缺陷化学
第三章缺陷化学基础(一)
第三章缺陷化学基础（一）引言概述：第三章缺陷化学基础（一）是一门重要的学科，它关注材料的缺陷，这些缺陷对材料的性能和性质产生深远影响。
本文将从5个大点出发，深入探讨缺陷化学基础的相关内容。
正文：1. 缺陷的类型1.1 点缺陷：介绍点缺陷的定义和分类，如空位和间隙原子等。
1.2 杂质缺陷：介绍杂质缺陷的形成机制和数量效应，如固溶体和非固溶体杂质等。
1.3 晶界缺陷：探讨晶界缺陷的影响因素和性质，如晶界能和晶界迁移等。
1.4 断裂缺陷：研究断裂缺陷的特点和影响，如裂纹和孔洞等。
1.5 表面缺陷：分析表面缺陷的形成和表征方法，如粗糙度和污染等。
2. 缺陷的测量和表征2.1 电子显微镜：介绍电子显微镜在缺陷分析中的应用和优势。
2.2 X射线衍射：探讨X射线衍射技术在缺陷研究中的重要性和应用。
2.3 核磁共振：分析核磁共振技术在缺陷分析中的应用潜力和限制。
2.4 高分辨扫描探针显微镜：研究高分辨扫描探针显微镜的原理和应用范围。
2.5 表面等离子体共振：介绍表面等离子体共振技术在缺陷表征中的潜力和限制。
3. 缺陷的形成机制3.1 热激活过程：分析热激活过程在缺陷形成中的作用和影响。
3.2 界面扩散：探讨界面扩散在缺陷形成中的机制和影响因素。
3.3 离子辐照：研究离子辐照对材料缺陷的影响机制和特点。
3.4 化学气相沉积：介绍化学气相沉积在缺陷形成和控制方面的应用。
3.5 透射电镜：探讨透射电镜技术在缺陷形成机制研究中的应用和挑战。
4. 缺陷的影响4.1 电学性质：分析缺陷对材料电学性质的影响，如导电性和电阻率等。
4.2 光学性质：探讨缺陷对材料光学性质的影响，如吸收和发射光谱等。
4.3 机械性能：研究缺陷对材料机械性能的影响，如硬度和强度等。
4.4 物理性质：介绍缺陷对材料物理性质的影响，如磁性和热导率等。
4.5 化学反应：探讨缺陷对材料化学反应的影响，如催化性能和化学稳定性等。
5. 缺陷控制和修复5.1 材料设计：介绍材料设计在缺陷控制方面的原则和方法。
材料化学-缺陷化学
25
基质原子 杂质原子 间隙式
取代式
26
26
带电缺陷
带电缺陷一般在缺陷符号的右上角标明所带 的有效电荷数.
“X”表示缺陷是中性的， “·”表示缺陷带有正电荷， “′”表示缺陷带有负电荷。 一个缺陷总共带有几个单位的电荷，则用几 个这样的符号。
27
点缺陷名称
中性 点缺陷所带有效电荷 ·正电荷
负电荷 缺陷在晶体中所占的格点
28
29
30
• 若在HCl气氛中焙烧ZnS时，晶体中将产生Zn2+离子空位和 C1－离子取代S2－离子的杂质缺陷，这两种缺陷则可分别 用符号VZn和ClS•来表示。又如在SiC中，当用N5＋取代C4 ＋时，生成的缺陷可表示为NC•。在Si中，当B3+取代Si4+时， 生成的缺陷可用符号BSi表示。
5
2、无机材料中的缺陷化学与功能陶瓷
6
缺陷的来源
① 热缺陷：在高于绝对温度零度时，晶格离子（原子或离
子）的热运动导致生成点缺陷，缺陷浓度与缺陷的 形成能有关。缺陷形成能越低，缺陷浓度越大。
② 掺杂缺陷：由于存在杂质或者掺杂剂，当形成固溶体时，
造成晶格结点上分布粒子的差异。缺陷浓度与杂 质或掺杂剂浓度有关。
31
32
表3-1 化学缺陷符号
化学缺陷符号
VM Mi XM MX (VMVX)或(MiXi) LM SX e’ h.
含义 金属离子空位 金属离子处在晶格间隙 非金属阴离子处在金属阳离子位置上 金属阳离子处在非金属阴离子位置上 缺陷缔合 引入的溶质L处在金属离子的位置上 引入的溶质S处在非金属离子的位置上 电子 空穴
第三章：缺陷化学基础
A2 肖特基缺陷
如果正常格点上的质 点，在热起伏过程中 获得能量离开平衡位 置迁移到晶体的表面 ，而在晶体内部正常 格点上留下空位 。
特点
肖特基缺陷的生成需要一个像晶界或表面 之类的晶格排列混乱的区域。
对于离子晶体正离子空位和负离子空位按 照分子式同时成对产生。
1 2
O2
OO
2e'
VO••
1 2
O2
2）缺陷反应的基本类型
①具有Frenkel缺陷的（等浓度的晶格空 位和填隙原子的缺陷）的化合物 M2+N2-。
M
M
M
•• i
VM''
② 具有Schottky缺陷的化合物M2+N2-
M
M
N
N
M
M
VM''
N
N
VN••
即： 0 VM'' VN••
⑥ 非化学计量化合物
具有阳离子间隙的非整比化合物M1+dN (一般以氧化物为主)。
M
M
N
N
M
•• i
VＭ''＋V •N•
2e'
1 2
N2
(g)
因此这类材料具有N型传导特征。如：Zn1+dO等， 这类缺陷的形成和材料体系密切相关，一般阳离 子半径小具有开放结构的材料可形成这种缺陷。
⑥ 非化学计量化合物
NaCl晶体中出现 Na+空位：VNa’ ZnS中的 Zn2+、S2-空位：VZn”、VS‥
C. 缺陷有效电荷
置换缺陷
有效电荷 = 置换离(原)子的电价(价电子)－被置换 离(原)子的电价(价电子)，差值为正表示有效电 荷为正，差值为负表示有效电荷为负。如：
第三章缺陷化学基础-2
3.4.2 缺陷反应的基本类型 ①具有Frenkel缺陷的（等浓度的晶格空
位和填隙原子的缺陷）的化合物M2+N2-。
M
M
M
i
V
'' M
在 AgBr 中形成 Frenkel 缺陷，相应的缺陷反应 方程为：
AgAg Vi Ag VAg
i
根据质量作用定律
KF
[ Ag i ][ VAg ] [ Ag Ag ][ Vi ]
具有阴离子间隙的非整比化合物MN1+x 。
1 N 2 ( g ) N i 2 N i N i' h N N h
' i '' i
如上述反应充分进行， 则有如下反应式： 1 N 2 ( g ) N i'' 2h 2
3.5 固溶体
凡在固态条件下，一种组分 (溶剂) 内“溶解”
a/b = 定值。
如果M和X的关系不符合原有的比
例关系，则说明材料中存在点缺陷。 如：TiO2在还原气氛中形成Tix)，实际上， 生成
了 x 个氧离子空位 VO ， Ti：O的总
格点位置比仍为 1：2 。
② 质量平衡原则
缺陷方程的两边必须保持质量平衡
有效电荷符号相反的点缺陷间产生缔合作
用。对于离子晶体M2+N2-，可能产生空位
缔合：
V
'' M
V
N
(V V )
'' M
N
缺陷浓度愈大，各缺陷处于相应格点几率增大，带
异号电荷缺陷之间的缔合几率增大。
两缺陷之间距离愈近，愈易缔合。
温度愈高，缔合缺陷浓度愈小。
缺陷化学论文——缺陷化学理论及其发展
缺陷化学理论及其发展摘要：介绍了缺陷化学的理论、发展，以及阐述了对缺陷化学的展望关键字：缺陷化学理论；发展；展望；1.前言所有的固体(包括材料)，无论是天然的，还是人工制备的，都必定包含有缺陷．缺陷可以是晶体结构的不完善，也可以是材料的不纯净，它对固体物的性质有极大的影响，规定了材料，特别是晶体材料的光学、电学、声学、力学和热学等方面的性质及其应用水平．材料的缺陷控制既是过去和现用材料的主要问题，也是现在和将来新材料的研翻开发的关键．材料的缺陷控蜘既可以通过减少材料中的缺陷种类和降低缺陷浓度来改善其性能，也可以通过引入某种缺陷而改变材料的某方面性质．如半导体材料通过引入某些类型的杂质或缺陷面使之获得寻带电子或价带空穴，从而大大增强半导体的导电性．可以说，现在几乎没有哪一个工业技术部门或者基础理论研究领域不涉及到固体缺陷的理论研究和应用研究的问题．而缺陷化学(DefectChemistry)是研究固体物质(材料)中的微观、显微微观缺陷(主要是点缺陷)的产生，缺陷的平衡，缺陷存在对材料性质的影响以及如何控制材料中缺陷的种类和浓度等问题．缺陷化学是固体化学的一个重要分支学科，属材料科学的范畴．2.缺陷化学理论研究与发展能源、信息和材料是现代文明的三大支柱，而材料剜是其中之基础。
研究晶态物质，是研究材料科学的入门，也是发现和研究缺陷的起点．早在1784年Haily74就提出晶体是质点(原子、离子、分子或络台离子)三维田期的排列．1912年德国科学家劳埃(Max．VanLane)用x射线衍射实验证实了这一假设．然而，与晶体点阵结构理论建立的同时，人们也发现了这种“完善晶体”理论和模型在解释某些实验数据时遇刊困难．1913年贝(B．B．Baker)在制造铺和钾的单晶以及1914年安达雷达(E．N．daC．Andrade)在汞、铅、锡晶体中都发现所谓“完整晶体不应有的“鱼鳞状花纹”．1914年多敏(c．G．Darwln)在观察晶体的单色x射线衍射波强度时发现失常现象，即观察不到完整晶体应有的消光象．人们开始怀疑晶体的“完整”性，并开始了对晶体“缺陷的研究．晶体缺陷的早期研究主要来源于对固体物某些性质的研究，并间接地了解晶体缺陷．人们根据不同的固体性质提出了各种各样的实际晶体模型和缺陷模型．1914年aD rwin在研究晶体x射线衍射强度时，提出了图象不十分明确的嵌镶结构{1921年A．A．Gdfifth在研究固体断裂强度时提出了一十所谓Giffifth裂缝模型}1923年G．MassingM．Potanyi在研究晶体弹性时+提出Bieg~eitang“拱型门洞模型}1928年U．Dehlmger提出了“Verhakuny 模型等等．而开创缺陷化学研究的，却是弗伦克耳(T．Fre~ke1)、瓦格纳(Wager)和肖脱基(Schottky)．1926年弗伦克耳为了解释Ax离子晶体导电的实验事实。
潘伟老师材料化学第三章缺陷化学-基本包括了所有的缺陷反应
第三章缺陷化学第三章缺陷化学 (1)3.1 缺陷化学基础 (1)3.1.1 晶体缺陷的分类 (2)3.1.2 点缺陷和电子缺陷 (5)3.2 缺陷化学反应方程式 (9)3.3 非化学计量化合物 (12)3.3.1 非化学计量化合物主要类型 (13)3.3.2 化学式 (17)3.3.3 化合物密度计算 (18)3.4 缺陷缔合 (20)3.5 电子结构（电子与空穴） (21)3.5.1 能带结构和电子密度 (21)3.5.2 掺杂后的点缺陷的局域能级 (22)3.6 半导体的光学性质 (25)所有的固体（包括材料），无论是天然的，还是人工制备的，都必定包含缺陷，缺陷可以是晶体结构的不完善，也可以是材料的不纯净，他对固体物的性质有极大的影响，规定了材料，特别是晶体材料的光学、电学、声学、力学和热学等方面的性质及其应用水平。
材料的缺陷控制既是过去和现用材料的主要问题，也是现在和将来新材料研制开发的挂念。
材料的缺陷控制既可以通过减少材料中的缺陷种类和降低缺陷浓度来改善其性能，也可以通过引入某种缺陷而改变材料的某方面性质。
如半导体材料通过引入某些类型的杂质或缺陷而使之获得导带电子或价带空穴，从而大大增强半导体的导电性。
可以说，现在几乎没有哪个工业技术部门或者基础理论研究领域不涉及到固体缺陷的理论研究和应用研究的问题。
而缺陷化学（Defect Chemistry）是研究固体物质（材料）中的微观、显微微观缺陷（主要是点缺陷）的产生，缺陷的平衡，缺陷存在对材料性质的影响以及如何控制材料中缺陷的种类和浓度问题。
缺陷化学是固体化学的一个重要分支学科，属材料科学的范畴。
3.1 缺陷化学基础近几十年来，在晶体缺陷的研究中已经取得了许多杰出的成果，已经建立起关于晶体缺陷的一整套理论，并成为材料科学基础理论的重要组成部分。
在这个领域中，特别值得提出的是瓦格纳(Wagner)首先把固体的缺陷和缺陷运动与固体物性及化学活性联系起来研究；克罗格－文克（Kröger-Vink）应用质量作用定律处理晶格缺陷间的关系，提出了一套缺陷化学符号。
第三篇缺陷化学基础2
Sr O (S )
Li2 O
S
r
• Li
V
L i
OO
化学式可表示为：Li2-2xSrx(VLi )xO
例2：MgCl2固溶在LiCl晶体中（产生正离子空位，生成置 换型SS）
M
gC l2(S )
LiC l
M
g
• L
i
V
L i
2C lCl
化学式可表示为：Li1-2xMgx(VLi )xCl
（2）出现阴离子间隙
KF
[Ag
• i
][VA g
]
[Ag
• i
]
[VA g
]
[Ag
• i
]
KF
② 具有Schottky缺陷的化合物M2+N2-
M
M
N
N
M
M
VM''
N
N
VN••
即： 0 VM'' VN••
③ 具有反Schottky缺陷的化合M2+N2-
M
M
N
N
M
•• i
VM''
Ni''
VN••
例3：MgO晶体中 Schottky 缺陷形成能为6eV，计算 25 oC和1600oC 时的热缺陷浓度；如果 MgO 中含有 百万分之一浓度的 Al2O3 杂质，则1600 oC 时 MgO 晶体中热缺陷还是杂质缺陷占优势，为什么？ 解：MgO晶体中Schottky热缺陷浓度可表示为（假设 A=1）：
Al2O3掺入MgO中，Al3+将置换Mg2+，可能产生另一种组 分缺陷，即阴离子间隙。
Al2O3 MgO 2Al•Mg Oi'' 2OO
第三章 缺陷化学
Substitutional alloy (e.g., Cu in Ni)
Interstitial alloy (e.g., C in Fe)
3.1杂质缺陷
（由于外来原子进入晶体而产生的缺陷）
能量效应
体积效应
取代式
基质原子
杂质原子
基质原子 杂质原子
间隙式
体积效应
3.1陶瓷中的杂质
• Impurities must also satisfy charge balance
hF
kT
反结构缺陷
CC Si Si Si C CSi
• 离子晶体不可能，即便形成也不重要。 • 在三元氧化物如BaTiO3 或钙钛矿结构很
重要
3.1点缺陷的平衡浓度
• Point defect concentration varies with temperature!
No. of defects
distortion of planes
selfinterstitial
Rare
缺陷图示
Interstitial Vacancy
点缺陷形成热力学
为什么晶体中点缺陷不可避免: a thermodynamic necessity…
Approach: 完整晶体与缺陷晶体的自由 能表达式G;
the one with the lower (more negative G) wins…
• 原子百分比 (at%)
C' 1
= n1 n1 + n2
x 100
质量 ,m1 , 与摩尔数, n1, 的关系:
n1 =
m1 A1
A1 – 原子量
3.1 固体中的杂质
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3.2.2 热缺陷-弗仑克尔缺陷
热缺陷。在晶格热振动 时，一些能量足够大的 原子离开平衡位置，挤 到晶格间隙位置，成为 填隙原子，而在原来的 位置上留有一个空位。
正、负离子半径差别较 大，共价性较强的晶体 易形成弗仑克尔 （ Frankel ）缺陷：如： AgCl,AgBr,AgI。
11
萤石(CaF2)和反萤石 (Na2O)结构易形成填隙 阴离子Fi和空位。
➢ 缺陷对材料的物理、化学性质产生重要影响。
3
3.1.2 点缺陷的热力学分析
在完整点阵结构的晶体中引缺陷后 能量的变化
在一定浓度范围内，缺陷的 生成会导致吉布斯自由能ΔG 下降 。
S = k ln W
S：构型熵
k：波尔兹曼常数
W：几率，正比于1023
ΔG =ΔH–TΔS Gf :摩尔缺陷自由能变； Hf:摩尔缺陷生成焓； Sw:摩尔缺陷结构熵变。
6.06g/cm3和5.692g/cm3。两种表达式意味着晶体内 缺陷的类型，前一种是氧过量，
存在间隙氧离子。后一种是铁不足，因为着存在铁离子空位。结果表明，铁离子空
位的情况符合计算和实际测定的结果。
31
3.5.1 固溶体-化学缺陷
固溶体的定义：在固态 条件下一种组元因“溶 解”了其他组元而形成 的单相晶态固体
32
3.5.2 固溶体的分类
1. 连续固溶体： Mg1-xNixO；0 x 1
2. 有限固溶体： Mg1-xCaxO；0 x 0.05 Ca1-xMgxO；0 x 0.05
33
3. 置换型固溶体 主晶格：基质；取代缺 陷：溶质 (Al2-yCry)O3
4. 填隙固溶体: Pd(Hx)I
5. 空位固溶体（化合物）
4
3.1.3 缺陷分类
根据缺陷大小、形状、作用范围分类
➢ 点缺陷：在三维方向上尺度都很小的缺陷。如 空位、间隙原子、杂质原子等。
➢ 线缺陷：一维方向上的缺陷，其它二维尺度上 很小。如晶体中的位错。
➢ 面缺陷：二维伸展，其它尺度小。如晶界。 ➢ 体缺陷：三维尺度上都有伸展。如杂质团聚体
和空洞。
5
晶体 缺陷
实际晶体的格点在三维空 间也作周期性的排列，但 有些格点会偏离原有位置。
➢ 缺陷是指实际材料结构中与其理想点阵结构发 生偏差的区域。
➢ 现实中不存在理想完整没有任何缺陷的材料。 实际上，如果把一个理想的完整晶体看成是完 全有序的结构，那么它的原子是静止不动的， 并且电子处在最低能量状态（价带），导带中 的能级全部空着。
8
根据缺陷产生的原因分类
1. 热缺陷
➢ 处在晶格结点上的原子，由于热振动的能量涨落， 有一部分会离开正常位置，造成的缺陷。
➢ 热缺陷是材料固有的缺陷，是本征缺陷的主要 形式。根据缺陷所处的位置，又分为弗仑克尔 （ Frankel ）缺陷和肖特基(Schottky)缺陷。
2. 杂质缺陷
➢ 由于外来杂质质点进入晶格内而产生的缺陷。
以Fe含量为76.57%的组成为例进行计算，首先推算出氧含量为23.43%，由上表可
以知道晶格常数a=4.307Å 求原子比 Fe:O=1.371:1.464。如果化学式是FeO1+x，
则应该写为FeO1.068。
如果化学式是Fe1-xO，则应该写为Fe0.936O。
根据两种化学式分别计算密度，d=NM/AV，得到两种化学式的计算密度分别为
阴离子空位 缔合电子
F中心缔合电子
M：阳离子 X：阴离子 F：杂质 V：空位 i：间隙 X：中性 。：正电荷 ’：负电荷
22
3.3.4 色心应用
光学材料着色，宝石着 色
色心激光晶体 光敏材料，光致变色材
料：信息存储与读写。
380nm 680nm
23
3.4.1 非化学计量化合物-化学缺陷
1.
一个非化学计量化合物的最大允许的组成范围随着非 金属电负性的减小和 极化率的增加而增大
27
3.4.3 晶体点缺陷与非化学计量化 合物的关系
本征缺陷不影响化合物的化学计量关系 Schottky, Frankel缺陷只有结构缺陷，无组成
缺陷。 杂质缺陷产生的填隙和空位缺陷会导致化学计
量的偏离。 环境气氛影响化学组成的改变，产生填隙和空
研究内容
点缺陷的生成机理、平衡、复合及缺陷对材料性 能的影响
7
3.2.1 点缺陷的分类与表示
根据对理想晶格偏离的几何位置及成分分类
1. 填隙原子或离子：原子进入晶体中正常结点之 间的间隙位置，成为填隙原子。
2. 空位：正常结点没有被原子所占据，成为空结 点，称为空位。
3. 杂质原子：由于外来杂质原子进入晶格而产生。
点缺陷 （零维缺陷）
线缺陷 （一维缺陷）
面缺陷 （二维缺陷）
体缺陷 （三维缺陷）
电子缺陷
本征缺陷
杂质缺陷 位错 位错处的杂质原子 小角晶粒间界 挛晶界面 堆垛层错
位错缺陷 空位缺陷 间隙缺陷 取代缺陷
包藏杂质
沉淀 空洞
导带电子
价态空穴
6
3.1.4 缺陷化学的研究对象和方法
研究对象
点缺陷，包括空位、间隙原子、杂质原子、导 带中的电子和价带中的空穴等，但不包括声子 和激子。
16
3.2.6 克罗格－文克（KrögerVink）缺陷化学符号
对化合物M2+X2-而言，各种点缺陷的克罗格－文克符号如 下表示：
M表示正电荷高的组分，符号X则表示负电荷高的组分； 用符号F表示异类杂质；M=阳，X=阴， F=杂质
在M和X中出现空位时，用符号V表示，符号i表示间隙 位置。V=空穴，i=间隙
态之间跃迁，使原来透明的晶体呈现颜色。这类能吸 收可见光的点缺陷称为色心。
容易产生色心的材料有碱金属卤化物、碱土金属氟化 物和部分金属氧化物。色心可以在电离辐射的照射下 产生，也可以在一定的氧化或还原性气氛中加热晶体 得到，还可以用电化学方法产生出一些特定的色心。
19
3.3.2 色心形成机理
F心[VX• +e’]: F色心是俘获了电 子的负离子空位。正离子空位缺 陷俘获空穴形成的色心称做V色 心。
异价置换提高导电性，例如：Y2O3掺杂的ZrO2 陶瓷是高温发热体。
光学性能：透明陶瓷。例如PLZT,MgO掺杂的 Al2O3陶瓷或Al2O3 –Y2O3陶瓷.
人造宝石：主晶体；Al2O3, TiO2.
29
3.4.5 缺陷和非化学计量化合物的 研究方法
化学元素分析、密度测量、热重分析、气体容 积分析、电化学库仑滴定法、氧化还原法、卢 森堡动力学法、扩散系数测量、半导体测量、 磁测量、电导测量、电子自旋共振、X射线衍 射、中子散射、光谱测量、热力学测量、电子 显微镜等。
30
3.4.6 密度和X射线衍射测量
在一定温度下有一定固溶度 取代型固溶体 填隙型固溶体
14
杂质缺陷使晶体结构局 部畸变，产生空位，
引起原子价态的变化。
15
3.2.5 点缺陷的复合
缺陷的产生和复合是动态平衡的过程，在一定 温度下达到平衡浓度。
实际晶体中，如果缺陷浓度比较大，各个缺陷 处在相近格点上几率增大。如果是带电荷的缺 陷，则产生库仑引力和排斥力，缺陷之间会产 生缔合，生成缔合体。在许多含缺陷的晶格内， 点缺陷并非紊乱分布，而是生成缺陷簇、结构 切变面、微畴、反结构相界、有序区等复合缺 陷。
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缺陷化学
胡晓斌
上海交通大学 材料科学与工程学院
2010.9.15
1
内容
1. 缺陷 2. 点缺陷的分类及表示方法 3. 色心 4. 非化学计量化合物 5. 固溶体 6. 电子缺陷
2
3.1.1 理想晶体与实际晶体
理想晶体的格点在三维空 间作周期性的排列，是高 度有序的空间点阵结构。
12
3.2.3 热缺陷-肖特基缺陷
热缺陷，体相原子向表 面或界面扩散的过程。
一般在结构比较紧密， 没有较大空隙的晶体中 或在阴、阳离子半径相 差较小的晶体中比较容 易形成肖特基缺陷。
高温碱金属卤化物晶体 中。
13
3.2.4 化学缺陷：杂质缺陷
固溶体就是含有杂质原子的 晶体,这些杂质原子的进入使 原有晶体的性质发生了很大 的变化。
位缺陷会导致化学计量的偏离。
28
3.4.4 非计量化合物组成范围的确 定因素
Anderson考虑了临近格点之间缺陷的相互作用认 为，非化学计量化合物的组成范围由下列因 素确定。
1. 缺陷的相互作用能 2. 温度 3. 本征无序度，即空位或者间隙分数δ 。
温度越高，非化学计量化合物组成范围越大， 而在一定温度时，由缺陷相互作用能和化学 计量晶体的本征无序度δ决定。如果δ很小， 组成范围很大程度上由相互作用能确定。
34
3.5.3 固溶体的特点
单相体系，溶质混溶于 基质，与基质具有相同 的结构
固溶体结构发生畸变， 因此生成缺陷能级
固溶体的组成在较大的 范围内是可以变化的， 性质随组成变化。
例如MgO(ss):
(Mg1-2xSix)O 和Mg2SiO4
35
3.5.4 固溶体的性质及应用
电性能：等价等数置换一般情况下介电性能改 变不大，改善结构性能，例如 Pb(ZryTi1-y)O3。
A(气) KCl(s) A'K V.Cl
' AK
V.Cl
KCl(s)
AK
VCl
V.Cl e' VCl
Na(gas) NaCl(s) Blue K (gas) KCl(s) Purple
M：阳离子，X：阴离子 F：杂质， V：空位 i：间隙， X：中性 20 。：正电荷，’：负电荷