LEC06_多发射数据通路
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相关检查 及发射
EU
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保留站
译 码
指令队列
11
不同处理器的保留站组织
独立保留站 Power1(1990) Nx586(1994) PowerPC 603(1993) PowerPC 604(1995) PowerPC 620(1996) Am 2900 sup (1995) Am K5 (1995) Godson-1 (2001) 分组保留站 全局保留站
ES/9000 Penium Pro/II/III (1995) Power2 (1993) Pentium-M(2003) R10000(1996) Core (2006) PM1(Sparc64) (1995) HP PA8700(1998) Alpha 21264 (1998) Godson-2 (2003) AMD K7 (1999) AMD K8 (2003)
高性能计算机系统结构
胡伟武
1
多发射数据通路
• 乱序执行的关键技术 • 动态调度流水线数据通路
• 保留站的组织 • 寄存器与保留站的关系 • 寄存器重命名方法
• 常见处理器的数据通路 • 多发射结构数据通路 • 龙芯2号多发射结构简介
2
乱序执行的关键技术
3
指令级并行的关键技术
• 指令流水线: 时间重叠 • 多发射: 空间重复 • 乱序执行（有序结束）: 充分利用资源
R1 F2 R1 R1 F2 R1
22
重命名到保留站
结果总线 浮点加/减法部件 浮点乘/除法部件 乘法保留站
定点/访存
部件
加法保留站
浮点寄存器 3 2 1 0
指令队列 DIV F0, MUL F3, ADD F0, MUL F3,
F1, F0, F1, F0,
F2 F2 F2 F2
23
重命名到ROB
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相关检查 及发射
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相关检查 及发射
保留站
保留站
译 码
指令队列
10
全局保留站
• 所有功能部件共享一个保留站
• 保留站项数很多，读出写入端口都 很多，保留站读出时间长，保留站 控制很复杂 • 保留站效率很高 • 结果总线只送到全局保留站 • Pentium Pro的全局保留站有20项
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译码阶段 延迟很长
结构寄存器
重命名寄存器
指令队列 及译码
31
使用物理寄存器堆的重命名算法（1）
假设保留站后读寄存器 • 译码阶段
• 把目标寄存器映射到一个空闲的物理寄存器 • 为源寄存器根据依赖关系找到相应的物理寄存器号 • 把重命名后的寄存器号写入保留站
• 发射阶段
• 判断所需的操作数是否已经准备好，或（Forwarding 情况下）正在写回 • 从物理寄存器或结果总线中读寄存器的值
• • • • 动态调度：前面指令因相关而等待时，后面的可继续前进。 转移猜测：在转移条件确定前，猜测某个分支取指并执行 非阻塞访存：提高访存指令执行效率，减少访存阻塞 乱序执行可以提高性能1.5-2倍。
4
动态调度技术
• 动态调度的主要作用及其思想
• 把读寄存器从译码中区分开来，并利用保留站等指令缓 存技术避免前面的阻塞的指令影响后面指令的执行 • 通过ROB对执行完的指令重新排序实现有序结束 • 利用寄存器重命名技术保存未提交的临时结果，消除 WAW和WAR相关并支持猜测性执行
• 重命名寄存器和结构寄存器不分开
• 为每个逻辑寄存器动态分配物理寄存器，需要建立 逻辑寄存器和物理寄存器之间的映射表。 • 映射表可以是RAM的方式，即有逻辑寄存器那么 多项，也可以是CAM的方式，即有物理寄存器那 么多项
27
独立重命名寄存器的重命名算法（1）
假设保留站前读寄存器 • 译码阶段
• 为目标寄存器分配一个空闲的重命名寄存器 • 为源寄存器找到相应的重命名或结构寄存器号 • 读操作数（注意三种操作数来源）并送入保留站
定点/访存
部件
加法保留站
写存储器
浮点寄存器 3 2 1 0 Commit总线
DIV MUL ADD MUL F0, F3, F0, F3,
指令队列 F1, F2 F0, F2 F1, F2 F0, F2
25
建立逻辑寄存器到物理寄存器的映射
ADD ADD ADD ADD ADD ADD
R1 R1 R1 R1 R1 R1
• 寄存器的输出作为保留站的输入
• 操作数没有准备好就读寄存器，保 留站侦听结果总线获取没写回的值 • 有序读寄存器 • 保留站中值的来源：寄存器、重命 名寄存器、进入保留站时侦听、进 入保留站后侦听 • 保留站中有值域，因此较复杂 • 寄存器读端口数为发射宽度
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保留站 及发射
保留站 及发射
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相关检查 及发射
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相关检查 及发射
保留站
保留站
保留站
保留站
保留站
保留站
保留站译 码译 码译 码指令队列
指令队列 指令队列
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独立保留站
• 每个功能部件都有自己的保留站
• 每个保留站项数较少（2-4项），只要一个 写入端口一个读出端口，输出选择比较简 单 • 保留站利用率低，可能忙的忙死甚至引起 堵塞，闲的闲死 • 结果总线送到所有保留站，连线长，结果 写回可能需要单独一拍 • CDC6600每个EU一项保留站 • IBM360/91中浮点加减部件两项，浮点乘法 部件3项保留站 • PowerPC 620三个定点一个浮点部件每个两 项保留站 • 龙芯1号三个定点两个浮点部件每个两项保 留站
12
不同处理器的保留站总项数比较
处理器 PowerPC 603(1993) PowerPC 604(1995) PowerPC 620(1996) Nx586(1994) K5(1995) PM1(Sparc64)(1995) Pentium Pro(1995) R10000(1996) 保留站总项数 3 12 15 42 14 36 20 48
• 执行阶段
• 执行结果根据目标物理寄存器号写回到物理寄存器 32 • 不用写回到保留站
使用物理寄存器堆的重命名算法（2）
• 保留站后读寄存器
• 保留站中无值域，较简单 • 操作数全部准备号后才能 读寄存器 • 乱序发射
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保留站 及发射
保留站 及发射
保留站 及发射
保留站 及发射
寄存器
寄存器
保留站 及发射
保留站 及发射
保留站 及发射
保留站 及发射
指令队列 及译码
指令队列 及译码
15
保留站前读寄存器
• 总之只要找到一个地方临时放一下数据
21
软件寄存器重命名
LD MULTD SD LD MULTD SD
F0 F4 F4 F0 F4 F4
0 F0 0 0 F0 0
R1 F2 R1 R1 F2 R1
LD MULTD SD LD MULTD SD
F0 F4 F4 F6 F8 F8
0 F0 0 0 F6 0
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• 似乎保留站后读寄存器占了上风
寄存器重命名方法
19
寄存器重命名技术
• 双重作用
• 例外或转移猜测错误时取消后面操作 • 解决WAR和WAW相关
• 核心思想
• 一个操作写寄存器时重命名到其他寄存器 • 一个操作结束时再写到结构寄存器
20
重命名的方法
• 重命名的方法多种多样，不拘一格
• • • • • 软件重命名 重命名到保留站 重命名到ROB 重命名到发射队列 建立物理寄存器到逻辑寄存器的映射
• 发射阶段
• 在保留站中找操作数准备好的操作进行运算，不涉及 重命名
• 执行阶段
• 执行结果写回到重命名寄存器 • 写回到侦听该重命名寄存器值的保留站 • 不写回结构寄存器
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独立重命名寄存器的重命名算法（2）
• 提交阶段
• 把重命名寄存器的值写回到相应的结构寄存器 • 释放相应的重命名寄存器
• 转移猜错或例外
• 取消后面的已经建立的重命名关系 • 把结构寄存器的状态都置为有效 • 把重命名寄存器的状态都置为空
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独立重命名寄存器的重命名算法（3）
• 重命名寄存器的状态
• EMPTY：表示该寄存器没有被重命名（重命名后 又已经被释放） • MAPPED：表示已经被重命名但结果没有写回 • WRITEBACK：表示结果已经写回重命名寄存器但 没有Commit到结构寄存器
保留站 及发射
保留站 及发射
寄存器
指令队列 及译码
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保留站后读寄存器
• 保留站的输出作为寄存器的输入
• 保留站确信所有值都已经准备好后 再读寄存器，有可能有Forward的 情况 • 乱序读寄存器 • 保留站中没有值域，比较简单 • 寄存器读端口数为相应功能部件数
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寄存器
保留站 及发射
• 结构寄存器的状态
• VALID：表示相应寄存器的值可用 • INVALID：表示相应寄存器的值不可用
• 映射关系
• 可以在结构寄存器中增加一个指向重命名寄存器的 重命名寄存器号域。 30
独立重命名寄存器的重命名算法（4）
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保留站 及发射
保留站 及发射
保留站 及发射
保留站 及发射
• • • • 独立保留站：每个功能部件一个保留站 分组保留站：多个功能部件共享保留站 全局保留站：所有功能部件共享保留站 比较：数据通路复杂度（结果总线传送）、保留站项 数、保留站效率、发射复杂度
Ce∶Cs_2LiYCl_6闪烁晶体的研究进展
Ce∶Cs_2LiYCl_6闪烁晶体的研究进展
李静;姚倩;王继扬
【期刊名称】《人工晶体学报》
【年(卷),期】2015(0)12
【摘要】Ce∶Cs_2LiYCl_6是一类新型闪烁晶体,属立方晶系Elpasolite(钾冰晶石)结构。
晶体光产额约为20000 photons/MeV,衰减时间660 ns,能量分辨率为3.6%。
Ce∶Cs_2LiYCl_6中的Li离子被6Li置换后,晶体同时具有探测γ射线和中子的能力。
含95%的6Li同位素Ce∶Cs_2LiYCl_6晶体光输出达73000 photons/neutron,热中子探测效率较高,在核安全以及国土安全检查方面有重要的应用潜力。
本文结合国内外Ce∶Cs_2LiYCl_6晶体最新研究进展,对
Ce∶Cs_2LiYCl_6晶体的结构、生长技术、闪烁机制以及性能作了简要论述。
【总页数】6页(P3395-3400)
【关键词】闪烁晶体;Ce∶Cs2LiYCl6;闪烁性能;中子探测
【作者】李静;姚倩;王继扬
【作者单位】山东大学晶体材料国家重点实验室
【正文语种】中文
【中图分类】O734
【相关文献】
1.闪烁晶体Ce：LYSO的研究进展和发展方向 [J], 周文平;牛微;刘旭东;唐坚;毕孝国;孙旭东;
Br_3:Ce~(3+)闪烁晶体研究进展 [J], 高鑫;何元金
3.卤化镧系LnX3(Ce)闪烁晶体的研究进展 [J], 谢建军;杨培志;廖晶莹
4.LuAlO_3∶Ce闪烁晶体的研究进展 [J], 丁栋舟;任国浩
5.LYSO∶Ce闪烁晶体的研究进展 [J], 顾鹏;王鹏刚;官伟明;郑丽;周燕
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沃伯-福奇 KFD2-SOT2-Ex2 区间2分区2区域2分区1分区2区域2分区1分区10k
17-08-09 14:30D a t e o f i s s u e 2017-08-09181005_e n g .x m l24 V DC14+15-78 (+/-)9III2+3-1+5+6-4+ConnectionAssembly•2-channel isolated barrier •24 V DC supply (Power Rail)•Dry contact or NAMUR inputs•Passive transistor output, non-polarized •Line fault detection (LFD)•Reversible mode of operation •Up to SIL 2 acc.to IEC 61508FunctionThis isolated barrier is used for intrinsic safety applications. It transfers digital signals (NAMUR sensors/mechanical contacts) from a hazardous area to a safe area.Each proximity sensor or switch controls a passive transistor output for the safe area load. The normal output state can be reversed using switch S1 for channel I and switch S2 forchannel II. Switch S3 enables or disables line fault detection of the field circuit.During an error condition, the transistors revert to their de-energized state and LEDs indicate the fault according to NAMUR NE44.A unique collective error messaging feature is available when used with the Power Rail system.2Features17-08-09 14:30D a t e o f i s s u e 2017-08-09181005_e n g .x mlGeneral specifications Signal typeDigital Input Functional safety related parameters Safety Integrity Level (SIL) SIL 2Supply Connection Power Rail or terminals 14+, 15-Rated voltage U r 20 ... 30 V DC Ripple ≤ 10 %Rated current I r≤ 50 mA InputConnection side field sideConnection terminals 1+, 2+, 3-; 4+, 5+, 6-Rated valuesacc. to EN 60947-5-6 (NAMUR), see system description for electrical data Open circuit voltage/short-circuit current approx. 8 V DC / approx. 8 mA Switching point/switching hysteresis 1.2 ... 2.1 mA / approx. 0.2 mALine fault detection breakage I ≤ 0.1 mA , short-circuit I > 6 mA OutputConnection side control sideConnection output I: terminals 7, 8 ; output II: terminals 8, 9Switching voltage ≤ 30 VSwitching current ≤ 100 mA , short-circuit protectedSignal level 1-signal: switching voltage - 2.5 V max. at 10 mA switching current or 3 V max. at 100 mA switching current 0-signal: switched off (off-state current ≤ 10 µA)Output I, IIsignal ; electronic output, passive Collective error message Power Rail Transfer characteristics Switching frequency ≤ 5 kHzGalvanic isolation Input/Output reinforced insulation acc. to IEC 62103, rated insulation voltage 300 V rmsInput/power supply reinforced insulation acc. to IEC 62103, rated insulation voltage 300 V rms Output/power supply basic insulation according to IEC 62103, rated insulation voltage 50 V effInput/inputnot availableOutput/Output not availableIndicators/settings Display elements LEDs Control elements DIP-switchConfiguration via DIP switchesLabelingspace for labeling at the front Directive conformity Electromagnetic compatibilityDirective 2014/30/EU EN 61326-1:2013 (industrial locations)Conformity Galvanic isolationIEC 62103:2003Electromagnetic compatibility NE 21:2004Degree of protection IEC 60529:2001InputEN 60947-5-6:2000Ambient conditionsAmbient temperature -20 ... 60 °C (-4 ... 140 °F)Mechanical specifications Degree of protection IP20Connection screw terminalsMass approx. 150 gDimensions 20 x 119 x 115 mm (0.8 x 4.7 x 4.5 inch) , housing type B2Mountingon 35 mm DIN mounting rail acc. to EN 60715:2001Data for application in connection with hazardous areasEU-Type Examination Certificate PTB 00 ATEX 2035Marking ¬ II (1) G [Ex ia] IIC¬ II (1) D [Ex ia] IIIC InputEx ia IIC, Ex ia IIIC Voltage U o 10.5 V Current I o 13 mA17-08-09 14:30D a t e o f i s s u e 2017-08-09181005_e n g .x mlOutputMaximum safe voltage U m40 V DC (Attention! The rated voltage can be lower.)EU-Type Examination CertificateDMT 01 ATEX E 133Marking ¬ I (M1) [Ex ia] I Certificate TÜV 99 ATEX 1499 X Marking ¬ II 3G Ex nA II T4Galvanic isolationInput/Output safe electrical isolation acc. to IEC/EN 60079-11, voltage peak value 375 V Input/power supply safe electrical isolation acc. to IEC/EN 60079-11, voltage peak value 375 V Directive conformityDirective 2014/34/EU EN 60079-0:2012+A11:2013 , EN 60079-11:2012 , EN 60079-15:2010 , EN 50303:2000International approvals FM approval Control drawing 116-0035CSA approval Control drawing 116-0047IECEx approval IECEx PTB 05.0011Approved for [Ex ia] IIC , [Ex ia] I , [Ex ia] IIICGeneral information Supplementary information Observe the certificates, declarations of conformity, instruction manuals, and manuals where applicable. For information see .17-08-09 14:30D a t e o f i s s u e 2017-08-09181005_e n g .x mlPower feed module KFD2-EB2The power feed module is used to supply the devices with 24 V DC via the Power Rail. The fuse-protected power feed module can supply up to 150individual devices depending on the power consumption of the devices. Collective error messages received from the Power Rail activate a galvanically-isolated mechanical contact.Power Rail UPR-03The Power Rail UPR-03 is a complete unit consisting of the electrical insert and an aluminium profile rail 35mm x 15mm. To make electrical contact, the devices are simply engaged.Profile Rail K-DUCT with Power RailThe profile rail K-DUCT is an aluminum profile rail with Power Rail insert and two integral cable ducts for system and field cables. Due to this assembly no additional cable guides are necessary.Power Rail and Profile Rail must not be fed via the device terminals of the individual devices!ConfigurationAccessories。
联想ThinkSystem DB610S 32 Gb Gen 6 FC SAN 交换机产品手册说明书
Lenovo ThinkSystem DB610S Gen 6 FC SAN Switch Product GuideThe Lenovo ThinkSystem DB610S FC SAN Switch provides exceptional price/performance value by delivering market-leading 32 Gb Gen 6 Fibre Channel technology and combining flexibility, simplicity, and enterprise-class functionality to meet the demands of growing flash-based storage environments. Designed to enable maximum flexibility and reliability, the ThinkSystem DB610S is a compact, 1U rack-mount FC switch that offers low-cost access to industry-leading Storage Area Network (SAN) technology while providing “pay-as-you-grow” scalability to meet the needs of an evolving storage environment.The DB610S FC SAN Switch offers 24x SFP+ ports that support 4/8/16/32 Gbps speeds. The DB610S FC SAN switch provides easy integration into the existing SAN environments while realizing the benefits of Gen 6 Fibre Channel connectivity, and the switch offers a rich set of standard features with the options to expand its capabilities as needed.The DB610S FC SAN Switch can be configured in Access Gateway Mode to simplify deployment. The switch provides full non-blocking performance with Ports On Demand scalability to support SAN expansion and enable long-term investment protection.The following figure shows the Lenovo ThinkSystem DB610S 32Gb FC SAN Switch.Figure 1. Lenovo ThinkSystem DB610S 32Gb FC SAN SwitchDid you know?Lenovo offers models of the DB610S with lifetime warranties which allows customers to get hardware support and access to FOS support until the end of life of the DB610S switch.The DB610S FC SAN Switch leverages storage connectivity technologies from Brocade, a leader in Fibre Channel networking.The DB610S FC SAN Switch offers dual functionality as either a full-fabric SAN switch or as an N_Port ID Virtualization (NPIV)-enabled Access Gateway that simplifies server connectivity.Fabric Vision technology, an extension of Gen 6 Fibre Channel, provides unprecedented insight and visibility across the SAN with powerful built-in monitoring, management, and diagnostic tools.Click here to check for updatesFigure 2. DB610S FC SAN Switch port-side viewThe following figure shows the non-port side view of the DB610S FC SAN Switch.Figure 3. DB610S FC SAN Switch non-port-side viewSystem specificationsThe following table lists the ThinkSystem DB610S system specifications.The following table lists the supported SFP+ options and cables.Brocade secure transceivers: These new transceivers have features to ensure that you are using genuine Brocade components to maximize performance and reliability and to help avoid issues related to counterfeit products.Table 6. SFP+ transceivers and cablesDescription Part number FeaturecodeMaximumsupported32 Gb FC SFP+ transceiversBrocade Secure 32Gb SWL SFP+ Transceiver4M27A65416BF6924 Brocade Secure 32Gb SWL SFP+ Transceiver (8-pack)4M27A65417BF6A3 Brocade Secure 32Gb LWL SFP+ Transceiver4M27A65418BF6B24 Brocade Secure 32Gb LWL SFP+ Transceiver (8-pack)4M27A65419BF6C3 Brocade Secure 32Gb ELWL SFP+ (25 km)4M27A65424BF6D24 Brocade 32Gb SWL SFP+ Transceiver (8-pack)01KN793AVGD3 Brocade 32Gb LWL SFP+ Transceiver (8-pack)01KN799AVGF3 16 Gb FC SFP+ transceiversBrocade Secure 16Gb SWL SFP+4M27A65411BF6424 Brocade Secure 16Gb SWL SFP+ 8-pack4M27A65412BF653 Brocade Secure 16Gb LWL SFP+ (10 km)4M27A65413BF6624 Brocade Secure 16Gb LWL SFP+ (10 km) 8pk4M27A65414BF673 Brocade Secure 16Gb ELWL SFP+ (25 km)4M27A65415BF6824* Brocade 16Gb SWL SFP+ Optical Transceiver88Y6393A22R24 OM3 optical cables for 16 Gb and 32 Gb FC SW SFP+ transceiversLenovo 0.5m LC-LC OM3 MMF Cable00MN499ASR524 Lenovo 1m LC-LC OM3 MMF Cable00MN502ASR624 Lenovo 3m LC-LC OM3 MMF Cable00MN505ASR724 Lenovo 5m LC-LC OM3 MMF Cable00MN508ASR824 Lenovo 10m LC-LC OM3 MMF Cable00MN511ASR924 Lenovo 15m LC-LC OM3 MMF Cable00MN514ASRA24 Lenovo 25m LC-LC OM3 MMF Cable00MN517ASRB24 Lenovo 30m LC-LC OM3 MMF Cable00MN520ASRC24 OM4 optical cables for 16 Gb and 32 Gb FC SW SFP+ transceiversLenovo 0.5m LC-LC OM4 MMF Cable4Z57A10845B2P924 Lenovo 1m LC-LC OM4 MMF Cable4Z57A10846B2PA24 Lenovo 3m LC-LC OM4 MMF Cable4Z57A10847B2PB24 Lenovo 5m LC-LC OM4 MMF Cable4Z57A10848B2PC24 Lenovo 10m LC-LC OM4 MMF Cable4Z57A10849B2PD24 Lenovo 15m LC-LC OM4 MMF Cable4Z57A10850B2PE24 Lenovo 25m LC-LC OM4 MMF Cable4Z57A10851B2PF24 Lenovo 30m LC-LC OM4 MMF Cable4Z57A10852B2PG24 UTP Category 6 cables (Green) for the 1 GbE RJ-45 management portFibre Channel standardsThe SAN Switch supports the standards listed at the following web page:https:///support/fibre-channel-networking/san-standards/standards-compliance Power supplies and cablesThe DB610S FC SAN Switch ships with one fixed 150 W AC power supply that has an IEC 309-C14 connector.The switch comes standard without a power cord; one rack power cable or line cord must be ordered together with the switch (see the following table).Table 10. Power cord optionsDescription PartnumberFeaturecodeRack power cables1.5m, 10A/100-250V, C13 to IEC 320-C14 Rack Power Cable39Y793762011.8m, 10A/100-250V, 2xC13PM to IEC 320-C14 Rack Power Cable None*65682.8m, 10A/100-250V, C13 to IEC 320-C14 Rack Power Cable4L67A083666311 2.8m, 10A/100-250V, C13 to IEC 320-C20 Rack Power Cable39Y79386204 4.3m, 10A/100-250V, C13 to IEC 320-C14 Rack Power Cable39Y79326263 Line cords10A/125V C13 to NEMA 5-15P 4.3m line cord39Y79316207 10A/250V C13 to NEMA 6-15P 2.8m line cord46M2592A1RF Argentina 10A/250V C13 to IRAM 2073 2.8m line cord39Y79306222 Australia/NZ 10A/250V C13 to AS/NZ 3112 2.8m line cord39Y79246211 Brazil 10A/125V C13 to NBR 6147 2.8m line cord39Y79296223 China 10A/250V C13 to GB 2099.1 2.8m line cord39Y79286210 Denmark 10A/250V C13 to DK2-5a 2.8m line cord39Y79186213 European 10A/230V C13 to CEE7-VII 2.8m line cord39Y79176212 India 10A/250V C13 to IS 6538 2.8m line cord39Y79276269 Israel 10A/250V C13 to SI 32 2.8m line cord39Y79206218 Italy 10A/250V C13 to CEI 23-16 2.8m line cord39Y79216217 Japan 12A/125V C13 to JIS C-8303 2.8m line cord46M2593A1RE Korea 12A/250V C13 to KETI 2.8m line cord39Y79256219 South Africa 10A/250V C13 to SABS 164 2.8m line cord39Y79226214 Switzerland 10A/250V C13 to SEV 1011-S24507 2.8m line cord39Y79196216 Taiwan 10A/250V C13 to CNS 10917-3 2.8m line cord00CG265A53E Taiwan 15A/125V C13 to CNS 10917-3 2.8m line cord00CG267A53F United Kingdom 10A/250V C13 to BS 1363/A 2.8m line cord39Y79236215 * Available for factory-built custom configurations and solutions only.Rack installationFigure 4. Lenovo DB610S Mid-mount (Telco) Rack KitPhysical specificationsThe DB610S FC SAN Switch has the following dimensions and weight (approximate): Height: 43 mm (1.7 in.)Width: 429 mm (16.9 in.)TrademarksLenovo and the Lenovo logo are trademarks or registered trademarks of Lenovo in the United States, other countries, or both. A current list of Lenovo trademarks is available on the Web athttps:///us/en/legal/copytrade/.The following terms are trademarks of Lenovo in the United States, other countries, or both:Lenovo®Lenovo ServicesThinkSystem®The following terms are trademarks of other companies:Excel® and Microsoft® are trademarks of Microsoft Corporation in the United States, other countries, or both.Other company, product, or service names may be trademarks or service marks of others.。
lec04 传输线工作状态分析
三 均匀无耗传输线工作状态 2)终端负载开路 终端负载开路 负载阻抗Zl=∞ ；终端电流：Il=0 此时，线上任意位置的电压和电流复振幅表示式为： U(z)=Ulcosβz U I(z)= j l sinβz Zc 输入阻抗为： Z in ( z ) = − jZ c ctgβ z 反射系数为： Γ(z)=e -j2βz 驻波系数为：s→∞
三 均匀无耗传输线工作状态
2. 纯驻波状态 纯驻波状态
纯驻波状态就是全反射状态, 也即终端反射系数|Γl|=1。 在此状态下, 由式（1.3-23），负载阻抗必须满足
Zl − Zc = Γl = 1 Zl + Zc
由于无耗传输线的特性阻抗Zc为实数, 因此要满足上式 负载阻 要满足上式, 要满足上式 抗必须为短路（ 抗必须为短路（Zl=0）、开路（Zl→∞）或纯电抗（Zl=±jXl） ） 开路（ ）或纯电抗（ 三种情况之一。在上述三种情况下, 传输线上入射波在终端将 三种情况之一 全部被反射, 沿线入射波和反射波叠加都形成纯驻波分布, 唯一 的差异在于驻波的分布位置不同。
λ X ( 1) lsl= arctan Zc 2π
三 均匀无耗传输线工作状态
同理可得, 当终端负载为Zl=-jX1的纯电容时, 可用长度小于 λ/4的开路线loc来代替（或用长度为大于λ/4小于λ/2的短路线来 代替）,由式Zin(z)=-jZcctgβz有：
λ X1 loc = arcctg ( ) 2π Zc
(
2
)
根据上述分析结果，开路线电压、电流复振幅、输入 阻抗分布图如下：
三 均匀无耗传输线工作状态
无耗终端开路线的驻波特性
三 均匀无耗传输线工作状态
分析： 分析 ： 终端开路时传输线上的电压和电流也呈 纯驻波分布, 因此也只能存储能量而不能传输能量。 在 z=nλ/2 (n=0,1,2, …) 处 为 电 压 波 腹 点 , 而 在 z=(2n+1)λ/4(n=0, 1, 2, …)处为电压波节点。 实际上终 端开口的传输线并不是开路传输线, 因为在开口处会 , 有辐射, 所以理想的终端开路线是在终端开口处接上 λ/4短路线来实现的。前页的图给出了终端开路时的 驻波分布特性。O′位置为终端开路处, OO′为λ/4短路 线。
磷化铟晶体半导体材料的研究综述
文献综述课题名称磷化铟晶体半导体材料的研究学生学院机电工程学院专业班级2013级机电（3）班学号135学生姓名王琮指导教师路家斌2017年01月06日中文摘要磷化铟(InP)已成为光电器件和微电子器件不可或缺的重要半导体材料。
本文详细研究了快速大容量合成高纯及各种熔体配比条件的InP材料；大直径 lnP 单晶生长；与熔体配比相关的缺陷性质；lnP中的VIn心相关的缺陷性质和有关InP材料的应用，本文回顾了磷化铟( InP)晶体材料的发展过程,介绍了磷化铟材料的多种用途和优越特性，深入分析InP合成的物理化学过程，国际上首次采用双管合成技术，通过对热场和其他工艺参数的优化，实现在60—90分钟内合成4．6Kg 高纯InP多晶。
通过对配比量的调节，实现了熔体的富铟、近化学配比，富磷等状态，为进一步开展不同熔体配比对InP性质的影响奠定了基础.关键词：磷化铟磷注入合成晶体材料器件ABSTRACTIndium Phosphide (InP) has been indispensable to both optical and electronic devices．This paper used a direct P—injection synthesis and LEC crystal growth method to prepare high purity and various melt stoichiometry conditions polycrystalline InP and to grow high quality,large diameter InP single crystal in our homemade pullers．In this work，we have obtained the abstract this paper looks back the developing process on the bulk InP crystals, introduces vario us uses a nd superior character of the InP ma terials and a large quantity of high purity InP crystal materialhas been produced by the phosphorus in-situ injection synthesis and liquid encapsulated Czochralski(LEC) growth process．In the injection method，phosphorus reacts with indium very quickly so that the rapid polycrystalline synthesis is possible．The quartz injector with two Or multi-transfer tubes was used to improve the synthesis result．It will avoid quartz injector blast when the melt was indraft into the transfer tube．The injection speed，melt temperature，phosphorus excess，and SO on are also important for a successful synthesis process．About 4000—60009 stoichiometric high purity poly InP is synthesized reproducibly by improved P-injection method in the high—pressure puller．Keywords：InP , P-injection synthesis, Crystal , Material, Device引言磷化铟( InP) 是重要的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料之一,是继Si、Ga As之后的新一代电子功能材料。
计算机三级网络技术
计算机三级网络技术计算机网络技术是硬件、软件和协议的综合应用。
在信息时代，计算机网络技术的普及和应用已经贯穿于我们的生活中，它已经成为现代社会的主要基础设施之一。
随着中国的快速发展，计算机网络技术的应用不断地深化和拓展，计算机网络技术在我国的社会和经济发展中起着至关重要的作用，技术一直在不断地进行更新和完善。
本篇文章将重点讲解计算机三级网络技术，囊括了计算机网络技术概述、LAN技术、WAN技术、网络安全、互联网和移动互联网等方面的知识，适合化妆品工作者和其他对计算机网络技术感兴趣的读者阅读。
一.计算机网络技术概述什么是计算机网络技术？计算机网络技术，即是用计算机设备和终端设备，通过通信线路、交换设备和通信协议等技术手段，将不同地点的计算机资源进行连接，实现数据传输和信息交流的技术系统。
计算机网络技术是一种信息化模式和一种新型的通讯模式，它极大地扩展了信息传播和交换的范围，将大大改变人们的生活和工作方式。
计算机网络技术的分类计算机网络技术按照网络传输范围的不同，可以分为两类：局域网（LAN）和广域网（WAN）。
局域网（LAN）是指由一个机构或者公司建立的行为范围较小的网络，一般是位于同一建筑下或者相邻建筑内的计算机互相连接而成的网络。
LEC通常拥有高速的通信速率和较高的安全性，而且管理较为简单。
其传输距离一般为几百米到一公里左右，常见的LAN有以太网、令牌环网和广播式网络等。
广域网（WAN）是指由基础网络设施建立的、覆盖范围广泛的网络。
在WAN中，多种不同的局域网通过路由器、交换机等设备进行连接，从而实现了各种不同城市、国家和地区之间的网络连接。
WAN的传输范围非常广泛，传输速度也非常快，但是由于传输的路径较为复杂，安全性管理更加困难。
不同的计算机网络技术按照其特点不同又可以进行不同的分类。
例如，按照网络传输的数据类型可以分为数据网和媒体网，按照互联网的拓扑结构可以分为星型结构和树形结构，按照物理连接方式可以分为同轴电缆、双绞线、光纤等，又可以按照区域类型进行分析，如校园网、城域网和电信网等。
用于使用正交频分复用调制通信超宽带宽信号的方法和发射机[发明专利]
专利名称：用于使用正交频分复用调制通信超宽带宽信号的方法和发射机
专利类型：发明专利
发明人：安德瑞斯·F.·莫利茨,耶维斯-保罗·纳卡柯,飞利浦·奥利克,伊雅潘·拉玛勘德兰
申请号：CN200480001658.9
申请日：20041215
公开号：CN1720687A
公开日：
20060111
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明公开了一种使用正交频分复用调制通信超宽带宽信号的方法和系统。
QPSK输入符号被频率交织。
在多个音调上扩展频率交织后的符号，并且调制音调，用以在超宽带宽信道上传送。
当接收音调时，接收到的音调可以被去扩展，以恢复输入的符号。
申请人：三菱电机株式会社
地址：日本东京
国籍：JP
代理机构：中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人：董莘
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基于能量和密度的WSNs动态分区成簇路由算法
基于能量和密度的WSNs动态分区成簇路由算法史雨雨;郁进明;李雪【摘要】针对传统的层次型网络存在的分簇不合理和能耗不均衡等问题,提出了一种基于能量和密度的动态非均匀分区成簇路由算法.该算法先根据节点与基站之间的距离将网络合理地进行动态的区域划分,在区域内成簇,使靠近基站的簇规模小于距离基站较远的簇,减少靠近基站的簇首负担和能量消耗;通过综合考虑节点剩余能量和节点密度等因素来优化簇的非均匀划分和簇首的选择,簇首间采取基于数据聚合的多跳传输机制.仿真结果表明,与经典路由算法LEACH相比,该算法能有效均衡节点能耗,延长网络生命周期.【期刊名称】《电子科技》【年(卷),期】2016(029)006【总页数】4页(P47-50)【关键词】无线传感器网络;动态区域划分;能量;密度;LEACH【作者】史雨雨;郁进明;李雪【作者单位】东华大学信息科学与技术学院,上海201620;东华大学信息科学与技术学院,上海201620;东华大学信息科学与技术学院,上海201620【正文语种】中文【中图分类】TN926;TP393大量微小的传感器节点通过无线通信方式形成一个自组织的网络系统，协作地感知、采集并处理监测区域内的信息，便形成了一个无线传感器网络[1-2]。
传感器网络也面临多种独特的挑战和约束：传感器节点能量有限、缺乏设施支持或维护、需要更小的且廉价有效的器件、敏感数据的传输，因此，为提高网络性能和延长网络寿命，提出了分簇路由协议。
LEACH(Low Energy Adaptive Clustering Hierarchy)算法是无线传感器网络中提出的第一个层次型路由协议[3-4]。
LEACH协议的执行过程是周期性的，每轮分为簇建立阶段和数据通信阶段，该协议循环随机选择簇首，路由算法采用一跳通信，不适合大规模网络且存在簇划分、簇首分布不合理等缺点[5]。
本文提出了一种基于能量和密度的动态非均匀分区成簇路由算法。
首先根据节点到基站的距离进行动态的非均匀区域划分，使得靠近基站的区域具有较小的规模，减少需要承担数据转发任务的区内通信开销，为簇间的数据转发节省更多的能量；综合考虑节点自身的剩余能量、邻居节点数等因素构成节点的竞争值，选取竞争值大的节点作为簇首；在数据传输阶段，簇首间的数据传输采取数据聚合优先的多跳传输，减少过远传输带来的巨大能量消耗；该算法的动态区域划分能均衡网络的能耗，有效的解决能量空洞问题，簇首的选举采用由节点剩余能量、邻居节点数目、距离等因素构成的竞争值比较方法，分簇比较合理，在数据传输阶段采用的簇首间基于数据聚合的多跳传输机制则节省了网络的能耗和带宽，实验结果表明，该算法可有效均衡整个网络的能耗、延长网络的生命周期。
离心式微流体设备、制造微流体设备的方法以及使用微流体设备测试
专利名称：离心式微流体设备、制造微流体设备的方法以及使用微流体设备测试样品的方法
专利类型：发明专利
发明人：李凡石,金智苑,李廷健,金贵炫
申请号：CN200980134483.1
申请日：20090924
公开号：CN102138075A
公开日：
20110727
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明公开了一种微流体设备，所述微流体设备包括：微流体结构，用于提供容纳流体和形成通道的空间，流体流过所述通道；阀，用于控制流体流过微流体设备中的通道。
所述微流体结构包括：样品室；样品分离单元，容纳来自样品室的样品，并通过使用离心力从样品中分离出上清液；测试单元，接收来自样品分离单元的上清液，用于使用抗原-抗体反应检测来自上清液的样本；质量控制室，用于识别测试的可靠性。
申请人：三星电子株式会社
地址：韩国京畿道
国籍：KR
代理机构：北京铭硕知识产权代理有限公司
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超级计算机
¾ 超级计算机...............................................................................................................................1 超级计算环境 2007 年 3 季度运行情况简报 .........................................................................1
深腾6800
● 共197名用户，3季度增加用户6名。 ● 有134名用户利用LSF提交作业，共完成.51000多个作业，用户作业平均规模为5.9个CPU，累计 使用机时112万CPU小时（按Walltime计算）。 ● 2007年3季度，深腾6800的磁盘阵列系统与QsNet网络系统先后发生故障，导致深腾6800的平均 整体使用率有所下降，为83.5%（按Walltime计算），平均CPU利用率69.1%（按CPUtime计算）。CPUtim e与Walltime之比平均为82.7%。 ● 2007年3季度，作业平均等待时间为23.3小时。 ● 已完成作业按规模分布情况：串行作业数量占62.6%，4处理器节点内并行作业数量占21.1%。 而根据作业使用的CPU小时计算，占用机时最多的并行作业规模分别为16处理器、33-63处理器、32处理 器、64处理器，其比例分别为21.8%，18.1%，17.9%和12.4%，串行作业仅使用总机时的2.1%，表明深腾6 800的计算机时还是主要用于较大规模的并行作业计算。
1. Introduction ...................................................................................................................2