亿光光耦EL827
el817工作原理
el817工作原理
EL817是一款光电耦合器，也被称为Optocoupler或光耦，常
用于电气隔离和信号传输。
EL817工作原理如下：
1. 光发射器：EL817的光发射器由发光二极管（LED）构成。
当LED接收到输入电流时，它会发出光信号。
2. 光接收器：光接收器由一个光敏三极管（Phototransistor）
组成。
当光信号照射到光敏三极管时，它的发射电流会改变。
3. 输入端和输出端电气隔离：通过内部结构设计，LED和光
敏三极管之间没有直接的电气联系。
这种隔离设计可以有效防止输入和输出之间的电流泄露，从而提高系统的安全性和可靠性。
4. 光电转换：当输入电流通过LED时，它会产生光信号。
这
个光信号以脉冲的形式传播到光敏三极管。
光敏三极管根据光信号的强弱转换为相应的电流，进而输出一个对应的电信号。
5. 信号传输：光敏三极管的电流输出端可以连接到其他电路中，用于传输光电转换后的信号。
通过光耦的工作原理，输入电路和输出电路之间实现了电气隔离，避免了潜在的干扰和噪声。
总结：EL817的工作原理基于光电耦合效应，利用LED发出
的光信号，通过光敏三极管的光电转换，实现输入和输出之间的隔离和信号传输。
这种工作原理使得EL817在电气隔离和
信号传输方面具有广泛的应用价值。
827电路原理
827电路原理827电路是一种常见的集成电路，具有广泛的应用领域。
它主要由运算放大器、反相输入端、非反相输入端、输出端、正电源和负电源组成。
在实际应用中，827电路可以用于信号放大、滤波、比较、积分、微分等功能。
本文将详细介绍827电路的原理及其在实际电路中的应用。
首先，我们来看827电路的基本原理。
827电路的核心部分是运算放大器，它是一种差动放大器，具有高输入阻抗、低输出阻抗、大增益等特点。
在827电路中，运算放大器的反相输入端和非反相输入端分别连接输入信号和反馈电压，输出端则输出放大后的信号。
通过合理地选择反馈电阻和输入电阻的数值，可以实现不同的电路功能。
例如，当反馈电阻和输入电阻相等时，可以实现单位增益的非反相放大器；当反馈电阻为零时，可以实现比较器功能；当反馈电阻为电容时，可以实现积分器或微分器功能。
827电路在实际应用中具有广泛的用途。
首先，它可以用于信号放大。
通过合理地选择反馈电阻和输入电阻的数值，可以实现不同的放大倍数，满足不同的应用需求。
其次，827电路还可以用于滤波。
通过在反馈回路中引入电容或电感元件，可以实现低通滤波、高通滤波、带通滤波等功能，对信号进行滤波处理。
此外，827电路还可以用于比较。
当输入信号与参考电压进行比较时，可以实现开关控制、触发器等功能。
最后，827电路还可以用于积分和微分。
通过合理地选择反馈元件，可以实现对输入信号的积分或微分运算，满足不同的控制需求。
总的来说，827电路是一种功能强大的集成电路，具有广泛的应用领域。
在实际应用中，我们可以根据具体的需求，合理地选择电路连接方式和元件数值，实现不同的功能。
通过深入理解827电路的原理，我们可以更好地应用它，为电子系统设计和控制提供有效的解决方案。
以上就是关于827电路原理的详细介绍，希望对大家有所帮助。
827电路作为一种常见的集成电路，在实际应用中具有重要的地位，希望大家能够深入理解其原理，并灵活运用于实际电路设计中。
亿光光耦ELM452
Revision :3 © 1 Copyright LifecyclePhase:
Date:2013-07-15 2010, Everlight All Rights Reserved. Release Date : May 13, 2013. Issue Release No: DPC-0000113 Rev.3 Expired Period: Forever
Revision :3 5 Copyright © LifecyclePhase:
2010, Everlight All Rights Reserved. Release Date : May 13, 2013. Issue No:DPC-0000113 Rev.3
Release Date:2013-07-15 14:59:03.0 Expired Period: Forever
Pin Configuration 1. Anode 3. Cathode 4. Gnd 5. Vout 6. VCC
Description
The ELM452 and ELM453 devices each consist of an infrared emitting diode, optically coupled to a high speed photo detector transistor. A separate connection for the photodiode bias and output-transistor collector increase the speed by several orders of magnitude over conventional phototransistor couplers by reducing the base-collector capacitance of the input transistor.The devices are packaged in industry standard 5pin SOP packages and are suitable for surface mounting.
光耦el817的工作原理
光耦el817的工作原理光耦（Optocoupler）是一种常用的光电器件，也称为光电隔离器或光电耦合器。
其中，EL817是一种常见的光耦型号，被广泛应用于电子设备中。
本文将从工作原理角度解析EL817的原理及其应用。
一、EL817的结构EL817主要由一个发光二极管（LED）和一个光敏三极管（光电晶体管）组成。
其中，LED作为输入端，当输入电流加到LED正极时，LED发出的光线会照射到光敏三极管的基极上，进而激活光敏三极管的发射结。
二、EL817的工作原理EL817的工作原理基于光电效应。
当输入电流加到LED正极时，LED发出的光线会照射到光敏三极管的基极上，光线的能量被吸收后会激活光敏三极管的发射结，形成电流的传导。
这个过程实现了输入信号的光电转换。
具体来说，当LED发出的光线照射到光敏三极管的基极上时，光敏三极管的发射结会受到光线的激发，使得发射结的电流得以流动。
这个电流被称为输出电流，它与输入电流之间存在一定的线性关系。
因此，EL817可以实现输入与输出之间的电隔离与信号转换。
三、EL817的应用由于EL817具有电隔离、信号转换等特点，因此在许多电子设备中得到广泛应用。
1. 电隔离EL817能够实现输入与输出之间的电隔离，从而保护输入与输出之间的电路不受干扰。
例如，在测量仪器中，输入端可能需要测量高压信号，而输出端则需要连接低压电路，这时就可以使用EL817实现输入与输出之间的电隔离，确保安全可靠的信号传输。
2. 信号转换EL817能够将输入信号转换为输出信号，实现不同电平之间的信号匹配。
例如，在数字电路与模拟电路之间，由于电平差异，可能需要使用EL817将数字信号转换为模拟信号，或者将模拟信号转换为数字信号，以实现两者之间的互联互通。
3. 电噪声隔离在一些噪声环境下，输入信号可能会受到电磁干扰或其他干扰源的影响，导致输出信号质量下降。
EL817能够通过电隔离的特性，将输入信号与输出信号隔离开来，从而减少噪声的传递和影响，提高信号的纯净度。
el817光耦工作原理
el817光耦工作原理EL817光耦是一种常见的光电器件，它由发光二极管（LED）和光敏三极管（光控晶体管）组成。
它的工作原理是利用光敏器件对光信号的感应和转换。
在EL817光耦中，LED作为光源，当施加正向电压时，LED会发出光线。
光线经过透明封装后，照射到光敏三极管的基区，使之光电导起来。
光敏三极管的发射极和基极之间的电流变化取决于LED发出的光强度。
EL817光耦的工作原理可以通过以下几个步骤来解释：1. 发光二极管(LED)发出光信号：EL817光耦中的LED是一个二极管，它在正向电压的作用下发出光信号。
LED的电流和光强度之间存在正比关系，当电流增加时，光强度也随之增加。
2. 光线照射到光敏三极管的基区：发出的光线经过透明封装后，照射到光敏三极管的基区。
光敏三极管的基区是一个光敏材料，当光线照射到基区时，光子能量会激发基区的电子，使之跃迁到导带中。
3. 光敏三极管的电流变化：光敏三极管的发射极和基极之间的电流会随着光敏三极管基区的光电导起变化。
当光敏三极管的基区受到光线照射时，基区的电导率增加，从而导致发射极和基极之间的电流增加。
4. 光敏三极管的输出信号：光敏三极管的输出信号可以通过检测发射极和基极之间的电流变化来获取。
这个输出信号可以用来控制其他电路或器件，实现光电隔离、信号传输等功能。
总结来说，EL817光耦的工作原理是通过LED发出光信号，光线照射到光敏三极管的基区，使之光电导起来，进而影响光敏三极管的输出信号。
这种工作原理使得EL817光耦在电气隔离和信号传输方面有广泛的应用。
它可以用于电路的隔离、电压的检测、电流的测量等领域。
EL817光耦的工作原理为我们提供了一种新的光电转换技术，使得光信号和电信号之间可以进行有效的转换和传输。
在实际应用中，我们可以根据需要选择不同的光敏三极管和LED，以满足不同的光电转换要求。
同时，我们还可以根据实际情况设计合适的电路，以实现更加精确和可靠的光电转换效果。
亿光光耦EL3023
6PIN DIP RANDOM-PHASE TRIAC DRIVER PHOTOCOUPLER EL301X, EL302X, EL305X SeriesFeatures:• Peak breakdown voltage -250V: EL301X -400V: EL302X -600V: EL305X• High isolation voltage between input and output (Viso=5000 V rms )• Compact dual-in-line package • Pb free and RoHS compliant.•UL and cUL approved(No. E214129)• VDE approved (No.132249)• SEMKO approved • NEMKO approved • DEMKO approved •FIMKO approvedDescriptionThe EL301X, EL302X and EL305X series of devices each consist of a GaAs infrared emitting diode optically coupled to a monolithic silicon random phase photo Triac.They are designed for interfacing between electronic controls and power triacs to control resistive and inductive loads for 115 to 240 VAC operations.Applications●Solenoid/valve controls ●Lamp ballasts●Static AC power switch●Interfacing microprocessors to 115 to 240Vac peripherals ●Incandescent lamp dimmers ●Temperature controls ●Motor controlsSchematic126543Pin Configuration 1. Anode 2. Cathode3. No Connection4. Terminal5. Substrate(do not connect)6. Terminal亿光一级代理商超毅电子Absolute Maximum Ratings (Ta=25 )Parameter Symbol Rating Unit Input Forward current I F60mA Reverse voltage V R6VPower dissipationDerating factor (above T a = 85 C)P D100mW3.8mW/°COutputOff-state OutputTerminal Voltage EL301XV DRM250V EL302X400EL305X600Peak Repetitive Surge Current(pw=100μs,120pps)I TSM1A On-State RMS Current I T(RMS)100mAPower dissipationDerating factor (above T a = 85 C)P C300mW7.4mW/Total power dissipation P TOT330mW Isolation voltage*1V ISO5000Vrms Operating temperature T OPR-55 to 100 Storage temperature T STG-55 to 125 Soldering Temperature*2T SOL260 Notes:*1AC for 1 minute, R.H.= 40 ~ 60% R.H. In this test, pins 1, 2&3are shorted together, and pins4, 5 & 6are shorted together. *2 For 10 secondsElectro-Optical Characteristics (Ta=25 unless specified otherwise)InputParameter Symbol Min.Typ.*Max.Unit Condition Forward Voltage V F- 1.18 1.5V I F=10mA Reverse Leakage current I R--10µA V R=6V OutputParameter Symbol Min.Typ.*Max.Unit ConditionPeak Blocking Current I DRM--100nA V DRM = Rated V DRM I F=0mAPeak On-state Voltage V TM-- 2.5V I TM=100mA peak, I F=Rated I FTCritical Rate of Rise off-state Voltage EL301XEL302X dv/dt-100-V/µsV PEAK=Rated V DRM,I F=0 (Fig. 8)EL305X1000--V PEAK=400V,I F=0 (Fig. 8)Transfer CharacteristicsParameter Symbol Min.Typ.*Max.Unit ConditionLED Trigger Current EL3020I FT30mA Main terminal Voltage=3V EL3010EL3021EL3051--15EL3011EL3022EL3052--10EL3012EL3023EL3053--5Holding Current I H-250-µA * Typical values at T a= 25°CTypical Electro-Optical Characteristics CurvesFigure 8. Static dv/dt Test Circuit & WaveformMeasurement MethodThe high voltage pulse is set to the required V PEAK value and applied to the D.U.T. output side through the RC circuit above. LED current is not applied. The waveform V T is monitored using a x100 scope probe. By varying R TEST , the dv/dt (slope) is increased, until the D.U.T. is observed to trigger (waveform collapses). The dv/dt is then decreased until the D.U.T. stops triggering. At this point, τRC is recorded and the dv/dt calculated.For example, V PEAK = 400V for EL302X series. The dv/dt value is calculated as follows:V PEAKApplied V T WaveformτRC0.632 x V PEAK50 Ω10 k ΩD.U.T.R TESTHigh Voltage Pulse SourceC TESTV T A KT1T20.63 x 400τRCdv/dt = = 252τRC0.632 x V PEAK τRCdv/dt =Order InformationPart NumberEL301XY(Z)-Vor EL302XY(Z)-Vor EL305XY(Z)-VNoteX = Part No. for EL301x (0, 1 or 2)X = Part No. for EL302x, EL305x (1, 2 or 3)Y = Lead form option (S, S1, M or none)Z = Tape and reel option (TA, TB or none).V = VDE safety approved (optional)Option Description Packing quantity None Standard DIP-665 units per tube M Wide lead bend (0.4 inch spacing)65 units per tube S Surface mount lead form65 units per tube S(TA)Surface mount lead form + TA tape & reel option1000 units per reel S (TB)Surface mount lead form + TB tape & reel option1000 units per reel S1 (TA)Surface mount lead form (low profile) + TA tape & reel option1000 units per reel S1 (TB)Surface mount lead form (low profile) + TB tape & reel option1000 units per reelPackage Dimension(Dimensions in mm) Standard DIP TypeOption M TypeOption S TypeOption S1 TypeRecommended pad layout for surface mount leadformDevice MarkingNotesEL denotes EVERLIGHT3053 denotes Device NumberY denotes 1 digit Year codeWW denotes 2 digit Week codeVdenotes VDE (optional)EL3053YWWVTape dimensionsDimension No.A B Do D1E F Dimension (mm)10.4±0.17.5±0.1 1.5±0.1 1.5+0.1/-01.75±0.17.5±0.1Dimension No.Po P1P2t W K Dimension (mm)4.0±0.1512±0.12.0±0.10.35±0.0316.0±0.24.5±0.1Revision : 7Release Date:2014-09-24 17:43:02.011Copyright © 2010, Everlight All Rights Reserved.Release Date:September 3, 2014. Issue No:DPC-0000059 Rev.7Precautions for Use1. Soldering Condition1.1 (A) Maximum Body Case Temperature Profile for evaluation of Reflow ProfileNote: Reference: IPC/JEDEC J-STD-020DPreheatTemperature min (T smin ) 150 °C Temperature max (T smax )200°CTime (T smin to T smax ) (t s )60-120 seconds Average ramp-up rate (T smax to T p ) 3 °C/second maxOtherLiquidus Temperature (T L )217 °C Time above Liquidus Temperature (t L )60-100 sec Peak Temperature (T P )260°C Time within 5 °C of Actual Peak Temperature: T P -5°C 30 sRamp-Down Rate from Peak Temperature 6°C /second max.Time 25°C to peak temperature 8 minutes max.Reflow times 3 times .Revision : 7Release Date:2014-09-24 17:43:02.012 2010, Everlight All Rights Reserved.Release Date:September 3, 2014. Issue No:DPC-0000059 Rev.70 DISCLAIMER1.Above specification may be changed without notice. EVERLIGHT will reserve authority on material change for abovespecification.2.When using this product, please observe the absolute maximum ratings and the instructions for using outlined in thesespecification sheets. EVERLIGHT assumes no responsibility for any damage resulting from use of the product which does not comply with the absolute maximum ratings and the instructions included in these specification sheets.3.These specification sheets include materials protected under copyright of EVERLIGHT corporation. Please don’treproduce or cause anyone to reproduce them without EVERLIGHT’s consent.。
el817用法
el817用法EL817是一种光电耦合器，也被称为光耦，是一种将输入电信号转换为光信号，再将光信号转换回电信号的器件。
它由一个发射机和一个接收机组成，通过光传输实现输入和输出的电隔离。
EL817具有广泛的应用领域，包括工控、通信、电力电子、汽车等多个领域。
EL817的基本结构由一颗发光二极管和一颗光探测器组成。
发光二极管通常使用红外LED作为发射源，而光探测器常用的是光敏三极管、光电二极管或光敏晶体管。
发射机和接收机之间通过一个透明的隔离壳相互隔离，使输入和输出之间不会相互影响。
EL817的工作原理基于光的传导。
当输入信号施加在发光二极管上时，发光二极管会产生相应的光信号，光信号经过隔离壳传输到光探测器上。
光探测器接收到光信号后，会产生相应的电信号输出，完成信号的光电转换。
EL817的优点之一是具有电隔离功能。
电隔离是指将高电压电路与低电压电路有效地隔离开，以防止高电压干扰低电压电路，提高整体系统的安全性和稳定性。
EL817通过光信号进行电隔离，使输入和输出之间不存在直接电流或电压连接，从而实现了电隔离的效果。
EL817的另一个优点是具有高速度和快速响应的特点。
它能够在微秒级的时间内完成发射和接收的过程，适用于需要高速信号传输的场合。
并且EL817还具有低功耗、小尺寸、抗干扰等特点，使其成为一种理想的电隔离解决方案。
在工业自动化领域，EL817常用于数字输入输出模块、变频器和PLC等设备中。
它能够将电机驱动回路与PLC控制回路进行电隔离，确保高压电源不会对PLC 控制回路产生干扰，提高设备的稳定性和可靠性。
此外，EL817还可以用于高压开关电源、电液伺服系统、通信设备等。
在电力电子领域，EL817可以用于电力开关设备中的电隔离过程。
在大功率电网中，为了保护低压控制回路和高压电路之间的可靠隔离，常使用EL817光耦来实现电隔离的效果。
光耦能够将高压电路信号转换为光信号，再将光信号转换为低压电路信号，从而避免高压电路对低压电路的干扰。
亿光光耦EL814
09:38:06.0
亿光一级代理商超毅电子
DATASHEET 4 PIN DIP PHOTOTRANSISTOR PHOTOCOUPLER AC INPUT PHOTOCOUPLER EL814 Series
Electro-Optical Characteristics (Ta=25
unless specified otherwise)
Input
Parameter Forward Voltage Input capacitance Symbol VF Cin Min. Typ. 1.2 50 Max. 1.4 250 Unit V pF Condition IF = ± 20mA V = 0, f = 1KHz
Output
Parameter Collector-Emitter dark current Collector-Emitter breakdown voltage Emitter-Collector breakdown voltage Symbol ICEO BVCEO BVECO Min 80 6 Typ. Max. 100 Unit nA V V Condition VCE = 20V, IF = 0mA IC = 0.1mA IE = 0.1mA
Transfer Characteristics
Parameter Current Transfer ratio EL814 CTR EL814A 50 0.7 VCE(sat) RIO fc CIO Tr Tf 5×10 10
Symbol
Min 20
Typ. -
Max. 300
Unit
Condition
Option None M S (TA) S (TB) S1 (TA) S1 (TB) S (TU) S (TD) S1 (TU) S1 (TD) Standard DIP-4
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10:05:22.0
亿光一级代理商超毅电子
DATASHEET 8 PIN DIP PHOTOTRANSISTOR PHOTOCOUPLER EL827 series
Package Dimension (Dimensions in mm)
Standard DIP Type
Option M Type
7 Copyright Revision :4 © LifecyclePhase:
10:05:22.0
亿光一级代理商超毅电子
DATASHEET 8 PIN DIP PHOTOTRANSISTOR PHOTOCOUPLER EL827 series
Typical Electro-Optical Characteristics Curves
4 Copyright Revision :4 © LifecyclePhase:
2 Copyright Revision :4 © LifecyclePhase:
Date:2014-06-26 2010, Everlight All Rights Reserved. Release Date : May 31, 2014. IssueRelease No: DPC-0000047 Rev. 4 Expired Period: Forever
IR
Cin
Output
Parameter Collector-Emitter dark current Collector-Emitter breakdown voltage Emitter-Collector breakdown voltage Symbol ICEO BVCEO BVECO Min. 80 7 Typ.* Max. 100 Unit nA V V Condition VCE = 20V, IF = 0mA IC = 0.1mA IE = 0.1mA
Wide lead bend (0.4 inch spacing) Surface mount lead form + TA tape & reel option Surface mount lead form + TB tape & reel option Surface mount lead form (low profile) + TA tape & reel option Surface mount lead form (low profile) + TB tape & reel option
Transfer Characteristics
Parameter Current Transfer ratio Collector-Emitter saturation voltage Isolation resistance Floating capacitance Cut-off frequency Rise time Fall time * Typical values at Ta = 25°C Symbol CTR VCE(sat) RIO CIO fc tr tf Min 50 5×10 10
Date:2014-06-26 2010, Everlight All Rights Reserved. Release Date : May 31, 2014. IssueRelease No: DPC-0000047 Rev. 4 Expired Period: Forever
10:05:22.0
Typ. 18 18
Unit % V pF kHz µs µs
Condition IF = 5mA ,VCE = 5V IF = 20mA ,IC = 1mA VIO = 500Vdc, 40~60% R.H. VIO = 0, f = 1MHz VCE = 5V, IC = 2mA RL = 100, -3dB VCE = 2V, IC = 2mA, RL = 100
Applications
• Programmable controllers • System appliances, measuring instruments • Telecommunication equipments • Home appliances, such as fan heaters, etc. • Signal transmission between circuits of different potentials and impedances
Operating temperature Storage temperature Soldering temperature
*2
TSOL
Notes: *1 AC for 1 minute, R.H.= 40 ~ 60% R.H. In this test, pins 1, 2 & 3, 4are shorted together, and pins 5, 6 & 7, 8 are shorted together. *2 For 10 seconds
10:05:22.0
亿光一级代理商超毅电子
DATASHEET 8 PIN DIP PHOTOTRANSISTOR PHOTOCOUPLER EL827 series
Absolute Maximum Ratings (Ta=25
)
Parameter Forward current Peak forward current (1us, pulse) Input Reverse voltage Power dissipation Power dissipation Output Collector current Collector-Emitter voltage Emitter-Collector voltage Total power dissipation Isolation voltage
10% 90%
tf toff
5 Copyright Revision :4 © LifecyclePhase:
Date:2014-06-26 2010, Everlight All Rights Reserved. Release Date : May 31, 2014. IssueRelease No: DPC-0000047 Rev. 4 Expired Period: Forever
10:05:22.0
亿光一级代理商超毅电子
DATASHEET 8 PIN DIP PHOTOTRANSISTOR PHOTOCOUPLER EL827 series
Order Information
Part Number
EL827X(Z)-V
Note X Z V = Lead form option (S, S1, M or none) = Tape and reel option (TA, TB or none) = VDE safety (optional)
*1
Symbol IF IFP VR PD PC IC VCEO VECO PTOT VISO TOPR TSTG
Rating 60 1 6 100 150 50 80 7 200 5000 -55 to 110 -55 to 125 260
Unit mA A V mW mW mA V V mW V rms °C °C °C
3 Copyright Revision :4 © LifecyclePhase:
Date:2014-06-26 2010, Everlight All Rights Reserved. Release Date : May 31, 2014. IssueRelease No: DPC-0000047 Rev. 4 Expired Period: Forever
Option None M S (TA) S (TB) S1 (TA) S1 (TB) Standard DIP-8
Description
Packing quantity 45 units per tube 45 units per tube 1000 units per reel 1000 units per reel 1000 units per reel 1000 units per reel
6 Copyright Revision :4 © LifecyclePhase:
Date:2014-06-26 2010, Everlight All Rights Reserved. Release Date : May 31, 2014. IssueRelease No: DPC-0000047 Rev. 4 Expired Period: Forever
亿光一级代理商超毅电子
8 PIN DIP PHOTOTRANSISTOR PHOTOCOUPLER EL827 Series
Schematic
Features:
• Current transfer ratio (CTR: 50~600% at IF =5mA, VCE =5V) • High isolation voltage between input and output (Viso=5000 V rms ) • Compact small outline package • Pb free and RoHS compliant. • UL and cUL approved(No. E214129) • VDE approved (No. 132249) • SEMKO approved • NEMKO approved • DEMKO approved • FIMKO approved • CQC approved Pin Configuration 1, 3. Anode 2, 4. Cathode 5, 7. Emitter 6, 8. Collector