太阳能多晶硅片来料检验标准
原料检验标准
原生多晶硅原料检验标准1.规格：纯度：≥99.9999%颗粒状硅料粒度范围为1 mm～3mm破碎的块状多晶具有无规则的形状和随机的尺寸分布，即线型尺寸最小为3mm，最大可达200mm。
块状多晶的分布范围：1）3mm～25mm的重量占总重量的比重≤15%2）25mm～100mm的重量占总重量的比重15%～35%3）100～200mm的重量占总重量的比重≥65%2.物化特性：断面结构应致密，无色班、变色，无目视可见的污染物和氧化的外表面，不允许出现氧化夹层。
3.材料明细：（产品内在技术指标）太阳能多晶硅等级及技术要求应符合表1规定。
表1：块状、棒状多晶硅断面结构应致密。
多晶硅免洗或经过表面清洗，都应使其达到直接使用要求。
所有多晶硅的外观应无色班、变色，无目视可见的污染物和氧化的外表面。
多晶硅中不允许出现氧化夹层。
埚底料1、外观检验1.1块状埚底料为规则的形状。
1.2埚底料表面应无氧化夹层、杂质、色斑、变色，无目视可见的污染物。
1.3埚底料的表面经酸腐蚀后表面应无色斑、变色、无可见的污染物（石墨、石英片、胶等）。
2、指标检验2.1型号检验：N型、P型；2.2电阻率检验：最低电阻率作如下分类：N型＞7Ω.cmP型＞5Ω.cm2.3规格尺寸单块埚底料尺寸必须大于2厘米（非线性）边皮/头尾料1、外观检验1.1块状边皮/头尾料为规则的形状。
1.2边皮/头尾料表面应无氧化夹层、杂质、色斑、变色，无目视可见的污染物。
1.3边皮/头尾料的表面经酸腐蚀后表面应无色斑、变色、无可见的污染物（石墨、石英片、胶等）。
2、指标检验2.1型号检验：N型、P型；2.2电阻率检验：最低电阻率作如下分类：N型＞10Ω.cmP型＞1Ω.cm2.3规格尺寸单块边皮/头尾料尺寸必须大于2厘米（非线性）。
太阳能组件来料检验标准
太阳能电池组件原材料检验项目及方法一．太阳能电池片1。
检验内容及方式:1）电池片厂家，包装（内包装及外包装），外观，尺寸，电性能，可焊性,珊线印刷，主珊线抗拉力，切割后电性能均匀度.(电池片在未拆封前保质期为一年)2）抽检（按来料的千分之二），电性能和外观以及可焊性在生产过程全检。
2。
检验工具设备:单片测试仪,游标卡尺,电烙铁，橡皮，刀片，拉力计，激光划片机.3。
所需材料:涂锡带，助焊剂。
4。
检验方法:1）包装：良好，目检。
2）外观：符合购买合同要求。
3）尺寸：用游标卡尺测量,结果符合厂家提供的尺寸的±0.5mm4)电性能：用单体测试仪测试，结果±3%。
5）可焊性:用320-350℃的温度正常焊接，焊接后主珊线留有均匀的焊锡层为合格。
（要保证实验用的涂锡带和助焊剂具有可焊性）6）珊线印刷:用橡皮在同一位置反复来回擦20次，不脱落为合格。
7）主珊线抗拉力:将互链条焊接成△状，然后用拉力计测试，结果大于2。
5N。
8）切割后电性能均匀度：用激光划片机将电池片化成若干份,测试每片的电性能保持误差在±0。
15w。
5。
检验规则:以上内容全检，若有一项不符合检验要求则对该批进行千分之五的检验。
如仍不符合4）.5）.7）8)项内容,则判定该批来料为不合格。
二.涂锡带1。
检验内容及方式：1)厂家,规格，包装，保质期（六个月），外观,厚度均匀性，可焊性，折断率，蛇形弯度及抗拉强度。
2）每次来料全检（盘装），外观生产过程全检。
2。
检验所需工具：钢尺,游标卡尺，烙铁,老虎钳，拉力计。
3.所需材料:电池片，助焊剂。
4.检验方法：1)外包装目视良好，保质期限，规格型号及厂家.2)外观：目视涂锡带表面是否存在黑点，锡层不均匀，扭曲等不良现象。
3）厚度及规格：根据供方提供的几何尺寸检查，宽度±0.12mm,厚度±0.02mm视为合格。
4）可焊性：同电池片检验方法5)折断率：取来料规格长度相同的涂锡带10根，向一个方向弯折180°,折断次数不得低于7次。
《太阳能级多晶硅》国家标准
《太阳能级多晶硅》国家标准前言本标准是为习惯我国光伏产业日益进展的需要，在修改采纳SEMI 16-1296《硅多晶规范》标准的基础上，结合我国多晶硅生产、试验、使用的实际情形而制定的。
本标准的制定能满足市场及用户对太阳能级多晶硅的质量要求。
本标准考虑了目前市场上的大部分用于太阳能光伏产业的多晶硅料，包括：棒状料、块状料、颗粒料、粉状料等，按照不同种类的多晶硅加工、生产太阳能电池其转换率情形，将太阳能级多晶硅纯度分为三级。
与SEMI 16-1296相比增加了基体金属杂质内容。
本标准的术语与有关标准和谐一致。
本标准由中国有色金属工业协会提出。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。
本标准起草单位：洛阳中硅高科技有限公司、无锡尚德太阳能电力有限公司、中国电子材料行业协会、西安隆基硅材料股份有限公司、四川新光硅业科技有限公司。
太阳能级多晶硅1 范畴本标准规定了太阳能级多晶硅的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则以及包装、标志、运输及贮存。
本标准适用于使用（改良）西门子法和硅烷等方法，生产的棒状多晶硅、块状多晶硅、颗粒状多晶硅。
产品要紧用于太阳能级单晶硅棒和多晶硅锭的生产。
2 规范性引用文件下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。
凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而，鼓舞按照本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。
凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。
GB/T 1550 非本征半导体材料导电类型测试方法GB/T 1551 硅、锗单晶电阻率测试直流两探针法GB/T 1552 硅、锗单晶电阻率测试直排四探针法GB/T 1553 硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法GB/T 1557 硅晶体中间隙氧含量的红外吸取测量方法GB/T 1558 硅中代位碳原子含量红外吸取测量方法GB/T 4059 硅多晶气氛区熔磷检验法GB/T 4060 硅多晶真空区熔基硼检验法GB/T 4061 硅多晶断面夹层化学腐蚀检验方法GB/T 14264 半导体材料术语SEMI MF1389 光致荧光光谱测单晶硅中Ⅲ-Ⅴ族杂质SEMI MF1535 用微波反射光电导衰减法非接触测量硅片载流子复合寿命的测试方法SEMI MF1630 低温傅立叶变换红外光谱法测量单晶硅中Ⅲ-Ⅴ族杂质SEMI MF1723 利用区熔生长和光谱法评判多晶硅产品规范SEMI MF1724 利用酸提取原子吸取光谱法测量多晶硅表面金属沾污的测试方法3 要求3.1分类产品按外型分为棒状、块状和颗粒状，按照等级的差别分为三级。
硅片检验标准
版本状态临时版文件名称硅片检验页码1/5编制/日期：审核/日期批准/日期：1．目的监测硅片质量，确保电池片质量稳定。
J2．适用范围适用于本公司品质部对所有来料硅片质量的监视和测量。
3．职责3.1 品质部负责制订硅片检验文件。
3.2 品质部负责来料硅片质量的控制。
4．检验4.1核对对照送检单，核对硅片的来源、规格和数量，供方所提供的参数、如电阻率、厚度、对角线长、边长。
检查供方出具的材质报告（碳含量、氧含量、晶向及位错密度），如有不符，须先与采购部沟通，无误后进行检验。
4.2 外观检验4.2.1用刀片划开封条，划时刀片不宜切入太深，刀尖深入不要超过5mm，防止划伤泡沫盒内的硅片。
塑封好的硅片，用刀尖轻轻划开热缩膜四个角，然后撕开热缩膜。
4.2.2 抽出两边的隔版，观察盒内有没有碎片，如有则要及时清理碎片。
4.2.3 检验时戴PVC手套。
从盒内拿出100片硅片（不得超过100片），先把硅片并齐并拢后观察硅片四边是否对齐平整,并用硅片模板进行对照，鉴别是否存在尺寸不对的现象，如不符合，则用游标卡尺测量，并及时记录于硅片外观检验原始记录表上。
4.2.4 再将100片硅片分出一部分使其旋转90度或180度，再并拢观察硅片间是否有缝隙，如有则说明有线痕或是TTV超标的现象。
将缝隙处的硅片拿出来，用MS-203测硅片上不固定的数点厚度(硅片边缘2-5cm以内取点),根据厚度结果确定是否超标。
将线痕、TTV超标片区别放置。
再观察四个倒角是否能对齐，如有偏差，对照硅片模板进行鉴别，把倒角不一致硅片分开放置。
并在硅片外观检验原始记录表上分别记录数量。
4.2.5 观察硅片是否有翘曲现象，翘曲表现为硅片放在平面上成弧形或是一叠硅片并拢后容易散开。
如有，则要把硅片放在大理石平面上，用塞尺测量其翘曲度，将翘曲度超标片区别放置，在硅片外观检验原始记录表上记录数量。
4.2.6 逐片检验硅片，将碎片、缺角、崩边、裂纹、针孔、污物、微晶（特指多晶硅片）等不合格品单独挑出，分别存放，并在硅片外观检验原始记录表上记录。
多晶硅片检验标准
检验分类：1.正常晶 2.雪花晶 3.微晶 4.分布晶
定义：
正常晶——无典型分布晶、微晶、雪花晶和其他异常晶粒特征的正常多晶硅片。
雪花晶——除典型微晶、分布晶和正常晶外的所有多晶硅片。
包括典型雪花晶和除分布晶和微晶以外的所有非正常晶。
微晶——晶粒尺寸小于等于2mm，呈连续分布具有一定面积的晶体。
分布面积大于1cm2，不具有典型分布晶特征（如图所示）。
分布晶——大晶粒上分布的具有“圈点”特征的小晶粒（如图所示）。
检验流程：
关键点：
1.典型分布晶的特征——“圈点”特征小晶粒。
2.典型微晶特征——密集型连续分布的小晶粒，无典型分布晶特征。
3.对具有一定面积密集型小晶粒分布的多晶硅片要严格把握，尽量归入分布晶（具有典型分
布晶特征）或微晶中。
4.对于极度分散的非典型分布晶，不要归入分布晶。
可归入雪花晶。
典型微晶图
典型分布晶图
以每1000片计算，因原料问题造成的损失为：
1000*返工比例*返工成本+1000*返工比例*返工碎片率*硅片价格+1000*返工比例*降低的转换效率*电池价格/平均转化效率+1000*C级色斑比例*（A级片价格-C级片价格）+1000*B级色斑比例*（A级片价格-B级片价格）。
进料检验规范(太阳能电池)
文件编号 材料名称 产品类别
KMC_MI-01 太阳能电池
页次 版本
2/7
A
■材料 □外购品 □外发加工 □其它
MIL-STD-105E
正常检验 II 级
AQL：CR:S-2 AC=0；MJ: AQL=1.0；MN:AQL=2.5
目测方法：在距 40W 荧光灯 1m-1.2m 光线内,眼睛距物 30-50cm，视物约３-5 秒 判定 检验项目 检验方法及标准 1、表面无破损，无断裂，大小一致。 2、铝膜面不能有水浸入发黑，不能有手指印。 3、表面或铝膜面不能有划痕、划伤。 4、同一太阳片不能有明显色差，发红等现象。 5、四周不能有白边及加工不均。 来料尺寸： 1、635mm*1245mm*3mm,电压方向宽度：635mm±3mm,电流方向长度： 1245mm±3mm,厚度为 3mm-3.2mm。 2、需含有 39 个完整电池，每节电池宽的为:15.7mm,正极方向宽度 大于 4.5mm 3、暗线（黑线）为电池正极，亮线（白线）为电池负极，正负极 线间宽度小于 1mm。 切割尺寸： 1、根据不同灯的电压电流要求，它的长宽（分别控制电压和电流） 尺寸不同，误差：±0.5mm。 2、 太阳片规格有： 38*38、 39*35、 52.5*52.5、 59*59、 63*63、 87*67、 70*70、94.5*79.5、110*130 3、外发江西锐秀使用的 38*38 太阳片尺寸控制在 38.0~38.5 之间 每块太阳片之间要有绵纸隔离 包装 装配 太阳片与木框间要有泡沫绵隔离 每箱木框包装箱内不可留有活动间隙，以免物流过程中产生损坏 1、与顶盖配合，无翘高，无变形，无缝隙。 1.用照度计对卤素灯进行调试,光源亮度为 9 万 LUX 时灯光对非晶 太阳片进行检测.不同规格的太阳片充电电流及弱光性要求不一样, 按开发部提供的标准进行检测 2.非晶太阳片每节开路电压为:0.96V 以上,电流为:1cm 为 8-10mA 即 I=8mA/cm，整块太阳片的电压电流参数以此推算测量判定。 来料时已开好焊盘的可焊锡面不低于焊盘的 75%，二次焊接无不良 可焊性 生产过程自开焊盘的焊盘无氧化变色，无不上锡或不上铝情况 √ 目测 C R M J M N 检测 工具 备注
太阳能多晶硅片质量等级分类方法
BA1A2B1、B2、B3…B91导电类型P P硅片分选设备抽检2隐裂、针孔无隐裂、无针孔无隐裂、无针孔硅片分选设备抽检3崩边长度≤1 mm，深度≤0.5 mm，每片崩边总数≤2 处；长度≤1 mm，深度≤0.5mm，每片崩边总数≤2 处；B1— 1mm＜崩边长度≤5mm，1mm＜深度≤2mm，1＜崩边总数≤3目测全检4TTV ≤30 μm ≤30 μm B2— 30μm＜TTV≤50μm；硅片分选设备抽检5厚度200±20 μm 200±20 μm B3— 厚度偏差超过±20μm但小于±40μm硅片分选设备抽检6尺寸156±0.5 mm 156±0.5 mm B4— 硅片尺寸偏差超过±0.5mm但小于±1.0mm 硅片分选设备抽检7倒角1±0.5 mm、45°±10º1±0.5 mm、45°±10ºB5— 倒角尺寸偏差超过±0.5mm但小于±0.8mm 硅片分选设备抽检8线痕深度≤8 μm 深度≤15 μmB6— 15μm＜深度≤30μm目测、必要时使用表面粗糙度仪帮助判定全检9电阻率0.5-3Ω•cm；3-6Ω•cm0.5-3Ω•cm；3-6Ω•cmB7— 电阻率＜0.5Ω.cm硅片分选设备抽检10少子寿命≥2μs≥2μsB8— 0.5μs≤少子寿命＜2μs少子寿命测试仪按硅块检验规程进行抽检11表面质量状况硅片表面及侧面无凹坑，无沾污，无氧化，无穿孔，无裂纹，无划伤；硅片表面及侧面无凹坑，无明显沾污（表面沾污总面积小于3mm 2，每一百片单边侧面沾污总面积小于20mm 2）（判断时参照沾污样本片进行判定），无氧化，无穿孔，无裂纹，无划伤；B9— 硅片表面有沾污但硅片颜色不发黑；油点或其他赃物不得有3处，每处沾污或其他赃物面积≤1mm2目测全检12弯曲度≤80 μm ≤80 μm ≤80 μm塞尺抽检13氧碳含量氧含量≤8x1017atoms/cm 3 ；碳含量≤6.0x1017atoms/cm3氧含量≤8x1017atoms/cm 3；碳含量≤6.0x1017atoms/cm 3氧含量≤8x1017atoms/cm 3 ；碳含量≤6.0x1017atoms/cm 3氧碳含量测试仪客户要求时才抽检检测方法检验方式可划片（不合格产品），但在划为小规格尺寸（125×125）硅片后，其他性能符合A 级硅片标准不合格产品，即不满足A、B、C级要求的硅片均归为D级可划片（不合格产品），但在划为小规格尺寸（125×125）硅片后，其他性能符合A 级硅片标准不合格产品，即不满足A、B、C级要求的硅片均归为D级表1 太阳能多晶硅片质量等级分类方法序号检验项目A CD。
太阳能多晶硅片来料检验标准
（盖章）文件分发明细受文部门份数受文部门份数受文部门份数受文部门份数文件制修订记录修订日期文件版本修订摘要拟定审批（盖章）1.0目的:规范硅片的来料检验过程,使采购的硅片质量符合公司规定要求和标准。
2.0范围：适用于公司所有的晶体硅片来料检验。
3.0内容：5.1 IQC收到仓库提供的“入库单”后，按照入库单上的来料信息进行抽样检查。
5.2抽样方案：抽样量按照国标GB/T2828.1-2012标准，正常检验一次抽样方案，一般检验水平Ⅱ。
5.3抽样接收标准及检验程序：5.3.1抽样接受标准为AQL=1.0,若不良品（机碎除外）超标则按不合格处理（《不合格品控制程序》），不再进行重复抽检。
5.3.2抽取样品及与硅片接触的任何操作过程中，均需要戴上乳胶防护手套。
5.4 检验项目及检验标准序号检验项目/检验步骤抽样方案检验工具检验方法及判定标准注意事项图标1 检验外箱包装外观质量全数检查(Ac=00，Re=1)目视要求堆放整齐，外包装箱及托盘无损坏、变形、脏污等不良现象。
发现异常时，应拍照取证，并立即报告，以便及时通知供应商2 核对到货单信息与外箱标识信息的一致性全数检查(Ac=00，Re=1)目视要求到货单上显示的硅片型号、规格，数量与外箱标识一致发现异常时，应拍照取证，并立即报告，以便及时通知供应商3 抽取样品GB/T2828.1正常检验一次性抽样方案，一般检验水平Ⅱ目视(1)记录所抽样盒子上显示的晶体编号,将晶体编号写在《硅片检验记录表》(2)在抽样的盒子中抽取检测样片到指定泡沫盒中.(3)抽取的样品放置在规定的泡沫盒中，注：抽取样品时，要检验该盒硅片边缘部分是否有缺觉、硅晶脱落及开箱碎片等明显的不良(4)抽取样品后，在对应硅片的外箱标签处写上该抽样数量，以便核对硅片数量(1)刀片使用过程中注意事项，防止划伤(2)刀片伸出长度小于1cm，放置划破内包装，损伤硅片(3)取完硅片后，盖上盒盖，注意盒盖内没有异物及盒内硅片的整齐度，避免硅片破裂（盖章）4 硅片外观检查你GB/T2828.1正常检验一次性抽样方案，一般检验水平Ⅱ目视检查硅片表面切割纹路，判定切割类型：单向/双向(1)检验条件切割类型：距离眼部约5cm，700LX光照下，每包头、中，尾各随机抽一片检测其他：距离眼部约30-50cm，700LX光照下，目视垂直于硅片(2)注意两手捏硅片的力度(3)硅片正反两面都需要检查(4)每次检验不得超过100片目视表面清洁度，表面光滑干净，无油污，斑点，手指印或化学残留物目视硅片边缘横截面，必须光亮无毛糙（切片前的硅锭要经化学腐蚀去除损伤层目视阴阳片不允许目视微晶＜10个晶粒/平方厘米目视晶界走向与硅片表面垂直，无异常晶粒ATM检测仪不允许有裂纹，孔洞，隐裂ATM检测仪边缘缺陷：≤0.5mm，深度≤0.3mm，且每片不超过2个ATM检测仪硅落A级品：长度≤0.2mm，深度≤0.3mm，个数≤2个B级品：长度≤0.3mm，深度≤0.8mm，个数≤2个ATM检测仪线痕粗糙度A级品：≤15umA级品：≤40um5 检查硅片外观目视检查硅片形状，将部分硅片转向180度，检查外形，要求为正方形(1)检验条件：30-50cm，700LX光照下，垂直于硅片目视(2)注意两手握硅片的力度(3)硅片正反两面需要检查(4)每次检验不得超过100片目视多晶硅片晶粒分布：无雪花晶，分布晶，微晶，孪晶。
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（盖章）
文件分发明细
受文部门份数受文部门份数受文部门份数受文部门份数
文件制修订记录
修订日期文件版本修订摘要拟定审批
（盖章）
1.0目的:规范硅片的来料检验过程,使采购的硅片质量符合公司规定要求和标准。
2.0范围：适用于公司所有的晶体硅片来料检验。
3.0内容：
5.1 IQC收到仓库提供的“入库单”后，按照入库单上的来料信息进行抽样检查。
5.2抽样方案：抽样量按照国标GB/T2828.1-2012标准，正常检验一次抽样方案，一般检验水平Ⅱ。
5.3抽样接收标准及检验程序：
5.3.1抽样接受标准为AQL=1.0,若不良品（机碎除外）超标则按不合格处理（《不合格品控制程序》），不再进行重复抽检。
5.3.2抽取样品及与硅片接触的任何操作过程中，均需要戴上乳胶防护手套。
5.4 检验项目及检验标准
序号检验项目/
检验步骤
抽样方案检验工具检验方法及判定标准注意事项图标
1 检验外箱包
装外观质量
全数检查
(Ac=00，Re=1)
目视
要求堆放整齐，外包装箱及托盘无损坏、变形、脏
污等不良现象。
发现异常时，应拍照取证，并立即报告，
以便及时通知供应商
2 核对到货单
信息与外箱
标识信息的
一致性
全数检查
(Ac=00，Re=1)
目视
要求到货单上显示的硅片型号、规格，数量与外箱
标识一致
发现异常时，应拍照取证，并立即报告，
以便及时通知供应商
3 抽取样品GB/T2828.1正
常检验一次性
抽样方案，一般
检验水平Ⅱ
目视
(1)记录所抽样盒子上显示的晶体编号,将晶体编
号写在《硅片检验记录表》
(2)在抽样的盒子中抽取检测样片到指定泡沫盒
中.
(3)抽取的样品放置在规定的泡沫盒中，注：抽
取样品时，要检验该盒硅片边缘部分是否有缺觉、
硅晶脱落及开箱碎片等明显的不良
(4)抽取样品后，在对应硅片的外箱标签处写上该
抽样数量，以便核对硅片数量
(1)刀片使用过程中注意事项，防止划
伤
(2)刀片伸出长度小于1cm，放置划破内
包装，损伤硅片
(3)取完硅片后，盖上盒盖，注意盒盖内没
有异物及盒内硅片的整齐度，避免硅片
破裂
（盖章）
4 硅片外观检
查
你GB/T2828.1正常
检验一次性抽
样方案，一般检
验水平Ⅱ
目视
检查硅片表面切割纹路，判定切割类型：单向/双
向
(1)检验条件
切割类型：距离眼部约5cm，700LX光
照下，每包头、中，尾各随机抽一片检
测
其他：距离眼部约30-50cm，700LX光
照下，目视垂直于硅片
(2)注意两手捏硅片的力度
(3)硅片正反两面都需要检查
(4)每次检验不得超过100片
目视
表面清洁度，表面光滑干净，无油污，斑点，手指
印或化学残留物
目视
硅片边缘横截面，必须光亮无毛糙（切片前的硅锭
要经化学腐蚀去除损伤层
目视阴阳片不允许
目视微晶＜10个晶粒/平方厘米
目视晶界走向与硅片表面垂直，无异常晶粒
ATM检测仪不允许有裂纹，孔洞，隐裂
ATM检测仪
边缘缺陷：≤0.5mm，深度≤0.3mm，且每片不超过
2个
ATM检测仪硅落
A级品：长度≤0.2mm，深度≤0.3mm，
个数≤2个
B级品：长度≤0.3mm，深度≤0.8mm，
个数≤2个
ATM检测仪
线痕
粗糙度
A级品：≤15um
A级品：≤40um
5 检查硅片外
观
目视
检查硅片形状，将部分硅片转向180度，检查外形，
要求为正方形
(1)检验条件：30-50cm，700LX光照下，
垂直于硅片目视
(2)注意两手握硅片的力度
(3)硅片正反两面需要检查
(4)每次检验不得超过100片
目视
多晶硅片晶粒分布：无雪花晶，分布晶，微晶，孪
晶。
(1雪花晶：呈连续分布，具有一定面积的晶体，
每2cm²内晶粒不超过50个
(2)分布晶：大晶粒上分布的具有特定圈点特征的
小晶粒
(3)微晶：每1cm²内晶粒不超过10个
6 检查硅片尺
寸
ATM测试仪
边长：P156：156±0.5mm
M156：156±0.5mm TV:硅片中心点的厚度，指一批硅片厚
度分布的情况
TTV：总厚度，指一批硅片最厚和最薄
的误差
TTV的最大值和最小值要在TV允许的范
围内
对角线：219.2±0.5mm
倒角长度：0.7-2.1mm
ATM测试仪
厚度(180~200)±20um(±10um的比例≥70%)
TTV:≤30um
（盖章）
7 电阻率测试 GB/T2828.1正
常检验一次性
抽样方案，一般
检验水平Ⅱ ATM 测试仪 硅片电阻率1-3.5 Ω.cm /
8 翘曲度 检测报告 翘曲度：≤40um
每批需附检测报告
9 垂直度
检测报告 两个边的垂直度：90°±0.3° 10 硅片P/N 检测报告 要求硅片类型为：P 型 11
少子寿命
测试
检测报告
少子寿命 ≥2us
12 氧碳含量
检测报告
氧含量≤8.0E17atoms/cm ³ 碳含量≤1E18atoms/cm ³
5.5 标识与记录
5.5.1 5.4中所有项目全部检验合格，方可判定整批合格； 5.5.2 检验完毕后，合格与不合格硅片分开放置，并标识清楚；
5.5.3在检验完的箱子上贴上相应的判定结果标签，抽检样片按原方式进行包装，并贴上标签做好标识； 5.5.4将不良品按不同种类单独包装，并贴上不合格标签，做好标识； 5.5.5填写《硅片检验记录表》，《硅片检验统计表》经领导签核后存档； 5.5.6入库。
5.6 硅片来料不良处理
整批使用完成后：
5.6.1来料不良率＞2‰ ：质量部通知采购联系供应商做不良片确认，确认完成后将不良片总数通知采购，采购办理不良片换货流程. 5.6.2来料不良率≤2‰ ，则按采购合同制造进行报废。
6.0 附表
6.1 《硅片来料检验记录表》。