入溅射室。

4.关闭真空泵,打开气阀,将气体重新充入真空室。

5.等待真空室恢复常压后,打开真空室,取下目标材料。

4. 实验注意事项在进行磁控溅射实验时,需要注意以下事项:•操作人员需要戴好防护眼镜和手套,确保安全。

•在操作溅射源和气体阀门时,需轻拧。

•在实验过程中,注意监控溅射功率和气体流量的稳定性,及时调整工艺参数。

5. 结论磁控溅射是一种重要的材料制备技术,在薄膜制备、材料研究等领域有广泛应用。

磁控溅射操作过程

设备操作规范1.系统从大气开始抽真空:1.1系统抽真空时应按如下步骤进行:1)检查所有阀门是否处于关闭状态。

2)检查所有水路是否开通和水压是否正常。

3)检查柜面板上所有电源是否处于关闭位置。

4)检查电源接地线及整机接地线是否稳妥可靠。

5)打开总电源开关,检查三相指示灯是否全亮,如有一灯不亮,说明有一相未通,应加以排除故障。

6)在面板上按下机械泵开启按钮,启动机械泵。

7)在真空室上打开旁抽角阀,用机械泵对真空室进行抽气。

8)打开热偶计规管,测量系统真空度,有大气压到300Pa到30Pa以下。

9)用机械泵抽气,真空度小于或等于30Pa到13.3Pa之间,即可启动分子泵,用分子泵进行抽气。

(注意:用机械泵抽气,真空度小于或等于13.3Pa时,变成分子流状态,系统会返油,所以一定要控制机械泵抽气时间不能太长)2.极限真空获得:2.1系统接入氦质谱检漏仪,对系统内各条焊缝,各个刀口法兰接口,各个转动密封口,各胶圈密封口,应仔细捡漏。

注意,首先不带气路抽气捡漏,然后将气路打开,带着气路通盘捡漏,漏率小于或等于10-8Pa L/S(此项工作在厂家已经做完)。

2.2确认系统不漏之后,开始内烘烤。

烘烤温度在90~120o C之间,烘烤时间48小时。

2.3用机械泵抽该室的真空度可达小于或等于30Pa到13.3Pa之间,即可启动分子泵。

烘烤期间,分子泵应一直抽气,不能停泵。

2.4如果极限真空上不去,说明系统有漏,就仔细捡漏或用扳手紧一下稍松的法兰(此项指标在出厂前做过多次,没有问题)2.5真空测量:系统从大气开始抽气,只能打开热偶规监测真空度,无论是ZDF5227还是DL-70都不能打开电离规测量。

因为,从大气开始抽气,真空度太低,电离规管灯丝易氧化烧断。

待分子泵启动工作后,系统真空度提高,方可开启电离规,对于ZDF5227,热偶规测得真空度到一定数值后,电离规就自动转换测量。

而对于DL-70不能自动转化测量,待热偶规达0.8~0.5Pa时,可手动电离规按钮,启动电离规工作,测得真空度在10-2Pa。

磁控溅射仪操作手册

磁控溅射仪操作手册一.设备开机:1.确认室内工作环境适合磁控溅射仪工作。

2.开电源。

在总闸打开的情况下,打开控制磁控溅射仪用电的设备开关②;开磁控溅射仪的电源开关。

3.等显示屏上能看见炉腔真空度开冷却循环水。

4.将空气阀开关调至半开状态,开氩气瓶,氧气瓶和氮气瓶至0.1MPa。

5.开分子泵。

显示屏进入正常模式之后,调制AUTO档点“AUTO PUMP”自动开启机械泵和分子泵。

然后仪器自动抽取分子泵待。

前级阀(Backing Valve)和高阀(Hi-Va)依次变绿开始抽取主真空室真空。

二.放样Ⅰ.进样1)在Arm@Home是绿色的情况下,点击“LL AUTO VENT”,送样室开始放气。

2)放完气之后,开送样室的大门,将放有待镀膜的样品的工件盘放入送样线的机械手上,关上送样室的大门,合上大门的开关。

3)点击“LL AUTO PUMP”(根据需要可能需要两次),开始给送样室抽取真空。

待LL AUTO PUMP由绿变红时,抽取真空完毕。

Ⅱ.送样1)点击“LL ISOLATION VALVE”,将进样室和主真空室的阀门打开即可开始送样。

2)传送样品时,将控制进样的“UP-DOWN”开关调到“UP”档,逆时针转动转盘,当带有工件盘的机械手到达主真空室的对应位置。

3)将控制进样的“UP-DOWN”开关调到“DOWN”档,即将工件盘送入主真空室对应工的件台上。

4)顺时针转动转盘,直至机械手移至送样室对应的部位,这时能听到进样室和主真空室的阀门关闭的响动信号,此时机械手已经归位。

三.样品清洗(AUTO模式)1.选择自动模式,依次点击“Navigate”,“AUTO CONFIGURATION”进入自动挡的电源选择界面。

2.在自动挡的电源选择界面选取偏压溅射,设置偏压溅射的参数,可以参考如下图。

设置好偏压功率,溅射时间,工件盘旋转速率,本地真空,气体流量。

3.点击“Overview”进入主界面,观察腔室的真空度,如果真空度未达到5×10-6Torr需要灌液氮辅助抽真空。

磁控溅射

关气,将流量开关调至关闭,将旋钮调至最小
开限流阀,关截止阀,关主阀,关分子泵,待分子泵转速为零,关前级阀,关机械泵,关电源启动
关水,关气,关总电源
开机及抽真空操作
打开循环水机通水并确认水温
开控制箱电源启动
打开真空计(电阻规)电源。并将复合真空计打到手动控制档
打开放气阀破真空,手动打开上盖进行基片装卸。装卸完成后盖上上盖并关闭放气阀
注意:高真空达到镀膜要求后最好5-10分钟后在进行镀膜操作。
镀膜操作
控制基片温度达到要求值,本底真空度达到1.0×10-3Pa
关高真空测量(电离规)
按下限流阀开按钮
将流量控制器打到“阀控”档,切忌打到“清洗”档
调节流量使镀膜室真空度达到镀膜所需真空度(一般建议溅射气压在0.3-0.8Pa)
开溅射电源。射频电源的开启及操作查看射频电源操作说明
停气、水及关(AC)总电源。
磁控溅射操作步骤
一、开机及抽真空操作
二、镀膜操作
三、关机
调节射频电源至所需功率(调节C1、C2使入射功率尽量大反射功率尽量小趋近于0)进行靶材预溅射。预溅射5分钟后(新靶材建议10分钟)再打开靶的对应挡板。射频电源开启或关闭时建议逐步增加或减小功率,防止靶材导热不均匀而导致靶材开裂。
到要求的镀膜时间或厚度后,关闭基片台挡板,关射频电源
关限流阀
关气路截止阀,关质量流量控制器
待基片台温度降低至60度以内后,按“主阀关”按钮,按“分子泵关”按钮,直至分子泵电源的“LED”显示转速低至“0.0”后显示“目标转速27000,目标频率450Hz”,10分钟后,依次按下“前级阀关”按钮、“机械泵关”按钮。
打开放气阀镀膜室充气破真空
打开镀膜室上盖,换取基片,关镀膜盖上室,此时镀膜完成。并将镀膜室抽至10-1Pa保压。

磁控溅射仪操作步骤

磁控溅射仪操作步骤(C114)1.溅射前检查设备各电源连接是否正常;各开关是否置于“关”的位置;各旋转按钮是否归零;各个阀门有没有关闭。

2.开水泵给设备送水(室外放置)。

3.开启总电源送电(西墙电源盒左下角的上下开关)。

4.开腔、取样、放样1)调靶位至最高位置2)开溅射仪设备总电源3)降下样品库4)打开放气阀(听不到进气声后,再停1分钟左右升起上盖)5)升起上盖、取样、换样;降下上盖,关闭放气阀(一定记得关闭!!)5.抽真空6)启动机械泵7)打开CF35角阀8)打开分子泵总电源(预热)9)打开热偶计10)热偶计读数在5Pa左右,关闭角阀11)打开分子泵前级阀(旁抽阀Ⅱ),抽1-2分钟左右12)按下分子泵“启动”按钮13)分子泵转速高于100后,开启闸板阀(缓慢开启,至全开)14)打开电离计,真空度达到所需气压值,记下基底气压值,准备溅射6.充Ar气16)调靶位17)打开所需要的电源(预热)和冷水增压泵A:流量计电源、样品台电源、挡板电源;B:灯丝电源(射频溅射)、排风扇+励磁电源+直流电源Power(直流溅射)18)关闭电离真空计(溅射期间不可打开电离真空计!)19)关闭闸板阀27~28圈20)打开热偶计21)打开Ar瓶、减压器旋钮,打开混气阀(缓慢开启,观察气压)22)流量计拨到“阀控”,设定电位器(缓慢调节,气压读数有滞后)7.溅射23)检查Ua粗、细调是否置0,功率量程是否200W打开靶Ⅱ24)开启射频按钮“On”(进气后灯丝预热基本结束)25)先调Ua粗调,后调细调,同时调节C1、C2,观察输出功率和反射功率指针读数(反射Pf接近0)26)观察是否有自偏压起辉(*若不起辉,开挡板或增大气压值)23)打开靶Ⅱ(开/关),调整励磁电流(1.6A)24)按蓝色按钮“SETPT”,调Level设定所需功率25)按下OUTPUT的蓝色“On”挡(开始处于Off档),使其起辉26)打开“Right Display”的Autual,查看工作功率、工作电压和工作电流(*如不起辉,开挡板或者增大气压或者增大励磁电流或者增大功率)27)预溅10~30分钟起辉稳定后,打开样品台“正转/反转”按钮,旋钮旋至2.5圈以上,打开样品挡板,立即计时。

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  3. 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。
的位置有无异常,靶位是否正常,所有仪表电源开关处于关闭状态。 c. 检查真空室气路截止阀、充气阀是否关闭,检查真空室各接口螺栓是否
拎紧。 d. 查看水冷机的水位及其与各部分,包括分子泵、靶位的接口是否牢固,
检查有无漏水现象。 e. 查看Ar气、N2气气瓶是否处于关闭状态,查看气体余量。
3 注意事项: a.开机前检查各供水系统,各开关、阀的位置。 b.所有操作要详细阅读相关说明书。 c.实验过程中应时刻留意分子泵的运行状况。分子泵停转后,应立即关闭冷
1. 在进入实验室之后,为保证实验人员的安全,实验步骤的规范,以及出于对 仪器的保护,穿好实验服,戴口罩,手套,准备开始实验。
2.进行实验之前,检查实验仪器是否处于正常状态,包括: a. 查看大型设备使用登记表,以及实验记录本,查看上次实验过程中是否
有异常,上次实验日期及溅射材料。并做好使用登记。 b. 检查设备各线路、气路是否完好,供电、供水是否正常,各开关、阀门
3
注意:1.整个实验过程要求戴手套。吹的过程中,气枪与玻璃表面成一定角度(大 约 30 度)并戴口罩;
2.在配置浓硫酸和双氧水溶液时,注意安全,穿实验服,规范操作并且带 橡胶手套;
3.基片清洗完毕后尽量尽快使用,且不能翻转、震动样品盒避免损伤基片。
第二部分:磁控溅射操作流程 2.1 开机抽真空步骤:
1.检查插板阀(溅射室与样品室之间)、闸板阀(分子泵上面)、样品室和溅射 室充气阀是否关闭,还应检查各部件的链接情况,如冷却水,电路、气路 等。检 查完毕,各阀门没有异常之后可以开始抽真空。
2.打开“总电源”,为控制面板供电,打开“总供电”,为设备供电。接通电源 之后,检查各指示灯是否正常,如果发生异常,寻找原因,保证实验正常进行。
2.清洗。将样平台(腔内部分)拆下来,和基片夹、挡板等放入被稀释的盐酸溶
2
液中浸泡十分钟左右,然后用砂纸打磨每个部件,直到部件表面干净且呈金属光 泽,然后用自来水冲洗干净,冲洗过后,将部件放入铺有铝箔的烘箱内干燥(干 燥时间:半小时左右,温度:80℃)等干燥完成之后,将部件取出,用酒精棉擦 拭,然后用N2气吹干,经负责人检查合格后进行安装。
1.送入基片继续抽真空到实验要求(e-4Pa)真ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ度后,准备开始溅射。先检查 仪器有无异常,靶位、挡板是否处在正确位置(靶位降下,挡板关闭)。 具体操作:打开烘烤照明电源,将功能选择选为“照明”,观察腔体内部,确定 挡板关闭,即挡板盖在靶材表面。
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烘烤照明控制面板
2.打开基片加热电源,为基片加热到指定温度。若样品选择室温溅射则省略此步 骤。 具体操作:打开电源后,根据实验具体要求设定好程序(设定过程可参考说明书), 按下启动、运行按钮,开始运行程序。
却水,以避免泵内形成冷凝水。 d.在实验过程中,如果发现异常,非专业不要擅自处理,应该及时和老师或
相关人员联系,尽快解决。 e.在镀膜完成后,磁控靶的冷却水不能立即停止,要等到靶表面冷却后再停
止供应,防止靶被烧坏。 f.在打开腔体时,注意通风,腔体内的气体对人体有害。 g.由于溅射过程会使得腔体外壁积累电荷,所以不要赤手接触腔体外壁,防
插板阀
旋转插板阀的过程中,在打开与 关闭的临界状态时应缓慢旋转
4.将磁棒上的基片夹通过磁力杆由样品室送入溅射室腔体,经过一系列操作,使 基片夹固定在样品台上,将磁力杆退出,然后关闭插板阀。继续抽真空。
溅射室内部照片
基片夹通过磁棒送入腔体
样品送入的过程完成。
基片夹被固定在样品台上,磁棒退出
2.3 溅射过程:
第二部分:磁控溅射操作流程 ....................................................................................................... 4 2.1 开机抽真空步骤: ........................................................................................................ 4 2.2 送入样品步骤: ........................................................................................................... 6 2.3 溅射过程: ................................................................................................................... 8 2.4 样品取出步骤: ......................................................................................................... 13 2.5 停止仪器 ..................................................................................................................... 14
止静电伤害。 h.未经允许任何人不得对仪器进行任何操作。
特别注意:不能将电磁阀 I(溅射室电磁阀)和电磁阀 II(样品室电磁阀)
同时打开,避免分子泵两端的压强差过大而损坏分子泵。
1.2 腔体清理:
1.开盖。经以上检查确定仪器设备处于正常状态后打开仪器总电源、总供电,打 开溅射室真空计,观察其真空度应在 50Pa以下。关闭真空计,拎开溅射室充气 阀向溅射室腔体充入气体(先充入一定量的N2气,然后可直接充入空气)听不到 气流声后,过 1-2min后开启腔盖,按升降台控制按钮(非控制面板),溅射室上 盖则缓缓打开。
注意:整个实验过程要求戴手套、口罩。安装时,基片正面朝下,并根据需 要选择性安装掩膜。同时安装基片时要注意不能让基片的正面接触桌面,避免人 手等污染源。
基片夹的部件
安好基片的基片夹
2.安装好基片后,用气枪将基片上的灰尘吹掉,即可将基片夹放入样品室。 注意:气枪吹的过程中,气枪与基片表面成一定角度,效果较好。
3.将腔体的内部包裹一层铝箔,防止源材料溅射到腔体内壁,难以清理,从而在 其他材料溅射时成为污染源。
4.每次溅射都会使腔体的观察窗玻璃被污染,溅射前要将腔体窗口玻璃换成干净 的玻璃。(被污染的玻璃通过硫酸和双氧水混合液浸泡清洗干净。)
5.安装靶材,将选好的靶材安装在相应的靶位上。必须保证靶材和腔体绝缘(利 用万用表测试靶材与腔体之间的电阻,电阻在 1 兆欧左右表示没有短路),靶材 表面与靶罩之间的距离最多不能超过 2 毫米,且越近越好。抽真空到 5Pa 左右时 试一下能否起辉。换下来的靶材应立即真空封存。
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用气枪吹基片
将基片放入样品室
基片夹安放在样品室。
3.将基片放好之后,关上样品室窗口,打开样品室真空规,观察样品室气压,应
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该接近大气压强。此时,关闭电磁阀Ⅰ,打开电磁阀Ⅱ,观察样品室的真空达到 10pa 以下之后,关闭电磁阀Ⅱ,打开电磁阀Ⅰ,打开插板阀(标注),插板阀开 到最大。 注意:不能将电磁阀 I 和电磁阀 II 同时打开,避免分子泵两端的压强差过大而 损坏分子泵。
水 位 指 示
水冷机
如图为正常,若缺水,警报会响,注意加水。
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分子泵控制面板
5.当气压低于 1pa 时(可设定),电离规自动开启,继续抽真空至实验要求本底 真空度为 e-4pa(电离规)。分子泵运行稳定后可以对腔体进行适当的烘烤。
2.2 送入样品步骤:
1.当腔体真空度达到要求之后,将清洗好的基片从基片盒中取出,安装在在基片 夹上。
a.在打开水冷机前检查水冷机水位,以及水管和分子泵连接接是否牢固,确 定无误后再打开。
b.我们使用的分子泵加速时间应小于 6min,即 6 分钟之内达到额定转速 36000 rpm。实验过程中应时刻留意分子泵的运行状况。
c. 初次使用或长期闲置(一般 3 个月以上)后重新使用,再次启动分子泵 时,待控制器显示分子泵达到额定转速 36000r/min 时,按下“停止/复位”键。 当分子泵停止后,等待 10min,重启分子泵。重复此过程 2-3 次即可以正常启动 分子泵。
2 准备基片 将已经切割好(微细加工中心切割)的相应规格的基片进行清洗,玻璃基片
清洗步骤如下: ①取一大烧杯,加入自来水和洗涤剂,将要清洗的基片放入基片花篮中,将整个 花篮浸入烧杯中。 ②将每片基片用镊子夹起,用无尘布擦拭,擦拭完之后放回基片花篮,再擦拭下 一片,默认一面为正面,按自己的方式标记。擦拭完成之后,将洗涤剂和是自来 水倒掉,并用大量自来水冲洗烧杯中的花篮,直到没有泡沫为止。 ③用去离子水冲洗花篮,3-5 次。 ④在烧杯中按照 1:4 的比例依次加入双氧水和浓硫酸,在一百八十度下煮,直到 烧杯中的液体不再冒气泡为止(约 30 分钟)。 ⑤将废液倒入酸性液体回收处,用自来水(去离子水)冲洗烧杯中的花篮。 ⑥用去离子水冲洗花篮 3-5 次。 ⑦烧杯中加入一定量的去离子水,在超声波中清洗五分钟。(2-3 次) ⑧将去离子水倒掉,用无水乙醇超声波清洗五分钟。(2-3 次) ⑨洗完之后,将基片一片一片取出,用氮气迅速吹干,然后放入事先准备好的洁 净基片盒中,正面朝上,真空封口后储存备用。
基片加热控温电源
3.启动样品台电机转动。 具体操作:打开挡板控制电源和样品台控制电源,然后打开电脑桌面图标“镀膜 监控程序”,进入控制面板。点击“调试”菜单,在“旋转转速”栏输入 10(或 其他适当数值),点击“启动”按钮,使样品台以 10 转/min 的速度转动起来。
3.打开腔体真空计,观察电阻规的示数,此时气压应为接近大气压强。若上次 试验后没有开盖则打开真空计检查腔体内气压,一般正常应低于 50Pa,若气压 异常,则检查漏气部分,保证实验不受漏气的影响。
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