晶圆厂工艺说明
晶圆制作工艺
晶圆制作工艺一、引言晶圆制作工艺是半导体制造过程中的核心环节之一。
其涉及的工艺步骤和技术要求对最终产品的性能和质量有着重要影响。
本文将对晶圆制作工艺进行全面、详细、完整且深入地探讨，介绍晶圆制作工艺的基本原理、工艺流程和常见工艺技术。
二、晶圆制作工艺的基本原理晶圆制作工艺是将半导体材料加工成具有一定形状、尺寸和质量的晶圆，以便后续的集成电路制造。
其基本原理包括以下几个方面：2.1 材料选择和准备晶圆制作的材料主要有硅、硅化物和砷化镓等。
在材料选择上，需要考虑材料的物理特性、制备成本和工艺可行性等因素。
材料准备包括材料的精炼、制备和切割等步骤，确保材料具备一定的纯度和尺寸。
2.2 晶圆生长晶圆的生长是指通过各种物理或化学方法，在晶圆衬底上逐渐沉积出一层具有晶体结构的薄膜，形成单晶材料。
常用的晶圆生长方法包括气相沉积、熔融法和溅射法等，其中气相沉积是最常用的方法之一。
2.3 陶瓷制备陶瓷制备是指将材料粉末经过烧结或其他方法形成块状或多孔结构的过程，用于制作陶瓷衬底。
陶瓷衬底具有高温稳定性和电气绝缘性能，被广泛应用于光电子、电子器件等领域。
2.4 清洗和净化清洗和净化是晶圆制作过程中必不可少的步骤，主要目的是去除晶圆表面的污染物和杂质。
清洗方法包括化学溶液浸泡、超声波清洗和离子束清洗等，净化方法则采用真空处理或高温退火等方式。
三、晶圆制作工艺的流程晶圆制作工艺的流程包括以下几个主要步骤：3.1 晶圆生长晶圆生长是整个制作工艺中的关键步骤，它的质量和性能直接影响到后续工艺的进行和设备的性能。
晶圆生长的主要方法有： - Czochralski法（CZ法）：通过在熔融的原料中拉出晶种并逐渐增长晶体，得到大直径的单晶圆。
- 悬拉法（Floating Zone Method，FZ法）：利用悬吊附近的热源将单晶材料熔化，并自下向上生长。
- 气相沉积法（Chemical Vapor Deposition，CVD法）：在气相中使反应气体分解并沉积在衬底表面上，形成单晶薄膜。
晶圆(Wafer) 制程工艺学习
晶圆（Wafer）制程工藝學習晶圆（Wafer）的生产由砂即（二氧化硅）开始，经由电弧炉的提炼还原成冶炼级的硅，再经由盐酸氯化，产生三氯化硅，经蒸馏纯化后，透过慢速分解过程，制成棒状或粒状的「多晶硅」。
一般晶圆制造厂，将多晶硅融解后，再利用硅晶种慢慢拉出单晶硅晶棒。
一支85公分长，重76.6公斤的8吋硅晶棒，约需2天半时间长成。
经研磨、拋光、切片后，即成半导体之原料晶圆片。
光学显影光学显影是在光阻上经过曝光和显影的程序，把光罩上的图形转换到光阻下面的薄膜层或硅晶上。
光学显影主要包含了光阻涂布、烘烤、光罩对准、曝光和显影等程序。
小尺寸之显像分辨率，更在 IC 制程的进步上，扮演着最关键的角色。
由于光学上的需要，此段制程之照明采用偏黄色的可见光。
因此俗称此区为黄光区。
干式蚀刻技术在半导体的制程中，蚀刻被用来将某种材质自晶圆表面上移除。
干式蚀刻（又称为电浆蚀刻）是目前最常用的蚀刻方式，其以气体作为主要的蚀刻媒介，并藉由电浆能量来驱动反应。
电浆对蚀刻制程有物理性与化学性两方面的影响。
首先，电浆会将蚀刻气体分子分解，产生能够快速蚀去材料的高活性分子。
此外，电浆也会把这些化学成份离子化，使其带有电荷。
晶圆系置于带负电的阴极之上，因此当带正电荷的离子被阴极吸引并加速向阴极方向前进时，会以垂直角度撞击到晶圆表面。
芯片制造商即是运用此特性来获得绝佳的垂直蚀刻，而后者也是干式蚀刻的重要角色。
基本上，随着所欲去除的材质与所使用的蚀刻化学物质之不同，蚀刻由下列两种模式单独或混会进行：1. 电浆内部所产生的活性反应离子与自由基在撞击晶圆表面后，将与某特定成份之表面材质起化学反应而使之气化。
如此即可将表面材质移出晶圆表面，并透过抽气动作将其排出。
2. 电浆离子可因加速而具有足够的动能来扯断薄膜的化学键，进而将晶圆表面材质分子一个个的打击或溅击（sputtering）出来。
化学气相沉积技术化学气相沉积是制造微电子组件时，被用来沉积出某种薄膜(film)的技术，所沉积出的薄膜可能是介电材料(绝缘体)(dielectrics)、导体、或半导体。
晶圆制造工艺流程
晶圆制造工艺流程1、表面清洗2、初次氧化3、 CVD(Chemic al Vapordeposi tion)法沉积一层Si3N4(Hot CVD 或 LPCVD)。
（1）常压 CVD (Normal Pressu re CVD)（2）低压 CVD (Low Pressu re CVD)（3）热 CVD (Hot CVD)/(therma l CVD)（4）电浆增强 CVD (Plasma Enhanc ed CVD)（5）MOCVD(MetalOrgani c CVD) & 分子磊晶成长 (Molecu lar Beam Epitax y)（6）外延生长法(LPE)4、涂敷光刻胶（1）光刻胶的涂敷（2）预烘(pre bake)（3）曝光（4）显影（5）后烘(post bake)（6）腐蚀 (etchin g)（7）光刻胶的去除5、此处用干法氧化法将氮化硅去除6 、离子布植将硼离子(B+3) 透过SiO2 膜注入衬底，形成P 型阱7、去除光刻胶，放高温炉中进行退火处理8、用热磷酸去除氮化硅层，掺杂磷(P+5) 离子，形成N 型阱9、退火处理，然后用HF 去除SiO2 层10、干法氧化法生成一层SiO2 层，然后 LPCVD沉积一层氮化硅11、利用光刻技术和离子刻蚀技术，保留下栅隔离层上面的氮化硅层12、湿法氧化，生长未有氮化硅保护的SiO2 层，形成PN 之间的隔离区13、热磷酸去除氮化硅，然后用HF 溶液去除栅隔离层位置的SiO2 ，并重新生成品质更好的SiO2 薄膜, 作为栅极氧化层。
14、LPCVD沉积多晶硅层，然后涂敷光阻进行光刻，以及等离子蚀刻技术，栅极结构，并氧化生成SiO2 保护层。
15、表面涂敷光阻，去除P 阱区的光阻，注入砷(As) 离子，形成NMOS 的源漏极。
晶圆工艺流程
晶圆工艺流程晶圆工艺流程是指将硅片作为材料，通过一系列的工序制造出用于集成电路的晶圆的过程。
以下是一般的晶圆工艺流程。
首先是硅片的准备。
硅片是晶圆的基本材料，通常是从单晶硅棒中拉制而成。
在准备过程中，硅片需要经过清洗、去除杂质、抛光等操作，确保表面光滑、洁净。
接下来是光刻工艺。
光刻工艺是利用光刻胶和光罩制造芯片图案的过程。
首先，将光刻胶涂覆在硅片表面，然后将光罩对准硅片，并通过紫外线照射。
照射后，将硅片进行显影处理，去除未固化的光刻胶，得到芯片的图案。
然后是离子注入。
离子注入是将掺杂元素注入硅片中，改变硅片的电导性和性能。
首先，在光刻完毕后，通过快速加热将光刻胶去除，然后将硅片放置在离子注入机中，注入所需掺杂元素。
注入后，通过退火处理来激活注入的离子，使其与硅片结合。
接下来是薄膜沉积。
薄膜沉积是将各种材料沉积在硅片上，以形成晶圆上的各种层次和结构。
常见的薄膜沉积方法有化学气相沉积（CVD）和物理气相沉积（PVD）等。
通过这些方法，在硅片上沉积氧化物、金属、聚合物等材料，形成电子器件所需的结构。
然后是刻蚀工艺。
刻蚀工艺是利用化学溶液或等离子体等方法，将不需要的材料从硅片上去除，形成所需的电子器件结构。
通过刻蚀，可以制造出晶圆上细小且复杂的结构。
最后是封装工艺。
封装工艺是将制造好的晶圆进行封装，以保护器件并为其提供连接接口。
在封装过程中，将晶圆切割成单个芯片，并进行焊接、封胶、外壳封装等操作，形成完整的集成电路芯片。
以上是一般的晶圆工艺流程。
当然，实际的制造过程还会包括更多的细节工艺和控制环节，以确保芯片的质量和性能。
随着工艺技术的不断进步，晶圆工艺流程也在不断演进，以满足不断增长的电子器件需求。
晶圆制造工艺及管控要求
晶圆制造工艺及管控要求一、初识晶圆制造工艺1.1 什么是晶圆制造工艺晶圆制造工艺，是指将硅片（即晶圆）通过一系列的工艺加工和处理，制作成集成电路芯片的过程。
1.2 晶圆制造工艺的重要性晶圆制造工艺是整个集成电路生产过程中非常重要的环节，它直接决定了芯片的品质和性能。
二、晶圆制造工艺流程2.1 清洗和去杂质处理1.用超声波清洗机将晶圆放入去离子水中，去除表面的杂质和氧化物。
2.在酸性溶液中浸泡，去除晶圆表面的金属离子和有机物质。
2.2 氧化和扩散1.将晶圆放入高温炉中，在氧气或蒸汽中进行氧化处理，生成一层氧化硅。
2.将掺杂源固态扩散到氧化硅层中，调整晶圆的电性能。
2.3 光刻和曝光1.在光刻机中涂覆光刻胶到晶圆表面。
2.利用掩膜和紫外线曝光，将光刻胶在某些区域暴露出来，形成芯片的图形。
3.使用化学溶解光刻胶的方法，去除未暴露的部分。
2.4 蚀刻和沉积1.将晶圆放入蚀刻池中，用化学液体去除暴露的氧化硅或金属。
2.通过物理或化学反应，在芯片上沉积一层新的材料。
2.5 电镀和铺膜1.将晶圆浸入电镀液，使其表面镀上一层金属。
2.使用化学气相沉积法，将薄膜均匀覆盖在晶圆上。
2.6 制程控制和检测1.对制程参数进行监控和调整，确保每个工艺步骤的稳定性和一致性。
2.使用显微镜、扫描电镜等检测设备，对晶圆进行质量检测和缺陷分析。
三、晶圆制造管控要求3.1 温度控制要求1.不同工艺步骤对温度的要求不同，需要精确控制每个步骤的温度。
2.温度的波动范围应控制在允许范围内，以保证制程的稳定性和芯片品质。
3.2 时间控制要求1.每个工艺步骤所需的时间应精确掌握，以确保整个制程的时效性。
2.不同步骤的时间间隔也需要合理安排，以避免工艺步骤之间的冲突和干扰。
3.3 成本控制要求1.合理规划工艺流程，最大程度节约原材料和能源的使用。
2.优化制程参数，提高生产效率，降低生产成本。
3.4 质量控制要求1.建立严格的质量管理体系，确保每个工艺步骤的质量符合要求。
构成晶圆制造的五大工艺
构成晶圆制造的五大工艺晶圆制造是半导体工业中最关键的环节之一，它涉及到许多复杂的工艺和技术。
晶圆制造的五大工艺包括晶圆切割、晶圆清洗、光刻、离子注入和薄膜沉积。
下面将对这五大工艺进行详细介绍。
1. 晶圆切割晶圆切割是将硅单晶棒切成薄片，即晶圆的过程。
通常使用钻石锯片进行切割，但由于硅单晶非常硬，因此需要用到高压水流或者磨料来辅助切割。
在切割过程中，还需要进行去毛边和去角处理，以确保最后得到的晶圆表面平整光滑。
2. 晶圆清洗在晶圆制造过程中，需要对晶片进行多次清洗以确保其表面干净无尘。
清洗过程通常包括化学溶解、超声波振荡和离心等步骤。
其中化学溶解可以去除表面污垢和有机物质；超声波振荡可以将难以去除的颗粒和污垢震落；离心可以将液体和固体分离，以便于后续处理。
3. 光刻光刻是一种利用光敏材料制作图形的技术。
在晶圆制造中，光刻通常用于制作电路图案。
首先，在晶圆上涂覆一层感光胶，然后使用掩模板对感光胶进行曝光，使得只有被曝光的部分会发生化学反应。
最后，使用化学溶解剂将未曝光的感光胶去除，留下所需的电路图案。
4. 离子注入离子注入是一种将材料中的离子注入到另一种材料中的技术。
在晶圆制造中，离子注入通常用于改变硅片的电学性质。
具体来说，通过向硅片中注入不同类型的离子（如磷、硼等），可以改变硅片中自由电子和空穴浓度，从而控制其导电性能。
5. 薄膜沉积薄膜沉积是一种将材料沉积到另一种材料表面上形成薄层的技术。
在晶圆制造中，薄膜沉积通常用于制作金属线路和绝缘层等。
常用的沉积方法包括物理气相沉积、化学气相沉积和溅射等。
其中，物理气相沉积是将固态材料加热到高温后，在真空环境下使其蒸发并在晶片表面形成薄层；化学气相沉积是通过化学反应在晶片表面形成薄层；溅射则是利用离子轰击材料表面将其溅射到晶片表面上。
总之，晶圆制造的五大工艺涵盖了许多复杂的技术和过程。
这些工艺不仅需要精密的设备和仪器，还需要高度专业化的技术人员来操作和控制。
晶圆制造十大工艺
晶圆制造十大工艺
晶圆制造是集成电路（IC）制造的关键步骤之一。
下面是晶圆制造中的十大工艺步骤：
1.晶圆生长（Czochralski Process）：
•将单晶硅从熔融硅中拉出，形成长而纯净的单晶圆柱，用于后续的加工。
2.切割（Wafering）：
•将长的单晶圆柱切割成薄片，形成晶圆。
这些薄片通常有200毫米或300毫米的直径。
3.化学机械抛光（Chemical Mechanical Polishing，CMP）：
•对晶圆表面进行机械磨削和化学腐蚀，以获得平整的表面。
4.清洗（Cleaning）：
•使用特殊的清洗过程去除晶圆表面的杂质，确保表面干净。
5.氧化（Oxidation）：
•在晶圆表面形成氧化层，通常是二氧化硅（SiO2），用于隔离不同的区域。
6.光刻（Photolithography）：
•利用光学光刻技术在晶圆表面敷设光阻，然后使用光掩模形成图案。
7.蚀刻（Etching）：
•使用化学或物理方法将光刻过程中未被保护的区域去除，形成所需的图案结构。
8.离子注入（Ion Implantation）：
•将离子注入晶圆，改变晶体结构，用于形成电子器件的特定区域。
9.金属化（Metallization）：
•在晶圆表面涂覆金属层，用于连接电子器件和形成电路。
10.封装（Packaging）：
•将晶圆上的芯片封装在塑料或陶瓷封装中，以提供电气和机械保护。
这些步骤是在晶圆制造的不同阶段进行的，最终形成成熟的集成电路芯片。
这些步骤的每一步都需要高度精密和精确的设备和工艺控制，以确保最终产品的性能和可靠性。
晶圆生产流程及每道工序的关键工艺参数
晶圆生产流程及关键工艺参数1. 晶圆生产流程概述晶圆生产是半导体工业中的重要环节，主要包括晶圆切割、清洗、掩膜光刻、离子注入、扩散、腐蚀、金属化等多个工序。
下面将详细介绍每个工序的步骤和关键工艺参数。
2. 晶圆生产流程详解2.1 晶圆切割晶圆切割是将硅单晶棒切割成具有一定厚度的硅片，主要步骤包括：2.1.1 硅单晶棒修整将硅单晶棒进行修整，使其表面光滑且直径均匀。
2.1.2 硅单晶棒预定位对硅单晶棒进行预定位，确定切割位置。
2.1.3 硅单晶棒切割使用金刚石线锯将硅单晶棒切割成硅片。
2.1.4 硅片清洗将切割好的硅片进行清洗，去除杂质和污染物。
2.2 清洗清洗是将硅片表面的杂质和污染物去除，主要步骤包括：2.2.1 预清洗将硅片浸泡在预清洗液中，去除大部分粉尘和有机污染物。
2.2.2 主清洗使用酸性或碱性清洗液对硅片进行主要清洗，去除残留的有机污染物和金属离子。
2.2.3 漂洗用纯水对硅片进行漂洗，去除清洗液残留。
2.2.4 干燥将硅片在干燥器中进行干燥，去除水分。
2.3 掩膜光刻掩膜光刻是通过光刻胶和掩膜模板将芯片图形转移到硅片上，主要步骤包括：2.3.1 光刻胶涂覆将光刻胶均匀涂覆在硅片上。
2.3.2 掩膜对位将掩膜模板对准硅片，并通过对位器进行精确定位。
2.3.3 曝光使用紫外光将掩膜模板上的芯片图形转移到硅片上。
2.3.4 显影使用显影液去除未曝光的光刻胶，形成芯片图形。
2.4 离子注入离子注入是将特定元素注入硅片表面，改变硅片的导电性能，主要步骤包括：2.4.1 离子源准备准备离子源和加速器设备，确定注入元素和能量。
2.4.2 离子束对准将离子束对准硅片表面，并通过对位器进行精确定位。
2.4.3 注入通过加速器加速离子束，使其注入硅片表面，并控制注入剂量和深度。
2.5 扩散扩散是将特定元素在硅片中进行扩散，形成PN结构，主要步骤包括：2.5.1 清洗将注入后的硅片进行清洗，去除污染物。
晶圆 加工工序
晶圆加工工序
晶圆加工是半导体制造中极为重要的工序之一，其具体工艺流程包括：
1.掩膜制作：通过在晶圆表面加覆一层光刻胶，并在光刻胶表面制作具有所需结构的掩膜，完成对晶圆的器件结构定义。
2.光刻：晶圆经过覆盖掩膜后，通过紫外线照射来形成所需要的器件结构，这个过程叫光刻。
3.蚀刻：施加药液进行蚀刻，加工掉那些没有被紫外线照射到的地方，蚀刻后使晶圆形成所需的器件结构。
4.清洗：将晶圆上的残留物清洗掉，以保证下一道工序的正常进行。
5.离子注入：通过离子注入，将特定材料离子注入晶圆内，进一步定义器件结构，从而得到有效的半导体材料。
6.热处理：把给定的晶圆加热至一定温度，使之内部结构重新排列。
7.金属沉积：在晶圆上沉积金属，进行金属接触等必要的工艺，从而得到要求的电气特征的半导体材料。
整个晶圆加工流程一般需要多次循环以上各种工艺。
(完整版)晶圆的生产工艺流程汇总
晶圆的生产工艺流程：从大的方面来讲，晶圆生产包括晶棒制造和晶片制造两大步骤，它又可细分为以下几道主要工序（其中晶棒制造只包括下面的第一道工序，其余的全部属晶片制造，所以有时又统称它们为晶柱切片后处理工序）：晶棒成长 -- 晶棒裁切与检测 -- 外径研磨 -- 切片 -- 圆边-- 表层研磨 -- 蚀刻 -- 去疵 -- 抛光 -- 清洗 -- 检验 -- 包装 1、晶棒成长工序：它又可细分为：1）、融化（Melt Down）：将块状的高纯度复晶硅置于石英坩锅内，加热到其熔点1420°C以上，使其完全融化。
2）、颈部成长（Neck Growth）：待硅融浆的温度稳定之后，将〈1.0.0〉方向的晶种慢慢插入其中，接着将晶种慢慢往上提升，使其直径缩小到一定尺寸（一般约6mm左右），维持此直径并拉长100-200mm，以消除晶种内的晶粒排列取向差异。
3）、晶冠成长（Crown Growth）：颈部成长完成后，慢慢降低提升速度和温度，使颈部直径逐渐加大到所需尺寸（如5、6、8、12吋等）。
4）、晶体成长（Body Growth）：不断调整提升速度和融炼温度，维持固定的晶棒直径，只到晶棒长度达到预定值。
5）、尾部成长（Tail Growth）：当晶棒长度达到预定值后再逐渐加快提升速度并提高融炼温度，使晶棒直径逐渐变小，以避免因热应力造成排差和滑移等现象产生，最终使晶棒与液面完全分离。
到此即得到一根完整的晶棒。
2、晶棒裁切与检测（Cutting & Inspection）：将长成的晶棒去掉直径偏小的头、尾部分，并对尺寸进行检测，以决定下步加工的工艺参数。
3、外径研磨（Surface Grinding & Shaping）：由于在晶棒成长过程中，其外径尺寸和圆度均有一定偏差，其外园柱面也凹凸不平，所以必须对外径进行修整、研磨，使其尺寸、形状误差均小于允许偏差。
4、切片（Wire Saw Slicing）：由于硅的硬度非常大，所以在本工序里，采用环状、其内径边缘镶嵌有钻石颗粒的薄片锯片将晶棒切割成一片片薄片。
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PHOTOPHOTO 流程?答：上光阻→曝光→顯影→顯影後檢查→CD量測→Overlay量測何为光阻？其功能为何？其分为哪两种？答：Photoresist(光阻).是一种感光的物质，其作用是将Pattern从光罩(Reticle)上传递到Wafer上的一种介质。
其分为正光阻和负光阻。
何为正光阻?答：正光阻，是光阻的一种，这种光阻的特性是将其曝光之后，感光部分的性质会改变，并在之后的显影过程中被曝光的部分被去除。
何为负光阻?答：负光阻也是光阻的一种类型，将其曝光之后，感光部分的性质被改变，但是这种光阻的特性与正光阻的特性刚好相反，其感光部分在将来的显影过程中会被留下，而没有被感光的部分则被显影过程去除。
什幺是曝光？什幺是显影？答：曝光就是通过光照射光阻，使其感光；显影就是将曝光完成后的图形处理，以将图形清晰的显现出来的过程。
何谓Photo?答：Photo=Photolithgraphy,光刻，将图形从光罩上成象到光阻上的过程。
Photo主要流程为何?答：Photo的流程分为前处理，上光阻，Soft Bake, 曝光，PEB，显影，Hard Bake 等。
何谓PHOTO区之前处理?答：在Wafer上涂布光阻之前，需要先对Wafer表面进行一系列的处理工作，以使光阻能在后面的涂布过程中能够被更可靠的涂布。
前处理主要包括Bake，HDMS等过程。
其中通过Bake将Wafer表面吸收的水分去除，然后进行HDMS工作，以使Wafer表面更容易与光阻结合。
何谓上光阻?答：上光阻是为了在Wafer表面得到厚度均匀的光阻薄膜。
光阻通过喷嘴（Nozzle）被喷涂在高速旋转的Wafer表面，并在离心力的作用下被均匀的涂布在Wafer的表面。
何谓Soft Bake?答：上完光阻之后，要进行Soft Bake，其主要目的是通过Soft Bake将光阻中的溶剂蒸发，并控制光阻的敏感度和将来的线宽，同时也将光阻中的残余内应力释放。
何谓曝光?答：曝光是将涂布在Wafer表面的光阻感光的过程，同时将光罩上的图形传递到Wafer 上的过程。
何谓PEB(Post Exposure Bake)?答：PEB是在曝光结束后对光阻进行控制精密的Bake的过程。
其目的在于使被曝光的光阻进行充分的化学反应，以使被曝光的图形均匀化。
何谓显影?答：显影类似于洗照片，是将曝光完成的Wafer进行成象的过程，通过这个过程，成象在光阻上的图形被显现出来。
何谓Hard Bake?答：Hard Bake是通过烘烤使显影完成后残留在Wafer上的显影液蒸发，并且固化显影完成之后的光阻的图形的过程。
何为BARC?何为TARC?它们分别的作用是什幺？答：BARC=Bottom Anti Reflective Coating, TARC=Top Anti Reflective Coating. BARC是被涂布在光阻下面的一层减少光的反射的物质，TARC则是被涂布在光阻上表面的一层减少光的反射的物质。
他们的作用分别是减少曝光过程中光在光阻的上下表面的反射，以使曝光的大部分能量都被光阻吸收。
何谓I-line？答：曝光过程中用到的光，由Mercury Lamp(汞灯)产生，其波长为365nm，其波长较长，因此曝光完成后图形的分辨率较差，可应用在次重要的层次。
何谓DUV？答：曝光过程中用到的光，其波长为248nm，其波长较短，因此曝光完成后的图形分辨率较好，用于较为重要的制程中。
I-line与DUV主要不同处为何?答：光源不同，波长不同，因此应用的场合也不同。
I-Line主要用在较落后的制程（0.35微米以上）或者较先进制程（0.35微米以下）的Non-Critical layer。
DUV则用在先进制程的Critical layer上。
何为Exposure Field?答：曝光区域，一次曝光所能覆盖的区域何谓Stepper? 其功能为何?答：一种曝光机，其曝光动作为Step by step形式,一次曝整個exposure field,一個一個曝過去何谓Scanner? 其功能为何?答：一种曝光机，其曝光动作为Scanning and step形式, 在一個exposure field 曝光時, 先Scan完整個field, Scan完後再移到下一個field.何为象差？答：代表透镜成象的能力,越小越好.Scanner比Stepper优点为何？答：Exposure Field大，象差较小曝光最重要的两个参数是什幺？答：Energy(曝光量), Focus(焦距)。
如果能量和焦距调整的不好，就不能得到要求的分辨率和要求大小的图形，主要表现在图形的CD值超出要求的范围。
因此要求在生产时要时刻维持最佳的能量和焦距，这两个参数对于不同的产品会有不同。
何为Reticle?答：Reticle也称为Mask，翻译做光掩模板或者光罩，曝光过程中的原始图形的载体，通过曝光过程，这些图形的信息将被传递到芯片上。
何为Pellicle?答：Pellicle是Reticle上为了防止灰塵(dust)或者微塵粒子(Particle)落在光罩的图形面上的一层保护膜。
何为OPC光罩？答：OPC (Optical Proximity Correction)为了增加曝光图案的真实性，做了一些修正的光罩，例如，0.18微米以下的Poly, Metal layer就是OPC光罩。
何为PSM光罩？答：PSM (Phase Shift Mask)不同于Cr mask, 利用相位干涉原理成象，目前大都应用在contact layer以及较小CD的Critical layer（如AA，POLY，METAL1）以增加图形的分辨率。
何為CR Mask？答：傳統的鉻膜光罩,只是利用光訊0與1干涉成像,主要應用在較不Critical 的layer 光罩编号各位代码都代表什幺？答：例如003700-156AA-1DA, 0037代表产品号，00代表Special code,156代表layer,A代表客户版本，后一个A代表SMIC版本，1代表FAB1，D代表DUV(如果是J,则代表I-line),A代表ASML机台（如果是C，则代表Canon机台）光罩室同时不能超过多少人在其中？答：2人，为了避免产生更多的Particle和静电而损坏光罩。
存取光罩的基本原则是什幺？答：(1) 光罩盒打开的情况下，不准进出Mask Room,最多只准保持2个人(2) 戴上手套(3) 轻拿轻放如何避免静电破坏Mask？答：光罩夹子上连一导线到金属桌面，可以将产生的静电导出。
光罩POD和FOUP能放在一起吗？它们之间至少应该保持多远距离？答：不能放在一起，之间至少要有30公分的距离，防止搬动FOUP时碰撞光罩Pod 而损坏光罩。
何谓Track?答：Photo制程中一系列步骤的组合，其包括：Wafer的前、后处理，Coating(上光阻)，和Develop(显影)等过程。
In-line Track机台有几个Coater槽，几个Developer槽？答：均为4个机台上亮红灯的处理流程？答：机台上红灯亮起的时候表明机台处于异常状态，此时已经不能RUN货，因此应该及时Call E.E进行处理。
若EE现在无法立即解决，则将机台挂DOWN。
何谓WEE? 其功能为何?答：Wafer Edge Exposure。
由于Wafer边缘的光阻通常会涂布的不均匀，因此一般不能得到较好的图形，而且有时还会因此造成光阻peeling而影响其它部分的图形，因此将Wafer Edge的光阻曝光，进而在显影的时候将其去除，这样便可以消除影响。
何为PEB？其功能为何？答：Post Exposure Bake，其功能在于可以得到质量较好的图形。
（消除standing waves）PHOTO POLYIMIDE所用的光阻是正光阻还是负光阻答：目前正负光阻都有，SMIC FAB内用的为负光阻。
RUN货结束后如何判断是否有wafer被reject？答：查看RUN之前lot里有多少Wafer,再看Run之后lot里的WAFER是否有少掉，如果有少，则进一步查看机台是否有Reject记录。
何谓Overlay? 其功能为何?答：迭对测量仪。
由于集成电路是由很多层电路重迭组成的，因此必须保证每一层与前面或者后面的层的对准精度，如果对准精度超出要求范围内，则可能造成整个电路不能完成设计的工作。
因此在每一层的制作的过程中，要对其与前层的对准精度进行测量，如果测量值超出要求，则必须采取相应措施调整process condition.何谓ADI CD?答：Critical Dimension，光罩图案中最小的线宽。
曝光过后，它的图形也被复制在Wafer上，通常如果这些最小的线宽能够成功的成象，同时曝光的其它的图形也能够成功的成象。
因此通常测量CD的值来确定process的条件是否合适。
何谓CD-SEM? 其功能为何?答：扫描电子显微镜。
是一种测量用的仪器，通常可以用于测量CD以及观察图案。
PRS的制程目的为何？答：PRS (Process Release Standard)通过选择不同的条件（能量和焦距）对Wafer 曝光，以选择最佳的process condition。
何为ADI？ADI需检查的项目有哪些？答：After Develop Inspection，曝光和显影完成之后，通过ADI机台对所产生的图形的定性检查，看其是否正常，其检查项目包括：Layer ID,Locking Corner,Vernier,Photo Macro Defect何为OOC, OOS，OCAP？答：OOC=out of control,OOS=Out of Spec,OCAP=out of control action plan 当需要追货的时候，是否需要将ETCH没有下机台的货追回来？答：需要。
因为通常是process出现了异常，而且影响到了一些货，因此为了减少损失，必须把还没有ETCH的货追回来，否则ETCH之后就无法挽回损失。
PHOTO ADI检查的SITE是每片几个点？答：5点，Wafer中间一点，周围四点。
PHOTO OVERLAY检查的SITE是每片几个点？答：20PHOTO ADI检查的片数一般是哪几片？答：#1，#6，#15，#24; 统计随机的考量何谓RTMS，其主要功能是什幺？答：RTMS (Reticle Management System) 光罩管理系统用于trace光罩的History,Status,Location,and Information以便于光罩管理PHOTO区的主机台进行PM的周期？答：一周一次PHOTO区的控片主要有几种类型答：(1) Particle :作為Particle monitor用的芯片,使用前測前需小於10顆(2) Chuck Particle :作為Scanner測試Chuck平坦度的專用芯片,其平坦度要求非常高(3) Focus :作為Scanner Daily monitor best 的wafer(4) CD :做為photo區daily monitor CD 穩定度的wafer(5) PR thickness :做為光阻厚度測量的wafer(6) PDM :做為photo defect monitor的wafer当TRACK刚显示光阻用完时，其实机台中还有光阻吗？答：有少量光阻当TRACK刚显示光阻用完时，其实机台中还有光阻吗？答：有少量光阻WAFER SORTER有读WAFER刻号的功能吗？答：有光刻部的主要机台是什幺? 它们的作用是什幺?答：光刻部的主要机台是: TRACK(涂胶显影机), Sanner(扫描曝光机)为什幺说光刻技术最象日常生活中的照相技术答：Track 把光刻胶涂附到芯片上就等同于底片,而曝光机就是一台最高级的照相机. 光罩上的电路图形就是"人物". 通过对准,对焦,打开快门, 让一定量的光照过光罩, 其图像呈现在芯片的光刻胶上, 曝光后的芯片被送回Track 的显影槽, 被显影液浸泡, 曝光的光刻胶被洗掉, 图形就显现出来了.光刻技术的英文是什幺答：Photo Lithography常听说的.18 或点13 技术是指什幺?答：它是指某个产品,它的最小"CD" 的大小为0.18um or 0.13um. 越小集成度可以越高, 每个芯片上可做的芯片数量越多, 难度也越大.它是代表工艺水平的重要参数.从点18工艺到点13 工艺到点零9. 难度在哪里?答：难度在光刻部, 因为图形越来越小, 曝光机分辨率有限.曝光机的NA 是什幺?答：NA是曝光机的透镜的数值孔径;是光罩对透镜张开的角度的正玹值. 最大是1; 先进的曝光机的NA 在0.5 ---0.85之间.曝光机分辨率是由哪些参数决定的?答：分辨率=k1*Lamda/NA. Lamda是用于曝光的光波长;NA是曝光机的透镜的数值孔径; k1是标志工艺水准的参数, 通常在0.4--0.7之间.如何提高曝光机的分辨率呢?答：减短曝光的光波长, 选择新的光源; 把透镜做大,提高NA.现在的生产线上, 曝光机的光源有几种, 波长多少?答：有三种: 高压汞灯光谱中的365nm 谱线, 我们也称其为I-line; KrF 激光器, 产生248 nm 的光; ArF 激光器, 产生193 nm 的光;下一代曝光机光源是什幺?答：F2 激光器. 波长157nm我们可否一直把波长缩短,以提高分辨率? 困难在哪里?答：不可以. 困难在透镜材料. 能透过157nm 的材料是CaF2, 其晶体很难生长. 还未发现能透过更短波长的材料.为什幺光刻区采用黄光照明？答：因为白光中包含365nm成份会使光阻曝光,所以采用黄光; 就象洗像的暗房采用暗红光照明.什幺是SEM答：扫描电子显微镜(Scan Electronic Microscope)光刻部常用的也称道CD SEM. 用它来测量CD如何做Overlay 测量呢?答：芯片(Wafer)被送进Overlay 机台中. 先确定Wafer的位置从而找到Overlay MARK. 这个MARK 是一个方块IN 方块的结构.大方块是前层, 小方块是当层;通过小方块是否在大方块中心来确定Overlay的好坏.生产线上最贵的机器是什幺答：曝光机;5-15 百万美金/台曝光机贵在哪里?答：曝光机贵在它的光学成像系统(它的成像系统由15 到20 个直径在200 300MM 的透镜组成.波面相位差只有最好象机的5%. 它有精密的定位系统(使用激光工作台) 激光工作台的定位精度有多高?答：现用的曝光机的激光工作台定位的重复精度小于10nm曝光机是如何保证Overlay<50nm答：曝光机要保证每层的图形之间对准精度<50nm. 它首先要有一个精准的激光工作台, 它把wafer移动到准确的位置. 再就是成像系统,它带来的图像变形<35nm.在WAFER 上, 什幺叫一个Field?答：光罩上图形成象在WAFER上, 最大只有26X33mm一块(这一块就叫一个Field),激光工作台把WAFER 移动一个Field的位置，再曝一次光，再移动再曝光。