三氯氢硅生产及工艺
三氯氢硅生产工艺的优化
许保 红 （亚洲 硅业 （青海 ）有 限公 司 ， 青海 西 宁 ８１０００７）
摘要 ：三氯氢硅是有机硅偶联 剂中最为基础 的单体，且是制备 多晶硅 的主要原料，常常用来合成芳基、烷基、有机硅烷 、有机 官能团氟硅 烷等 。在我们 的 日常生活与生产 中三氯氢硅有 着非常重要的作用。然 而现阶段 我国三氯氢硅 的生产工艺仍存在许 多不足，急需改进。为 此 ，本文将结合笔者实践经验 ，对三氯氢硅 生产工 艺及其相应 的优化策略进行分析。 关键 词 ：三氟 氢硅 ；生产 工艺 ；优化
（３）ｔ氯 氢硅 尾气 处置 三氯 氢硅 精馏 处理后 ，其 会 产生 包 含 兰氯氯 硅 、氯化 氯 以及 氢气二 种成 分的 混合 尾气 ，其 中氯 化 氢和氢 气为生 产三氯氢 硅的 重要 原料 。而三 氯氢硅和氯 化氢 为有毒 气体 ，故这 就要 求企 业必须 对该 尾气 进行 处 置回收 ，以 此避免浪 费 、环 境污染 以及 中毒事故 产生 。
（４ 以 利 用 ＡＳＰＥＮ ＰＬＵＳ、ＰＲＯ ＩＩ、ＣＩＩＥＭ ＣＡＤ 等 时 下 比 较 流 行 的流程模拟软 件进行 相关模拟 计算 ，以此可以确 定精馏操 作最 优 回流比 ，确定尾气 回收最优循环 量等重要操作 参数 。
③科 学控制 氯化 氧的 水含量 。第 ·，应 干燥 处理氯 化氢 的 合 成原料 ，特别是 其 中的氢 气原料 ，保 证氢 气干燥 器 出 ¨氧 气 的露 点控 制在 零 下４０℃左 右。第二二，采 用氯 气生产 环节 对氯 气 进行 干燥脱水 处理 。以此确保 气体状态 下的盐酸不 会埘ｉ氯 氢 硅 生产 管道造 成腐 蚀和堵 塞 。第 三 ，采 用零 下２０℃的冷 冻盐 水 对 未进 入三 氯氢硅 流化床 之前 的氯化 氧 气体进 行冷 却除水 处
四氯化硅生产三氯氢硅生产工艺流程
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三氯氢硅生产及工艺
性增长，０５ 国内外多晶硅需求量约 ２９ ｔ 到 ２０ 年 ．方 ，
２ １ 半导体 多 晶硅 和 太 阳能级 多 晶硅 的总需求量 ００年 将达 到 ６３万 ｔ ． 。国外 多晶硅 的生产 主要 集 中在 美 、
日、德三 国 ７家 生产 企 业 ， ０ ５年 多 晶硅 产 能 ２ ８ ２０ ．８
工 艺管 道泄漏 的危险性 ， 因为其贮量 大 ， 旦发 生泄 一
漏 ， 果不及 时堵漏 ， 如 影响会 不断扩大 。 贮罐区 因为冷 却用 水 的需要 ， 常有水存在 ， 经 泄漏 的 Ｓ Ｈ １遇水发 ｉＣ。
ＳＨ ｌ 的合 成是 在 ２０ ０ ℃ 的温 度 下 进行 ｉＣ ３ ８ ￣３０ 的， 已经超过了 ＳＨ Ｉ 的自 ｉＣ 。 燃温度 （ ５℃）在合成 １ ７ ， 过程 中如果 ＳＨ １发生 泄漏 ， ｉＣ 。 或者 空气进入 反应器 ， 极 易引起燃烧 、 炸或 中毒事 故 。并且 ＳＨ ｌ有毒 、 爆 ｉＣ 。 遇 水燃烧 ， 给火灾扑救带 来一定 的困难 。三氯氢硅 的 合成 、除尘和 精馏工 段，Ｃ 气体 缓冲罐 与合成炉之 ＨＩ 间应设止回 阀， 防止合成 炉的 ＳＨ Ｉ 回到缓冲罐 。 ｉＣ。 应
Ｗ Ｎ ａ ＿ Ｉ ， Ｉ ｅ ， Ｈ Ｎ ｏ ｇ ｆ ｎ Ａ Ｇ ｙｎ ｍ ｎ Ｌ Ｕ Ｌ ｉ ＳＥ Ｈ Nhomakorabeaｎ — ａｇ
（ｏ ｔ ｈ ｎ ｈ ｒ ａ ｅ ｔｃ ｌＧ ｏ ｐＡ Ｎ ｏ ， ｔ ， ｈ ｊ ａ ｈ ａ ｇ ０ ２６ ， ｈ ｎ ） Ｎ ｒｈ Ｃ ｉａ Ｐ ａ ｍ ｃ ｕ ｉａ ｒ ｕ ＩＯ Ｃ ． Ｌ ｄ Ｓ ｉ ｉ ｚ ｕ ｎ ５ １５ Ｃ ｉａ
再经精 馏提纯 ， 到乙烯基或 丙烯基 系列 硅烷偶 联剂 得 产 品。硅烷偶联 剂几乎可 与任何 一种材 料交联 ， 包括 热 固性 材料 、 塑性材 料 、 封 剂 、 胶 、 水性 聚合 热 密 橡 亲 物 以及无机材 料等 ， 在太 阳能 电池 、 玻璃 纤维 、 增强树 脂 、 密陶 瓷纤维和光 纤保护膜 等方面 扮演着 重要 角 精 色， 并在这些行 业 中发挥着 重要 作用 。 四氯化 硅 是三 氯氢硅生产 中的副产 品， 同样具 有广 阔的市场 需求 空
三氯氢硅合成工艺有关书
三氯氢硅合成工艺有关书一、三氯氢硅概述三氯氢硅（Trichlorosilane，简称TCS）是一种重要的有机硅原料，化学式为SiHCl3。
在化学工业中，三氯氢硅广泛应用于有机硅化合物的研究与生产。
此外，它还具有半导体材料、光导纤维等方面的应用价值。
二、三氯氢硅合成工艺原理三氯氢硅的合成主要采用硅粉与氢气在催化剂作用下，通过高温反应生成。
反应方程式为：Si + 3H2 -> SiHCl3。
在合成过程中，催化剂的选取、反应温度、压力等因素对三氯氢硅的产率和纯度有重要影响。
三、三氯氢硅合成工艺流程1.硅粉准备：选用高纯度的硅粉作为原料，并进行干燥处理，以保证反应的顺利进行。
2.催化剂制备：选择合适的催化剂，如镍、铑等，并进行预处理，使其具有较高的活性。
3.反应釜准备：将硅粉、催化剂和氢气放入反应釜中，并进行密封。
4.反应过程：将反应釜加热至指定温度，保持一定的压力，使硅粉与氢气在催化剂的作用下发生反应。
5.产品分离与提纯：反应生成的三氯氢硅与其他副产品通过分离装置进行分离，然后对三氯氢硅进行提纯，以满足不同应用领域的需求。
6.循环利用与处理：对反应产生的废弃物进行合理处理，遵循环保原则。
四、三氯氢硅的应用领域三氯氢硅在有机硅行业具有广泛的应用，如硅橡胶、硅油、硅树脂等产品的生产。
此外，它还用于制备硅烷偶联剂、硅醇等化学品，广泛应用于建筑、汽车、电子、化工等领域。
五、我国三氯氢硅产业现状与展望近年来，我国三氯氢硅产业发展迅速，产能不断提高，产品质量和应用领域不断拓展。
然而，与国际先进水平相比，我国在三氯氢硅研发、生产等方面仍有一定差距。
未来，我国应加大技术创新力度，提高产业整体水平，满足国内外市场需求。
六、环保与安全措施在三氯氢硅合成工艺中，应重视环保与安全问题。
采取有效措施，如严格控制排放指标、降低能耗、加强设备安全管理等，确保生产过程绿色、安全。
综上所述，三氯氢硅合成工艺具有广泛的应用前景，我国应抓住产业发展机遇，加大研发力度，提高产业竞争力。
三氯氢硅生产工艺
三氯氢硅生产工艺
三氯氢硅（简称TCS）是一种无机化学品，主要用于半导体、光电子、电子化学等领域。
下面是三氯氢硅的生产工艺简介。
三氯氢硅的生产主要采用化学反应法，通常从硅源和氯源出发，经过多步反应得到三氯氢硅。
首先，将高纯度的石英砂（SiO2）与异氰酸酯（比如甲基异
氰酸酯）在氯化亚砜存在下反应，生成含有异氰酸酯基团的氯硅酮。
反应条件一般为高温高压，例如180-200℃，3-5 MPa。
反应方程式如下：
SiO2 + 2 ROCN + SO2Cl2 → Si(OCN)2Cl2 + SO2 + 2 HCl
接下来，将得到的氯硅酮与硅源（比如高纯度的多晶硅或硅锭）反应，生成TCS和其他副产物。
该反应需要在惰性气体（如
氩气）保护下进行，反应条件一般是中高温（例如800-1200℃）下，产物需要通过真空蒸馏进行分离纯化。
反应方程式如下：
Si(OCN)2Cl2 + 2 Si → 2 SiCl4 + Si(OCN)4
最后，通过进一步的处理和纯化，得到高纯度的三氯氢硅。
处理方法可以包括蒸馏、结晶、过滤等。
经过这些步骤，可以得到符合要求的三氯氢硅产品。
需要注意的是，三氯氢硅在生产和储存过程中，由于其高度腐蚀性，需要特殊的防腐措施。
生产厂商必须配备防腐材料和设备，进行严格的操作控制和安全管理，以确保生产过程的安全
性。
以上是三氯氢硅的生产工艺的简要介绍。
具体的生产工艺可能还包括一些中间反应和纯化步骤，以上只是一个概述。
低压合成法制备三氯氢硅工艺概述
低压合成法制备三氯氢硅工艺概述作者：张文彪来源：《新材料产业》 2013年第8期文/ 张文彪东华工程科技股份有限公司当前，90%以上的多晶硅制备工艺使用改良西门子法，这种工艺仍在发展完善中，在未来相当长的时间内还将占据主流地位。
三氯氢硅（S i H C l3，英文缩写为TCS）是该工艺的一个重要原料，其制备工艺也得到了很大的发展，出现了3种不同的工艺方法：硅（S i）和氯化氢（H C l）的低压合成法、四氯化硅（S i C l4，英文缩写为S T C）氢化转化法和二氯二氢硅（S i H2C l2，英文缩写为D C S）转化法。
这3种工艺中只有低压合成法为从源头硅粉开始的相对独立的制备工艺，另外2种工艺都需要和其他工段结合，为配套转化工艺，侧重点不在于此。
低压合成法的优点为反应压力低、温度低、转换率高，由于目前国内还没有完全掌握大直径流化床制造工艺，而且工艺和设备还需要进一步的完善，因此该工艺方法还有很大的发展空间。
一、低压合成法工艺原理低压合成法制备TCS的原理就是氯化合成反应，氯化合成系统的作用是合成多晶硅的还原反应化学气相沉积（CVD）所需要的TCS，工艺流程图见图1所示。
以金属级硅粉和HCl气体为原料，通过在流化床内的氯化反应，合成目标产物。
其中会伴随副反应发生，从而伴生副产物产生，氯化单元会通过一系列的设备来纯化，以得到一定精度的粗三氯氢硅。
氯化单元的工艺机理主要为发生在流化床中的氯化反应，其主要反应方程式为：Si+3HCl→SiHCl3+H2反应过程中，由于副反应的存在，硅粉并未100%转化为T CS。
副反应产生的副产物主要有：T C S和H C l反应生成的STC和DCS；TCS自反应生成的乙硅烷类（Si-Si键）高沸点化合物。
二、低压合成法工艺流程简介以流化床为分界点来描述氯化单元的工艺流程。
进流化床以前主要是金属级硅粉和H C l气体2种反应物的制备和处理过程，而经过流化反应以后则为反应产物的分离和提纯过程。
三氯氢硅的工艺
三氯氢硅的工艺三氯氢硅的生产大多采用沸腾氯化法，主要包括氯化氢合成、三氯氢硅合成、三氯氢硅精制等工序。
氯气和氢气在氯化氢合成炉内通过燃烧反应生成氯化氢，氯化氢气体经空冷、水冷、深冷和酸雾捕集脱水后进人氯化氢缓冲罐，然后送三氯氢硅合成炉。
硅粉经过干燥后加入到三氯氢硅合成炉，与氯化氢在300℃左右的高温下反应，生成三氯氢硅和四氯化硅。
生成的粗三氯氢硅气体经过旋风分离和除尘过滤后，进入列管冷凝器进行水冷和深冷，不凝气通过液封送入尾气洗涤塔，处理后达标排放，冷凝液蒸馏塔分离提纯，通常采用二塔连续提纯，一塔塔顶排低沸物，二塔塔底排高沸物四氯化硅，同时塔顶出三氯氢硅产品。
第一节氯化氢合成工艺1.1氯化氢的性质氯化氢是无色有刺激性气体，熔点为-114.2℃，沸点为85℃，比热容为812.24J\kg℃，临界温度为51.28℃，临界压力为8266kPa。
干燥的氯化氢气体不具有酸的性质，化学性质不活泼，只有在高温下才发生反应。
氯化氢极易溶于水。
在标准情况下1体积水可溶解500体积氯化氢，溶于水后即得盐酸。
由于三氯氢硅生产主要需要氯化氢气体，所以本文对盐酸性质不做深入研究。
1.2 氯化氢合成条件氯化氢的合成是在特制的合成炉中进行的。
未了确保产品中不含有游离氯，氢气要较氯气过量15%~20%。
实际生产的炉中火焰温度在200℃左右。
由于反应是一个放热反应，为了不使反应温度过高，工业生产通过控制氯气和氢气的流量和在壁炉外夹套间通冷却水的办法控制氯化氢出炉温度小于350℃。
在生产中为确保安全生产，要求氢气纯度不小于98%和含氧不大于0.4%；氯气纯度不小于65%和含氢不大于3%。
1.3 氯化氢合成工艺氯化氢合成方程式：Cl2+H2→2HCl氯气经涡轮流量计计量氯气(氯气含量97%，压力为0.5MPa)含量进入氯气缓冲罐。
氢气经涡轮流量计计量氢气(含量98%，压力为0.09MPa)含量经分水罐脱水与循环氢经涡轮流量计进入氢气缓冲。
三氯氢硅合成工艺
三氯氢硅合成工艺三氯, 工艺三氯, 工艺三氯, 工艺-三氯氢硅合成系统原料硅粉用硅粉吊车提升至加料料斗的顶部，并将硅粉倒入硅粉干燥罐内。
硅粉干燥罐的装料为每8小时一次，每次约1800kg，装好后，通过硅粉干燥罐外部的电加热器加热至200℃左右进行干燥约2～3小时，干燥后备用。
硅粉每4小时一次自动由硅粉干燥罐放入安装于下方的硅粉加料罐，再放入下方的硅粉缓冲罐。
用安装于硅粉缓冲罐底部的旋转阀，将硅粉以一定的流量供入到三氯氢硅反应器中。
加料自动过程如下：当硅粉缓冲罐内的硅粉贮存量大约剩2小时用量时，给出一个信号，自动启动一个加料周期。
首先，打开硅粉加料罐进口阀门，当硅粉加料到量后，关闭进口阀门。
接下来就该置换，硅粉加料罐的氯化氢压力平衡阀关闭，放空阀开启。
一个加料周期结束，硅粉加料罐等待下一个加料过程。
表压0.5Mpa的氯化氢同时被送入硅粉加料罐和硅粉缓冲罐,以平衡硅粉装料设备和合成系统的压力。
同时，氯化氢通过底部的分布器连续进入三氯氢硅反应器和硅粉发生反应，生成三氯氢硅，同时生成四氯化硅、二氯二氢硅、金属氯化物、聚氯硅烷等副产物。
反应产物以汽气混合气的形式出合成炉顶，去除尘系统。
反应器下部区域压力为0.35～0.45Mpa，温度为290～330℃。
在反应过程中生成大量的热，由反应炉夹套内的冷却热水移出。
每台合成炉各有一套冷却系统。
该系统是一个封闭的回路：夹套水循环泵将热水送入三氯氢硅反应器夹套，移去反应热。
出夹套的水返回到夹套水罐,并从这里由夹套水循环泵打入夹套冷却器壳程用循环水冷却，重新送入三氯氢硅反应器夹套。
三氯氢硅反应器最初的加料，是将硅粉直接从硅粉干燥罐送入三氯氢硅反应器的喷板上。
当三氯氢硅反应器启动时，从三氯氢硅反应器底部供入热氮气流，对硅粉加热。
当用氮气对三氯氢硅反应器进行加热时，三氯氢硅反应器的废气（氮和硅尘）被送往硅粉干燥罐所配硅尘捕集器净化后放空。
当三氯氢硅反应器的温度达到350～450℃时，停止输送氮气，并开始在三氯氢硅反应器的下部输送经预热的氯化氢。
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４．１３宽峰
（１）流动相组成变化，重新制备新的流动相；（２） 流动相流速太低，调节流速；（３）漏液（特别是在柱子 和检测器之间）。检查接头是否松动、泵是否漏液、是
［４］Ｎｉｎａ Ｂａｄｄｅｎ，ｅｔ
Ａｅｒｏｇｒａｐｈ，１９７１．
ａ１．Ｂａｓｉｃ ｌｉｑｕｉｄ
ｃｈｒｏｍａｔｏｇｒａｐｈｙ［Ｍ］．Ｖａｒｉａｎ
［５］ＬＲ Ｓｎｙｄｅｒ，Ｊ．Ｊ．Ｋｉｒｋｌａｎｄ．Ｉｎｔｒｏｄｕｉｔｉｏｎ
ｔｏ
Ｍｏｄｅｒｎ
Ｌｉｑｕｉｄ
Ｃｈｒｏｍａｔｏｇｒａｐｈｙ山］．Ｎｅｗ Ｙｏｒｋ：Ｊｏｈｎ Ｗｉｌｅｙ＆Ｓｏｎｓ，１９７９．
Ｏｎ ｔｈｅ Ｈｉｇｈ－。Ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｈｒｏｍａｔｏｇｒａｐｈｙ
ＷＡＮＧ Ｙａｈ－ｒａｉｎ，ＬＩＵ Ｌｅｉ，ＳＨＥＮ Ｈｏｎｇ—ｆａｎｇ
三氯氢硅生产及工艺
张祖光
（河北唐山南堡开发区经济发展局，河北唐山０６３３０５）
［摘要］对三氯氢硅的市场情况进行了预测，简述了三氯氢硅的生产工艺，并对生产工艺中的危险性进行了分析，提出相应 的措施。 【关键词】三氯氢硅；有机硅：硅烷偶联剂 【中图分类号］ＴＱ
２６４．１
［文献标识码］Ｂ
［文章编号】１００３－５０９５（２００９）０８－００５３－０３
图１
２．２合成气干法分离工序
（下转第６６页）
万方数据
速。
否有盐析出以及不正常的噪音，如果必要更换密封； （４）保护柱污染或失效。更换保护柱；（５）色谱柱污染 或失效，塔板数较低。更换同样类型的色谱柱，如果新 柱子可以提供对称的色谱峰，则用强溶剂冲洗旧柱 子；（６）柱入口塌陷。打开柱入口，填补塌陷或更换柱 子；（７）柱温过低。提高柱温，除非特殊情况，温度不宜 超过７５℃。
０００
ｔ，预计
３６５
２０１０年用于太阳能电池的多晶硅将达到４
ｔ。国
内２００５年多晶硅产量只有１８０ ｔ左右，严重供不应 求。因此，国内在建和拟建项目合计产能约２０
０００ ｔ，
但是，中国目前并不掌握多晶硅生产的一流技术，因 此，供给能力将大大折扣。预计到２０１０年，我国多晶
硅拟建访盘能达到１６
左右。
０００
３ ＳｉＣｌ，＋２ Ｈ２＋Ｓｉ＝４
ＨＳｉＣｌ３
在实际工程中，～般将二者结合起来，工艺流程 见图ｌ～图５。
２．５氢化气干法分离工序
２．Ｉ三氯氢硅合成工段
■■Ｈ
甜～
图４
图５
ｌ合成气缓冲罐：２喷淋洗涤塔：３压缩机：４水冷却器：５氯化氢 吸收塔：６变温变压吸附器：７氢气缓冲罐：８加科泵：９氯化氢解析 塔；１０三氯氢硅合成储罐：１ｌ氢化分三氯氢硅储罐：１２第一精馏塔； １３第二精馏塔
料，将三氯氢硅与氯乙烯或氯丙烯进行合成、精馏提
纯，得到乙稀或丙烯基系列硅烷偶联剂产品。在正常 情况下，１ ｔ硅烷偶联剂产品需２ ｔ三氯氢硅。国内 对硅烷偶联剂产品的需求量增长很快。近年来，利用 硅烷偶联剂可水解基因的反应性，可使非交联树脂实 现交联固化或改性，并在玻纤、铸造、高级油漆、轮胎 橡胶等行业广泛应用，出口量和国内需求量较大。每 年有新建企业投产，老厂也纷纷扩大规模，对三氯氢 硅的需求量激增。２００５年我国硅烷偶联剂需求量
小，见效快，市场开发潜力大。因此，三氯氢硅是氯碱
下游产品中可规划的一个产值高、有发展前途的产 品。 １市场情况预测 三氯氢硅是合成有机硅的重要中间体，同时也是 制备半导体级多晶硅和太阳能电池级多晶硅的主要 原料。长期以来，由于我国多晶硅产能较小，因此三氯
［收稿日期］２００９—０３－０８ 【作者简介】张祖光（１９７７－），男，助理工程师，从事盐化工产 业的研究工作。
３ ７３０
图２ １合成气缓冲罐：２喷淋洗涤塔：３压缩机：４水冷却器：５氯化 氢吸收塔：６变鄙豳弼嗍器：７氢５磋窝中罐：８加料泵：９氯化氢解析塔
２．３氯硅烷分离提纯工序
ｔ，预计到２０１０年将达到６
３００
ｔ以上。
２工艺技术方案及流程 硅氢氯化法：该方法是用冶金级硅粉作原料，与
图３
氯化氢气体反应，使用铜或铁基催化剂，反应在
４．１４分离度降低
（１）流动相污染或变质（引起保留时间变化）。重 新配置流动相；（２）保护柱或分析柱阻塞。去掉保护柱 进行分析，如果必要则更换保护柱，如果分析柱阻塞， 可进行反冲，如果问题仍然存在色谱柱可能被强保留 的污染物损坏，建议使用恰当的再生程序，如果问题 仍然存在，进口可能阻塞了，更换入口处的筛板或更 换色谱柱。 ［参考文献］
２８０～３２０℃和Ｏ．０５～３ ＭＰａ下进行：
２ Ｓｉ＋ＨＣＩ＝ＨＳｉＣｌ３＋ＳｉＣＩ，＋３ ＳｉＨＣｌ３＋ＨＣＩ＝ＳｉＣＩ，＋Ｈ２
２．４四氯化．硅氢化工序
Ｈ２
四氯化硅氢化法：该反应为平衡反应，为提高三 氯氢硅的收率，优选在氯化氢存在下进行，原料采用 冶金级产品通过预活化除去表面的氧化物后，可进一 步提高三氯氢硅的收率。反应在温度３００～４００℃和 压力２～４ ＭＰａ下进行：
三氯氢硅又称三氯硅烷、硅氯仿，化学分子式为 ＳｉＨＣＩ。。因带有氢键和含氯较多，可与其他有机基因 反应形成一系列的有机硅产品，常用于有机硅烷和烷 基、芳基以及有机官能团氯硅烷的合成，是有机硅烷 偶联剂中最基本的单体，同时也是制备多晶硅的主要 原料。将三氯氢硅与氯乙烯或氯丙烯进行合成反应， 再经精馏提纯，得到乙烯基或丙烯基系列硅烷偶联剂 产品。硅烷偶联剂几乎可与任何一种材料交联，包括 热固性材料、热塑性材料、密封剂、橡胶、亲水性聚合 物以及无机材料等，在太阳能电池、玻璃纤维、增强树 脂、精密陶瓷纤维和光纤保护膜等方面扮演着重要角 色，并在这些行业中发挥着重要作用。四氯化硅是三 氯氢硅生产中的副产品，同样具有广阔的市场需求空 间。 我国有机硅工业是在近几年才有所发展。国内对 硅烷偶联剂产品的需求增长很快，每年均有新建企业 投产，老厂也纷纷扩大规模，有机硅产业的迅猛发展， 对三氯氢硅的需求量激增。而受技术条件等的限制， 目前国内三氯氢硅生产不能满足市场需求，产品呈现 供不应求的局面。 三氯氢硅是既消耗氯气又消耗氢气的产品，投资
万方数据
・５４・
河北化工
第８期
果显著、用途广泛等特点。硅烷偶联剂几乎可与任何
一种材料交联，包括热固性材料、热塑性材料、密封
剂、橡胶、亲水性聚合物以及无机材料等，在太阳能电 池、玻璃纤维、增强树脂、精密陶瓷纤维和光纤保护膜 等方面，偶联剂扮演一个重要角色，并在这些行业中 发挥着不可替代的重要作用。 三氯氢硅作为有机硅烷偶联剂重要的基础原材
管ｉ塑咝到制旆瑚护保养，防Ｉ Ｅ三氯氢硅泄漏。在生产中 要保持整个系统的密闭，用９９．９９％的氮气进行保护。 ３．２三氯氢硅贮罐的火灾危险性
ＳｉＨＣＩ。的贮罐如果发生泄漏，其危险性远远大于
回阀和阻火器。见妪应淀—｛、备用罐，紧急姗应将
万方数据
（Ｎｏｒｔｈ Ｃｈｉｎａ Ｐｈａｒｍａｃｅｕｔｉｃａｌ
Ｇｒｏｕｐ
ＡＩＮＯ
Ｃｏ．，Ｌｔｄ，Ｓｈｉｊｉａｚｈｕａｎｇ ０５２１６５，Ｃｈｉｎａ）
ｓｅｌｅｃｔｉｏｎ ａｎｄ
Ａｂｓ峨ｃｔ：Ｔｈｉｓ
ｐｒｏｂｌｅｍ
ａｒｅａｓ．
ｐａｐｅｒ
ｐｒｅｓｅｎｔｓ
ｔｈｅ ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓ ｏｆ ＨＰＬＣ．ｔｙｐｅ，ｓｅｐａｒａｔｉｏｎ ｍｅｔｈｏｄ ｏｆ
ｔ，需要三氯氢硅４０
０００ ｔ
有机硅是一种性能优异而独特的化工新型材料，
应用遍及国防、国民经济乃至人们日常生活的各个领 域，已发展成为技术密集、资金密集、附加值高、在国 民经济中占有一定地位的新型工业体系，并使相关行 业获得巨大的经济效益。我国有机硅工业的发展始于 ２０世纪５０年代初，到８０年代以后，尤其是进入９０ 年代，有机硅产品生产厂家遍及全国，有机硅产业正 在每年以３０％的增长速度迅猛发展。 有机硅产品大致分为硅油、硅橡胶、硅树脂、硅烷 偶联剂等四大类产品。其中，使用三氯氢硅为原料的 硅烷偶联剂产品具备品种多、结构复杂、用量少而效
氢硅主要用于有机硅橡胶偶联剂以及其他有机硅材 料，多晶硅的用量很小。 近几年，随着全球新能源替代和我国电子产业和 太阳能光伏产业迅猛发展，多晶硅市场需求出现爆炸 性增长，２００５年国内外多晶硅需求量约２．９万ｔ，到 ２０１０年半导体多晶硅和太阳能级多晶硅的总需求量 将达到６．３万ｔ。国外多晶硅的生产主要集中在美、 日、德三国７家生产企业，２００５年多晶硅产能２．８８ 万ｔ，开工率１００％。面对严重供不应求的市场，国际上 各大厂商均有扩产计划，国际市场的多晶硅供给量在． ２００８年翻倍增加，供需基本将实现平衡。 我国每年电子级多晶硅需求量３
ａｎａｌｙｓｉｓ ｏｆ
ｃｏｍｍｏｎ
Ｋｅｙ ｗｏｒｄｓ：ｆｅａｔｕｒｅｓ：ｔｙｐｅ：ｓｅｐａｒａｔｉｏｎ ｍｅｔｈｏｄ：ｐｒｏｂｌｅｍ ａｎａｌｙｓｉｓ
佘：‘卜！／小！石＼！／；、！—卜：‘卜！／≈！／；、！石＼！／：＼！／；＼！／佘：‘卜！石、！／≯：／乱！，≯！／小！／≯！，≯：／争！，≯！，≯！，仝！，≯！，仝！，仝！，≯！／斗：，≯！，；、！， （上接第５４页） ３生产工艺中危险性分析和防火防泄漏措施 ３．１三氯氢．硅合成的火灾危险性 工艺管道泄漏的危险性，因为其贮量大，一旦发生泄 漏，如果不及时堵漏，影响会不断扩大。贮罐区因为冷 却用水的需要，经常有水存在，泄漏的ＳｉＨＣＩ。遇水发 生反应，产生有毒的ＨＣＩ，向四周扩散，给抢险救援工 作带来困难。三氯氢硅的沸点较低，需在低温下储存， 三氯氢硅的贮罐设置低温保护装置和降温措施。由于 三氯氢硅有潜在的燃烧爆炸危险，所以它的贮罐应与 生产装置要有一定的防火间距，并且要设防火堤，降 温水的排放管道经过防火堤处要设闸阀。贮罐应设静 电接地装置和避雷装置。贮罐内的气相要与氮气系统相 连进行保护，贮罐的气相与外部连通的平衡管（放空 管）应与尾气回收系统相连，不能直接排空，并应设止 泄漏的贮罐内的物料转移至备用罐，防止大量泄漏。
［１］朱明华著．仪器分析（第三版）嘲．北京：高等教育出版设，２００２． 圈达世禄著．色谱学导论咖．武汉：武汉大学出版社，１９８８． ［３］Ｌ Ｒ斯奈德，Ｊ．Ｊ．柯克兰著，杨明彪等译．现代色谱法导论Ｄ０．化学