半导体的基本知识
半导体知识点总结大全
半导体知识点总结大全引言半导体是一种能够在一定条件下既能导电又能阻止电流的材料。
它是电子学领域中最重要的材料之一，广泛应用于集成电路、光电器件、太阳能电池等领域。
本文将对半导体的知识点进行总结，包括半导体基本概念、半导体的电子结构、PN结、MOS场效应管、半导体器件制造工艺等内容。
一、半导体的基本概念（一）电子结构1. 原子结构：半导体中的原子是由原子核和围绕原子核轨道上的电子组成。
原子核带正电荷，电子带负电荷，原子核中的质子数等于电子数。
2. 能带：在固体中，原子之间的电子形成了能带。
能带在能量上是连续的，但在实际情况下，会出现填满的能带和空的能带。
3. 半导体中的能带：半导体材料中，能带又分为价带和导带。
价带中的电子是成对出现的，导带中的电子可以自由运动。
（二）本征半导体和杂质半导体1. 本征半导体：在原子晶格中，半导体中的电子是在能带中的，且不受任何杂质的干扰。
典型的本征半导体有硅（Si）和锗（Ge）。
2. 杂质半导体：在本征半导体中加入少量杂质，形成掺杂，会产生额外的电子或空穴，使得半导体的导电性质发生变化。
常见的杂质有磷（P）、硼（B）等。
（三）半导体的导电性质1. P型半导体：当半导体中掺入三价元素（如硼），形成P型半导体。
P型半导体中导电的主要载流子是空穴。
2. N型半导体：当半导体中掺入五价元素（如磷），形成N型半导体。
N型半导体中导电的主要载流子是自由电子。
3. 载流子浓度：半导体中的载流子浓度与掺杂浓度有很大的关系，载流子浓度的大小决定了半导体的电导率。
4. 质量作用：半导体中载流子的浓度受温度的影响，其浓度与温度成指数关系。
二、半导体器件（一）PN结1. PN结的形成：PN结是由P型半导体和N型半导体通过扩散结合形成的。
2. PN结的电子结构：PN结中的电子从N区扩散到P区，而空穴从P区扩散到N区，当N区和P区中的载流子相遇时相互复合。
3. PN结的特性：PN结具有整流作用，即在正向偏置时具有低电阻，反向偏置时具有高电阻。
半导体的基本 知识
们通常把导电性和导电导热性差或不好的材料，如金刚石、人工晶体、 墟泊、陶瓷等，称为绝缘体。而把导电、导热都比较好的金属如金、 银、铜、铁、锡、铝等称为导体。可以简单地把介于导和绝缘体之间 的材料称为半导体。与导体和绝缘体相比，半导体材料的发现是最晚 的，直到20世纪30年代，当材料的提纯技术改进以后，半导体的存 在才真正被学术界认可。 • 半导体的发现实际上可以追溯到很久以前，1833年，英国巴拉迪 最先发现硫化银的电阻随着温度的变化情况不同于一般金属，一般情 况下，金属的电阻随温度升高而增加，但巴拉迪发现硫化银材料的
• 半导体材料很多，按化学成分可分为元素半导体和化合物半导体两大 类。锗和硅是最常用的元素半导体;化合物半导体包括l一V族化合物 (砷化嫁、磷化嫁等),II一VI族化合物(硫化福、硫化锌等)、氧化物(锰、 铬合物组成的 固溶体(嫁铝砷、嫁砷磷等)。除上述晶态半导体外，还有非晶态的玻 璃半导体、有机半导体等。
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第一节 半导体的基本知识
• 三、杂质半导体 • 半导体中的杂质对电导率的影响非常大，本征半导体经过掺杂就形
成杂质半导体，一般可分为N型半导体和P型半导体。半导体中掺入 微量杂质时，杂质原子附近的周期势场受到干扰并形成附加的束缚状 态，在禁带中产生附加的杂质能级。能提供电子载流子的杂质称为施 主杂质，相应能级称为施主能级，位于禁带上方靠近导带底附近。例 如四价元素锗或硅晶体中掺入五价元素磷、砷、锑等杂质原子时，杂 质原子作为晶格的一分子，其五个价电子中有四个与周围的锗(或硅) 原子形成共价键，多余的一个电子被束缚于杂质原子附近，产生类氢 浅能级一施主能级。施主能级上的电子跃迁到导带所需能量比从价带 激发到导带所需能量小得多，很易激发到导带成为电子载流子，因此 对于掺入施主杂质的半导体，导电载流子主要是被激发到导带中的电 子，属电子导电型，称为N型半导体。
半导体的基本知识
半导体的基本知识半导体是一种电导率介于导体和绝缘体之间的材料。
半导体的电性质可以通过施加电场或光照来改变，这使得半导体在电子学和光电子学等领域有广泛的应用。
以下是关于半导体的一些基本知识：1. 基本概念：导体、绝缘体和半导体：导体（Conductor）：电导率很高，电子容易通过的材料，如金属。
绝缘体（Insulator）：电导率很低，电子很难通过的材料，如橡胶、玻璃。
半导体（Semiconductor）：电导率介于导体和绝缘体之间的材料，如硅、锗。
2. 晶体结构：半导体通常以晶体结构存在，常见的半导体材料有硅（Si）、锗（Ge）、砷化镓（GaAs）等。
3. 电子能带：价带和导带：半导体中的电子能带分为价带和导带。
电子在价带中，但在施加电场或光照的作用下，电子可以跃迁到导带中，形成电流。
能隙：价带和导带之间的能量差称为能隙。
半导体的能隙通常较小，这使得它在室温下就能够被外部能量激发。
4. 本征半导体和杂质半导体：本征半导体：纯净的半导体材料，如纯硅。
杂质半导体：在半导体中引入少量杂质（掺杂）以改变其导电性质。
掺入五价元素（如磷、砷）形成n型半导体，而掺入三价元素（如硼、铝）形成p型半导体。
5. p-n 结：p-n 结：将p型半导体和n型半导体通过特定工艺连接在一起形成p-n 结。
这是许多半导体器件的基础，如二极管和晶体管。
6. 半导体器件：二极管（Diode）：由p-n 结构构成，具有整流特性。
晶体管（Transistor）：由多个p-n 结构组成，可以放大和控制电流。
集成电路（Integrated Circuit，IC）：在半导体上制造出许多微小的电子器件，形成集成电路，实现多种功能。
7. 半导体的应用：电子学：微电子器件、逻辑电路、存储器件等。
光电子学：光电二极管、激光二极管等。
太阳能电池：利用半导体材料的光伏效应。
这些是半导体的一些基本知识，半导体技术的不断发展推动了现代电子、通信和计算机等领域的快速进步。
半导体知识点总结
半导体知识点总结半导体是一种介于导体和绝缘体之间的材料，它具有一些特殊的电子性质，因此在现代电子技术中具有重要的应用。
本文将对半导体的基本概念、特性、原理以及应用进行详细的介绍和总结。
一、半导体的基本概念1、半导体材料半导体材料是一类电阻率介于导体和绝缘体之间的材料，它具有一些特殊的电子能带结构。
常见的半导体材料包括硅(Si)、锗(Ge)、GaAs等。
2、半导体的掺杂半导体材料经过掺杂后，可以改变其电子结构和导电性质。
常见的掺杂有N型和P型两种类型，分别通过掺入杂质原子，引入额外的自由电子或空穴来改变半导体的导电性质。
3、半导体的结构半导体晶体结构通常是由大量的晶格排列组成，具有一定的晶格参数和对称性。
在半导体器件中，常见的晶体结构有晶体管、二极管、MOS器件等。
二、半导体的特性1、能带结构半导体的能带结构是其特有的性质，它决定了半导体的导电性质。
半导体的能带结构通常包括价带和导带，其中价带中填充电子的能级较低，而导带中电子的能级较高，两者之间的能隙称为禁带宽度。
2、电子迁移和载流子在外加电场的作用下，半导体中的自由电子和空穴可以在晶体内迁移，并形成电流。
这些移动的载流子是半导体器件工作的基础。
3、半导体的导电性半导体的导电性是由自由电子和空穴共同贡献的，通过掺杂和外加电场的调制，可以改变半导体的导电性。
三、半导体的原理1、P-N结P-N结是半导体器件中最基本的结构之一，它由P型半导体和N型半导体组成。
P-N结具有整流、放大、开关等功能，是二极管、光电二极管等器件的基础。
2、场效应器件场效应器件是一类利用外加电场控制半导体导电性质的器件，包括MOS场效应管、JFET场效应管等。
场效应器件具有高输入电阻、低功耗等优点，在数字电路和模拟电路中得到广泛应用。
3、半导体光电器件半导体光电器件是一类利用光电效应将光能转化为电能的器件，包括光电二极管、光电导电器件等。
光电器件在光通信、光探测、光伏等领域有着重要的应用。
半导体基础知识
容易导电的物质叫导体，如：金属、石墨、人体、大地以及各种酸、碱、盐的水溶液等都是导体。 不容易导电的物质叫做绝缘体，如：橡胶、塑料、玻璃、云母、陶瓷、纯水、油、空气等都是绝缘体。 所谓半导体是指导电能力介于导体和绝缘体之间的物质。如：硅、锗、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅等。半 导体大体上可以分为两类，即本征半导体和杂质半导体。本征半导体是指纯净的半导体，这里的纯净包括两个意思， 一是指半导体材料中只含有一种元素的原子；二是指原子与原子之间的排列是有一定规律的。本征半导体的特点是导 电能力极弱，且随温度变化导电能力有显著变化。杂质半导体是指人为地在本征半导体中掺入微量其他元素（称杂质） 所形成的半导体。杂质半导体有两类：N 型半导体和 P 型半导体。
多晶则是有多个单晶晶粒组成的晶体，在其晶界处的颗粒间的晶体学取向彼此不同，其周期性与规则性也在此 处受到破坏。
7．常用半导体材料的晶体生长方向有几种？
我们实际使用单晶材料都是按一定的方向生长的，因此单晶表现出各向异性。单晶生长的这种方向直接来自晶 格结构，常用半导体材料的晶体生长方向是<111>和<100>。
29．半导体芯片制造对厂房洁净度有什么要求？
空气中的一个小尘埃将影响整个芯片的完整性、成品率，并影响其电学性能和可*性，所以半导体芯片制造工艺需 在超净厂房内进行。1977 年 5 月，原四机部颁布的《电子工业洁净度等级试行规定》如下：
电子工业洁净度等级试行规定
洁净室等 洁净度 温度（℃） 相对湿度 正压值 噪声
电阻率 ρ=1/σ，单位为 Ω*cm
9．PN 结是如何形成的？它具有什么特性？
如果用工艺的方法，把一边是 N 型半导体另一边是 P 型半导体结合在一起，这时 N 型半导体中的多数载流子电子 就要向 P 型半导体一边渗透扩散。结果是 N 型区域中邻近 P 型区一边的薄层 A 中有一部分电子扩散到 P 型区域中去了， 如图 2-6 所示（图略）。薄层 A 中因失去了这一部分电子 而带有正电。同样，P 型区域中邻近 N 型区域一边的薄层 B 中有一部分空穴扩散到 N 型区域一边去了，如图 2-7 所示（图略）。结果使薄层 B 带有负电。这样就在 N 型和 P 型两 种不同类型半导体的交界面两侧形成了带电薄层 A 和 B（其中 A 带正电，B 带负电）。A、B 间便产生了一个电场， 这个带电的薄层 A 和 B，叫做 PN 结，又叫做阻挡层。
半导体基础知识
1．什么是导体、绝缘体、半导体？容易导电的物质叫导体，如：金属、石墨、人体、大地以及各种酸、碱、盐的水溶液等都是导体。
不容易导电的物质叫做绝缘体，如：橡胶、塑料、玻璃、云母、陶瓷、纯水、油、空气等都是绝缘体。
所谓半导体是指导电能力介于导体和绝缘体之间的物质。
如：硅、锗、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅等。
半导体大体上可以分为两类，即本征半导体和杂质半导体。
本征半导体是指纯净的半导体，这里的纯净包括两个意思，一是指半导体材料中只含有一种元素的原子；二是指原子与原子之间的排列是有一定规律的。
本征半导体的特点是导电能力极弱，且随温度变化导电能力有显著变化。
杂质半导体是指人为地在本征半导体中掺入微量其他元素（称杂质）所形成的半导体。
杂质半导体有两类：N型半导体和P型半导体。
2．半导体材料的特征有哪些？（1）导电能力介于导体和绝缘体之间。
（2）当其纯度较高时，电导率的温度系数为正值，随温度升高电导率增大；金属导体则相反，电导率的温度系数为负值。
（3）有两种载流子参加导电，具有两种导电类型：一种是电子，另一种是空穴。
同一种半导体材料，既可形成以电子为主的导电，也可以形成以空穴为主的导电。
（4）晶体的各向异性。
3．简述N型半导体。
常温下半导体的导电性能主要由杂质来决定。
当半导体中掺有施主杂质时，主要靠施主提供电子导电，这种依靠电子导电的半导体叫做N型半导体。
例如：硅中掺有Ⅴ族元素杂质磷（P）、砷（As）、锑（Sb）、铋（Bi）时，称为N型半导体。
4．简述P型半导体。
当半导体中掺有受主杂质时，主要靠受主提供空穴导电，这种依靠空穴导电的半导体叫做P型半导体。
例如：硅中掺有Ⅲ族元素杂质硼（B）、铝（Al）、镓（Ga）、铟（In）时，称为P型半导体。
5．什么是半绝缘半导体材料？定义电阻率大于107Ω*cm的半导体材料称为半绝缘半导体材料。
如：掺Cr的砷化镓，非掺杂的砷化镓为半绝缘砷化镓材料。
掺Fe的磷化铟，非掺杂的磷化铟经退火为半绝缘磷化铟材料。
半导体基础知识
现代电子学中，用的最多的半导 体是硅和锗，它们的最外层电子 （价电子）都是四个。
Ge
Si
电子器件所用的半导体具有晶体结构，因 此把半导体也称为晶体。
2、半导体的导电特性
1）热敏性 与温度有关。温度升高，导电能力增强。 2）光敏性 与光照强弱有关。光照强，导电能力增强 3）掺杂性 加入适当杂质，导电能力显著增强。
图 二极管的结构示意图 (a)点接触型
(2) 面接触型二极管—
PN结面积大，用 于工频大电流整流电路。
往往用于集成电路制造工 艺中。PN 结面积可大可小，用 于高频整流和开关电路中。
(b)面接触型
(3) 平面型二极管—
(c)平面型 图 二极管的结构示意图
2、分类
1）按材料分：硅管和锗管 2）按结构分：点接触和面接触 3）按用途分：检波、整流…… 4）按频率分：高频和低频
－－－－ － － －－－－ － － －－－－ － － －－－－ － －
+ +++++ + +++++ + +++++ + +++++
空间电荷区
扩散运动 (浓度差产生)
阻挡多子扩散
2）内电场的形成及其作用{ 促进少子漂移 漂移运动
P型半导体
、所以扩散和 移这一对相反－ － － － － － 运动最终达到 衡，相当于两－ － － － － － 区之间没有电－ － － － － － 运动，空间电 区的厚度固定－ － － － － － 变。
在常温下，由于热激发，使一些价电子 获得足够的能量而脱离共价键的束缚，成 为自由电子，同时共价键上留下一个空位， 称为空穴。
半导体的基本知识总结
半导体的基本知识总结
半导体是指一种材料，其导电性介于导体和绝缘体之间。
半导体在电子学、物理学、材料科学等领域中具有重要的应用价值。
以下是对半导体基本知识的总结：
1. 半导体材料：半导体材料通常是元素周期表中的IV族、V族和VI族元素构成的化合物，如硅(Si)、锗(Ge)、砷化镓(GaAs)等。
2. 半导体导电性：半导体的导电性受温度、光照、杂质等因素影响。
在常温下，纯净的半导体材料是绝缘体，但当温度升高时，其导电性逐渐增强。
此外，半导体材料的导电性还受光照和杂质的影响。
3. 半导体中的载流子：半导体中的载流子包括电子和空穴。
在半导体中，电子从价带跃迁到导带，留下一个空穴。
电子和空穴分别带负电荷和正电荷。
4. 半导体中的能带：半导体中的能带分为价带、导带和禁带。
价带是指半导体中电子占据的能量最低的能带，导带是指能量比价带高的能带，禁带是指价带和导带之间的能量间隙。
5. 半导体的光吸收：半导体材料可以吸收不同波长的光，并产生光电流。
这一现象被广泛应用于太阳能电池和光探测器等器件中。
6. 半导体器件：半导体器件包括二极管、晶体管、场效应管、集成电路等。
这些器件在电子学和微电子学领域中具有广泛的应用。
7. 半导体工艺：半导体工艺包括薄膜制备、光刻、掺杂、热处理等步骤。
这些工艺用于制造半导体器件和集成电路。
总之，半导体的基本知识包括半导体材料、导电性、载流子、能带、光吸收、器件和工艺等方面。
这些知识对于理解半导体的性质和应用具有重要意义。
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第1章半导体的基本知识1.1半导体及PN结半导体器件是20世纪中期开始发展起来的，具有体积小、重量轻、使用寿命长、可靠性高、输入功率小和功率转换效率高等优点，因而在现代电子技术中得到广泛的应用。
半导体器件是构成电子电路的基础。
半导体器件和电阻、电容、电感等器件连接起来，可以组成各种电子电路。
顾名思义，半导体器件都是由半导体材料制成的，就必须对半导体材料的特点有一定的了解。
1.1.1半导体的基本特性在自然界中存在着许多不同的物质，根据其导电性能的不同大体可分为导体、绝缘体和半导体三大类。
通常将很容易导电、电阻率小于10*Q?cm的物质，称为导体，例如铜、铝、银等金属材料；将很难导电、电阻率大于1010Q cm的物质，称为绝缘体，例如塑料、橡胶、陶瓷等材料；将导电能力介于导体和绝缘体之间、电阻率在10°Q?cm-1010Q cm范围内的物质，称为半导体。
常用的半导体材料是硅(Si)和锗(Ge)。
用半导体材料制作电子元器件，不是因为它的导电能力介于导体和绝缘体之间，而是由于其导电能力会随着温度的变化、光照或掺入杂质的多少发生显著的变化，这就是半导体不同于导体的特殊性质。
1热敏性所谓热敏性就是半导体的导电能力随着温度的升高而迅速增加。
半导体的电阻率对温度的变化十分敏感。
例如纯净的锗从20C升高到30C时，它的电阻率几乎减小为原来的1/2。
而一般的金属导体的电阻率则变化较小，比如铜，当温度同样升高10C时，它的电阻率几乎不变。
2、光敏性半导体的导电能力随光照的变化有显著改变的特性叫做光敏性。
一种硫化铜薄膜在暗处其电阻为几十兆欧姆，受光照后，电阻可以下降到几十千欧姆，只有原来的1%自动控制中用的光电二极管和光敏电阻，就是利用光敏特性制成的。
而金属导体在阳光下或在暗处其电阻率一般没有什么变化。
3、杂敏性所谓杂敏性就是半导体的导电能力因掺入适量杂质而发生很大的变化。
在半导体硅中，只要掺入亿分之一的硼，电阻率就会下降到原来的几万分之一。
所以，利用这一特性，可以制造出不同性能、不向用途的半导体器件。
而金属导体即使掺入千分之一的杂质，对其电阻率也几乎没有什么影响。
半导体之所以具有上述特性，根本原因在于其特殊的原子结构和导电机理。
原子由原子核和电子构成，原子核由带正电的质子和不带电的中子构成，电子带负电并围绕原子核旋转。
电子以不同的距离在核外分层排布，距核越远，电子的能量越高，最外层的电子被称为价电子，物质的化学性质就是由价电子的数目决定的。
由于现在所用的半导体材料仍然主要是硅和锗，所以在这里只讨论硅和锗的原子结构，图1-1所示是硅和锗的原子结构简化模型。
硅和锗的外层电子都是4个，它们是四价元素。
随着原子间的相互靠近，价电子相互作用并形成晶体。
晶体的最终结构是四面体，每个原子（硅或锗）周围都有4个临近的（硅或锗）原子，分布在两个原子间的价电子构成共价键，图1-2所示是硅和锗四面体结构。
图1-1硅和锗的原子结构简化模型图1-2所示是硅和锗四面体结构硅和锗四面体结构一般用二维平面图来表示，图1-3所示是硅和锗晶体结构平面图。
在晶体结构中，通过电子运动，每一半导体原子最外层的4个价电子与相邻的4个半导体原子的各一个价电子组成4对共价键，并按规律排列，图中的原子间每条线代表一个价电子。
本征半导体就是以上所说的一种纯净的半导体晶体。
在热力学温度T=0K（-273c）无外部激发能量时，每个价电子都处于最低能态，价电子没有能力脱离共价键的束缚．没有能够自由移动的带电粒子，这时的本征半导体被认为是绝缘体。
当价电子在外部能量（如温度升高、光照）作用下，一部分价电子脱离共价键的束缚成为自由电子，这一过程叫本征激发。
自由电子是带负电荷量的粒子，它是本征半导体中的一种载流子。
在外电场作用下，自由电子将逆着电场方向运动形成电流。
载流子的这种运动叫漂移，所形成的电流叫漂移电流。
价电子脱离共价键的束缚成为自由电子后，在原来的共价健中便留下一个空位，这个空位叫空穴。
空穴很容易被邻近共价键中跳过来的价电子填补上，于是在邻近共价键中又出现新的空穴，这个空穴再被别处共价键中的价电子来填补；这样，在半导体中出现了价电子填补空穴的运动。
在外部能量的作用下，填补空穴的价电子作定向移动也形成漂移电流。
但这种价电子的填补运动是由于空穴的产生引起的，而且始终是在原子的共价键之间进行的，它不同于自由电子在晶体中的自由运动。
同时，价电子填补空穴的运动无论在形式上还是在效果上都相当于空穴在与价电子运动相反的方向上运动。
为了区分电子的这两种不同的运动，把后一种运动叫做空穴运动，空穴被看作带正电荷的带电粒子，称它为空穴载流子。
图1-4所示是半导体中的两种载流子。
图1-3硅和锗晶体结构平面图图1-4半导体中的两种载流子综上所述，本征半导体中存在两种载流子：带负电荷的自由电子和带正电荷的空穴。
它们是成对出现的，也叫电子空穴对。
由于两者电荷量相等，极性相反，所以本征半导体是电中性的。
本征半导体在外界的作用下，电子形成电子电流，空穴形成空穴电流,虽然两种载流子的运动方向相反，但因为它们所带的电荷极性也相反，所以两种电流的实际方向是相同的，它们的和就是半导体中的电流。
另外需要指出的是，价电子在热运动中获得能量产生了电子空穴对，这种物理现象称为激发；同时自由电子在运动中与空穴相遇，使电子、空穴对消失，这种现象称为复合。
在一定温度下，载流子的产生过程和复合过程是相对平衡的，载流子的浓度是一定的。
本征半导体中载流子的浓度，除了与半导体材料本身的性质有关以外，还与温度有关。
而且随着温度的升高，基本上呈指数规律增加。
因此，半导体载流子浓度对温度十分敏感。
本征半导体的电阻率比较大，载流子浓度又小，且对温度变化敏感，因此它的用途很有限。
在本征半导体中，人为地掺入少量其他元素（称杂质），可以使半导体的导电性能发生显著的变化。
利用这一特性，可以制成各种性能不同的半导体器件，这样使得它的用途大大增加。
掺入杂质的本征半导体叫杂质半导体。
根据掺入杂质性质的不同，可分为两种：电子型半导体和空穴型半导体。
载流子以电子为主的半导体叫电子型半导体，因为电子带负电，取英文单词“负”（Negative）的第一个字母“N,所以电子型半导体又称为N型半导体。
载流子以空穴为主的半导体叫空穴型半导体。
取英文单词“正”（Positive）的第一个字母“P”，空穴型半导体又称为P型半导体。
下面以硅材料为例进行讨论。
1、N型半导体在本征半导体中掺入正五价元素（如磷、砷）使每一个五价元素取代一个四价元素在晶体中的位置，可以形成N型半导体。
掺入的元素原子有5个价电子，其中4个与硅原子结合成共价键,余下的一个不在共价键之内，掺入的五价元素原子对它的束缚力很小。
因此只需较小的能量便可激发而成为自由电子。
由于掺入的五价元素原子很容易贡献出一个自由电子，故称为“施主杂质”。
掺入的五价元素原子提供一个电子（成为自由电子）后，它本身因失去电子而成为正离子。
在上述情况下，半导体中除了大量的由掺入的五价元素原子提供的自由电子外，还存在由本征激发产生的电子空穴对，它们是少数载流子。
这种杂质半导体以自由电子导电为主，因而称为电子型半导体，或N型半导体。
在N型半导体中，由于自由电子是多数，故N型半导体中的自由电子称为多数载流子（简称多子），而空穴称为少数载流子（简称少子）。
2、P型半导体当本征半导体中掺入正三价杂质元素（如硼、镓）时，三价元素原子为形成四对共价键使结构稳定，常吸引附近半导体原子的价电子，从而产生一个空穴和一个负离子，故这种杂质半导体的多数载流子是空穴，因为空穴带正电，所以称为P型半导体，也称为空穴半导体。
除了多数载流子空穴外，还存在由本征激发产生的电子空穴对，可形成少数载流子自由电子。
由于所掺入的杂质元素原子易于接受相邻的半导体原子的价电子成为负离子，故称为“受主杂质”。
在P型半导体中，由于空穴是多数，故P型半导体中的空穴称为多数载流子（简称多子），而自由电子称为少数载流子（简称少子）P型半导体和N型半导体均属非本征半导体。
其中多数载流子的浓度取决于掺入的杂质元素原子的密度；少数载流子的浓度主要取决于温度；而所产生的离子，不能在外电场作用下作漂移运动，不参与导电，不属于载流子。
1.1.4PN结如果将一块半导体的一侧掺杂成为P型半导体，而另一侧掺杂成为N型半导体，则在二者的交界处将形成一个PN结。
1、PN结的形成在P型和N型半导体的交界面两侧，由于自由电子和空穴的浓度相差悬殊，所以N区中的多数载流子自由电子要向P区扩散，同时P区中的多数载流空穴也要向N区扩散，并且当电子和空穴相遇时，将发生复合而消失。
如图1-5所示。
于是，在交界面两侧将分别形成不能移动的正、负离子区，正、负离子处于晶格位置而不能移动，所以称为空间电荷区（亦称为内电场）。
由于空间电荷区内的载流子数量极少，近似分析时可忽略不计，所以也称其为耗尽层。
空间电荷区一侧带正电，另一侧带负电，所以形成了内电场E in，其方向由N区指向P区。
在内电场E in的作用下,P区和N区中的少子会向对方漂移，同时内电场将阻止多子向对方扩散，当扩散运动的多子数量与漂移运动的少子数量相等，两种运动达到动态平衡的时候，空间电荷区的宽度一定，PN结就形成了。
一般，空间电荷区的宽度很薄，约为几微米〜几十微米；由于空间电荷区内几乎没有载流子，其电阻率很高。
图1-5PN结的形成2、PN结的单向导电性在PN结的两端引出电极，P区的一端称为阳极，N区的一端称为阴极。
在PN结的两端外加不同极性的电压时，PN结表现出截然不同的导电性能，称为PN结的单向导电性。
（1）在外加正向电压时PN结处于导通状态当外加电压使PN结的阳极电位高于阴极时，称PN结外加正向电压或PN结正向偏置（简称正偏），如图1-6所示。
图中实心点代表电子，空心圈代表空穴。
此时，外加电场E out与内电场E in 的方向相反，其作用是增强扩散运动而削弱漂移运动。
所以，外电场驱使P区的多子进入空间电荷区抵消一部分负空间电荷，也使N区的多子电子进入空间电荷区抵消一部分正空间电荷，其结果是使空间电荷区变窄，PN结呈现低电阻（一船为几百欧姆）;同时由于扩散运动占主导，形成较大的正向电流（mA级），此时PN结导通，相当于开关的闭合状态。
由于PN结导通时，其电位差只有零点几伏，且呈现低电阻，所以应该在其所在回路中串联一个限流电阻•以防止PN结因过流而损坏。
图1-6PN结加正向偏置导通时的情况（2）在外加反向电压时PN结处于截止状态当外加电压使PN结的阳极电位低于阴极时，称PN吉外加反向电压或PN结反向偏置（简称反偏）如图1-7所示。
此时，外加电场E ou t与内电场E in的方向一致，并与内电场一起阻止扩散运动而促进漂移运动。