第2章 门电路学习指导

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第二章逻辑门电路

第二章逻辑门电路

第⼆章逻辑门电路第⼆章逻辑门电路[教学要求]1.了解门电路的定义及分类⽅法,⼆极管、三极管的开关特性,及分⽴元件组成的与、或、⾮门的⼯作原理;2.掌握TTL反相器的⼯作原理,静态输⼊、输出、电压传输特性及输⼊端负载特性,开关特性;了解其它TTL门(与⾮门、或⾮门、异或门、三态门,OC门)的⼯作原理及TTL 门的改进系列;3.掌握CMOS反相器的⼯作原理及静态特性。

了解CMOS反向器的动特性。

其他CMOS门(与⾮门、或⾮门等)的⼯作原理。

掌握门电路应⽤注意事项。

[教学内容]1.分⽴元件组成的与、或、⾮门的⼯作原理2.TTL反相器3.其它TTL门4.CMOS反相器的⼯作原理及静态特性5.其他CMOS门(与⾮门、或⾮门等)的⼯作原理6.门电路应⽤注意事项引⾔2.1 ⼆极管的开关特性⼀、⼆极管从正向导通到截⽌有⼀个反向恢复过程通常把⼆极管从正向导通转为反向截⽌所经过的转换过程称为反向恢复过程。

其中t S 称为存储时间,t t称为渡越时间,t re=t s+t t称为反向恢复时间。

由于反向恢复时间的存在,使⼆极管的开关速度受到限制。

⼆、产⽣反向恢复过程的原因——电荷存储效应⼆极管在开关转换过程中出现的反向恢复过程,实质上由于电荷存储效应引起的,反向恢复时间就是存储电荷消失所需要的时间。

三、⼆极管的开通时间⼆极管从截⽌转为正向导通所需的时间称为开通时间。

这个时间同反向恢复时间相⽐是很短的。

它对开关速度的影响很⼩,可以忽略不计。

2.2 BJT的开关特性NPN型BJT的结构如下图所⽰。

PNP型BJT的结构如下图中的上半部所⽰,下边为电路图中的符号。

⼀、BJT的开关作⽤BJT的开关作⽤对应于有触点开关的“断开”和“闭合”。

上图所⽰电路⽤来说明BJT开关作⽤,图中BJT为NPN型硅管。

NPN型BJT截⽌、放⼤、饱和三种⼯作状态的特点列于下表中。

⼆、BJT的开关时间BJT的开关过程和⼆极管⼀样,也是内部电荷“建⽴”和“消散”的过程。

第2章逻辑门电路[可修改版ppt]

第2章逻辑门电路[可修改版ppt]

在数字电路中,逻辑输入信号通常使三极管工作在 截止或饱和状态,称为开关状态。
截止条件iB:0
饱和条件iB: IBS
=
ICS
VCC
Rc
Rb iB CiC
vI
vBE
vCE
ICS=VCCR cVCESVRCcC
表2.2.1 NPN三极管的工作状态及特点
工作状态
截止
条件 PN 结偏置
i 0 B
发射结反偏 集电结反偏
ton 。
存储电荷:
LN o LP
x—距离
图 2.1.3 PN结的存储电荷
•距PN结越远,电荷浓度越低;
•正向电流越大,电荷的浓度梯度越大,存储电荷越多。
PN结截止过程: •在反向电压的作用下,N区的空穴存储电荷被电场赶回到P 区,P区的电子存储电荷被电场赶回到N区,形成反向电流, 驱散存储电荷。驱散存储电荷的时间就是存储时间ts 。 •在存储电荷驱散后,PN结的空间电荷区变宽,逐渐恢复到 PN结通过反向饱和电流IS,这段时间就是渡越时间tt。
VIL O
ICS iC
t
2)上升时间tr:从0.1ICS上升至
0.9ICS
0.9ICS所需的时间;
0.1ICS
t
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
O
3)存储时间ts:从负跳变开始到从ICS 下降至0.9ICS所需的时间;
tr
tf
td
ts
4)下降时间tf:从0.9ICS下降至0.1ICS所需的时间;
5)开通时间ton:从截止转换到饱和所需的时间,ton=td+tr;
提高开关速度的方法是:开通时加大基极驱动电流,关断 时快速泄放存储电荷。
2.2 TTL门电路

中南大学数字电子技术 第二章 门电路与组合逻辑电路

中南大学数字电子技术 第二章 门电路与组合逻辑电路

二、工作原理 Vb1=0.3+0.7=1V 不足以让 T2、T5导通
1. 输入有低电平(0.3V)时
R1

+5V
R4
3k 1V b1
R2
T3 R5


3.6 V 3.6 V 0.3 V
“0”
c1
T1
T2
T4

F
T5
T1深饱和 T2截止
三个PN结
R3

导通需2.1V
T5截止
1. 输入有低电平(0.3V)时(续) T1深饱和 T2截止
R1
+5V
全反偏
3.6V
3k 2.1V b1
放大
T3
A B C
c11.4V
1V

T1
全饱和导通
T2 0.3V
R5

T4 截止

F
T5
T1:倒置 T2:饱和 T5:饱和 T3:放大 T4:截止
R3

2. 输入全为高电平(3.6V)时(续)
T1:倒置 T2:饱和 T5:饱和 T3:放大 T4:截止 3.6V
A B 1 1
F 1
0
1
1
0
0
0
1
0 0
0
1
1
1
1 1 1 正与逻辑
等价
0 0 负或逻辑
2.2 集成逻辑门
集成门电路按开关元件分类
二极管----晶体三极管逻辑门(DTL) 集 成 晶体三极管----晶体三极管逻辑门 (TTL) 双极型 射极耦合逻辑门 (ECL)

辑 门
集成注入逻辑门电路 (
I 2L)
e

数字电子技术基础简明教程课件第2章门电路

数字电子技术基础简明教程课件第2章门电路
(2-20)
2.1.4 MOS管的开关特性
MOS管最显著的特点也是具有放大能力。不过它 是通过栅极电压uGS控制其工作状态的,是一种具有 放大特性的由电压uGS控制的开关元件。
一、静态特性 1、结构示意图、符号、漏极特性和转移特性 N沟道增强型MOS管的结构示意图、符号如下图所示。
金属铝 S G D 二氧化硅
(2-23)
⑵ 导通条件和导通时的特点 导通条件:当uGS大于UTN时, MOS管将处于导通状 态。 导通时的特点:MOS管导通之后,如同一个具有一 定导通电阻RON闭合了的开关。
(2-24)
二、动态特性 1、MOS管极间电容 MOS管三个电极之间,均有电容存在,它们分别是 栅源电容CGS、栅漏电容CGD和漏源电容CDS。在数字电 路中,MOS管的动态特性,即开关速度是受这些电容 充、放电过程制约的。 2、开关时间 右图所示MOS管开关 电路中,当uI为矩形波时, 相应iD和uO的波形。
三、高、低电平与正、负逻辑
1、高电平和低电平:高电平 和低电平是两种状态,是两个不 同的可以截然区别开来的电压范 围。
右图2.4~5V范围内的电压, 都称为高电平,用UH表示。
0~0.8V范围内的电压,都称 为低电平,用UL表示。
2、正逻辑和负逻辑:用1表示 高电平,用0表示低电平,称为 正逻辑赋值,简称正逻辑。用1 表示低电平,用0表示高电平, 称为负逻辑赋值,简称负逻辑。
(2-18)
二、动态特性 半导体三极管和二极管一样,在开关过程中也存在电 容效应,都伴随着相应电荷的建立和消散过程,因此都 需要一定时间。 右图所示是三极管开关电路中uI为矩形脉冲时,相 应iC和uO的波形。
(2-19)
⑴ 开通时间 当输入电压uI由UIL=-2V跳变到UIH=3V时,三极 管需要经过延迟时间td和上升时间tr之后,才能由截止 状态转换到饱和导通状态。开通时间为

第2章(365)教材配套课件

第2章(365)教材配套课件
图2-18 与或非逻辑符号与输入、输出波形
第2章 逻辑门电路
2.2 TTL逻辑门
如果把逻辑门电路中的全部元件和连线都制造在一块半 导体材料的芯片上,再把这个芯片封装在一个壳体中,就构 成一个集成逻辑门。集成逻辑门具有体积小、耗电少、重量 轻、 可靠性高等许多显著的优点,因此受到了人们极大的
目前,在数字系统中使用的集成逻辑门,按其所使用的 半导体器件的不同,可分为TTL逻辑门和MOS型逻辑门。 TTL逻辑门是指输入、输出电路全是三极管的逻辑门电路, 而MOS
(2) 低电平输出特性。当TTL与非门输出为低电平时,若 在门电路输出端接入负载,这时将有负载电流流入驱动门,好 像是负载向与非门灌入电流,此电流称为灌电流(或低电平输 出电流),如图2-26所示,记为IOL。一般IOL≤8 mA
第2章 逻辑门电路
图2-25 拉电流负载
第2章 逻辑门电路
图2-26 灌电流负载
若与门的输入端为3个,则其逻辑符号如图2-5所示,其 输入为A、B、C,输出为F,且F=A·B·C
图2-5 3输入与门
第2章 逻辑门电路
在大多数实际电路中,加到与门输入端的并不是固定的 电压信号,而是按一定频率变化的波形。若在与门输入端加 上信号A、B,则根据与门的输入、输出关系,当t<t1时,A、 B为0,则输出为0;当t1<t<t2时,A、B为1、0,则输出为0。 依次分析,可得到其输出波形,如图2-6
干扰能力越强。
第2章 逻辑门电路
2. 输入/
1) TTL与非门的输入电流随输入电压VI变化的关系称为输 入特性。当VI<VOFF, VI>VON时,与非门输入端的电流是不 同的。 (1) 高电平输入电流IIH。IIH为与非门输入高电平时流入 输入端的电流,如图2-23所示。一般IIH≤40 μA (2) 低电平输入电流IIL。 IIL为与非门输入低电平时流出 输入端的电流,如图2-24所示,一般IIL≤0.4 mA

第二章 逻辑门电路【PPT课件】

第二章 逻辑门电路【PPT课件】

NPN、NMOS 管,采用正电源,用正逻辑分析。
PNP、CMOS 管,采用负电源,用负逻辑分析。
(1)、逻辑非的概念:条件具备了,结果不会发生。条件 不具备,结果却发生。
~ 220V A
开关闭合为 1
开关断开为 0
F
灯亮为 1
灯不亮为 0
工作波形:
逻辑符号:
AF 01 10
逻辑表达式:
FA
VCC(12V) VCL(+3V)
AB F 00 0 01 0 10 0 11 1
特点: 二极管正极接输出。
实现逻辑与运算的电路叫做与门
有输0为出F0和, 输入A、B之间
0V
3V
A
的全电1压为和真1。值关系:
3V 0V
B
F
ABF ABF
R
0V 0V 0V 0 0 0 工作波形:
0V 3V 0V 0 1 0 3V 0V 0V 1 0 0
R
C1
RC
D
F
FABAB
R1 R2
即:当输入A、B中,只要
-VBB(-12V)
有一个0,输出就是1,只有输
入全为1时,输出才是0。
A
A
B
&
FB
F
或非门由二极管或门及反相器组成。
或非门有运1算为顺序0,是: 先或后非
或运算全:有01为为11, 。全0为0。 A
反相器输入是0, 输出为1。
B
即:当输入A、B中,只要有
F
A
C1
&
F
R1
AA
(2)、非门 反相器就是非门
R2
RC
D
T
VBB(-12V)

数字电子技术基础第二章门电路PPT课件

数字电子技术基础第二章门电路PPT课件

或门
实现逻辑或运算,当至少 一个输入为高电平时,输 出为高电平;否则输出为 低电平。
非门
实现逻辑非运算,当输入 为高电平时,输出为低电 平;当输入为低电平时, 输出为高电平。
门电路的分类
按功能分类
可分为与门、或门、非门、 与非门、或非门等。
按结构分类
可分为晶体管-晶体管逻辑 门(TTL)、金属氧化物 半导体逻辑门(MOS)等。
实践能力。
02 门电路的基本概念
逻辑门电路
逻辑门电路是数字电路的基本 单元,用于实现逻辑运算。
常见的逻辑门电路有与门、或 门、非门、与非门、或非门等。
逻辑门电路通常由晶体管、电 阻、电容等元件组成,具有高 电平、低电平和高阻态三种输 出状态。
常用逻辑门电路
01
02
03
与门
实现逻辑与运算,当所有 输入都为高电平时,输出 为高电平;否则输出为低 电平。
门电路在其他领域的应用
自动化控制
门电路可以用于实现自动化控制中的逻辑控制、 顺序控制等功能。
电子游戏
门电路可以用于实现电子游戏中的逻辑运算、状 态检测等功能。
智能家居
门电路可以用于实现智能家居中的控制逻辑、传 感器检测等功能。
05 门电路的实例分析
实例一:基本逻辑门电路的应用
基本逻辑门电路
包括与门、或门、非门等,是数字电路中最基本的逻辑单 元。
06 总结与展望
门电路的重要性和作用
门电路是数字电子技术的核心组件,它在数字电路中起到逻辑运算和信号控制的作 用。
门电路能够实现逻辑函数的运算,从而实现各种复杂的逻辑功能,是构成各种数字 系统和电子设备的基础。
门电路在计算机、通信、自动化等领域中有着广泛的应用,对现代科技的发展起着 至关重要的作用。

《数字电子技术(第二版)》 第2章 门电路

《数字电子技术(第二版)》  第2章 门电路

2.1.3 场效应管的开关特性
RD G ui +VDD
D
S
ui
工作原理电路 截止状态 G RD
转移特性曲线
输出特性线 RD
+VD
D
导通状态
uo=+VDD
+VD
D
D
G
ui>UT
D
S
ui<UT
uo≈0
S
2.2 分立元件
门电路
2.2.1 二极管与门
Y=AB
2.2.2 二极管或门
Y=A+B
2.2.3 晶体管非门
2.1 半导体元件的开关特性 2.2 分立元件门电路
2.3 TTL集成门电路
2.4 CMOS集成门电路
2.5 集成门电路的使用
退出
件的开关特性
2.1 半导体元
逻辑门电路:用以实现基本和常用逻辑运算的电子电 路。简称门电路。 基本和常用门电路有与门、或门、非门(反相器)、 与非门、或非门、与或非门和异或门等。 逻辑0和1: 电子电路中用高、低电平来表示。 获得高、低电平的基本方法:利用半导体开关元件 的导通、截止(即开、关)两种工作状态。
2.1.1 二极管的开关特性
+ uD 二极管符号: 正极

负极
Ui<0.5V时,二 极管截止,iD=0。
Ui>0.5V时, 二极管导通。
uo
uo
ui=0V时,二极管截止, 如同开关断开,uo=0V。
ui = 5V 时,二极管导通,如 同 0.7V 的电压源, uo = 4.3V 。
二极管的反向恢复时间限制了二极管的开关速度。
三极管临界饱和时 的基极电流为:
iB>IBS,三极管工作 在饱和状态。输出电 压uY=UCES=0.3V。
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第二章门电路一、内容提要本章系统地讲述了数字电路的基本逻辑单元——门电路。

由于门电路中的二极管和三极管经常工作在开关状态,所以首先介绍了它们在开关状态下的工作特性。

然后,重点讨论了目前广泛使用的TTL门电路和CMOS门电路。

对于每一种门电路,除了讲解它们的工作原理和逻辑功能以外,还着重介绍了它们作为电子器件的电气特性,特别是输入特性和输出特性,以便为实际使用这些器件打下必要的基础。

二、重点难点虽然这一章讨论的只是门电路的外特性,但无论集成电路内部电路多么复杂,只要它们和这一章所讲的门电路具有相同的输入、输出电路结构,则这里对输入、输出特性的分析对它们也同样适用。

因此,这一章是全书对电路进行分析的基础。

本章的重点内容包括以下三个方面:1、半导体二极管和三极管(包括双极型和MOS型)开关状态下的等效电路和外特性;2、TTL电路的外特性及其应用;3、CMOS电路的外特性及应用。

为了正确理解和运用这些外特性,需要了解TTL电路和CMOS电路的输入电路和输出电路结构及它们的工作原理。

内部的电路结构不是重点内容。

鉴于CMOS电路在数字集成电路中所占的比重已远远超过了TTL电路,建议在讲授时适当加大CMOS电路的比重,并相应压缩TTL电路的内容。

TTL电路的外特性是本章的一个难点,同时也是一个重点。

尤其是输入端采用多发射极三极管结构时,对输入特性的全面分析比较复杂。

从实用的角度出发,只要弄清输入为高/低电平时输入电流的实际方向和数值的近似计算就可以了。

三、习题精解知识点:三极管饱和、截止的分析判断。

例2.1 电路如图2.1所示。

求使三极管截止的v imax ;保证三极管饱和的v imin ,已知三极管β=30,V BE =0.7V ,V CES =0.3V 。

解 三极管的开关条件分别为:V BE ≤0,三极管截止,I B ≥I BS 三极管饱和导通。

当三极管截止时,其等效电路如图2.2(a )所示。

I B=0,则01010221≤-++=R R R v V i BE图2.1图2.2 即010*******≤-ΩΩ+Ω+V k k k Vv i解得 v i ≤2V 即 v imax ≤2V当三极管饱和导通时,其等效电路如图2.2(b)所示。

21107.0R V R v I BE i B +--=CCES CC BS R V V I β-=BS B I I ≥CCESCC i R V V R V R v β-≥+--21)107.0(7.0 解得 v i ≥3.62V 即 v imin =3.62 V知识点:二极管构成逻辑门电路分析例2.2 电路如图2.3所示,写出输出的表达式。

图2.3解:对图2.3(a),该电路由两级逻辑门构成,第一级是与门,输出逻辑关系为D=AB ;第二级是或门,输出逻辑关系为 L 1=AB+C对图2.3 (b) 该电路是只有—个输入端的逻辑电路。

当输入端A 为低电平时,T l 发射结导通,V B1<2.1V ,D 、T 2截止,L 2输出高电平;当输入端A 为高电平时,T l 发射结不通, V cc 通过的集电结足以使D 、T 2导通,L 2输出低电平。

由以上分析可得:A L =2知识点:TTL 与非门输入端属于逻辑0输入接法的分析例2.3 为什么说TTL 与非门的输入端在以下4种接法都属于逻辑0输入:(1)输入端接地;(2)输入端接低于0.8V 的电源;(3)输入端接同类与非门的输出低电平0.3V ;(4)输入端通过200Ω的电阻接地。

解: TTL 与非门的输入端接地、接低于0.8V 的电源、接同类与非门的输出低电压0.3V 时,输入电压均低于其关门电平V OFF (V OFF 约为1.3V),因此门的输出电压均高于其输出高电平的最小值V OH(min)( V OH(min =2.4V),都属于高电平,所以以上三种输入的接法均属于逻辑0输入。

当输入端通过200Ω的电阻接地时,分析见图解2.4。

由电路分析得:V V R R R V CC b i 2.0)7.05(42.02.0)7.0(1≈-+=-+=由此可见,输入电压低于关门电平,所以此种输入的接法也属于逻辑0输入。

图2.4知识点:TTL 门电路选择及输入端接法常见错误分析 例2.4 改正图2.5中TTL 电路的错误。

图2.5解 图2.5(a )中,因为TTL 与非门不能“线与”,所以应改为OC 门。

图2.5(b )中,由TTL 与非门的输入特性可知,当输入端接小电阻(R i <1.4k Ω时),相当于输入端接低电平,故应将100Ω改为4.7k Ω或5.1k Ω。

图2.5(c )中,因电路不满足所给的逻辑表达式,故应将接电源V CC 改为接地。

知识点:TTL 三态与非门与TTL 普通与非门的特性 例2.5 在图2.6中G 1为TTL 三态与非门,G 2为TTL 普通与非门,电压表内阻为100k Ω。

试求下列4种情况下的电压表读数和G 2输出电压V 0值。

(1) B =0.3V ,开关K 打开; (2) B =0.3V ,开关K 闭合; (3) B=3.6V ,开关K 打开; (4) B =3.6V ,开关K 闭合。

图2.6解 (1)当B =0.3V ,三态与非门处于工作状态,电压表读数为3.6V ;开关K 打开,G 2门输入端悬空相当于输入高电平,输出电压为V 0=0.3V 。

(2)B =0.3V ,三态与非门处于工作状态,电压表读数为3.6V ;开关K 闭合,G 2门输入高电平,输出电压为V 0=0.3V 。

(3)B =3.6V ,三态与非门处于高阻态,又知开关K 打开,可见电压表读数为0V ;G 2门输入端悬空相当于输入高电平,输出电压V 0=0.3V 。

(4)B =3.6V ,三态与非门处于高阻态,又知开关K 闭合,此时G 2门输入端的情况如例2.3中图解2.4所示。

其输入电压为V V i 1.4)7.05(1004100≈-+=显然G 2门输入高电平,使得输出电压V 0=0.3V ,而G 2门中T l 的集电结和T 2,T 3的发射结这三个串联的PN 结导通,使得V B1=2.1V ,因而电压表读数为V B1-0.7V =1.4 V 。

知识点:MOS 管构成反相器分析例2.6 一个饱和型有源负载反相器,如图2.7(a )所示。

(1)若V T1=V T2=2V ,R ON2=R ON1=10:1,V DD =10V ,问输出的高、低电平各是多少?(2)若V 2改成PMOS 管(V P =-2V)组成反相器,如图2.7(b )所示,问输出高、低电平各为多少?解 (1)V V V R R R V DD ON ON ON OL 110111211≈⨯=⨯+=V V V V T D D O H 8)210(2=-=-= 图2.7(2)根据反相器的工作原理有V V OL 0≈V V V DD OH 10=≈知识点:MOS 管构成逻辑门分析例2.7 分析图2.8电路的逻辑功能,并写逻辑表达式。

解 当A =0时V 2、V 4截止,V l 、V 3、V 5导通,所以v 0=V OH ≈V DD ,F =l ,当A =1时,V 2、V 4导通,V l 、V 3、V 5截止,所以v 0=V OL ≈0V ,因此该电路是一个反相器。

逻辑表达式为:F =A 。

图2.8 知识点:逻辑门输出波形分析例2.8 图2.9(a)所示电路中,分别输入图2.9(b)所示A 、B 、C 、D 波形,试对应画出各输出端波形。

解:首先要确定各逻辑门的逻辑功能,然后根据输入波形变化情况,分段画出各输出端波形。

写出各门电路输出端逻辑表达式为,1,21==Y A Y,,43D B Y ABC Y +==D A D A Y CD AB Y +=+=65,各门电路输出波形见图2.9(c)所示。

图2.9知识点:逻辑门输入输出特性分析例2.9 电路如图2.10(a)、(b)、(c)、(d)所示,试找出电路中的错误,并说明为什么。

图2.10解 :图(a):电路中多余输入端接“1”是错误的,或门有一个输入为1,输出即为1。

图(b):电路中多余输入端接“0”电平是错误的,与门输入有一个为0,输出即为0。

图(c):电路中两个与门输出端并接是错误的,会烧坏器件。

因为当两个与非门的输出电平不相等时,两个门的输出级形成了低阻通道,使得电流过大,从而烧坏器件。

图(d):电路中两OC 门输出端虽能并接,但它们没有外接电阻至电源,电路不会有任何输出电压,所以是错误的。

知识点: 增强型NMOS 管构成电路分析例2.10 用增强型NMOS 管构成的电路如图2.11(a)所示。

试写出F 的逻辑式;并用NMOS 管画出更加简化而逻辑功能不变的电路。

解: 解题时首先要分清哪些管子是负载管,哪些管子是开关管,只有在一个负载管的源极与开关管的漏极连接节点上才能输出倒相的逻辑函数。

该题电路图中只有T 1是负载管,其余的都是开关管。

在开关管中再看哪些是串接的,哪些是并接的。

对于相互串接的开关管,它们栅极上所加的变量互为与逻辑;对于相互并接的开关管,它们栅极上所加的变量互为或逻辑。

根据以上分析原则,可得函数 ()()D C B A AD AC B A F ++=++= 所得简化电路如图2.11(b)所示。

(a )增强型NMOS 管构成的电路图 (b)简化后的NMOS 管构成的电路图图2.11 电路图四、自我测试题(共100分)1、TTL 门电路如图,说明各电路的输出状态。

(每空3分)2、CMOS 门电路如图所示,说明各电路的输出状态。

(每空3分)3.TTL 三态门电路及符号如图,当输入变量A 、B 及E 的状态为已知时,说明输出Y 的状态。

(每空3分)A BEYE4.请写出图中F1、F2和F3的逻辑表达式。

(10分)5.请画出实现如下函数的逻辑图。

假设输入变量的原码和反码均可得到。

并注意利用每个函数F的随意条件。

(10分)(a)用两个或非门实现:F1=⎺A⎺B⎺C+A⎺BD+⎺A⎺BC⎺D(∑d=ABC+A⎺B⎺D)(b)用三个与非门实现:F2=(A+D)(⎺A+B)(⎺A+⎺C)(c)用四个与非门实现:F3=⎺BD+⎺BC+ABCD(∑d=⎺ABD+A⎺B⎺C⎺D)6.写出图中各电路输出F的逻辑表达式。

(10分)7.分别写出图中所示电路当X=0和X=1时输出F1和F2的表达式。

(10分)(a)(b)8.分别写出图中各电路输出F1—F4的表达式,说明功能。

(10分)9.若已知上面题5各电路输入波形如图所示,试对应画出输出F1、F2的波形。

(10分)10.TTL反相器噪声容限示意图见图所示。

请估算出输入分别为高电位和低电位时的噪声容限U NH和U NL的值。

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