模电(1)考试试卷 答案 整理
2.18 某放大电路如图 2.50 所示。图中Rb1 = Rb2 = Rb3 = 200kΩ，Re1 = 2.7kΩ，RL = 5.1kΩ，
晶体管T的β = 60， rbe = 1.2kΩ，电路中电容容量均足够大。试求： （1）C3开路时，电路的电压增益Au̇ = Uȯ /U̇i及交流输入电阻Ri； （2）C3接入时，电路的电压增益Au̇ = Uȯ /U̇i及交流输入电阻Ri，并说明C3在电路中的作用。
Vcc
+ + C1
+C3 ui
Rb2
-
T C2 +
Re1
+ Ce
+ RL
uo
-
图2.50
2.19 共基极电路如图 2.51 所示。射级电路里接入一个恒流源，设β = 100，Rs = 0，RL = ∞。 试确定电路的电压增益、输入电阻和输出电阻。
+ Vc（c +15V）
Rc
7.5kΩ
C1
T
C2
+
+
T uo
-
(a)
解：注意是 PNP 型三极管
图（b）中是uo顶部失真，则属于截至失真，应减小Rb，使IBQ增大，从而提高静态工作点Q 图（c）中是uo底部失真，则属于饱和失真，应增大Rb，使IBQ减小，从而降低静态工作点Q
2.11 放大电路如图 2.43（a）所示，要求交直流负载线如图（b）所示，电路中晶体管为硅
C1 +
Rs
Rc C2 + +
Vcc
T
+ us
Rb
Re
uo
-
-
(b)
Rb
C1 ++
us
Rb
(c)
C2 +
+ Vcc
T
uo
-
Rc
Rb
C2
+
+
C1
T
+
+
ui
uo
-
-
(d)
Rb
C1 ++
Rc T
C2 +
+
Vcc
ui
D
uo
-
-
(e)
+
C1
Re
ui
-
T R2
(f)
Rc R1
C2 +
uo Vcc
-
2.8 放大电路和三极管的输出特性曲线如图 2.40 所示。
（3）估算晶体管的输入电阻rbe
rbe
=
rb
+
(1
+
β)re
=
rb
+
UT ICQ
rb约为 200Ω，UT约为26mV，ICQ = 1.9mA，则rb = 0.88kΩ （4）
Au̇
=
Uȯ U̇i
=
−icRc‖RL iB
=
βRc‖RL rbe
=
−133
Au̇ s
=
Uȯ Uṡ
=
Au̇
Rb‖rbe Rb‖rbe + Rs
1.7 为什么二极管的反响饱和电流与外加电压基本无关，而当温度升高时会明显增大？ 答：二极管的反向饱和电流是由少子漂移形成的，少子由半导体本征激发产生，在温度一定的环境下，浓度 不变而且很低。在外加反向电压的情况下，全部少子都参与了导电，所以此时外加电压大小与反向电流基本 无关，此时的电流又称反向饱和电流。
模拟电子技术基础
一、常用半导体器件 第一周
1.3 为什么说扩散运动是多数载流子的运动，漂移运动是少数载流子的运动？ 答：在 PN 结中，P 区的多子空穴与 N 区的多子电子在交界处会存在电子与空穴的浓度差，于是空穴和电子都 要从浓度高的地方向浓度低的地方扩散，这样就形成了扩散运动。
在多数载流子的扩散过程中，交界处的电中性因为电子与空穴的复合而被破坏了，产生了由 N 区指向 P 区的内电场，P 区中的少子电子和 N 区中的空穴就在内电场的作用下进行漂移运动。
1.6 把一节 1.5V 的电池直接接到（正向接法）二极管的两端，会不会发生什么问题？ 答：二极管可能会烧坏。硅管的导通电压为 0.6V～0.7V，锗为 0.2V～0.3V，当电源正向串联二极管时，由 I = (U − uD)/R 知，当未加限流电阻时，通过二极管的电流将远大于管子的最大整流电流IFM（毫安），引起 管子发热，从而使 PN 结烧坏。
+
Rs
1.01mA
+
-
R2
-15V 图2.51
RL Ro
解：
电压增益Au̇
=
Uȯ U̇i
=
βRc‖RL，
rbe
rbe
=
rbb′
+
β
UT ICQ
=
2.8
kΩ
因为RL
=
∞相当于开路，则Au̇
=
Uȯ U̇i
=
βRc rbe
≈
268
输入电阻Ri
=
rbe 1+β
≈
0.03kΩ
输出电阻Ro = Rc = 7.5kΩ
IEQ1
=
UEQ1 Re1 + Re2
1.36mA
ICQ1 ≈ IEQ1 = 1.36mA
（1）VCC = 12V，Rb = 600kΩ，Rc = 3kΩ，RL = 3kΩ，求直流负载线和静态工作点Q1； （2）如Rb开路，其他条件不变，求直流负载线和静态工作点Q2； （3）如Rc = 0，其他条件不变，求直流负载线和静态工作点Q3； （4）VCC由 12V 变为 6V，其他条件不变，求直流负载线和静态工作点Q4； （5）在（1）所给的条件下，求放大电路的最大不失真输出电压的峰—峰值Uopp。
(a)
Vcc=15V，Uceq=9V，Icq=2ma
2.14 单管放大电路如图 2.46 所示，已知晶体管的电流放大系数β = 50。 （1）估算Q点； （2）画出电路的微变等效电路；
（3）估算晶体管的输入电阻rbe； （4）如输出端接入4kΩ的电阻负载，计算Au̇ = Uȯ /U̇i及Au̇ s = Uȯ /Uṡ 。
第二周
1.10 晶体三极管具有电流放大作用的内部条件和外部条件各是什么？ 答：内部条件：基区很薄且参杂浓度远低于发射区；
外部条件：发射结正偏，集电结反偏。
1.12 根据下图所示各晶体管三个电极的点位，判断它们分别处于何种工作状态？
1V
3V
2V
0V
3.7V
2.7V
6V
3.3V
6V
1. UBE=-1V，发射结与集电结反偏，三极管处于截至区 2. UBE=0.7V，发射结与集电结均正偏，三极管处于饱和区 3. UBE=0.7V，UCE<0，发射结正偏，集电结反偏，三极管处于放大区
+ Rc Vcc
Rb
T
(a)
解：
由IBQ = VCC−RUb BEQ，UCE = VCC − icRc可知
（b）中IBQ改变，即Rb改变： 从Q到Q′，IBQ增加，则Rb减小；从Q到Q"，IBQ减小，则Rb增加
（c）中VCC不变，斜率−
1 改变：
Rc
从Q到Q′，斜率减小，则Rc增大；从Q到Q"，斜率增大，则Rc减小 （d）中斜率不变，即Rc不变，VCC改变
（2）画出电路的微变等效电路图；
（3）计算输入电阻Ri和输出电阻Ro； （4）计算电压放大倍数Au。
VD（D +20V）
12kΩ
+C3
+
C1
T +
+
+
ui
1MΩ
500Ω
+
500Ω
C2
-
-
-
图2.53
解： （1）
第一级
UBQ1
=
Rb2 Rb1 + Rb2
VCC
=
2.13V
UEQ1 = UBQ1 − 0.7V = 1.43V
管，其中β = 50。试回答以下问题： （1）若Rb1取100kΩ，求VCC、Re、RCEQ、Rb2及RL的值； （2）如果输入信号ui的幅度较大，将会首先出现什么失真？电路的动态范围Uopp为多少？ 若要减小失真，增大动态范围，则应如何调节电路元件？
+
+
C1
ui -
Vcc
Rc
+
C2
+
T
RL
uo
Ce -
（1）选择Rc、Rb2的阻值； （2）求放大电路的电压增益Au̇ 、输入电阻Ri和输出电阻Ro。
+ + C1
C3 ui
-
+ Vcc
Rc
+
C2
+
T
RL
uo
Ce -
图2.47
-
解： （1）
IEQ ≈ ICQ = 1mA UCEQ = VCC − RcICQ − ReIEQ + VEE，得到Rc = 5.5kΩ
当温度升高时，半导体热运动加剧，少数载流子数量增多，参与导电的载流子增多，所以电流明显增大。
1.18 在图所示的电路中，当电源电压 U=5V 时，测得 I=1mA。若把电源电压调整到 U=10V，则电流的大小为 多少？
5V
解：由iD
=
V−uD R
知，iD
=
V R
−
uD R
若为理想二极管，即uD为 0，当 U=10V 时，iD=2mA； 若考虑导通电压，设uD = 0.7V，计算出iD=2.16mA.
Rs 500Ω
中南大学模电试题(卷)与答案解析-成考类
中南大学模拟电子技术试卷（第1套）一、一、填空题（20分，每空1分）1．双极型三极管是控制器件，当其工作在放大区时发射结需要加偏置，集电结需要加偏置。
场效应管是控制器件。
2．在有源滤波器中，运算放大器工作在区；在滞回比较器中，运算放大器工作在区。
3．在三极管多级放大电路中，已知A u1＝20，A u2＝－10，A u3＝1，则可知其接法分别为：A u1是放大器，A u2是放大器，A u3是放大器。
4．在双端输入、单端输出的差动放大电路中，发射极R e公共电阻对信号的放大作用无影响，对信号具有抑制作用。
差动放大器的共模抑制比K CMR ＝。
5．设某一阶有源滤波电路的电压放大倍数为2001200fjA+=&，则此滤波器为滤波器，其通带放大倍数为，截止频率为。
6．如图所示的功率放大电路处于类工作状态；其静态损耗为；电路的最大输出功率为；每个晶体管的管耗为最大输出功率的倍。
二、基本题：（每题5分，共25分）1．如图所示电路中D为理想元件，已知u i = 5sinωt V ，试对应u i画出u o的波形图。
2．测得电路中NPN型硅管的各级电位如图所示。
试分析管子的工作状态（截止、饱和、放大）。
3．已知BJT管子两个电极的电流如图所示。
求另一电极的电流，说明管子的类型（NPN 或PNP）并在圆圈中画出管子。
4．如图所示电路中，反馈元件R7构成级间负反馈，其组态为；其作用是使输入电阻、放大电路的通频带变。
三、如图所示电路中，β＝100，Ω='100b br，试计算：(15分)1．放大电路的静态工作点；（6分）。
大学模电试题及答案
大学模电试题及答案一、选择题（每题2分，共20分）1. 在模拟电路中，运算放大器的理想输入电阻是：A. 无穷大B. 零C. 1欧姆D. 1千欧姆2. 以下哪个元件不是模拟电路中常用的元件？A. 电阻B. 电容C. 电感D. 逻辑门3. 模拟信号放大电路中，负反馈的主要作用是：A. 增加增益B. 减小增益C. 增加稳定性D. 减小稳定性4. 运算放大器的输出电压与输入电压的关系是：A. 线性关系B. 非线性关系C. 无关系D. 取决于反馈类型5. 以下哪种耦合方式不适用于模拟电路？A. 直接耦合B. 阻容耦合C. 变压器耦合D. 光电耦合6. 模拟电路中的滤波器按照频率响应可以分为：A. 低通滤波器B. 高通滤波器C. 带通滤波器D. 所有以上7. 以下哪个参数不是运算放大器的主要性能指标？A. 增益带宽积B. 电源电压C. 输入偏置电流D. 共模抑制比8. 在模拟电路设计中，通常使用哪种方法来减小噪声？A. 增加电源电压B. 使用低噪声元件C. 增加信号频率D. 减少信号幅度9. 模拟电路中的积分器和微分器分别对应数学中的：A. 微分和积分B. 积分和微分C. 加法和减法D. 乘法和除法10. 模拟电路中的振荡器产生的波形是：A. 正弦波B. 方波C. 三角波D. 所有以上二、填空题（每空1分，共10分）1. 运算放大器的______反馈可以提高电路的稳定性。
2. 在模拟电路中，______电路通常用于信号的放大。
3. 模拟电路中的______元件可以改变电流的方向。
4. 模拟电路中的______元件可以储存电荷。
5. 模拟电路中的______元件可以储存磁能。
6. 运算放大器的______参数表示其对共模信号的抑制能力。
7. 模拟电路中的______滤波器可以允许低频信号通过，而阻止高频信号。
8. 模拟电路中的______滤波器可以允许高频信号通过，而阻止低频信号。
9. 模拟电路中的______滤波器可以允许特定频率范围内的信号通过。
模电试题及答案
模电试题及答案一、单项选择题（每题2分，共20分）1. 在模拟电路中，放大器的基本功能是（）。
A. 滤波B. 整流C. 放大D. 调制答案：C2. 运算放大器的差分输入电压是指（）。
A. 两个输入端电压之和B. 两个输入端电压之差C. 两个输入端电压之积D. 两个输入端电压之商答案：B3. 理想运算放大器的开环增益是（）。
A. 有限值B. 零C. 无穷大D. 负无穷大答案：C4. 共发射极放大电路中的电流放大倍数β是指（）。
A. 集电极电流与基极电流之比B. 发射极电流与基极电流之比C. 集电极电流与发射极电流之比D. 发射极电流与集电极电流之比5. 在多级放大电路中，级间耦合方式通常采用（）。
A. 直接耦合B. 变压器耦合C. 电容耦合D. 电感耦合答案：C6. 晶体管的静态工作点设置不正确可能导致（）。
A. 截止失真B. 饱和失真C. 截止和饱和失真D. 线性放大答案：C7. 负反馈可以（）放大器的放大倍数。
A. 增加B. 减少C. 保持不变D. 先增加后减少答案：B8. 在模拟电路中，电源去耦是指（）。
A. 增加电源的内阻B. 减少电源的内阻C. 增加电源的纹波D. 减少电源的纹波答案：D9. 场效应管的控制极是（）。
B. 源极C. 漏极D. 基极答案：A10. 模拟信号的数字化过程包括（）。
A. 采样、量化、编码B. 滤波、放大、调制C. 调制、解调、编码D. 放大、滤波、编码答案：A二、填空题（每空1分，共10分）1. 放大器的输入电阻越大，对前级电路的________越好。
答案：负载效应2. 共基极放大电路的输入阻抗比共发射极放大电路的输入阻抗________。
答案：高3. 差分放大器可以有效地放大两个输入端之间的________。
答案：差模信号4. 运算放大器的饱和输出电压通常为________V或________V。
答案：+Vcc -Vee5. 晶体管的截止频率是指晶体管的放大倍数下降到________的频率。
模电考试题及答案
第一章 自测题五、电路如图T1.5所示，V CC =15V ，β=100，U BE =0.7V 。
试问：(1)R b =50k Ω时，U o=?(2)若T 临界饱和，则R b =?解：(1)26BB BEB bV U I A R μ-==，2.6C B I I mA β==,2O CC C c U V I R V =-=。
图T1.5(2)∵ 2.86CC BECS cV U I mA R -==， /28.6BS CS I I A βμ==∵45.5BB BEb BSV U R k I -==Ω习题1.3电路如图P1.3所示，已知t u i ωsin 5=(V )，二极管导通电压U D =0.7V 。
试画出i u 与o u 的波形图，并标出幅值。
图P1.3 解图P1.3解：波形如解图Pl.3所示。
1.9测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图P1.9所示。
在圆圈中画出管子，并说明它们是硅管还是锗管。
图P1.9解:如解图1.9。
解图1.91.10电路如图P1.10所示，晶体管导通时0.7BE U V =，β=50。
试分析BB V 为0V 、1V 、3V 三种情况下T 的工作状态及输出电压O u 的值。
解： (1)当0BB V =时，T 截止，12O u V =。
(2)当1BB V V =时，因为60BB BEQBQ bV U I A R μ-==3CQ BQ I I mA β==9O CC CQ c u V I R V =-= 图P1.10 所以T 处于放大状态。
(3)当3BB V V =时，因为460BB BEQBQ bV U I A R μ-==，2311.3CC CESCQ BQ CS cV U I I mA I mA R β-====， 所以T 处于饱和状态2.7电路如图P2.7所示，晶体管的β=80 ，'100bb r =Ω。
分别计算L R =∞和3L R k =Ω时的Q 点、u A 、i R 和o R 。
模电模拟试卷及答案
模拟电子技术基础试卷及答案一、填空（18分）1．二极管最主要的特性是 单向导电性 . 3．差分放大电路中，若u I1=100μV ，u I 2=80μV 则差模输入电压u Id =20μV;共模输入电压u Ic=90μV 。
4．在信号处理电路中，当有用信号频率低于10 Hz 时，可选用 低通 滤波器；有用信号频率高于10 kHz 时,可选用 高通 滤波器；希望抑制50 Hz 的交流电源干扰时，可选用 带阻 滤波器；有用信号频率为某一固定频率，可选用 带通 滤波器。
6．乙类功率放大电路中,功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗P DC = 0 。
这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到 78。
5％ ，但这种功放有 交越 失真.二、选择正确答案填空（20分）1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ，—10 V ，-9。
3 V ，则这只三极管是（ A )。
A ．NPN 型硅管 B.NPN 型锗管C.PNP 型硅管 D 。
PNP 型锗管 2．某场效应管的转移特性如图所示，该管为( D ）。
A ．P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管C 、N 沟道增强型MOS 管D 、N 沟道耗尽型MOS 管 3．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（ C ）。
A ．输入电阻高B 。
输出电阻低C.共模抑制比大D.电压放大倍数大 6。
RC 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和（ D )。
A. 基本共射放大电路 B 。
基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路7。
已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示，该电路可能是（ A ）. A.积分运算电路 B.微分运算电路 C 。
过零比较器 D 。
滞回比较器8．与甲类功率放大方式相比，乙类互补对称功放的主要优点是( C )。
a ．不用输出变压器b ．不用输出端大电容c ．效率高d ．无交越失真 9．稳压二极管稳压时,其工作在（ C ），发光二极管发光时，其工作在（ A )。
模拟电路考试题和答案
模拟电路考试题和答案一、选择题（每题2分，共20分）1. 在模拟电路中，放大器的基本功能是（）。
A. 信号的整形B. 信号的滤波C. 信号的放大D. 信号的调制答案：C2. 理想运算放大器的输入阻抗是（）。
A. 0B. 无穷大C. 有限值D. 负无穷大答案：B3. 共发射极放大电路中，输出信号与输入信号的相位关系是（）。
A. 同相B. 反相C. 无关系D. 正交答案：B4. 负反馈可以（）放大器的增益。
A. 增加B. 减少C. 不变D. 先增加后减少答案：B5. 在模拟电路中，电源去耦电容的主要作用是（）。
A. 提高电源电压B. 降低电源电压C. 滤除电源噪声D. 增加电源电流答案：C6. 差分放大器的主要优点是（）。
A. 放大差模信号B. 抑制共模信号C. 降低输入阻抗D. 提高输出阻抗答案：B7. 场效应管（FET）的控制方式是（）。
A. 电压控制B. 电流控制C. 温度控制D. 光控制答案：A8. 模拟电路中的“零点漂移”通常是由（）引起的。
A. 温度变化B. 电源波动C. 负载变化D. 输入信号变化答案：A9. 在模拟电路中，二极管的主要作用是（）。
A. 放大信号B. 整流信号C. 滤波信号D. 调制信号答案：B10. 模拟电路中的“带宽”是指（）。
A. 电路的频率响应范围B. 电路的最大增益C. 电路的输入阻抗D. 电路的输出阻抗答案：A二、填空题（每题2分，共20分）11. 在共集电极放大电路中，输出电压与输入电压相位______。
答案：同相12. 运算放大器的开环增益通常在______以上。
答案：10^513. 理想二极管的正向导通电压降约为______伏。
答案：0.714. 场效应管的漏极电流ID与栅源电压VGS之间的关系是______的。
答案：非线性15. 共模抑制比（CMRR）是衡量差分放大器对共模信号抑制能力的______。
答案：指标16. 模拟电路中的“饱和”现象是指放大器输出信号达到______或负最大值。
模电试题及答案
试题一一、选择题：（每小题2分，共24分）（1）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为（ B ）。
A.前者反偏、后者反偏B.前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者正偏（2）N型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的（ C ）。
A.电子B.三价硼元素C.五价磷元素（3）为了减小零点漂移，通用型运放的输入级大多采用（ C ）。
A.共射电路B.乙类放大电路C.差动放大电路（4）高通滤波电路可以用于（ A ）。
A. 滤除低于某一频率的无用信号B. 滤除高于某一频率的无用信号C. 让低于某一频率的有用信号通过（5）长尾式差动放大电路抑制零点漂移的主要原因是（ C ）。
A.采用了双极型电源B.电路和参数对称性好C.引入了电流串联型负反馈等于（ B ）。
（6）、电路如图所示，其输出电压uOA.i2i1u u - B .i1i2u u - C. i2i1u u +（7）当信号频率等于放大电路的f L 或f H 时，放大倍数的值约下降到中频时的0.7倍,即增益下降（ A ）。
A .3dB B.4dB C.5dB（8）( B )运算电路可将三角波电压转换成方波电压。
A ．同相比例B ．微分C ．同相求和（9）PN 结加正向电压时，空间电荷区将( A )。
A . 变窄 B. 基本不变 C. 变宽（10）OCL 功率放大电路如图所示，当u i 为正半周时，则( A )。
A . T1导通T2截止 B. T1截止T2导通 C. T1，T2导通（11）整流的目的是（ A ）。
A . 将交流变为直流 B. 将高频变为低频 C. 将正弦波变为方波（12）电路如图所示，二极管D 为理想元件，输入信号u i 为如图所示的三角波，则输出电压u o的最大值为（ B ）。
A. 5 VB. 7 VC. 2 V二、填空题：（总 16 分，每空 2 分）（1）、一只晶体管在放大电路中，用万用表测出管脚对地电压分别是：A脚为12伏，B脚为11.7伏，C脚为6伏，则该管为PNP型锗管，A为e极，B为 b 极，C为 c 极。
模拟电路试题及答案解析[十套]
模拟电路试题及答案解析[十套](总82页)--本页仅作为文档封面，使用时请直接删除即可----内页可以根据需求调整合适字体及大小--模拟综合试卷一一．填充题1．集成运算放大器反相输入端可视为虚地的条件是a ，b 。
2．通用运算放大器的输入级一般均采用察动放大器，其目的是a ,b 。
3．在晶体三极管参数相同，工作点电流相同条件下，共基极放大电路的输入电阻比共射放大电路的输入电阻。
4．一个NPN晶体三极管单级放大器，在测试时出现顶部失真，这是失真。
5．工作于甲类的放大器是指导通角等于，乙类放大电路的导通角等于，工作于甲乙类时，导通角为。
6．甲类功率输出级电路的缺点是，乙类功率输出级的缺点是故一般功率输出级应工作于状态。
7．若双端输入，双端输出理想差动放大电路，两个输入电压u i1=u i2,则输出电压为 V；若u i1=1500µV, u i2=500µV，则差模输入电压u id为µV，共模输入信号u ic为µV。
8．由集成运放构成的反相比例放大电路的输入电阻较同相比例放大电路的输入电阻较。
9．晶体三极管放大器的电压放大倍数在频率升高时下降，主要是因为的影响。
10．在共射、共集、共基三种组态的放大电路中，组态电流增益最；组态电压增益最小；组态功率增益最高；组态输出端长上承受最高反向电压。
频带最宽的是组态。
二．选择题1．晶体管参数受温度影响较大，当温度升高时，晶体管的β，I CBO,u BE的变化情况为（）。
A．β增加，I CBO,和 u BE减小 B. β和I CBO增加，u BE减小C．β和u BE减小，I CBO增加 D. β、I CBO和u BE都增加2．反映场效应管放大能力的一个重要参数是（）A. 输入电阻B. 输出电阻C. 击穿电压D. 跨导3．双端输出的差分放大电路主要（）来抑制零点飘移。
A. 通过增加一级放大B. 利用两个C. 利用参数对称的对管子D. 利用电路的对称性4．典型的差分放大电路由双端输出变为单端输出，共模电压放大倍数（）。
模拟电子技术考试试题汇总及答案
E．单门限比较器F.同相输入迟滞比较器G.反相输入迟滞比较器
(a)
七、（1）
（2）
（3）
(b)
图7
八、（8分）
小功率直流稳压电源如图8所示。
（1）电路中存在错误，请指出错误之处，并改正之（可在图中改，也可用文字说明）
（2）电路两输出端对地的直流电压是多少？
⒈因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。( N)
⒉由于放大的对象是变化量,所以当输入信号为直流信号时,任何放大电路的输出都毫无变化.( N )
⒊若放大电路的放大倍数为负，则引入的反馈一定是负反馈(N )
⒋电路产生自激振荡的条件是：幅度条件为 ，相位条件
为 (n=0,1,2,…)。( Y )
⒌二极管稳压电路一般由稳压二极管(反向接法)和负载并联而得到。(Y)
（2）c
（3）d
（4）b
（5）a—d
四、（10分）
电路如图4所示。
（1）R5、R6和T4构成的电路有什么作用？
（2）希望在不增加其它任何元器件情况下，通过图中反馈电阻Rf引入负反馈，以稳定输出电压 。试画出反馈通路的连线，并说明该反馈是什么组态；
（3）假设引入的负反馈为深度负反馈，可忽略T2、T3的饱和管压降。当电路输入幅值为300mV的正弦波信号时，若要求负载电阻RL上得到最大不失真输出电压，反馈电阻Rf应取多大？此时负载获得的功率有多大？
如何调整？⑶若 , 和 的 ， ，
，假设 、 、 中任意一个开路，将会产生什么后果？
⒋在图5-3桥式整流、电容滤波电路中,U2=12V(有效值)，RL=20Ω, C=2000µF。试问：①正常时 ？②如果电路中有一个二极管开路， 是否为正常值的一半？③如果 为下列数值，可能出了什么故障？
模电考试试题10套和答案(打印版)
坑爹的模电试卷编号01………………………………………………………………………………………………………………一、填空（本题共20分，每空1分）：1．整流电路的任务是__________；滤波电路的任务是__________。
2．在PN结的形成过程中，载流子的扩散运动是由于__________而产生的，漂移运动是__________作用下产生的。
3．放大器有两种不同性质的失真，分别是__________失真和__________失真。
4．在共射阻容耦合放大电路中，使低频区电压增益下降的主要原因是__________的影响；使高频区电压增益下降的主要原因是__________的影响。
5．在交流放大电路中，引入直流负反馈的作用是__________；引入交流负反馈的作用是___________。
6．正弦波振荡电路一般由__________、__________、__________、__________这四个部分组成。
7．某多级放大器中各级电压增益为：第一级25dB 、第二级15dB 、第三级60dB ，放大器的总增益为__________，总的放大倍数为__________。
8．在双端输入、单端输出的差动放大电路中，发射极公共电阻R e对__________信号的放大无影响，对__________信号的放大具有很强的抑制作用。
共模抑制比K CMR为__________之比。
9．某放大电路的对数幅频特性如图1所示，当信号频率恰好为上限频率时，实际的电压增益为__________dB。
图1二、判断（本题共10分,每小题1分，正确的打√，错误的打×）：1、（）构成各种半导体器件的基础是PN结，它具有单向导电和反向击穿特性。
2、（）稳定静态工作点的常用方法主要是负反馈法和参数补偿法。
3、（）在三极管的三种基本组态中，只有电流放大能力而无电压放大能力的是基本共集组态。
4、（）若放大电路的放大倍数为负值，则引入的一定是负反馈。