亿光光耦EL817
el817工作原理
el817工作原理
EL817是一款光电耦合器，也被称为Optocoupler或光耦，常
用于电气隔离和信号传输。
EL817工作原理如下：
1. 光发射器：EL817的光发射器由发光二极管（LED）构成。
当LED接收到输入电流时，它会发出光信号。
2. 光接收器：光接收器由一个光敏三极管（Phototransistor）
组成。
当光信号照射到光敏三极管时，它的发射电流会改变。
3. 输入端和输出端电气隔离：通过内部结构设计，LED和光
敏三极管之间没有直接的电气联系。
这种隔离设计可以有效防止输入和输出之间的电流泄露，从而提高系统的安全性和可靠性。
4. 光电转换：当输入电流通过LED时，它会产生光信号。
这
个光信号以脉冲的形式传播到光敏三极管。
光敏三极管根据光信号的强弱转换为相应的电流，进而输出一个对应的电信号。
5. 信号传输：光敏三极管的电流输出端可以连接到其他电路中，用于传输光电转换后的信号。
通过光耦的工作原理，输入电路和输出电路之间实现了电气隔离，避免了潜在的干扰和噪声。
总结：EL817的工作原理基于光电耦合效应，利用LED发出
的光信号，通过光敏三极管的光电转换，实现输入和输出之间的隔离和信号传输。
这种工作原理使得EL817在电气隔离和
信号传输方面具有广泛的应用价值。
光耦合器EL817光耦
2 Copyright Revision :8 © LifecyclePhase:
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
Release Date:2014-06-20 2010, Everlight All Rights Reserved. Release Date :May 31, 2014. Issue No : DPC-0000011 Rev.8 Expired Period: Forever
3 Copyright Revision :8 © LifecyclePhase:
Release Date:2014-06-20 2010, Everlight All Rights Reserved. Release Date :May 31, 2014. Issue No : DPC-0000011 Rev.8 Expired Period: Forever
Transfer Characteristics
Parameter EL817 EL817A Current Transfer ratio EL817B EL817C EL817D EL817X EL817Y Collector-Emitter saturation voltage Isolation resistance Floating capacitance Cut-off frequency Rise time Fall time * Typical values at Ta = 25°C VCE(sat) RIO CIO fc tr tf CTR Symbol Min 50 80 130 200 300 100 150 5×10 10
Typ. 0.1 0.6 80 6 8
Max. 600 160 260 400 600 200 300 0.2 1.0 18 18
EL817中文资料(everlight)中文数据手册「EasyDatasheet - 矽搜」
和outpu（u维t 索= 50 V R0M0S0）
• 爬电距离7e
7.62 mm
• 操作TEMPgERATUR高达re+110
0°C
• 紧凑小外形封装
e
• 无铅并符合RoHS标准.
• UL认证（编号E214129）
• VDE认证（132249号）
• SEMKO一批个准
• NEMKO一批个准
• DEMKO一批个准
SMD选项.
1
芯片中文手册,看全文,戳
数据表
4PIN DIP光电晶体管光耦合器 EL817系列
绝对最大额定值（TA = 25℃）
Input
参数 正向电流
峰值正向电流（1微秒,脉冲）
反向电压
功耗
符号
IF IFP VR
PD
击穿电压
PC
产量
总功耗
隔离电压*
工作温度 储存温度
焊接温度*
集电极电流
• Programm梅布尔CONTRolOlers • 系统A 家电,公头 测量插件 struments • 电信 通信设备 • 家电,SUC风扇加热器等.ch • 信号TRAansmission b各色潜力和impueitdsa断路器操e作nt过电压之间s
ances
引脚Configuuration 1.阳极 2.阴极 e 3.发射 4.收集器
4
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数据表
4PIN DIP光电晶体管光耦合器 EL817系列
VCC
IF
IC
RL
产量
Input
脉冲
Input R IN
产量 脉冲
tr ton
图 7.开关时间测试电路和波形
EL817(C)-F中文资料(EVERLIGHT)中文数据手册「EasyDatasheet - 矽搜」
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数据表
4PIN DIP光电晶体管光耦合器 EL817系列
绝对最大额定值（TA = 25℃）
Input
参数 正向电流
峰值正向电流（1微秒,脉冲）
反向电压
功耗
符号
IF IFP VR
PD
击穿电压
PC
产量
总功耗
隔离电压*
工作温度 储存温度
焊接温度*
集电极电流
和outpu（u维t 索= 50 V R0M0S0）
• 爬电距离7e
7.62 mm
• 操作TEMPgERATUR高达re+110
0°C
• 紧凑小外形封装
e
• 无铅并符合RoHS标准.
• UL认证（编号E214129）
• VDE认证（132249号）
• SEMKO一批个准
• NEMKO一批个准
• DEMKO一批个准
Min.
Typ. Max.
-
1.2
1.4
-
-
10
-
30
250
产量
参数
集电极 - 发射极暗
当前
集电极 - 发射极
击穿电压
发射极 - 集电极
击穿电压
符号
Min
ICEO
-
BV CEO
35
BV ECO
6
Typ. Max.
-
100
-
-
-
-
传输特性
参数
符号
Min
Typ. Max.
EL817
50
-
600
EL817A
V
IF = 20mA时,IC = 1mA
光耦el817的工作原理
光耦el817的工作原理光耦（Optocoupler）是一种常用的光电器件，也称为光电隔离器或光电耦合器。
其中，EL817是一种常见的光耦型号，被广泛应用于电子设备中。
本文将从工作原理角度解析EL817的原理及其应用。
一、EL817的结构EL817主要由一个发光二极管（LED）和一个光敏三极管（光电晶体管）组成。
其中，LED作为输入端，当输入电流加到LED正极时，LED发出的光线会照射到光敏三极管的基极上，进而激活光敏三极管的发射结。
二、EL817的工作原理EL817的工作原理基于光电效应。
当输入电流加到LED正极时，LED发出的光线会照射到光敏三极管的基极上，光线的能量被吸收后会激活光敏三极管的发射结，形成电流的传导。
这个过程实现了输入信号的光电转换。
具体来说，当LED发出的光线照射到光敏三极管的基极上时，光敏三极管的发射结会受到光线的激发，使得发射结的电流得以流动。
这个电流被称为输出电流，它与输入电流之间存在一定的线性关系。
因此，EL817可以实现输入与输出之间的电隔离与信号转换。
三、EL817的应用由于EL817具有电隔离、信号转换等特点，因此在许多电子设备中得到广泛应用。
1. 电隔离EL817能够实现输入与输出之间的电隔离，从而保护输入与输出之间的电路不受干扰。
例如，在测量仪器中，输入端可能需要测量高压信号，而输出端则需要连接低压电路，这时就可以使用EL817实现输入与输出之间的电隔离，确保安全可靠的信号传输。
2. 信号转换EL817能够将输入信号转换为输出信号，实现不同电平之间的信号匹配。
例如，在数字电路与模拟电路之间，由于电平差异，可能需要使用EL817将数字信号转换为模拟信号，或者将模拟信号转换为数字信号，以实现两者之间的互联互通。
3. 电噪声隔离在一些噪声环境下，输入信号可能会受到电磁干扰或其他干扰源的影响，导致输出信号质量下降。
EL817能够通过电隔离的特性，将输入信号与输出信号隔离开来，从而减少噪声的传递和影响，提高信号的纯净度。
el817光耦工作原理
el817光耦工作原理EL817光耦是一种常见的光电器件，它由发光二极管（LED）和光敏三极管（光控晶体管）组成。
它的工作原理是利用光敏器件对光信号的感应和转换。
在EL817光耦中，LED作为光源，当施加正向电压时，LED会发出光线。
光线经过透明封装后，照射到光敏三极管的基区，使之光电导起来。
光敏三极管的发射极和基极之间的电流变化取决于LED发出的光强度。
EL817光耦的工作原理可以通过以下几个步骤来解释：1. 发光二极管(LED)发出光信号：EL817光耦中的LED是一个二极管，它在正向电压的作用下发出光信号。
LED的电流和光强度之间存在正比关系，当电流增加时，光强度也随之增加。
2. 光线照射到光敏三极管的基区：发出的光线经过透明封装后，照射到光敏三极管的基区。
光敏三极管的基区是一个光敏材料，当光线照射到基区时，光子能量会激发基区的电子，使之跃迁到导带中。
3. 光敏三极管的电流变化：光敏三极管的发射极和基极之间的电流会随着光敏三极管基区的光电导起变化。
当光敏三极管的基区受到光线照射时，基区的电导率增加，从而导致发射极和基极之间的电流增加。
4. 光敏三极管的输出信号：光敏三极管的输出信号可以通过检测发射极和基极之间的电流变化来获取。
这个输出信号可以用来控制其他电路或器件，实现光电隔离、信号传输等功能。
总结来说，EL817光耦的工作原理是通过LED发出光信号，光线照射到光敏三极管的基区，使之光电导起来，进而影响光敏三极管的输出信号。
这种工作原理使得EL817光耦在电气隔离和信号传输方面有广泛的应用。
它可以用于电路的隔离、电压的检测、电流的测量等领域。
EL817光耦的工作原理为我们提供了一种新的光电转换技术，使得光信号和电信号之间可以进行有效的转换和传输。
在实际应用中，我们可以根据需要选择不同的光敏三极管和LED，以满足不同的光电转换要求。
同时，我们还可以根据实际情况设计合适的电路，以实现更加精确和可靠的光电转换效果。
详解光耦EL817的重要参数
详解光耦EL817的重要参数详解光耦EL817的重要参数——CTR值 CTR:发光管的电流和光敏三极管的电流比的最小值。
隔离电压:发光管和光敏三极管的隔离电压的最小值。
光耦的技术参数主要有发光二极管正向压降VF、正向电流IF、电流传输比CTR、输入级与输出级之间的绝缘电阻、集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO、集电极-发射极饱和压降VCE(sat)。
此外，在传输数字信号时还需考虑上升时间、下降时间、延迟时间和存储时间等参数。
集电极-发射极电压:集电极-发射极之间的耐压值的最小值光耦什么时候导通?什么时候截至?普通光耦合器的CTR-IF特性曲线呈非线性，在IF较小时的非线性失真尤为严重，因此它不适合传输模拟信号。
线性光耦合器的CTR-IF特性曲线具有良好的线性度，特别是在传输小信号时，其交流电流传输比(ΔCTR=ΔIC/ΔIF)很接近于直流电流传输比CTR值。
因此，它适合传输模拟电压或电流信号，能使输出与输入之间呈线性关系。
这是其重要特性。
电流传输比是光耦合器的重要参数，通常用直流电流传输比来表示。
当输出电压保持恒定时，它等于直流输出电流IC与直流输入电流IF的百分比。
采用一只光敏三极管的光耦合器，CTR的范围大多为20%,300%(如4N35)，而pc817则为80%,160%，台湾亿光(如EL817)可达50%,600%。
这表明欲获得同样的输出电流，后者只需较小的输入电流。
因此，CTR参数与晶体管的hFE有某种相似之处。
使用光电耦合器主要是为了提供输入电路和输出电路间的隔离，在设计电路时，必须遵循下列所选用的光电耦合器件必须符合国内和国际的有关隔离击穿电压的标准;由台湾亿光生成生产的EL817系列(如EL817B-F、EL817C-F)光耦合器，目前在国内应用地十分普遍。
鉴于此类光耦合器呈现开关特性，其线性度差，适宜传输数字信号(高、低电平)，可以用于单片机的输出隔离;所选用的光耦器件必须具有较高的耦合系数。
el817用法
el817用法EL817是一种光电耦合器，也被称为光耦，是一种将输入电信号转换为光信号，再将光信号转换回电信号的器件。
它由一个发射机和一个接收机组成，通过光传输实现输入和输出的电隔离。
EL817具有广泛的应用领域，包括工控、通信、电力电子、汽车等多个领域。
EL817的基本结构由一颗发光二极管和一颗光探测器组成。
发光二极管通常使用红外LED作为发射源，而光探测器常用的是光敏三极管、光电二极管或光敏晶体管。
发射机和接收机之间通过一个透明的隔离壳相互隔离，使输入和输出之间不会相互影响。
EL817的工作原理基于光的传导。
当输入信号施加在发光二极管上时，发光二极管会产生相应的光信号，光信号经过隔离壳传输到光探测器上。
光探测器接收到光信号后，会产生相应的电信号输出，完成信号的光电转换。
EL817的优点之一是具有电隔离功能。
电隔离是指将高电压电路与低电压电路有效地隔离开，以防止高电压干扰低电压电路，提高整体系统的安全性和稳定性。
EL817通过光信号进行电隔离，使输入和输出之间不存在直接电流或电压连接，从而实现了电隔离的效果。
EL817的另一个优点是具有高速度和快速响应的特点。
它能够在微秒级的时间内完成发射和接收的过程，适用于需要高速信号传输的场合。
并且EL817还具有低功耗、小尺寸、抗干扰等特点，使其成为一种理想的电隔离解决方案。
在工业自动化领域，EL817常用于数字输入输出模块、变频器和PLC等设备中。
它能够将电机驱动回路与PLC控制回路进行电隔离，确保高压电源不会对PLC 控制回路产生干扰，提高设备的稳定性和可靠性。
此外，EL817还可以用于高压开关电源、电液伺服系统、通信设备等。
在电力电子领域，EL817可以用于电力开关设备中的电隔离过程。
在大功率电网中，为了保护低压控制回路和高压电路之间的可靠隔离，常使用EL817光耦来实现电隔离的效果。
光耦能够将高压电路信号转换为光信号，再将光信号转换为低压电路信号，从而避免高压电路对低压电路的干扰。
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3
Copyright © 2010, Everlight All Rights Reserved. Release Date :May 26, 2014. Issue No: DPC-0000046 Rev.14
亿光一级代理商超毅电子
DATASHEET 4PIN DIP PHOTOTRANSISTOR PHOTOCOUPLER EL817 series
2
Copyright © 2010, Everlight All Rights Reserved. Release Date :May 26, 2014. Issue No: DPC-0000046 Rev.14
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DATASHEET 4PIN DIP PHOTOTRANSISTOR PHOTOCOUPLER EL817 series
1
Copyright © 2010, Everlight All Rights Reserved. Release Date :May 26, 2014. Issue No: DPC-0000046 Rev.14
亿光一级代理商超毅电子
DATASHEET 4PIN DIP PHOTOTRANSISTOR PHOTOCOUPLER EL817 series
Operating Temperature Storage Temperature Soldering Temperature*
2
TSOL
Notes: *1 AC for 1 minute, R.H.= 40 ~ 60% R.H. In this test, pins 1, 2 are shorted together, and pins 3, 4 are shorted together. *2 For 10 seconds
Absolute Maximum Ratings (Ta=25℃)
Parameter Forward current Peak forward current (1us, pulse) Input Reverse voltage Power dissipation Derating factor (above Ta = 100°C) Power dissipation Derating factor (above Ta = 100°C) Output Collector current Collector-Emitter voltage Emitter-Collector voltage Total Power Dissipation Isolation Voltage*
Typical Electro-Optical Characteristics Curves
4
Copyright © 2010, Everlight All Rights Reserved. Release Date :May 26, 2014. Issue No: DPC-0000046 Rev.14
Output
Parameter Collector-Emitter dark current Collector-Emitter breakdown voltage Emitter-Collector breakdown voltage Symbol ICEO BVCEO BVECO Min 35 6 Typ. Max. 100 Unit nA V V Condition VCE = 20V, IF = 0mA IC = 0.1mA IE = 0.1mA
Wide lead bend (0.4 inch spacing) Surface mount lead form + TA tape & reel option Surface mount lead form + TB tape & reel option Surface mount lead form (low profile) + TA tape & reel option Surface mount lead form (low profile) + TB tape & reel option Surface mount lead form (Gull-wing) + TA tape & reel option Surface mount lead form (Gull-wing) + TB tape & reel option Surface mount lead form + TU tape & reel option Surface mount lead form + TD tape & reel option Surface mount lead form (low profile) + TU tape & reel option Surface mount lead form (low profile) + TD tape & reel option
Typ. 0.1 0.6 80 4 3
Max. 600 160 260 400 600 200 300 0.2 1.0 18 18
Unit
Condition
%
ห้องสมุดไป่ตู้
IF = 5mA ,VCE = 5V
V pF kHz µs µs
IF = 20mA ,IC = 1mA VIO = 500Vdc, 40~60% R.H. VIO = 0, f = 1MHz VCE = 5V, IC = 2mA RL = 100, -3dB VCE = 2V, IC = 2mA, RL = 100
Description
The EL817series of devices each consist of an infrared emitting diodes, optically coupled to a phototransistor detector. They are packaged in a 4-pin DIP package and available in wide-lead spacing and SMD option.
1
Symbol IF IFP VR PD
Rating 60 1 6 100 2.9 150
Unit mA A V mW mW/°C mW mW/°C mA V V mW V rms °C °C °C
PC 5.8 IC VCEO VECO PTOT VISO TOPR TSTG 50 35 6 200 5000 -55 to 110 -55 to 125 260
Electro-Optical Characteristics (Ta=25℃ unless specified otherwise)
Input
Parameter Forward Voltage Reverse Current Input capacitance Symbol VF IR Cin Min. Typ. 1.2 30 Max. 1.4 10 250 Unit V µA pF Condition IF = 20mA VR = 4V V = 0, f = 1kHz
亿光一级代理商超毅电子
4 PIN DIP PHOTOTRANSISTOR PHOTOCOUPLER EL817 Series
Schematic
Features:
• Current transfer ratio (CTR: 50~600% at IF =5mA, VCE =5V) • High isolation voltage between input and output (Viso=5000 V rms ) • Creepage distance >7.62 mm • Operating temperature up to +110°C • Compact small outline package • Pb free and RoHS compliant • UL and cUL approved(No. E214129) • VDE approved (No. 132249) • SEMKO approved • NEMKO approved • DEMKO approved • FIMKO approved Pin Configuration 1. Anode 2. Cathode 3. Emitter 4. Collector
Applications
• Programmable controllers • System appliances, measuring instruments • Telecommunication equipments • Home appliances, such as fan heaters, etc. • Signal transmission between circuits of different potentials and impedances
Order Information
Part Number
EL817X(Y)(Z)-FV
Note X Y Z F V = Lead form option (S, S1, S2, M or none) = CTR Rank (A, B, C, D, X , Y or none) = Tape and reel option (TA, TB, TU, TD or none). = Lead frame option (F: Iron, None: copper) = VDE safety (optional).
Option None M S (TA) S (TB) S1 (TA) S1 (TB) S2 (TA) S2 (TB) S (TU) S (TD) S1 (TU) S1 (TD) Standard DIP-4