CVS_实验原理和分析过程
CVS 分析化学
CVS原理
▪ 上图为典型的槽液中测试获得伏安图。X轴为电压：从负到正。Y轴为电流 ▪ 沉积区域：金属从电极表面沉积，此时电流为负。电镀时间可以通过扫描
速率精确获得，电镀速率也可以从中导出。 ▪ 剥离区域：金属从电极表面剥离，此时电流为正。将金属剥离所需要的电
量以正电流面积来表示，面积的计算则通过积分获得，用mC来表示。剥离 金属和沉积金属的总量是一样，伏安图上正面积也和金属沉积的总量存在 一定的比例关系，可以通过计算剥离过程中的电流面积来表现镀铜量。
应用领域： ▪ 线路板(PCB)制造行业电镀添加剂分析，五金电镀添加剂分析 兼容药水： ▪ 国外主流药水厂商：罗门哈斯，安美特，麦特美，日本上村，美国乐思，
德国施罗德等。 ▪ 本地药水可以为客户提供合适的测试方法
CVSmart产品介绍
特点： ▪ 兼容市场上大部分的药水供应商 ▪ 便携式设计 ▪ 测试数据自动输出到EXCEL表格，便于保存。 ▪ 自建测试过程 ▪ 可以实现VMS自动添加和测试过程中自动添加有
了伏安曲线； ▪ 20世纪40年代以来主要采用特殊材料制备的固体电极进行伏安分析，结
合各种伏安技术进行微量分析、生化物质分析、活体分析 ；上个世纪80 年代开始此技术开始应用于电镀槽液测试和分析。
上图为典型的循环伏安获得信号曲线
CVS原理
▪ 循环伏安溶出分析（CVS）可以用于分析电镀溶液中的有机物，这个结果 也是基于槽内有机物在电镀中的反应。不管用户需要测试的是光亮剂，抑 制剂 或者其他，这些有机物都可以被电镀的速度所反映。
进样就可以实现从手动到半自动、全自动的分析系统。
MVA-11产品介绍
包含组件： ▪ CVS分析主机 ▪ 工作电极旋转驱动轴 ▪ 1mm玻璃Pt电极 ▪ Pt 辅助电极 ▪ 内参比电极 ▪ 参比电极外套 ▪ 10~90mL样品杯 ▪ 50~150mL样品杯 ▪ CVS操作软件
CVS分析仪
CVS分析仪CVS分析仪是一种广泛应用于医学领域的设备。
本文将介绍CVS 分析仪的工作原理、应用领域、优势以及未来发展前景。
CVS分析仪是一种能够自动分析和处理生物样品的仪器设备。
它采用了先进的光电技术和传感器，能对样本中的生物分子进行准确快速的检测和分析。
CVS分析仪可以应用于遗传疾病的筛查、药物治疗监测、感染性疾病的诊断等多个医学领域。
CVS分析仪的工作原理基于生物分子的特定性质。
在使用分析仪之前，首先需要收集样本，例如血液、尿液等。
接下来，样本将被放置在分析仪的样品槽内。
分析仪会通过光电技术对样本进行扫描和分析，然后根据设定的算法和标准，将结果进行分析和解读。
CVS分析仪的应用领域十分广泛。
首先，它可以应用于遗传疾病的筛查。
通过对样本中的DNA进行分析，可以检测出染色体异常和突变等遗传病变情况。
其次，CVS分析仪可以用于药物治疗监测。
例如，对于使用抗癌药物治疗的患者，通过监测其血液中药物的浓度，可以确定治疗是否有效。
此外，CVS分析仪还可以辅助感染性疾病的诊断。
通过对样本中的病原体进行分析，可以快速确定疾病的种类和病原体的耐药性。
CVS分析仪相比传统的手工检测方法具有许多优势。
首先，它的检测速度更快。
传统的实验室检测通常需要几个小时甚至更长时间来完成，而CVS分析仪能够在几分钟内完成分析。
其次，CVS分析仪的结果更加准确可靠。
它可以避免人为误差和实验操作的不一致性，提高了检测结果的可靠性。
此外，CVS分析仪还可以实现大规模并行分析，提高了样本处理的效率和成本效益。
CVS分析仪的未来发展前景非常广阔。
随着技术的不断进步，CVS 分析仪将会更加便携化和智能化。
未来的CVS分析仪可能会集成更多的传感器和功能模块，能够同时对多个生物标志物进行分析，并能够实时监测和跟踪疾病的进展。
此外，CVS分析仪还有望应用于更多的领域，如食品安全、环境监测等。
总之，CVS分析仪作为一种智能化的分析设备，具有广泛应用的潜力。
CVS使用说明
五,CVS中的TAG(标记)
项目快照(snapshot) 用TAG来跟踪项目的状态(事件)
file1 file2 file3 file4 file5 <-*- TAG
1.1 1.1 1.1 1.1 /--1.1* 1.2*- 1.2 1.2 -1.2*1.3 \- 1.3*- 1.3 / 1.3 1.4 \ 1.4 / 1.4 \-1.5*- 1.5 1.6
八,CVS运用实例
两种作业同时进行
分 支 ( Update 作 业 )
(分支顶端)
开发主线(新机种对应作业) TagA(主干稳定点)
八,CVS运用实例
分支的创建及合并的时机
分支达到稳定状态-合并
branchTagA branchTagB (分支稳定点) (分支稳定点)
分 支 ( Update 作 业 )
四,CVS C/S 连接的几种方式
使用pserver方式连接CVS Server
Server Side设置
/etc/services /etc/inetd.conf或/etc/xinetd.d/cvspserver cvsrepository/CVSROOT/passwd
Client Side设置
CVS应用简介
一,CVS的发展简介
CVS(Concurrent Versions System)是现在比较 常用的一种版本控制系统. CVS的产生是为了适应自由软件的发展,和对分布 式协同开发进行有效的版本管理的需要. 90年代初,CVS发展成基于网络平台的应用系统, 并随之被广泛运用. 现在cvs已经能在Windows,Unix,Linux等多种os上 使用,功能也不断完善,因此也成为当前最流行 的版本控制软件之一.
1CVS_基本原理
光亮剂分析
VMS – Cu electrolyte Suppressor concentrate Brightener standard
Metrohm Metrohm Metrohm
800 Dosino
800 Dosino
800 Dosino
50mL
VENT
2mL
VENT
2mL
VENT
797 VA Computrace
Metrohm
4. Sample determination
Suppressor concentrate Standard additions with brightener
-c(sample)
c [mL/L]
浓度计算
Q-Q(intercept) [C]
Q(2) Q(1) Q(bath)
-c(sample)
c [mL/L]
光亮剂分析
MLAT – Modified Linear Approximation Technique
• 1. 2. 3. 4. 5. 6.
分析过程
CVS – Cyclic Voltammetric Stripping
•Potential
U
•Resulting curve
I
20 mA
15 mA
10 mA
5 mA
0
-5 mA
t
0.0
0.5
1.0
1.5 U
CPVS – Cyclic Pulse Voltammetric Stripping •CVS •CPVS
CVS分析测试
CVS 分析测试注：5ml/L 的SF-M 中的基本成分相当于SF-BASE 6.7ml/L ；相当于SF-B 1.3ml/L ；相当于SF-A 5ml/L ；根据分析结果，光亮剂浓度不足时补给SF-B ；整平剂浓度不足时补给SF-A。
基本成分一般不会有问题，但严重不足时补给SF-BASE 。
SF-BASE 中含有和SF-M 同量的聚合物。
三．测定条件：四．分析相关试剂：五．分析顺序：①准备：1.1每次测试均需更换参比电极外液；参比电极内液每周更换一次。
更换时白色橡皮圈盖住大孔，露出小孔。
1.2把参比电极和铂金电极安装到测量头上。
②.活化取100ml VMS到100ml烧杯中，放在工作台上点选SF-Base{SHAPE \* MERGEFORMAT |condition勾选Number of scans(扫描次数)并输入所需扫描次数，一般在20-40 次左右；不勾选%StabilityStart Conditioning（开始活化）Exit(退出)③.分析校准因子SF-Base：DT法1. 1#位放置标准液，工作台放置盛纯水的废液杯，清洗1号加液管；1#位放置标准液，工作台放置100mlVMS，点选SF-BaseAnalyze（分析）Calibration（校准）选项选择1#位Calibrate（校准）Proceed（继续）Calibration factor（9~13ul/L）Abort(退出)2.分析标准液的Base浓度1#位放置标准液，工作台放置100mlVMS，点选SF-Base AnalyzeAnalysis选项添加量选择0.05mlAnalyze选择1#位Proceed得到标准液的Base浓度A Abort(退出)3.分析槽液的Base浓度1#位放置槽液，工作台放置盛纯水的废液杯，清洗1号加液管；1#位放置槽液，工作台放置100mlVMS，点选SF-BaseAnalyzeAnalysis选项添加量选择（分析值高则添加量选择小）0.035ml/0.05ml Analyee选择1#位Proceed得到槽液的Base浓度B Abort(退出)4.计算槽液的Base浓度槽液的Base浓度=6.7*B/A④.分析SF-B浓度SF-B：LAT法intercept 0.15~0.25；Contamination(有机污染值)：20uA工作台放置100mlVMS+0.5mlSF-Base点选SF-BAnalyzeMeasure new-ralueProceedSave1#位放置SF-B 10倍稀释液，工作台放置盛纯水的废液杯，清洗1#加液管；1#位放置SF-B 10倍稀释液，工作台放置盛90mlVMS+10ml标准液的100ml烧杯点选SF-BAnalyzeAnalyze选择1#位Proceed得到标准液中SF-B的浓度CSaveExit1#位放置SF-B 10倍稀释液，工作台放置盛90mlVMS+10ml槽液的100ml烧杯点选SF-BAnalyze选择1#位Proceed得到槽液中SF-B的浓度DSaveExit计算：槽液中SF-B的浓度=1.3D/C⑤.分析SF-A浓度SF-A：RC法检量线：Calibrate：15.47ml、11.39ml、9.008ml、7.312ml、6.144ml。
C-V测试基本原理
在任意偏压下，电荷仅位于半导体内， 且与临近氧化层的金属表面电荷量大小 相等，但极性相反
在前面已提到空间电荷电容Cd是栅压的 函数，那么栅压是如何影响半导体表面 从而影响Cd呢
下面就栅压的变化对半导体表面和电容的 变化做简要的说明
当V＜0时硅表面空穴累积，能带上弯，在 V＜＜0时，C=Cox
VFB’’=Qm/Cox=－Qox/Cox
结合以上两点，维持平带所需的电压为 VFB=VFB’+VFB’’= φms－Qox/Cox
SI-SIO2的四种电荷对CV特性的影响
可动电荷:主要包括Na+、K+，Na是一 种碱金属，很活跃，在SIO2生长过程中 及以后的处理中很容易受到沾污，而且 Na+在高温偏压下会发生漂移。当进入 SIO2后，将在SI表面感应负电荷，其效 果相当于在栅上加了一个正电压，使CV 曲线发生漂移
中新的界面态产生、Na、k沾污严重。脉冲瞬态MOS C-T测试
在栅上加一个阶跃信号，是半导体内部 处于深耗净非稳态（因为少子产生跟不 上阶跃信号）随着少子的产生，MOS电 容发生变化，最终趋于稳定值，根据达 到稳定的时间来计算少子的寿命。
其他： 界面陷阱密度测试 衬底杂质浓度分布 漏电测试
阱；
（3）在直流偏压下，无电流通过SIO2层，即 氧化层的电阻为无穷大
理想二极管原理将提供实际MOS器件的基础
qx为电子亲和力 qφm为金属功函数、 qφs为半导体功函数 功函数：逸出功，使一个电子脱离物质表面所需要的最小能量
● 金属半导体功函数差为零：根据理想MOS 管假设，功函数差为零：
qφms= qφm- qφs= qφm（qx+Eg/2+φf）=0
用CVS分析仪监控酸性电镀铜溶液
用CVS分析仪监控酸性电镀铜溶液胡文强;易家香;周仲承;王克军;杨盟辉;黄革【摘要】循环伏安剥离分析是目前印制线路板业界广泛采用的一种分析技术,其结果可以作为离线或在线添加有机添加剂的依据,保障镀液的品质.本文对电镀铜中的有机添加剂和CVS技术的电化学原理进行了介绍,对运用CVS分析仪测试电镀添加剂浓度的方法和步骤进行了介绍,介绍了两则运用CVS分析仪分析调整电镀铜镀液的实例.【期刊名称】《印制电路信息》【年(卷),期】2013(000)001【总页数】3页(P27-29)【关键词】循环伏安剥离分析仪;有机添加剂;酸性镀铜液;抑制剂;光亮剂【作者】胡文强;易家香;周仲承;王克军;杨盟辉;黄革【作者单位】中南电子化学材料所,湖北武汉430070;中南电子化学材料所,湖北武汉430070;中南电子化学材料所,湖北武汉430070;中南电子化学材料所,湖北武汉430070;中南电子化学材料所,湖北武汉430070;中南电子化学材料所,湖北武汉430070【正文语种】中文【中图分类】T-1;TN41酸性电镀铜镀液的基本成分包括H2SO4、Cu2+、Cl-和有机添加剂等：前三种物质可以通过化学分析的方法对其含量进行监测和管控；而有机添加剂多为聚合物，其含量难以通过简单的化学分析的方法进行确定。
在早先的操作中，一向以一种基于操作经验为主的霍尔槽（Hull）实验的方法，做为管理与添加的工具。
但由于此种方法仅能提供酸性电镀铜镀液中有机添加剂整体效果的定性参考，而不能提供有效的定量信息，且此种方法依赖于操作人员的实践经验，由不同的人员操作，结果可能相差较大，无法准确地对镀铜液中的有机添加剂进行监控和添加。
CVS （Cyclic Voltammetric Stripping，循环伏安剥离）分析仪能够精确地测定镀液中有机添加剂的浓度[1]，让操作者可随时监测镀液中各种有机添加剂的浓度，以确保电镀液的使用效果，因此，CVS技术在半导体以及印制电路板行业得到了广泛采用。
CVS
ＣＶＳ技术在监控电镀铜槽液的运用摘要：介绍CVS 技术在监控电镀铜槽液有机添加剂的运用。
本文首先将对电镀铜中的有机添加剂和CVS 技术的电化学原理进行解说，然后对CVS分析仪对有机添加剂浓度进行测量的原理和CVS中有机添加剂程序的创建进行介绍，最后简要介绍CVS在有机添加剂来料查验、镀液污染值、碳处理情况等监控方面的运用，希望此文章能够对CVS化验分析人员对此仪器有更深一步的了解。
关键词: 有机添加剂酸性镀铜液 CVS分析仪电位The application of the CVS technology to monitor copper plating bath——Qiongli Fu BAIKAL CHEMICALS INC. Abstract: To introduce the CVS technology in the monitoring of organic additives of copper plating bath .Firstly, this article will explain the organic additives of copper plating and the electrochemical principle on CVS techniques.Secondly,the principle of CVS analyzer to measure the concentration of organic additives and the creation of procedure in CVS analyzer are introduced.Finally,it will briefly introduce the application of CVS analyzer to monitor the organic additive incoming inspection, bath pollution value, carbon treatment process. I hope this article will help analysiser to understand the equipment more.Key words: organic additives ,Acid copper plating bath , CVS analyzer , Potential一、引言众所周知酸性电镀铜槽液中的基本成分有Cu2+、SO42-、Cl-和有机添加剂，前三种成分可通过化学分析对其进行管控；至于有机添加剂的分析，早先一向以经验导向的HULL-CELL试镀片，做为管理与添加的工具。
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CVS使用流程
一、电极维护
电极轴维护每周洗耳球吹扫两面通气孔
参比电极-RE
6.0728.030
填充3mol/L KCL 每周更换2~3次6. 1245.010
填充1mol/L硝酸钾每天更换
避免气泡，会造成意外镀铜
更换内参比需要1小时左右稳定时间
二、打开系统
打开仪器电源
电源
30s左右完成自检
打开软件
双击桌面软件图标
点击进入软件主窗口
三、Condition活化电极
加入VMS
Prep Dosino1#
点击
点击Prep on清洗
Dosing unit/ 两次
调入方法
点击
打开调入方法Conditioning in Cu VMS
点击Monitor--Start
活化电极
扫描重复性达到0.5%自动完成
清洗干净电极和测量杯
记录Condition 值,
单位mC ，相对稳定
四、抑制剂分析
抑制剂分析原理
DT –Dilution Titration
DT –Dilution Titration
•测量抑制剂suppressors
•分为两个过程
1.用抑制剂标样做校正曲线
2.样品测定
•只能采用CVS模式
0.5
DT –抑制剂suppressor校正
Z：校正因子，记
录每次相对稳定
DT –槽液中Suppressor测定
C:结果
操作过程---校正曲线
调入方法
点击
打开调入方法
校正曲线：Cupracid UC Calibration Curve
放置VMS 和抑制剂标样
Dosino 1Dosino 2Dosino
3
MSB port
#1#2#3
溶液VMS 抑制剂
标样
Prep Dosino1#、3#
点击
点击Prep on清洗
Dosing unit/ 两次
查看Dosino设置
激活Dosino加液
查看Dosino加液设置
查看Dosino设置
点击Monitor—Start
Dosino1#自动加入100mL VMS
电极活化得到稳定的AR0
纯VMS Cu 溶出峰的电量值被记录用作100%值(Q0) Dosino3将自动加入几次预设体积电镀液样品，至Q/Q(0)的比低于0.45。
建议10到15次加液达到评估值软件自动计算校正因子Z
操作过程---样品测试
调入方法
点击
打开调入方法
样品测试：Cupracid UC leveller sample
放置VMS 和抑制剂样品
Dosino 1Dosino 2Dosino 3MSB port
#1#2#3溶液VMS 抑制剂
样品
Prep Dosino1#、3#
点击
点击Prep on清洗
Dosing unit/ 两次
Edit Parameters
编辑具体参数
修改添加量
调用校正曲线
做校正曲线时不得修改样品名
点击Monitor—Start
Dosino1#自动加入100mL VMS
电极活化得到稳定的AR0
纯VMS Cu 溶出峰的电量值被记录用作100%值(Q0) Dosino3将自动加入几次预设体积电镀液样品，至Q/Q(0)的比低于0.45。
建议5到10次加液达到评估值软件自动计算结果
五、光亮剂分析
光亮剂分析原理MLAT 方式
Determination
光亮剂影响
c(brightener)
Q -Q (I n t e r c e p t )
线性范围
Determination of Brightener
结果
浓度计算
-c(sample)
Q [C] c [mL/L]
Q(bath)
Q(2)
Q(intercept)Q(1)
Q-Q(intercept) [C]
c [mL/L]
-c(sample)
Q(bath)Q(2)
Q(1)
浓度计算
操作过程
放置VMS 和方法要求抑制剂光亮剂溶液
Dosino 1Dosino 2Dosino
3
MSB port
#1#2#3
溶液VMS 光亮剂抑制剂
调入方法
点击
Prep Dosino1#、2#、3#
点击
点击Prep on清洗
Dosing unit/ 两次
查看Dosino设置
激活Dosino加液
查看Dosino设置。