集成电路制造工艺流程介绍
集成电路制造的五个步骤
集成电路制造的五个步骤集成电路(IC)制造是一项复杂而精密的过程，通常包括以下五个主要步骤：设计、掩膜制造、晶圆制造、芯片加工，以及封装测试。
每个步骤都至关重要，任何一个环节的问题都可能导致整个生产过程的失败。
第一步：设计集成电路的设计是制造过程中最关键的一步。
设计人员使用计算机辅助设计软件（CAD）来创建电路图和布局，以确定电路中各个元件的位置和连接方式。
这一步骤要求设计人员具备深厚的电子学知识和丰富的工程经验。
第二步：掩膜制造在掩膜制造过程中，设计人员根据之前的设计图纸，使用光刻技术将电路图案镀在透明的掩膜玻璃上。
这一过程类似于摄影，在类似相纸的底片上通过光线和化学药液将图像显影出来。
掩膜制造的质量直接影响到后续步骤的成功。
第三步：晶圆制造在晶圆制造过程中，硅片（晶圆）通过化学腐蚀等工艺被加工成平整的表面以及所需的晶格结构。
晶圆通常由高纯度的硅材料制成，然后进行薄化和抛光，以实现更高的电子器件集成度和可靠性。
第四步：芯片加工在芯片加工过程中，晶圆被分割成多个单个的芯片。
这一过程通常包括光刻、薄膜沉积、离子注入、化学蚀刻等工艺步骤。
通过这些工艺步骤，电路图案被转移到晶圆上，并形成电子元件的结构。
各个元件通过金属连接线进行连接，形成功能完整的集成电路芯片。
第五步：封装测试在封装测试中，芯片被封装在塑料或陶瓷封装中，并通过焊接连接到外部引脚。
封装后的芯片被送往测试环节，通过电性能测试等一系列检测来验证产品质量。
这一步骤的目的是确保芯片的性能和可靠性符合设计要求。
需要注意的是，以上仅为集成电路制造的基本步骤，实际生产过程可能因产品类型和制造流程的不同而有所差异。
此外，制造过程中质量控制和设备维护也是至关重要的补充步骤，以确保产品的一致性和可持续性。
集成电路制造工艺流程
集成电路制造工艺流程
《集成电路制造工艺流程》
集成电路制造是一项复杂而精密的工艺，涉及到多个环节和工序。
下面将简要介绍集成电路制造的工艺流程。
第一步是晶圆制备。
晶圆是集成电路的基础材料，通常由硅单晶材料制成。
制备晶圆需要经过多道工序，包括原料准备、晶体生长、切割和研磨等。
第二步是光刻。
光刻是将图形投射到已涂覆光刻胶的晶圆表面，然后用化学蚀刻的工艺技术将光刻胶图形转移到晶圆表面的技术。
这个步骤是制造电路芯片的关键环节，能决定芯片的最小线宽和密度。
第三步是蚀刻。
蚀刻是将已经暴光的光刻胶图形转移到晶圆表面以形成集成电路的图案，利用酸或者碱溶液来去除光刻胶所没有覆盖的物质。
这个步骤可以根据需要多次重复，以形成多层电路结构。
第四步是离子注入。
离子注入是用高能离子轰击晶圆表面，改变晶格结构和材料的电学性质，从而形成电子器件的掺杂区域。
第五步是金属化。
金属化是在晶圆表面喷镀或者蒸发一层金属薄膜，并通过光刻和蚀刻形成电极和连接线。
第六步是封装测试。
将单个芯片切割成独立的芯片，然后进行
封装和测试。
封装是把芯片封装在塑料或者陶瓷封装体内，并连接外部引脚。
测试是验证芯片性能和功能是否符合规格要求。
以上就是集成电路制造的主要工艺流程，这些工艺流程中每一个步骤都非常关键，需要高度的精密度和稳定性。
只有严格控制每一个环节，才能生产出高质量的集成电路产品。
集成电路制作流程
集成电路制作流程集成电路制作流程是将微型电子器件与电路元器件集成在一起，形成单个芯片，从而实现电路功能的技术过程。
集成电路的制作涉及多个步骤和工艺流程，下面将详细介绍。
1. 芯片设计需要进行芯片设计。
芯片设计是将电路功能转化为电路图形，确定每个电路元器件的尺寸、位置和形状，以及确定电路板的层次结构和电路元器件的连接方式。
芯片设计需要使用电子设计自动化工具（EDA）进行实现。
2. 掩膜制作接下来，需要进行掩膜制作。
掩膜是将芯片电路图形转化为掩膜图形的过程。
掩膜制作需要使用电子束曝光系统，将芯片电路图形转化为掩膜图形，并通过化学加工和蚀刻等工艺，制作出用于制造芯片的掩膜。
3. 晶圆制备晶圆制备是将硅片或其他半导体材料制备成晶圆的过程。
晶圆制备需要通过多个步骤，如清洗、抛光、薄片切割、晶体生长、掺杂和扩散等工艺，制备出符合芯片设计要求的晶圆。
4. 光刻制程光刻制程是将掩膜图形转移到晶圆表面的过程。
光刻制程需要使用光刻机，将掩膜图形转移到光刻胶上，再通过化学加工等工艺，将光刻胶转移到晶圆表面。
5. 蚀刻制程蚀刻制程是将晶圆表面的材料蚀刻掉，形成电路元器件和电路结构的过程。
蚀刻制程需要使用化学蚀刻工艺，将晶圆表面的材料蚀刻掉，形成电路元器件和电路结构。
6. 清洗制程清洗制程是将蚀刻后的晶圆表面进行清洗，去除残留的光刻胶和化学材料的过程。
清洗制程需要使用超音波清洗机，将晶圆表面进行清洗，去除残留的光刻胶和化学材料。
7. 氧化制程氧化制程是将晶圆表面进行氧化处理，形成氧化层的过程。
氧化制程需要使用化学气相沉积和热氧化工艺，将晶圆表面进行氧化处理，形成氧化层。
8. 金属化制程金属化制程是将晶圆表面进行金属化处理，形成电路的金属元器件和电路结构的过程。
金属化制程需要使用化学气相沉积和物理气相沉积工艺，将金属材料沉积在晶圆表面，形成电路的金属元器件和电路结构。
9. 测试和封装需要进行测试和封装。
测试是将制造好的芯片进行测试，确保其符合设计要求。
集成电路制造工艺流程
集成电路制造工艺流程集成电路是指将几个或者几十个电子器件（例如晶体管、电阻器、电容器等）以薄膜结构整合在一块小小的硅晶片上，并连接成电子功能电路。
其制造工艺流程是一个复杂而精密的过程，下面将对其进行详细介绍。
首先，整个工艺流程可以分为前端工艺和后端工艺两个主要阶段。
前端工艺是指IC芯片中最基本的晶体管、电阻器等器件的制作，而后端工艺则是将这些器件通过金属线材和电介质材料连接起来，形成电子功能电路。
在前端工艺阶段，首先需要准备好硅晶片。
硅晶片通过切割和抛光等工艺进行精细处理，形成平整的硅表面。
然后，通过光刻工艺将掩模上的图形投射到硅表面，形成各种不同的器件结构。
接下来，通过注入掺杂剂和热退火工艺来调节硅晶片的电特性，从而形成晶体管等元器件。
在后端工艺阶段，首先需要在硅晶片上进行电路层间绝缘处理，即通过沉积电介质材料形成绝缘层，以防止电气短路。
接下来，通过刻蚀和蚀刻等工艺将电介质材料开口，并注入金属线材，形成连接器件的导线结构。
随后，通过电镀工艺给金属线材镀上一层保护层，以保护导线不受外界环境的影响。
除了这些基本的工艺步骤外，集成电路制造还需要进行许多附加工艺，如薄膜制备、掩膜、清洗等。
其中，薄膜制备是指通过物理蒸发、溅射等工艺在硅表面形成一层非常薄的材料，用于改变器件的表面特性。
掩膜则是通过光刻工艺在硅表面形成一层光刻胶，以便进行后续的刻蚀工艺。
清洗则是在集成电路制造过程中，通过溶液等方法将硅表面的杂质去除，以保证器件的电特性。
在整个制造工艺的过程中，需要严格控制各个工艺步骤的条件和参数，以确保最终制得的集成电路具有良好的性能和稳定性。
诸如工艺参数、工艺流程等的微小变化都可能影响到整个工艺的成功与否。
综上所述，集成电路的制造工艺流程是一个复杂而精密的过程，涉及到多个工艺步骤和参数的控制。
通过前端工艺和后端工艺的协同作用，可以将晶体管、电阻器等元器件整合在一片硅晶片上，并形成电子功能电路。
这些制备出的集成电路，被广泛应用于计算机、通信、嵌入式等各个领域，推动了现代科技的发展。
集成电路的制造工艺流程
集成电路的制造工艺流程集成电路制造工艺流程是指将电子器件的元件和电路按照一定的规则和方法集成在半导体晶片上的过程。
制造工艺流程涉及到多个环节，如晶圆加工、电路图形绘制、光刻、腐蚀、沉积、复合、切割等。
下面将详细介绍集成电路的制造工艺流程。
首先，制造集成电路的第一步是选择合适的基片材料。
常用的基片材料有硅、蓝宝石和石英等。
其中，硅基片是最常用的基片材料，因为硅具有良好的热导性能和机械性能，同时也便于进行光刻和腐蚀等工艺步骤。
接下来，对基片进行晶圆加工。
晶圆加工是指将基片切割成薄片，并对其进行去杂质处理。
这一步骤非常关键，因为只有获得高质量的基片才能保证电路的性能和可靠性。
然后，根据电路设计图纸，使用光刻技术将电路图形绘制在基片上。
光刻技术是一种重要的制造工艺，主要利用分光光源、透镜和光刻胶等材料来实现。
通过光刻，可以将电路的结构图案转移到基片表面，形成精确的电路结构。
接着，进行腐蚀处理。
腐蚀是将未被光刻阻挡住的区域去除，使得电路结果清晰可见。
常用的腐蚀液有氟化氢、硝酸等。
腐蚀过程中需要严格控制时间和温度，以防止过腐蚀或不足腐蚀。
接下来，进行沉积工艺。
沉积是指利用化学反应或物理过程将金属、氧化物等材料沉积在基片表面。
沉积技术包括物理气相沉积（PVD）和化学气相沉积（CVD）等。
沉积工艺可以形成导体、绝缘体和介质等层，以实现电路的功能。
在进行复合工艺之前，还需要对电路进行电性能测试。
通过测试，可以检测电路是否存在故障和缺陷，并对其进行修复或更换。
最后一步是切割。
切割是将晶片切割成小片，以供后续封装和测试使用。
常用的切割工艺有晶圆锯切和激光切割等。
综上所述，集成电路的制造工艺流程包括基片材料选择、晶圆加工、电路图形绘制、光刻、腐蚀、沉积、复合和切割等环节。
每个环节都非常关键，需要严格控制各项参数和步骤，以保证最终产品的质量和性能。
集成电路制造工艺流程
集成电路制造工艺流程集成电路制造工艺流程是指将芯片设计图纸转化为实际芯片的过程，它是整个集成电路生产的核心环节。
在这个过程中，需要经历多道工艺步骤，包括晶圆制备、光刻、薄膜沉积、离子注入、蚀刻、金属化等多个工艺步骤。
本文将从晶圆制备开始，逐步介绍集成电路制造工艺流程的各个环节。
首先是晶圆制备。
晶圆制备是集成电路制造的第一步，也是最基础的一步。
它的主要目的是在硅片上生长出高纯度的单晶硅层，以便后续的工艺步骤。
晶圆制备包括晶片生长、切割、抛光等工艺步骤。
其中，晶片生长是最为关键的一步，它决定了晶圆的质量和性能。
接下来是光刻工艺。
光刻工艺是将芯片设计图案转移到硅片表面的关键步骤。
在这一步骤中，首先需要将光刻胶涂覆在硅片表面，然后使用光刻机将设计图案投射到光刻胶上，最后进行显影和固化，形成光刻图案。
光刻工艺的精度和稳定性对芯片的性能有着直接的影响。
紧接着是薄膜沉积和离子注入。
薄膜沉积是指在硅片表面沉积一层薄膜，以实现对芯片特定区域的控制。
而离子注入则是将特定的离子注入到硅片中，改变硅片的导电性能。
这两个工艺步骤在集成电路制造中起着至关重要的作用，它们直接影响着芯片的性能和功能。
然后是蚀刻工艺。
蚀刻工艺是将不需要的材料从硅片上去除的过程，通过化学或物理方法将多余的材料蚀刻掉，从而形成芯片上的线路和结构。
蚀刻工艺的精度和稳定性对芯片的性能有着重要的影响，同时也是整个制造工艺中比较复杂的一步。
最后是金属化。
金属化是将金属沉积在硅片表面，形成芯片上的导线和连接器，以实现芯片内部和外部的连接。
金属化工艺的质量和稳定性对芯片的可靠性和稳定性有着直接的影响，它是集成电路制造中不可或缺的一步。
综上所述，集成电路制造工艺流程是一个复杂而精密的过程，它需要经历多道工艺步骤，每一步都对芯片的性能和功能有着直接的影响。
只有严格控制每一个工艺步骤，才能生产出高质量、高性能的集成电路产品。
希望本文能够对集成电路制造工艺流程有所了解，并对相关领域的从业人员有所帮助。
集成电路制造流程过程中的主要工艺
集成电路制造流程过程中的主要工艺随着集成电路技术不断发展，制造过程也得到了不断改进。
集成电路的制造过程包括许多工艺流程，其中主要的工艺包括晶圆加工、光刻、扩散、离子注入、薄膜沉积、蚀刻和封装等。
下面将介绍这些主要工艺的流程和作用。
1. 晶圆加工晶圆加工是制造集成电路的第一步。
在此过程中，对硅晶片进行切割、抛光和清洗处理。
这些步骤确保晶圆表面平整、无污染和精确尺寸。
2. 光刻光刻是制造集成电路的核心技术之一。
它使用光刻机在晶圆表面上投射光芯片的图案。
胶片上的图案经过显影、清洗和烘干处理后，就能形成光刻图形。
光刻工艺的精度决定了集成电路的性能和功能。
3. 扩散扩散是将掺杂物渗透到晶片中的过程。
在这个过程中，将掺杂物“扩散”到硅晶片表面形成p型或n型区域。
这些区域将形成电子元件的基础。
4. 离子注入离子注入是另一种使掺杂物进入硅晶片的方法。
此过程中，掺杂物离子通过加速器注入晶片中。
此方法的优点是能够精确地控制掺杂量和深度。
5. 薄膜沉积在制造集成电路时，需要在晶片表面上沉积各种薄膜。
例如，氧化层、金属层和多晶硅层等。
这些层的作用是保护、连接和隔离电子元件。
6. 蚀刻蚀刻是将薄膜层和掺杂物精确刻划成所需要的形状和尺寸。
这个过程使用化学液体或气体来刻划出薄膜层的形状，以及掺杂物的深度和形状。
7. 封装在制造集成电路的过程中，需要将晶片封装在塑料或陶瓷壳体内。
这个过程是为了保护晶片不受到机械冲击和环境的影响。
同时，封装过程还能为集成电路提供引脚和电气连接。
综上所述，以上是集成电路制造过程中的主要工艺。
这些工艺流程的精度和效率决定了集成电路的性能和功能。
随着技术的不断进步和创新，集成电路的制造过程也会不断改进和优化。
集成电路制造工艺流程
集成电路制造工艺流程概述集成电路（Integrated Circuit, IC）是由几千个甚至是数十亿个离散电子元件，如晶体管、电容、电阻等构成的电路，在特定的芯片上进行集成制造。
IC制造工艺流程主要包括晶圆制备、晶圆加工、芯片制造、封装测试等几个环节，是一个非常严谨、复杂的过程。
晶圆制备晶圆制备是IC制造的第一步。
晶圆是用硅单晶或其他半导体材料制成的薄片，作为IC芯片的基础材料。
以下是晶圆制备的流程：1.单晶生长：使用气态物质的沉积和结晶方法，使单晶硅的原料在加热、冷却的过程中逐渐成为一整块的单晶硅材料。
2.切片：将生长好的单晶硅棒利用切割机械进行切片，制成形状规整的圆片，称为晶圆。
3.抛光：将晶圆表面进行机械研磨和高温氧化处理，使表面达到极高的光滑度。
4.清洗：用去离子水等高纯度溶剂进行清洗，清除晶圆表面的污染物，确保晶圆的纯度和光洁度。
晶圆加工晶圆加工是IC制造的关键环节之一，也是最为复杂的过程。
在晶圆加工过程中，需要通过一系列的步骤将原始的晶圆加工为完成的IC芯片。
以下为晶圆加工的流程：1.光刻：通过光刻机将芯片图案转移到光刻胶上，然后使用酸洗、去除光刻胶，暴露出芯片的表面。
2.蚀刻：利用化学蚀刻技术，在IC芯片表面形成电路图案。
3.离子注入：向芯片进行掺杂，改变材料的电学性质。
4.热处理：对芯片进行高温、低温处理，使其达到设计要求的电学性能。
5.金属沉积：在芯片表面沉积一层金属，用于连接芯片各个元件。
芯片制造芯片制造是最为核心的IC制造环节，主要将晶圆加工后的芯片进行裁剪、测试、绑定等操作，使其具备实际的电学性能。
以下是IC芯片制造的流程：1.芯片测试：对芯片的性能进行测试，找出不合格的芯片并予以淘汰。
2.芯片切割：将晶圆上的芯片根据需求进行切割。
3.接线：在芯片表面安装金线，用于连接各个器件。
4.包装：将芯片放入封装盒中，并与引线焊接，形成成品IC芯片。
封装测试封装测试是IC制造的最后一步。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
2020/2/17
2
韩良
集成电路设计原理
国际微电子中心
引言
2. 代客户加工（代工）方式
➢ 芯片设计单位和工艺制造单位的分离，即芯 片设计单位可以不拥有生产线而存在和发展， 而芯片制造单位致力于工艺实现，即代客户 加工（简称代工）方式。
➢ 代工方式已成为集成电路技术发展的一个重 要特征。
2020/2/17
（Local Oxidation of Silicon) 3.什么是硅栅自对准(Self Aligned )？
4. N阱的作用是什么？ 5. NMOS和PMOS的源漏如何形成的？
2020/2/17
32
韩良
集成电路设计原理
国际微电子中心
2020/2/17
33
韩良
集成电路设计原理
国际微电子中心
2020/2/17 韩良
集成电路设计原理
国际微电子中心
1.1.1 工艺流程
衬底准备（P型）氧化 光刻n+埋层区 n+埋层区注入 清洁表面
P-Sub 2020/2/17
19
韩良
集成电路设计原理
国际微电子中心
1.1.1 工艺流程（续1）
生长n-外延 隔离氧化 光刻p+隔离区 p+隔离注入 p+隔离推进
N+ N-
国际微电子中心
P P+ N+ N- P+
P-Sub 2020/2/17
韩良
P N+ N- P+
24
集成电路设计原理
1.1.1 工艺流程（续6）
钝化 光刻钝化窗口后工序
国际微电子中心
P P+ N+ N- P+
P-Sub 2020/2/17
韩良
P N+ N- P+
25
集成电路设计原理
1.1.2 光刻掩膜版汇总
集成电路制造工艺流程介绍
2020/2/172004年6月
1
集成电路设计原理
国际微电子中心
引言
1.无生产线集成电路设计技术
➢ 随着集成电路发展的过程，其发展的总趋势 是革新工艺、提高集成度和速度。
➢ 设计工作由有生产线集成电路设计到无生产 线集成电路设计的发展过程。
➢ 无生产线（Fabless）集成电路设计公司。如 美国有200多家、台湾有100多家这样的设 计公司。
P(G“ 2-S.N岛uPDb+”) 隔。P离接电路最低P(G-电SNu位Db)，使“岛”P 与P(G-SNuDb)
“岛” 之间N形+ 成两个背靠背的反N偏+ 二极管。
钝化层
光P+刻胶
SiO2
EN+SiOBP2
C
N+
N–-epi
SiO2
P+
EB C
N+ P
N+
P+
N–-epi
P-Sub
N+埋层
2020/2/17
3
韩良
集成电路设计原理
国际微电子中心
引言
3. PDK文件
➢ 首先，代工单位将经过前期开发确定的一套工艺 设计文件PDK（Pocess Design Kits)通过因特网
传送给设计单位。
PDK文件包括：工艺电路模拟用的器件的SPICE
（Simulation Program with IC Emphasis）参数，
N阱
P-Sub
2020/2/17
38
韩良
集成电路设计原理
国际微电子中心
1.2.2 N阱硅栅CMOS工艺主要流程
4.长薄氧、长氮化硅、光刻场区(active反版)
N阱
P-Sub
2020/2/17
39
韩良
集成电路设计原理
国际微电子中心
1.2.2 N阱硅栅CMOS工艺主要流程
5.场区氧化（LOCOS）, 清洁表面
➢ 在一张张掩模的参与下，工艺工程师完成芯片的 流水式加工，将版图数据定义的图形最终有序的 固化到芯片上。这一过程通常简称为“流片”。
2020/2/17
6
韩良
集成电路设计原理
国际微电子中心
引言
6. 代工工艺
代工（Foundry）厂家很多，如：
无锡上华（0.6/0.5 mCOS和4 mBiCMOS工艺)
2020/2/17
15
韩良
集成电路设计原理
国际微电子中心
思考题
1.需要几块光刻掩膜版(mask)? 2.每块掩膜版的作用是什么？ 3.器件之间是如何隔离的？ 4.器件的电极是如何引出的？ 5.埋层的作用？
2020/2/17
16
韩良
集成电路设计原理
国际微电子中心
双极集成电路的基本制造工艺，可以粗略
这种芯片工程通常由大学或研究所作为龙头单 位负责人员培训、技术指导、版图汇总、组织 芯片的工艺实现，性能测试和封装。大学教师、 研究生、研究机构、中小企业作为工程受益群 体，自愿参加，并付一定费用。
2020/2/17
10
韩良
集成电路设计原理
国际微电子中心
Relation of F&F(无生产线与代工的关系)
版图设计用的层次定义，设计规则，晶体管、电
阻、电容等元件和通孔（VIA）、焊盘等基本结 构的版图，与设计工具关联的设计规则检查 （DRC）、参数提取（EXT）和版图电路对照
（LVS）用的文件。
2020/2/17
4
韩良
集成电路设计原理
国际微电子中心
引言
4. 电路设计和电路仿真
➢ 设计单位根据研究项目提出的技术指标，在自己 掌握的电路与系统知识的基础上，利用PDK提供 的工艺数据和CAD/EDA工具，进行电路设计、 电路仿真（或称模拟）和优化、版图设计、设计 规则检查DRC、参数提取和版图电路图对照LVS， 最终生成通常称之为GDS-Ⅱ格式的版图文件。 再通过因特网传送到代工单位。
光P+刻胶
SiO2
EB C
N+ P
N+
N–-epi
钝化层
SiO2
P+
P-Sub
2020/2/17 韩良
N+埋层
EB C
N+ P
N+
N–-epi
P+
28
集成电路设计原理
国际微电子中心
1.1.5 隔离的实现
1.P+隔离扩N散--要ep扩i 穿外延层，N与--epp型i 衬底连
通。因此，将n型外延层分割成若干个
P P+ N+ N- P+
P-Sub 2020/2/17
韩良
P N+ N- P+
22
集成电路设计原理
1.1.1 工艺流程（续4） 光刻引线孔 清洁表面
国际微电子中心
P P+ N+ N- P+
P-Sub 2020/2/17
韩良
P N+ N- P+
23
集成电路设计原理
1.1.1 工艺流程（续5） 蒸镀金属 反刻金属
的分为两类：一类为在元器件间要做隔离区。 隔离的方法有多种，如PN结隔离，全介质隔离 及PN结-介质混合隔离等。另一类为器件间的 自然隔离。
典型PN结隔离工艺是实现集成电路制 造的最原始工艺，迄今为止产生的各种双极 型集成电路制造工艺都是在此工艺基础上改 进而来的。
2020/2/17
17
韩良
集成电路设计原理
上海先进半导体公司(1 mCOS工艺) 首钢NEC(1.2/0.18 mCOS工艺) 上海华虹NEC(0.35 mCOS工艺) 上海中芯国际(8英寸晶圆0.25/0.18 mCOS
工艺)
2020/2/17
7
韩良
集成电路设计原理
国际微电子中心
引言
6. 代工工艺
代工（Foundry）厂家很多，如：
光P+刻胶
SiO2
EB C
N+ P
N+
N–-epi
钝化层
SiO2
P+
P-Sub
2020/2/17 韩良
N+埋层
EB C
N+ P
N+
N–-epi
P+
27
集成电路设计原理
1.1.4 埋层的作用
国际微电子中心
1.减小串联电阻（集成电路中的各个电极均从 上表面引出，外延层电阻率较大且路径较长。 2.减小寄生pnp晶体管的影响（第二章介绍）
P-Sub 2020/2/17
韩良
N+ N-
20
集成电路设计原理
1.1.1 工艺流程（续2） 光刻硼扩散区硼扩散 氧化
国际微电子中心
P+ N+
P-Sub 2020/2/17
韩良
N- P+
N+ N- P+
21
集成电路设计原理
1.1.1 工艺流程（续3） 光刻磷扩散区 磷扩散氧化
国际微电子中心
1.1.1典型PN结隔离工艺流程
国际微电子中心
衬底准 氧 埋层光 埋层扩 生长外 氧 隔离光
备
化
刻
散
延
化
刻
发射区扩 发射区 基区扩散、再 基区光 隔离扩散、
散、氧化 光刻 分布（氧化） 刻
推进(氧化)
引线孔 淀积 反刻 光刻 金属 金属
淀积钝 化层
光刻压 焊点
合金化及 后工序
2020/2/17 韩良
34
集成电路设计原理