集合练习题集

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一、选择题(每题5分,共计:50分) 1、下列四个条件:①不超过

7

22

的正有理数;②与1非常接近的实数;③平方等于自身的数;

④《西游记》中唐僧的三个徒弟。 其中能够组成一个集合的是( ) (A )①②③ (B )①③④ (C )②③④ (D )①②④

2、若集合A={x ∈R|ax 2

+ax+1=0}其中只有一个元素,则a=( )

A.4

B.2

C.0

D.0或4

3、定义集合运算:A ⊙B ={z ︳z = xy (x+y ),x ∈A ,y ∈B },设集合A={0,1},B={2,3},则集合A ⊙B 的所有元素之和为( )

(A )0 (B )6 (C )12 (D )18 4.已知全集U=R ,则正确表示集合M={—1,0,1}和N={x 20x x +=关系的韦恩(V enn )图是( )

A .

B .

C .

D .

5.集合A=,B=,则=( )

(A ) (B ) (C ) (D ) 6、已知集合A =

{1.3.

},B ={1,m} ,A

B =A, 则m=( )

A 0

B 0或3

C 1

D 1或3

7

、函数()f x =的定义域为( )

(A)[2,0)

- (B)(1,0)(0,2]- (C)[2,2]- (D)(1,2]- 8、 下列函数中,哪一个与函数y=x+1相等( )

A. ()1f x x =+

B. ()f x =

C.

()f x = D .()x f x x 2-1

=-1

9、设1,0,

()0,0,1,0.

x f x x x >??

==??-

,???=是无理数为有理数,x x x g ,01)(,则f(g(π))的值为( )

A 1

B 0

C -1

D .π 10.已知函数,,若

,则

( )

A . 1 B. 2 C. 3 D. -1

二、填空题(每题5分,共计25分)

11

则f 的值为

;当[(g

f

.12.已知函数的图像过点(-1,4),则a = .

13.设若,则a 的取值范围为________.

{}|12x x -≤≤{}|1x x <()R A C B ?{}|1x x >{}|1x x ≥{}|12x x <≤{}|12x x ≤≤()3

2f x ax x =-?

??+∞∈-∞∈=),,[,),

,(,)(2a x x a x x x f 4)2(=f

14. (2012广东文) 函数y x

=

的定义域为 . 15.函数y= - 的定义域为R,则k 的取值范围是 . 三、(简答题,共计75分)

16.(12分)已知集合A={x ∈R|ax 2

-4x+2=0,a ∈R}中至多有一个元素,求实数a 的取值范围。

17.(12分)若集合}04|{2=+-=m x x x A ,集合{}1,2B =,且A B ?,求实数m 的取值范围.

18. (12分)设集合A={x|x 2+4x=0},B={x|x 2+2(a+1)x+a 2-1=0}. (1)若B ?A ,求实数a 的取值范围; (2)若A ?B ,求实数a 的值.

19、(13分).设集合A={x|2x 2+ax+2=0},B={x|x 2+3x+2a=0},且A ∩B={2}. (1)求a 的值及集合A ,B ;

(2设全集U=A ∪B ,求(U A )∪(U B ).

21. (13分)已知函数f (x )=

- - . (1)求函数的定义域; (2)求f (-1),f (12)的值

22. (13分)已知二次函数f(x)与g(x)的图象开口大小相同,开口方向也相同,且g(x)=-2x2-x-2,f(x)图象的对称轴为直线x=-1,且过点(0,6). (1)求函数y=f(x)的解析式;

(2)求函数y=f(x)在[-2,3]上的值域.

金工实习思考题和习题集

金工实习思考题和习题集 吉林农业大学机制教研室、实习工厂 2006年5月9日

目录 金工实习复习思考题 .钳工复习思考题 .车工复习思考题 .刨工复习思考题 .铣工复习思考题 .磨工复习思考题 .铸造复习思考题 .锻压复习思考题 .焊接复习思考题

钳工复习思考题 l、钳工工作的性质与特点?它包括哪些基本操作? 2、什么是划线基准?选择划线基准的原则是什么? 3、划线的目的是什么? 4、划线工具有哪些?划线工具有几类? 5、錾子一般用什么材料制造?刃口和头部硬度为什么不一样? 6、粗、中、细齿锯条如何区分?怎样正确选用锯条? 7、锯齿的前角、楔角、后角各约多少度?锯条反装后,这些角度有什么变化?对锯割有什么影响? 8、锉刀的构造?锉刀的种类有哪些?根据什么原则选择锉刀的齿纹粗细、大小和截面形状? 9平面锉削时常用的方法有哪几种?各种方法适用于哪种场合?锉削外圆弧面有哪两种操作方法? 10、麻花钻的构造及各组成部分的作用? 11、钻头有哪几个主要角度?标准顶角是多少度? 12、钻孔时,选择转速和进给量的原则是什么? 13、钻孔、扩孔和铰孔三者各应用在什么场合? 14、什么叫攻螺纹?什么叫套螺纹?试简述丝维和板牙的构造? 15、攻螺纹前的底孔直径如何确定?套螺纹前的圆杆直径如何确定? 16刮削有什么特点和用途?刮削工具有哪些?如何正确使用? 17、怎样检验刮削后的刮削质量? 18、钳工常用錾子分哪几种?錾子的握法分哪几种? 19、研磨的特点? 2O、为什么套螺纹前要检查圆杆直径?圆杆直径大小应怎样确定?为什么圆杆要倒角? 21、铰孔后,绞刀退刀时应 ---------。( 1、正转; 2、反转; 3不转) 22、在某40钢制工件上欲加工一螺纹盲孔,尺寸为M12×1深30mm,应钻底孔直

数字集成电路设计_笔记归纳..

第三章、器件 一、超深亚微米工艺条件下MOS 管主要二阶效应: 1、速度饱和效应:主要出现在短沟道NMOS 管,PMOS 速度饱和效应不显著。主要原因是 TH G S V V -太大。在沟道电场强度不高时载流子速度正比于电场强度(μξν=) ,即载流子迁移率是常数。但在电场强度很高时载流子的速度将由于散射效应而趋于饱和,不再随电场 强度的增加而线性增加。此时近似表达式为:μξυ=(c ξξ<),c s a t μξυυ==(c ξξ≥) ,出现饱和速度时的漏源电压D SAT V 是一个常数。线性区的电流公式不变,但一旦达到DSAT V ,电流即可饱和,此时DS I 与GS V 成线性关系(不再是低压时的平方关系)。 2、Latch-up 效应:由于单阱工艺的NPNP 结构,可能会出现VDD 到VSS 的短路大电流。 正反馈机制:PNP 微正向导通,射集电流反馈入NPN 的基极,电流放大后又反馈到PNP 的基极,再次放大加剧导通。 克服的方法:1、减少阱/衬底的寄生电阻,从而减少馈入基极的电流,于是削弱了正反馈。 2、保护环。 3、短沟道效应:在沟道较长时,沟道耗尽区主要来自MOS 场效应,而当沟道较短时,漏衬结(反偏)、源衬结的耗尽区将不可忽略,即栅下的一部分区域已被耗尽,只需要一个较小的阈值电压就足以引起强反型。所以短沟时VT 随L 的减小而减小。 此外,提高漏源电压可以得到类似的效应,短沟时VT 随VDS 增加而减小,因为这增加了反偏漏衬结耗尽区的宽度。这一效应被称为漏端感应源端势垒降低。

4、漏端感应源端势垒降低(DIBL): VDS增加会使源端势垒下降,沟道长度缩短会使源端势垒下降。VDS很大时反偏漏衬结击穿,漏源穿通,将不受栅压控制。 5、亚阈值效应(弱反型导通):当电压低于阈值电压时MOS管已部分导通。不存在导电沟道时源(n+)体(p)漏(n+)三端实际上形成了一个寄生的双极性晶体管。一般希望该效应越小越好,尤其在依靠电荷在电容上存储的动态电路,因为其工作会受亚阈值漏电的严重影响。 绝缘体上硅(SOI) 6、沟长调制:长沟器件:沟道夹断饱和;短沟器件:载流子速度饱和。 7、热载流子效应:由于器件发展过程中,电压降低的幅度不及器件尺寸,导致电场强度提高,使得电子速度增加。漏端强电场一方面引起高能热电子与晶格碰撞产生电子空穴对,从而形成衬底电流,另一方面使电子隧穿到栅氧中,形成栅电流并改变阈值电压。 影响:1、使器件参数变差,引起长期的可靠性问题,可能导致器件失效。2、衬底电流会引入噪声、Latch-up、和动态节点漏电。 解决:LDD(轻掺杂漏):在漏源区和沟道间加一段电阻率较高的轻掺杂n-区。缺点是使器件跨导和IDS减小。 8、体效应:衬底偏置体效应、衬底电流感应体效应(衬底电流在衬底电阻上的压降造成衬偏电压)。 二、MOSFET器件模型 1、目的、意义:减少设计时间和制造成本。 2、要求:精确;有物理基础;可扩展性,能预测不同尺寸器件性能;高效率性,减少迭代次数和模拟时间 3、结构电阻:沟道等效电阻、寄生电阻 4、结构电容: 三、特征尺寸缩小 目的:1、尺寸更小;2、速度更快;3、功耗更低;4、成本更低、 方式: 1、恒场律(全比例缩小),理想模型,尺寸和电压按统一比例缩小。 优点:提高了集成密度 未改善:功率密度。 问题:1、电流密度增加;2、VTH小使得抗干扰能力差;3、电源电压标准改变带来不便;4、漏源耗尽层宽度不按比例缩小。 2、恒压律,目前最普遍,仅尺寸缩小,电压保持不变。 优点:1、电源电压不变;2、提高了集成密度 问题:1、电流密度、功率密度极大增加;2、功耗增加;3、沟道电场增加,将产生热载流子效应、速度饱和效应等负面效应;4、衬底浓度的增加使PN结寄生电容增加,速度下降。 3、一般化缩小,对今天最实用,尺寸和电压按不同比例缩小。 限制因素:长期使用的可靠性、载流子的极限速度、功耗。

《集成电路原理及应用》课后答案..

集成电路原理及应用(第2版)谭博学苗汇静主编 课后习题答案 第二章 模拟集成电路的线性应用 对 A 2 :由"虚断”和"虚短”得 i 3=i 4, v 2_=v 2 - =u i2, 代入 U o1 得U 。哙呱…), 2.11 求图3所示电路的增益A f ,并说明该电路完成什么功能 则 u i1 = U 01 R 1 R 2 R 2 R 1 ,即 u o-(1 K )u i1 , 则 U 。1 -U i2 R 3 U i2 -U o R 4 R 3 因两个输入信号均从同相端输入, 所以输入阻抗比较高。该电路为高输入阻抗的差动放 2.9 试分析图1所示电路是什么电路,有何特点?图中设 解:第一级运放为同相放大器。对 A 1 :由"虚断”和"虚短”得 i 1 =i 2, v^=v 1. =u , 1)U i2 - U o1

解:该电路由两个集成运放构成, A1为主放大器接成反相运算放大器, A2为辅助放大器, A2也接成反相放大器,利用 A2对A1构成正反馈,是整个电路向信号源索取的电流极少。 主放大器A 1 :由“虚断”和“虚短”得 R i U i I i u i 01 u 。 R 2 R i R 2 u i u i 辅助放大器A2的电压放大倍数: o2 u o2 2R 1 该电路为自举电路, U i U i U i R i I i I i - I R 2 R 2 U i U i u i2 u 。 R 2 目的是提高电路的输入电阻。 2R 得 U^2U i RR

当 R = R 1 时,R t 2.12 求图4所示电路输出电压与输入电压的表达式,并说明该电路完成什么 功能 i1 -u o1 ,即u o1 =-u i1 。A 1为倒相器 解:对A 1 :由

思考题集

第六章电力系统的无功功率和电压调整 1)无功功率电源有哪些?哪些可以平滑调节? 无功功率电源:发电机、电容器、调相机、静止补偿器。 可以平滑调节:调相机、静止补偿器 2)限制冲击负荷电压波动的措施是什么? (a)设置串联电容器、(b)设置调相机和电抗器、(c)设置静止补偿器 3)什么是电力系统的逆调压、顺调压、常调压? 逆调压:在高峰负荷时升高中枢点电压、低谷负荷时降低中枢点电压的电压调整方式。 在高峰负荷时将中枢点电压升高至105%UN,低谷负荷时将中枢点电压降为额定电压UN。顺调压:在高峰负荷时允许中枢点电压略低,而低谷负荷时却允许中枢点电压略高的调压方式。 采用顺调压,高峰负荷时中枢点电压允许不低于102.5%U N,低谷负荷时中枢点电压允许不高于107.5%U N。 常调压:任何负荷下保持中枢点电压为一基本不变的数值。 适用于负荷变动小、线路上电压损耗小的情况。常调压方式,电压保持为(102%-105%)U N。4)选择变压器分接头进行调压的特点是什么? 系统中无功功率必须充足才有效,否则必须用其他措施;不需要附加设备。 5)电力系统的电压调节有几种主要措施? 借改变发电机端电压调压;借改变变压器变比调压;借补偿设备调压;组合调压。 第五章电力系统的有功功率和频率调节 (1)负荷变动规律有几种,如何调整? 有功负荷随时间变动规律分解为三种。 第一种变动:幅度小、周期短。无法预测(随机),靠发电机调速器调整,称一次调整。自动进行。 第二种变动:幅度较大、周期较长。冲击性负荷。靠发电机调频器调整,称二次调整。可手动、自动。 第三种变动:幅度最大、周期最长。可预测,生产、生活引起,称三次调整。优化分配负

常用集成电路的型号及功能说明

型号功能 ACP2371NI 多制式数字音频信号处理电路ACVP2205 梳状滤波、视频信号处理电路 AN5071 波段转换控制电路 AN5195K 子图像信号处理电路 AN5265 伴音功率放大电路 AN5274 伴音功率放大电路 AN5285K 伴音前置放大电路 AN5342K 图像水平轮廓校正、扫描速度调制电路AN5348K AI信号处理电路 AN5521 场扫描输出电路 AN5551 枕形失真校正电路 AN5560 50/60Hz场频自动识别电路 AN5612 色差、基色信号变换电路 AN5836 双声道前置放大及控制电路 AN5858K TV/AV切换电路 AN5862K(AN5862S) 视频模拟开关 AN5891K 音频信号处理电路 AT24C02 2线电可擦、可编程只读存储器 AT24C04 2线电可擦、可编程只读存储器 AT24C08 2线电可擦、可编程只读存储器 ATQ203 扬声器切换继电器电路 BA3880S 高分辨率音频信号处理电路 BA3884S 高分辨率音频信号处理电路 BA4558N 双运算放大器 BA7604N 梳状切换开关电路 BU9252S 8bitA/D转换电路 CAT24C16 2线电可擦、可编程只读存储器 CCU-FDTV 微处理器 CCU-FDTV-06 微处理器 CD54573A/CD54573CS 波段转换控制电路 CH0403-5H61 微处理器 CH04801-5F43 微处理器 CH05001(PCA84C841) 微处理器 CH05002 微处理器 CH7001C 数字NTSC/PAL编码电路 CHT0406 微处理器 CHT0803(TMP87CP38N*) 8bit微处理器 CHT0807(TMP87CP38N) 8bit微处理器 CHT0808(TMP87CP38N) 8bit微处理器 CHT0818 微处理器 CKP1003C 微处理器 CKP1004S(TMP87CK38N) 微处理器 CKP1006S(TMP87CH38N) 微处理器

集成电路工艺原理(考试题目与答案_广工版)

1、将硅单晶棒制成硅片的过程包括哪些工艺? 答:包括:切断、滚磨、定晶向、切片、倒角、研磨、腐蚀、抛光、清洗、检验。 2、切片可决定晶片的哪四个参数/ 答:切片决定了硅片的四个重要参数:晶向、厚度、斜度、翘度和平行度。 3、硅单晶研磨清洗的重要性。 答:硅片清洗的重要性:硅片表面层原子因垂直切片方向的化学键被破坏成为悬挂键,形成表面附近的自由力场,极易吸附各种杂质,如颗粒、有机杂质、无机杂质、金属离子等,造成磨片后的硅片易发生变花发蓝发黑等现象,导致低击穿、管道击穿、光刻产生针孔,金属离子和原子易造成pn结软击穿,漏电流增加,严重影响器件性能与成品率 45、什么是低K材料? 答:低K材料:介电常数比SiO2低的介质材料 46、与Al 布线相比,Cu 布线有何优点? 答:铜作为互连材料,其抗电迁移性能比铝好,电阻率低,可以减小引线的宽度和厚度,从而减小分布电容。 4、硅片表面吸附杂质的存在状态有哪些?清洗顺序? 答:被吸附杂质的存在状态:分子型、离子型、原子型 清洗顺序:去分子-去离子-去原子-去离子水冲洗-烘干、甩干 5、硅片研磨及清洗后为什么要进行化学腐蚀,腐蚀的方法有哪些? 答:工序目的:去除表面因加工应力而形成的损伤层及污染 腐蚀方式:喷淋及浸泡 6、CMP(CMP-chemical mechanical polishing)包括哪些过程? 答:包括:边缘抛光:分散应力,减少微裂纹,降低位错排与滑移线,降低因碰撞而产生碎片的机会。表面抛光:粗抛光,细抛光,精抛光 7、SiO2按结构特点分为哪些类型?热氧化生长的SiO2属于哪一类? 答:二氧化硅按结构特点可将其分为结晶形跟非结晶形,热氧化生长的SiO2为非结晶态。 8、何谓掺杂? 答:在一种材料(基质)中,掺入少量其他元素或化合物,以使材料(基质)产生特定的电学、磁学和光学性能,从而具有实际应用价值或特定用途的过程称为掺杂。 9、何谓桥键氧,非桥键氧?它们对SiO2密度有何影响? 答:连接两个Si—O四面体的氧原子称桥联氧原子,只与一个四面体连接的氧原子称非桥联氧原子。桥联的氧原子数目越多,网络结合越紧密,反之则越疏松 10、氧化硅的主要作用有哪些? 答:1、作为掩膜,2、作为芯片的钙化和保护膜,3、作为电隔离膜,4、作为元器件的组成部分。 11、SiO2中杂质有哪些类型? 答:替代式杂质、间隙式杂质 12、热氧化工艺有哪些? 答:有干氧氧化、湿氧氧化、水汽氧化 13、影响氧化速率的因素有? 答:温度、气体分压、硅晶向、掺杂 14、影响热氧化层电性的电荷来源有哪些类型?降低这些电荷浓度的措施? 答:1)可动离子电荷(Qm):加强工艺卫生方可以避免Na+沾污;也可采用掺氯氧化,固定Na+离子;高纯试剂 2)固定离子电荷Qf :(1)采用干氧氧化方法(2)氧化后,高温惰性气体中退火

半导体集成电路习题及答案

第1章 集成电路的基本制造工艺 1.6 一般TTL 集成电路与集成运算放大器电路在选择外延层电阻率上有何区别?为什么? 答:集成运算放大器电路的外延层电阻率比一般TTL 集成电路的外延层电阻率高。 第2章 集成电路中的晶体管及其寄生效应 复 习 思 考 题 2.2 利用截锥体电阻公式,计算TTL “与非”门输出管的CS r 2.2 所示。 提示:先求截锥体的高度 up BL epi mc jc epi T x x T T -----= 然后利用公式: b a a b WL T r c -? = /ln 1ρ , 2 1 2?? =--BL C E BL S C W L R r b a a b WL T r c -? = /ln 3ρ 321C C C CS r r r r ++= 注意:在计算W 、L 时, 应考虑横向扩散。 2.3 伴随一个横向PNP 器件产生两个寄生的PNP 晶体管,试问当横向PNP 器件在4种可能 的偏置情况下,哪一种偏置会使得寄生晶体管的影响最大? 答:当横向PNP 管处于饱和状态时,会使得寄生晶体管的影响最大。 2.8 试设计一个单基极、单发射极和单集电极的输出晶体管,要求其在20mA 的电流负载下 ,OL V ≤0.4V ,请在坐标纸上放大500倍画出其版图。给出设计条件如下: 答: 解题思路 ⑴由0I 、α求有效发射区周长Eeff L ; ⑵由设计条件画图 ①先画发射区引线孔; ②由孔四边各距A D 画出发射区扩散孔; ③由A D 先画出基区扩散孔的三边; ④由B E D -画出基区引线孔; ⑤由A D 画出基区扩散孔的另一边;

⑥由A D 先画出外延岛的三边; ⑦由C B D -画出集电极接触孔; ⑧由A D 画出外延岛的另一边; ⑨由I d 画出隔离槽的四周; ⑩验证所画晶体管的CS r 是否满足V V OL 4.0≤的条件,若不满足,则要对所作 的图进行修正,直至满足V V OL 4.0≤的条件。(CS C OL r I V V 00 ES += 及己知 V V C 05.00ES =) 第3章 集成电路中的无源元件 复 习 思 考 题 3.3 设计一个4k Ω的基区扩散电阻及其版图。 试求: (1) 可取的电阻最小线宽min R W =?你取多少? 答:12μm (2) 粗估一下电阻长度,根据隔离框面积该电阻至少要几个弯头? 答:一个弯头 第4章 晶体管 (TTL)电路 复 习 思 考 题 4.4 某个TTL 与非门的输出低电平测试结果为 OL V =1V 。试问这个器件合格吗?上 机使用时有什么问题? 答:不合格。 4.5 试分析图题4.5所示STTL 电路在导通态和截止态时各节点的电压和电流,假定各管的 β=20, BEF V 和一般NPN 管相同, BCF V =0.55V , CES V =0.4~0.5V , 1 CES V =0.1~0.2V 。 答:(1)导通态(输出为低电平) V V B 1.21= , V V B 55.12= ,V V B 2.13= ,V V B 5.04= ,V V B 8.05= ,

三年级上册思考题集有答案

三年级上册思考题集有 答案 集团文件版本号:(M928-T898-M248-WU2669-I2896-DQ586-M1988)

(1)相邻两棵树之间的距离相等,小红从第一棵跑到第16棵树,共跑了150米,小华从第7棵树跑到第29棵树,小华共跑了多少米。 答案: 从第1棵跑到第16棵实际跑15个“株距”(相邻两棵树之间的距离),所以: (1)两棵树之间的距离: 150÷(16-1)=10(米) (2)从第7棵树跑到第29棵树: 10×(29-7)=220(米) 答:小华共跑了220米。 (2)下面算式中的“数”、“学”、“俱”、“乐”、“部”这五个汉字各应该代表什么数字? 1 数学俱乐部 × 3 数学俱乐部 1 数=()学=()俱=()乐=()部=() 答案: 从个位上看,3乘一个数积出现1的只有3×7=21,所以部=7,向十位进2,十位上“乐×3+2”的结果出现7,乐=5; 向百位进1,百位上“俱×3+1“的结果出现5,俱=8;向千位进2,千位上“学×3+2”结果出现8,学=2;万位上“数×3”结果是2,数=4;向十万位进1,刚好十万位上“1×3+1=4”,符合题目要求。因此: 数=( 4)学=( 2)俱=( 8)乐=( 5)部=(7)(3)小红剪一个窗花要4分钟,每剪好一个后,她会休息1分钟,她剪好10个窗花要用多长时间?

答案: 每剪一个窗花加休息需要(4+1)分钟,但第10个窗花剪好后结束就完成任务了,所以第10个窗花不用算休息时间,所以: 方法一:每个窗花加休息: 4+1=5(分钟) 一共: 5×9+4=49(分钟)方法二:剪10个窗花 4×10=40(分钟) 一共(需要休息9次): 40+9=49(分钟) 方法三:每个窗花加休息: 4+1=5(分钟) 10个窗花一共: 5×10=50(分钟) 最后一个窗花不用休息: 50-1=49(分钟) (4)四(1)班有49本书,分给三个小组,第一组比第二组多4本,第二组比第三组多6本,第三组分得()本。 答案: 三组”了,这样除以3就能知道第三组有多少本。 49-(6+4)-6=33(本) 33÷3=11(本) (5)有五个人,每两个人通一次电话,一共要通 ( (6)王老师带了32个同学一起玩激流勇进,每条船最多坐4人,至少要租多少条船?

集成电路功能

M11B416256A 存储集成电路 M1418VVW 微处理集成电路 M2063SP 制式转换集成电路 M208 系统控制集成电路 M24C08 存储集成电路 M24C128-WMN6 存储集成电路 M27V201-200N6 中文字库集成电路 M28F101AVPAD 存储集成电路 M3004LAB1 红外遥控信号发射集成电路M32L1632512A 存储集成电路 M34300-012SP 微处理集成电路 M34300-628SP 微处理集成电路 M34300M4-012SP 微处理集成电路 M34300N4-011SP 微处理集成电路 M34300N4-012SP 微处理集成电路 M34300N4-555SP 微处理集成电路 M34300N4-567SP 微处理集成电路 M34300N4-584SP 微处理集成电路 M34300N4-587SP 微处理集成电路 M34300N4-628SP 微处理集成电路 M34300N4-629SP 微处理集成电路 M34300N4-657SP 微处理集成电路 M34302M8-612SP 微处理集成电路 M37100M8-616SP 微处理集成电路 M37102M8-503SP 微处理集成电路 M37103M4-750SP 微处理集成电路 M37201M6 微处理集成电路 M37204M8-852SP 微处理集成电路 M37210M2-609SP 微处理集成电路 M37210M3-010SP 微处理集成电路 M37210M3-550SP 微处理集成电路 M37210M3-603SP 微处理集成电路 M37210M3-800SP 微处理集成电路 M37210M3-901SP 微处理集成电路 M37210M3-902SP 微处理集成电路 M37210M4-650SP 微处理集成电路 M37210M4-688微处理集成电路 M37210M4-705SP 微处理集成电路 M37210M4-786SP 微处理集成电路 M37211M2-604SP 微处理集成电路 M37211M2-609SP 微处理集成电路 M37220M3 微处理集成电路 M37221 微处理集成电路 M37221M6-065SP 微处理集成电路

(完整版)集成电路工艺原理期末试题

电子科技大学成都学院二零一零至二零一一学年第二学期 集成电路工艺原理课程考试题A卷(120分钟)一张A4纸开卷教师:邓小川 一二三四五六七八九十总分评卷教师 1、名词解释:(7分) 答:Moore law:芯片上所集成的晶体管的数目,每隔18个月翻一番。 特征尺寸:集成电路中半导体器件能够加工的最小尺寸。 Fabless:IC 设计公司,只设计不生产。 SOI:绝缘体上硅。 RTA:快速热退火。 微电子:微型电子电路。 IDM:集成器件制造商。 Chipless:既不生产也不设计芯片,设计IP内核,授权给半导体公司使用。 LOCOS:局部氧化工艺。 STI:浅槽隔离工艺。 2、现在国际上批量生产IC所用的最小线宽大致是多少,是何家企业生产?请 举出三个以上在这种工艺中所采用的新技术(与亚微米工艺相比)?(7分) 答:国际上批量生产IC所用的最小线宽是Intel公司的32nm。 在这种工艺中所采用的新技术有:铜互联;Low-K材料;金属栅;High-K材料;应变硅技术。 3、集成电路制造工艺中,主要有哪两种隔离工艺?目前的主流深亚微米隔离工 艺是哪种器件隔离工艺,为什么?(7分) 答:集成电路制造工艺中,主要有局部氧化工艺-LOCOS;浅槽隔离技术-STI两种隔离工艺。 主流深亚微米隔离工艺是:STI。STI与LOCOS工艺相比,具有以下优点:更有效的器件隔离;显著减小器件表面积;超强的闩锁保护能力;对沟道无 侵蚀;与CMP兼容。 4、在集成电路制造工艺中,轻掺杂漏(LDD)注入工艺是如何减少结和沟道区间的电场,从而防止热载流子的产生?(7分) 答:如果没有LDD形成,在晶体管正常工作时会在结和沟道区之间形成高

集成电路设计基础 课后答案

班级:通信二班姓名:赵庆超学号:20071201297 7,版图设计中整体布局有哪些注意事项? 答:1版图设计最基本满足版图设计准则,以提高电路的匹配性能,抗干扰性能和高频工作性能。 2 整体力求层次化设计,即按功能将版图划分为若干子单元,每个子单元又可能包含若干子单元,从最小的子单元进行设计,这些子单元又被调用完成较大单元的设计,这种方法大大减少了设计和修改的工作量,且结构严谨,层次清晰。 3 图形应尽量简洁,避免不必要的多边形,对连接在一起的同一层应尽量合并,这不仅可减小版图的数据存储量,而且版图一模了然。 4 在构思版图结构时,除要考虑版图所占的面积,输入和输出的合理分布,较小不必要的寄生效应外,还应力求版图与电路原理框图保持一致(必要时修改框图画法),并力求版图美观大方。 8,版图设计中元件布局布线方面有哪些注意事项? 答:1 各不同布线层的性能各不相同,晶体管等效电阻应大大高于布线电阻。高速电路,电荷的分配效应会引起很多问题。 2 随器件尺寸的减小,线宽和线间距也在减小,多层布线层之间的介质层也在变薄,这将大大增加布线电阻和分布电阻。 3 电源线和地线应尽可能的避免用扩散区和多晶硅布线,特别是通过

较大电流的那部分电源线和地线。因此集成电路的版图设计电源线和地线多采用梳状布线,避免交叉,或者用多层金属工艺,提高设计布线的灵活性。 4 禁止在一条铝布线的长信号霞平行走过另一条用多晶硅或者扩散区布线的长信号线。因为长距离平行布线的两条信号线之间存在着较大的分布电容,一条信号线会在另一条信号线上产生较大的噪声,使电路不能正常工作。、 5 压点离开芯片内部图形的距离不应少于20um,以避免芯片键和时,因应力而造成电路损坏。

机械设计思考题集讲解

机械设计思考题集 第一章机械设计总论 1.机械设计的基本要求?机械设计的准则?常用的机械设计方法有哪些? 2.什么叫机械零件的失效?机械零件失效的形式有哪些?机械零件失效的原因? 3.表面损伤失效的分类,及其成因以及避免措施?表面强化?表面强化深度的影响因素,如何控制其强化深度? 4.什么是标准化、系列化、和通用化?机械设计中“三化”有什么意义? 第二章机械零件的强度 1.作用在机械零件上的变应力有哪几种类型?如何区分它们? 2.何为工作载荷、名义载荷、和计算载荷?名义载荷与计算载荷有和关系? 3怎样区分表面挤压应力和表面接触应力?试说明两圆柱体接触应力计算公式中各符号的意义。 4.什么是静载荷、变载荷、和变应力?试举出两个机械零部件在工作时受静载荷作用而产生变应力的例子? 5.什么是稳定变应力和非稳定变应力?双向稳定变应力下机械零件的疲劳强度计算如何进行? 6.什么是材料的疲劳极限?试根据材料的疲劳曲线(σ-N曲线),说明什么叫循环基数Ν0、条件疲劳极限N rN和疲劳极限σr,并根据疲劳曲线方程导出N rN 的计算公式。 极限应力线图有何用处? 7.影响机械零件疲劳强度的主要因素有哪些?原因是什么?为什么影响因素中的Kσ、εσ、β只对变应力的应力幅部分有影响?如何提高机械零件的疲劳强度? 8.疲劳破坏与静强度破坏的区别?试述金属材料疲劳断裂的过程? 摩擦与润滑 9.何谓摩擦?常见润滑方式有哪几种?各有何特点? 10.何谓磨损?按机理不同,磨损可分为哪几类?各有何特点?减轻磨损的途径有哪些?

11.零件的正常磨损分为几个阶段?每阶段各有何特点?试画出正常磨损过程中磨损量随时 间变化的曲线图? 12.润滑油、润滑脂各有何主要性能指标?如何理解黏度的概念? 13.润滑有何作用?常用润滑剂有哪几类?各适用什么场合? 14.润滑剂黏度对摩擦的影响?温度压力变化对润滑油粘度的影响? 15.在进行机械零件有限寿命的疲劳强度计算时,需将材料的疲劳曲线修正成零件的疲劳曲线。有几种修正方法?各有何优缺点? 第三章螺纹连接 0.常用螺纹分类?各有什么特点?其应用场合是什么? 1.螺纹连接的主要失效形式有哪些? 2.螺栓组连接受力分析的目的是什么?在进行受力分析时,通常要做哪些假设条件?螺栓柱 连接结构设计应考虑哪些方面的问题? 3提高螺纹连接强度的措施有哪些? 4.受拉伸载荷作用的紧螺栓联接中,为什么总载荷不是预紧力和拉伸载荷之和? 对于受轴向变载荷作用的螺栓,可以采取哪些措施来减小螺栓应力σa? 5.在螺纹连接中,螺纹牙间载荷分布为什么会出现不均匀现象?常用哪些结构可使螺纹牙间 载荷分布趋于均匀? 6.什么是螺栓的预紧?螺纹预紧的目的是什么?列举常用的预紧的方法? 7.为什么对重要联接要控制预紧力大小?控制预紧力大小的方法有哪几种? 8.螺纹的防松?为什么螺纹连接需要防松?防松的实质是什么?有哪几类防松措施? 9.在重要的紧螺栓联接中,为什么尽可能不用小于 M12~M16 的螺纹? 10.提高螺栓疲劳强度的措施有哪些?为什么增大被连接件刚度或减小螺栓刚度能提高螺栓联接强度?并画出被连接件刚度改变后的力——变形图。 降低螺栓刚度C b及增大被连接件刚度C m的措施有哪些? 11.为改善螺纹牙上载荷分配不均现象,常采用悬置螺母或内斜螺母,是分析其原因? 12.偏心载荷对螺栓连接强度有什么影响?常采用哪些措施防止偏心载荷出现? 13.紧螺栓连接强度计算公式中系数1.3的含义是什么?

数字集成电路必备考前复习总结

Digital IC:数字集成电路是将元器件和连线集成于同一半导体芯片上而制成的数字逻辑电路 或系统 第一章引论 1、数字IC芯片制造步骤 设计:前端设计(行为设计、体系结构设计、结构设计)、后端设计(逻辑设计、电路设计、版图设计) 制版:根据版图制作加工用的光刻版 制造:划片:将圆片切割成一个一个的管芯(划片槽) 封装:用金丝把管芯的压焊块(pad)与管壳的引脚相连 测试:测试芯片的工作情况 2、数字IC的设计方法 分层设计思想:每个层次都由下一个层次的若干个模块组成,自顶向下每个层次、每个模块分别进行建模与验证 SoC设计方法:IP模块(硬核(Hardcore)、软核(Softcore)、固核(Firmcore))与设计复用Foundry(代工)、Fabless(芯片设计)、Chipless(IP设计)“三足鼎立”——SoC发展的模式 3、数字IC的质量评价标准(重点:成本、延时、功耗,还有能量啦可靠性啦驱动能力啦 之类的) NRE (Non-Recurrent Engineering) 成本 设计时间和投入,掩膜生产,样品生产 一次性成本 Recurrent 成本 工艺制造(silicon processing),封装(packaging),测试(test) 正比于产量 一阶RC网路传播延时:正比于此电路下拉电阻和负载电容所形成的时间常数 功耗:emmmm自己算 4、EDA设计流程 IP设计系统设计(SystemC)模块设计(verilog) 综合 版图设计(.ICC) 电路级设计(.v 基本不可读)综合过程中用到的文件类型(都是synopsys版权): 可以相互转化 .db(不可读).lib(可读) 加了功耗信息

集成电路学习思考题

集成电路设计学习思考题 一、概念题: 1、微电子学:主要是研究电子或离子在固体材料中的运动规律及应用,并利用它实现信号处理功能的科学,是电子学的分支,其目的是实现电路和系统的集成,这种集成的电路和系统又称为集成电路和集成系统。 2、集成电路:(Integrated Circuit,缩写为IC)是指通过一系列特定的加工工艺,将多个晶体管、二极管等有源器件和电阻、电容器等无源器件,按照一定的电路连接集成在一块半导体单晶片(如硅或GaAs等)或者说陶瓷等基片上,作为一个不可分割的整体执行某一特定功能的电路组件。 3、综合:从设计的高层次向低层次转换的过程,它是在给定了电路应实现的功能和实现此电路的约速条件(如速度、功耗、成本、电路类型等),找到满足上述要求的目标结构的过程。如果是靠人工完成,通常简单地称之为设计;而依靠EDA 工具自动生成,则称之为综合。 4、模拟验证:指对实际系统加以抽象,提取其模型,输入计算机,然后将外部激励信号施加于此模型,通过观察模型在激励信号作用下的反应,判断该系统是否实现预期的功能。 5、计算机辅助测试(CAT)技术:把测试向量作为测试输入激励,利用故障模拟器,计算测试向量的故障覆盖率,并根据获得的故障辞典进行故障定位的技术。 6、图形转换技术:是指将掩膜板上设计好的图形转移到硅片上的技术,包括光刻与刻蚀技术。 7、薄膜制备技术:指通过一定的工序,在衬底表面生产成一层薄膜的技术,此薄膜可以是作为后序加工的选择性的保护膜,作为电绝缘的绝缘膜,器件制作区的外延层,起电气连接作用的金属膜等。 8、掺杂:是指将需要的杂质掺入特定的半导体区域中以达到改变半导体电学性质,形成PN结、电阻、欧姆接触等各种结构的目的。 9、系统功能设计:是最高一级的设计,主要是指根据所设计系统的要求(包括芯片的功能、性能、尺寸、功耗等),进行功能划分和数据流、控制流的设计,完成功能设计。

通用技术思考题集

1、反思总结通用技术课程的学习过程,思考并完成下列两组任务 第一组:任务1说明你关注的第一个重要问题,任务2说明自己对该问题的认识或观点 第二组:任务1说明你关注的第二个重要问题,任务2说明自己对该问题的认识或观点 答:第一组 任务1:技术更新对设计产生重要影响,技术的发展离不开设计,但技术条件的限制,往往制约着设计的发展,而技术的更新发展,才为设计创新提供了条件 任务2:当今信息社会,电脑已逐渐普及,现在市场上的一些笔记本电脑特别是上网本,体积和我们的书本一样大,但功能且相当丰富,回想老师跟我们讲的第一台电脑,它有十间房子大,重30吨,这简直是天壤之别,然而,正式超大规模集成电路技术发展,才使得今天设计的电脑体积越来越小、功能越来越强。第二组 任务1:我们希望某一事物按照自己的医院发展就要对其进行干预,这种根据自己的目的,通过一定的方法使事物沿着某一确定的方向发展,就形成了控制。 任务2:在日常生活中,我们都在有意无意地进行控制,骑自行车时,如果觉得车速太快,我们会使用刹车时车速正常,当感觉室内亮度不够时,我们就会打开电灯,使屋内明亮,当我们的学习成绩不够理想时,我们就会增加学习时间或改进学习方法,以提高学习成绩。 2、反思总结通过技术课程的学习过程,思考并完成下列两组任务 第一组:任务1说明你关注的第一个重要收获,任务2说明该收获对自己的意义第二组:任务1说明你关注的第二个重要收获,任务2说明该收获对自己的意义答:第一组 任务1:弄清了科学与技术的关系,科学是从各种事物和现象中去发现规律,并给与验证的知识体系:技术是人类为了满足自身的需要和愿望对大自然进行的改造 任务2:科学与技术既有区别,又有紧密联系。科学的任务是认识世界,力求有所发现,回答为什么的问题,技术的任务是改造世界,力求有所发明,解决怎么办的问题,比如嫦娥奔月活动从任务上讲是对月球进行科学探索,而从过程上讲,他是航天技术的发展和应用。技术来源于实践经验的总结和科学原理的指导,二者联系紧密,可以说,科学促进了技术的发展,技术推动了科学的发展,我们今天要好好学习科学文化,将来才有更多的家属创新。 第二组 任务1:弄清了常见结构的分类,根据物体结构形态在受力时承受和传递力的方式的差别,,一般可将结构分成3种基本类型,实体结构、框架结构和壳形结构 任务2: 实体结构:利用自身来承受自身的荷载,主要承受压力 框架结构:通过条状物体的连接来承受荷载,即可承受压力又能承受拉力 壳形结构:通过壳形来传递力和承载荷载,特别是当壳顶受到压力时,它能将力均匀扩散 3、反思总结通过技术课程的学习过程,思考并完成下列两组任务

《集成电路工艺原理(芯片制造)》课程 试题2016

一、填空题(30分=1分*30)10题/章 晶圆制备 1.用来做芯片的高纯硅被称为(半导体级硅),英文简称(GSG ),有时也被称为(电子级硅)。2.单晶硅生长常用(CZ法)和(区熔法)两种生长方式,生长后的单晶硅被称为(硅锭)。 3.晶圆的英文是(wafer ),其常用的材料是(硅)和(锗)。 4.晶圆制备的九个工艺步骤分别是(单晶生长)、整型、(切片)、磨片倒角、刻蚀、(抛光)、清洗、检查和包装。 5.从半导体制造来讲,晶圆中用的最广的晶体平面的密勒符号是(100 )、(110 )和(111 )。 6.CZ直拉法生长单晶硅是把(融化了的半导体级硅液体)变为(有正确晶向的)并且(被掺杂成p型或n型)的固体硅锭。 7.CZ直拉法的目的是(实现均匀掺杂的同时并且复制仔晶的结构,得到合适的硅锭直径并且限制杂质引入到硅中)。影响CZ直拉法的两个主要参数是(拉伸速率)和(晶体旋转速率)。 8.晶圆制备中的整型处理包括(去掉两端)、(径向研磨)和(硅片定位边和定位槽)。 9.制备半导体级硅的过程:1(制备工业硅);2(生长硅单晶);3(提纯)。 氧化 10.二氧化硅按结构可分为()和()或()。 11.热氧化工艺的基本设备有三种:(卧式炉)、(立式炉)和(快速热处理炉)。 12.根据氧化剂的不同,热氧化可分为(干氧氧化)、(湿氧氧化)和(水汽氧化)。 13.用于热工艺的立式炉的主要控制系统分为五部分:(工艺腔)、(硅片传输系统)、气体分配系统、尾气系统和(温控系统)。 14.选择性氧化常见的有(局部氧化)和(浅槽隔离),其英语缩略语分别为LOCOS和(STI )。15.列出热氧化物在硅片制造的4种用途:(掺杂阻挡)、(表面钝化)、场氧化层和(金属层间介质)。16.可在高温设备中进行的五种工艺分别是(氧化)、(扩散)、()、退火和合金。 17.硅片上的氧化物主要通过(热生长)和(淀积)的方法产生,由于硅片表面非常平整,使得产生的氧化物主要为层状结构,所以又称为(薄膜)。 18.热氧化的目标是按照()要求生长()、()的二氧化硅薄膜。19.立式炉的工艺腔或炉管是对硅片加热的场所,它由垂直的(石英工艺腔)、(加热器)和(石英舟)组成。 淀积 20.目前常用的CVD系统有:(APCVD )、(LPCVD )和(PECVD )。 21.淀积膜的过程有三个不同的阶段。第一步是(晶核形成),第二步是(聚焦成束),第三步是(汇聚成膜)。 22.缩略语PECVD、LPCVD、HDPCVD和APCVD的中文名称分别是(等离子体增强化学气相淀积)、(低压化学气相淀积)、高密度等离子体化学气相淀积、和(常压化学气相淀积)。 23.在外延工艺中,如果膜和衬底材料(相同),例如硅衬底上长硅膜,这样的膜生长称为(同质外延);反之,膜和衬底材料不一致的情况,例如硅衬底上长氧化铝,则称为(异质外延)。

集成电路发展史

集成电路发展史 姚连军 120012009323 管理学院09财务管理 苏世勇 120012009222 管理学院09市场营销 傅彩芬 110012009023 法政学院09公共管理类 陈凯 120012009015 管理学院09工商管理 集成电路对一般人来说也许会有陌生感,但其实我们和它打交道的机会很多。计算机、电视机、手机、网站、取款机等等,数不胜数。除此之外在航空航天、星际飞行、医疗卫生、交通运输、武器装备等许多领域,几乎都离不开集成电路的应用,当今世界,说它无孔不入并不过分。 在当今这信息化的社会中,集成电路已成为各行各业实现信息化、智能化的基础。无论是在军事还是民用上,它已起着不可替代的作用。 1 集成电路概述 所谓集成电路(IC),就是在一块极小的硅单晶片上,利用半导体工艺制作上许多晶体二极管、三极管及电阻、电容等元件,并连接成完成特定电子技术功能的电子电路。从外观上看,它已成为一个不可分割的完整器件,集成电路在体积、重量、耗电、寿命、可靠性及电性能方面远远优于晶体管元件组成的电路,目前为止已广泛应用于电子设备、仪器仪表及电视机、录像机等电子设备中。[1] 2 集成电路发展及其影响 2.1集成电路的发展 集成电路的发展经历了一个漫长的过程,以下以时间顺序,简述一下它的发展过程。1906年,第一个电子管诞生;1912年前后,电子管的制作日趋成熟引发了无线电技术的发展;1918年前后,逐步发现了半导体材料;1920年,发现半导体材料所具有的光敏特性;1932年前后,运用量子学说建立了能带理论研究半导体现象;1956年,硅台面晶体管问世;1960年12月,世界上第一块硅集成电路制造成功;1966年,美国贝尔实验室使用比较完善的硅外延平面工艺制造成第一块公认的大规模集成电路。[2]1988年:16M DRAM问世,1平方厘米大小的硅片上集成有3500万个晶体管,标志着进入超大规模集成电路阶段的更高阶段。1997年:300MHz 奔腾Ⅱ问世,采用0.25μm工艺,奔腾系列芯片的推出让计算机的发展如虎添

《集成电路原理及应用》课后答案

集成电路原理及应用(第3版) 谭博学 苗汇静 主编 课后习题答案 第二章 模拟集成电路的线性应用 2.9 试分析图1所示电路是什么电路,有何特点?图中设 3 4 21R R R R =。 (图1) 解:第一级运放为同相放大器。对A 1:由“虚断”和“虚短”得 i 1=i 2,v -1=v +1=u 1i , 则u 1i = 1211R R R u o +,即11 21)1(i o u R R u +=, 对A 2:由“虚断”和“虚短”得 i 3=i 4,v -2=v +2=u 2i , 则 4 2321R u u R u u o i i o -=-,即1342 34)1(o i o u R R u R R u -+= 代入u 1o 得))(1( 123 4 i i o u u R R u -+=, 因两个输入信号均从同相端输入,所以输入阻抗比较高。该电路为高输入阻抗的差动放大器。 2.11 求图3所示电路的增益A f ,并说明该电路完成什么功能。

解:该电路由两个集成运放构成,A1为主放大器接成反相运算放大器,A2为辅助放大器,A2也接成反相放大器,利用A2对A1构成正反馈,是整个电路向信号源索取的电流极少。 主放大器A 1:由“虚断”和“虚短”得 2 1R u R u o i -= ,则A f =121o o i i u u R u u R ===- 辅助放大器A2的电压放大倍数:221222 2o o VF i o u u R A u u R = ==- 该电路为自举电路,目的是提高电路的输入电阻。 由1i i i i U U R I I I = = - 由 12i o U U R R =-和321 2o U U R R =-得32i U U = 所以 1i i i U U I R R = - 因此1 1 i i i U RR R I R R = = - 当1R R =时,i R →∞,1I I = 2.12 求图4所示电路输出电压与输入电压的表达式,并说明该电路完成什么功能。

物理实验思考题答案

光学实验思考题集 一、 薄透镜焦距的测定 ⒈远方物体经透镜成像的像距为什么可视为焦距 答:根据高斯公式v f u f '+=1,有其空气中的表达式为'111f v u =+-,对于远方的物体有u =-,代入上式得f′=v ,即像距为焦距。 ⒉如何把几个光学元件调至等高共轴粗调和细调应怎样进行 答:对于几个放在光具座上的光学元件,一般先粗调后细调将它们调至共轴等高。 ⑴ 粗调 将光学元件依次放在光具座上,使它们靠拢,用眼睛观察各光学元件是否共轴等高。可分别调整: 1) 等高。升降各光学元件支架,使各光学元件中心在同一高度。 2) ; 3) 共轴。调整各光学元件支架底座的位移调节螺丝,使支架位于光具座中心轴线 上,再调各光学元件表面与光具座轴线垂直。 ⑵细调(根据光学规律调整) 利用二次成像法调节。使屏与物之间的距离大于4倍焦距,且二者的位置固定。移动透镜,使屏上先后出现清晰的大、小像,调节透镜或物,使透镜在屏上成的大、小像在同一条直线上,并且其中心重合。 ⒊能用什么方法辨别出透镜的正负 答:方法一:手持透镜观察一近处物体,放大者为凸透镜,缩小者为凹透镜。方法 二:将透镜放入光具座上,对箭物能成像于屏上者为凸透镜,不能成像于屏上 者为凹透镜。 ⒋测凹透镜焦距的实验成像条件是什么两种测量方法的要领是什么 答: 一是要光线近轴,这可通过在透镜前加一光阑档去边缘光线和调节共轴等高来实现;二是由于凹透镜为虚焦点,要测其焦距,必须借助凸透镜作为辅助透镜来实现。 物距像距法测凹透镜的要领是固定箭物,先放凸透镜于光路中,移动辅助凸透 镜与光屏,使箭物在光屏上成缩小的像(不应太小)后固定凸透镜,记下像的坐标位置(P );再放凹透镜于光路中,并移动光屏和凹透镜,成像后固定凹透镜(O 2),并记下像的坐标位置(P′);此时O 2P =u ,O 2P′=v 。 用自准法测凹透镜焦距的要领是固定箭物,取凸透镜与箭物间距略小于两倍凸 透镜的焦距后固定凸透镜(O 1),记下像的坐标位置(P );再放凹透镜和平面镜于O 1P 之间,移动凹透镜,看到箭物平面上成清晰倒立实像时,记下凹透镜的坐标位置(O 2),则有f 2 =O 2P 。 ⒌共轭法测凸透镜焦距时,二次成像的条件是什么有何优点 @ 答:二次成像的条件是箭物与屏的距离D 必须大于4倍凸透镜的焦距。用这种方 法测量焦距,避免了测量物距、像距时估计光心位置不准所带来的误差,在理 论上比较准确。 6.如何用自准成像法调平行光其要领是什么 答:固定箭物和平面镜,移动箭物与平面镜之间的凸透镜,使其成清晰倒立实像于

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