物理法制备ZnO薄膜的方法
ZnO-ZnS复合薄膜的制备及光电性能研究
ZnO-ZnS复合薄膜的制备及光电性能研究ZnO/ZnS复合薄膜的制备及光电性能研究引言：随着纳米技术和光电材料的发展，复合薄膜材料在光电器件领域具有广泛的应用前景。
ZnO/ZnS复合薄膜作为一种新型的光电材料，在太阳能电池、光电探测器等领域展现出了良好的光电性能。
本文旨在研究ZnO/ZnS复合薄膜的制备方法以及其光电性能，并探讨其在光电器件中的应用前景。
制备方法：制备ZnO/ZnS复合薄膜的方法有多种，本研究选取了溶液法与刻蚀法相结合的方法进行制备。
首先，采用溶液法制备ZnO薄膜，将锌盐在有机溶剂中溶解并在基底上进行旋涂，形成ZnO 膜，然后将ZnO膜放入含有ZnS溶液的反应器中，在特定的气氛和温度下进行反应，使ZnS溶液在ZnO膜上析出形成ZnO/ZnS复合薄膜。
最后，对复合薄膜进行退火处理，以提高膜的结晶度和光电性能。
实验结果与讨论：通过扫描电子显微镜观察复合薄膜的形貌，发现ZnO/ZnS复合薄膜呈现出均匀致密的结构，表面光滑，并且具有较好的结晶性。
X射线衍射分析结果显示，复合薄膜的晶格结构为六方晶系，与ZnO和ZnS的晶格结构相吻合。
紫外-可见光谱表明，ZnO/ZnS复合薄膜在可见光范围内具有较高的透过率，并呈现出明显的吸收峰，显示出良好的光学特性。
此外，通过光电流-电压测试和光电转换效率测试发现，ZnO/ZnS复合薄膜在光电器件中具有较高的光电转换效率和稳定性。
应用前景：基于以上实验结果和分析，ZnO/ZnS复合薄膜具有良好的光电性能，可以广泛应用于太阳能电池、光电探测器等领域。
在太阳能电池中，ZnO/ZnS复合薄膜可用作阳极材料，具有高光电转换效率和较低的电荷复合速率。
在光电探测器中，ZnO/ZnS复合薄膜可用作光吸收层，具有高光吸收能力和较低的暗电流，能够实现高灵敏度的光电检测。
此外，由于制备方法简单、成本较低，ZnO/ZnS复合薄膜具有较高的工艺可行性和商业化前景。
结论：本研究成功制备了ZnO/ZnS复合薄膜，并对其光电性能进行了详细研究。
射频磁控溅射法制备ZnO薄膜
ZnO薄膜的XRD图 薄膜的XRD 图2 ZnO薄膜的XRD图
XRD图显示： 图显示： 图显示
（1）样品均出现了2θ≈34.75°的较强的(002)衍射峰，说明薄 膜具有垂直于基片平面较好的c轴择优取向 （2）2、3、 4号样品中出现了2θ≈72.5°的微弱的(004)衍射 峰，在4号样品中出现了2θ≈32.2°的微弱的(100)衍射峰，其 中(004)峰为(002)晶面的次级衍射峰。 （3）在衬底温度从RT升至250℃的过程中，(002)衍射峰相对 强度随衬底温度升高而增加，薄膜c轴择优取向变好，而当温 度超过250℃以后，(002)峰相对强度变小。
所谓磁控溅射就是在二极溅射的基础上附加一个磁场利用电子在正交电磁场中作螺旋线轨迹运动进一步提高真空溅射镀膜的效率和质量以金属靶材为阴极阳极接地也可以是正电位两极间通入工作气体在此以氩气ar为工作气体当两极间施加高压时电极间的ar发生电离电离产生的电子向阳极作加速运动而ar向阴极作加速运动撞击阴极靶材
二、ZnO薄膜的应用 ZnO薄膜的应用
光电显示领域中的透明电极 太阳能光电转换领域中的异质结 各种压电、压光、 各种压电、压光、电声与声光器件
气敏元件
三、ZnO薄膜的研究进展 薄膜的研究进展
Hang Ju Ko等人利用分子束外延(MBE)方法制备了高 质量的ZnO薄膜；Zhang等人利用分子束外延方法在Al2O3 上制备了 ZnO的发光二极管；Su等人利用等离子体协助分 子束外延(P-MBE)方法制备了ZnO/ZnMgO 单量子阱，结合 理论计算所得在导带和价带中的第一亚带能量分别是 49meV和11meV；Chang等人利用分子束外延生长n-ZnO， 而利用金属有机化学气相沉积p-GaN，发现 n-ZnO/p-GaN 异质结具有发光二极管特性；Gangil等人利用等离子增强的 MOCVD在Al2O3上制备出了N掺杂p型ZnO薄膜，载流子浓 度范围为1013 ~ 1015 cm-3，电阻率为10-1 ~
氧化物薄膜材料的制备及其应用前景
氧化物薄膜材料的制备及其应用前景随着科技进步和工业的发展，氧化物薄膜材料的使用越来越广泛。
氧化物薄膜材料是一种具有特殊结构的材料，其表面通常是非常平滑且质量较好的。
在许多领域中，氧化物薄膜材料都得到了广泛的应用。
本文将探讨氧化物薄膜材料的制备方法以及在不同领域中的应用前景。
一、氧化物薄膜材料的制备方法1、物理气相沉积法物理气相沉积法是一种常用的氧化物薄膜制备方法。
该方法通过蒸发源的加热、物质蒸发并再次凝结在基板表面生成氧化物薄膜。
物理气相沉积法的制备过程需要在真空环境下进行，通过调节沉积过程参数，如沉积物的温度、沉积时间、侵蚀速率等来控制氧化物薄膜的厚度、质量和结构。
该方法的优点是制备过程简单，制备的氧化物薄膜表面质量较好，但是缺点是制备周期长且不能在大规模工业应用中进行。
2、化学气相沉积法化学气相沉积法是利用气体中的化学反应来实现物质沉积的一种方法。
该方法的制备过程需要在一定的温度和气压下进行，由于化学反应时间比物理沉积时间长，所以制备周期需要相对较长。
化学气相沉积法制备的氧化物薄膜可以具有非常好的化学性质和光学性质，用于制备一些电子元件、光电器件等。
但是，该方法也存在着一些缺点，如化学反应条件比较苛刻，较高的成本和复杂的工艺。
3、溶胶-凝胶法溶胶-凝胶法是一种利用氧化物溶胶热凝胶化和后续的煅烧法制备氧化物薄膜的方法。
该方法通常具有较长的制备周期，但制备的氧化物薄膜具有较好的化学稳定性、物理性质和光学性质。
溶胶-凝胶法制备的氧化物薄膜，可以应用于激光器，太阳能电池，以及LED等领域。
由于该方法具有优越性能，因此在工业应用中受到了广泛关注。
二、氧化物薄膜材料在不同领域中的应用前景1、光电领域氧化物薄膜材料在光电领域具有较好的应用前景。
例如，氧化锌（ZnO）薄膜在太阳能电池中具有良好的光电特性。
氧化锌有非常好的光吸收性，可以将太阳光转换成电能，所以它成为太阳能电池制备的一种重要材料。
此外，氧化铝（Al2O3）薄膜也广泛应用于光电领域。
P型氧化锌薄膜的结构及其制备
P型氧化锌薄膜的结构及其制备摘要:氧化锌(ZnO)是一种直接带隙宽禁带(3.37eV)II-VI族化合物半导体材料，具有较大的激子束缚能(60meV)，具有优良的压电、光电、气敏、压敏等性质的材料，在透明导体、发光元件、太阳能电池窗口材料、光波导器、单色场发射显示器材料、表面声波元件以及低压压敏电阻器等方面具有广泛的用途。
ZnO薄膜的制备方法多样，各具优缺点。
本文综述了ZnO薄膜的制备及性质特征，并对其发展趋势及前景进行了探讨。
关键词：ZnO薄膜；制备；发展前景1ZnO结构ZnO有三种晶体结构，分别是立方NaCl，闪锌矿和六角纤锌矿构，如图1所示，在常温常压下，ZnO的热稳定相为六方纤锌矿结构[5]，具有六方对称性。
纤锌矿ZnO的晶格常数是a=3.2498 Å，C=5.2066 Å。
在C轴方向上，Zn原子与02原子的间距为0.196nm，在其他三个方向上为0.198nm。
ZnO的结构可简单地描述为由Zn原子面和O原子面沿C轴交替排列而成，其中Zn和O原子为相互四面体配位，从而Zn 和0在位置上是等价的。
这种排列导致ZnO具有一个Zn极化面和一个O极化面，这种C面的极化分布使得两个面具有不同的性质，导致该结构缺乏对称中心。
另外，ZnO的纤锌矿结构相当于0原子构成简单六方密堆积，Zn原子填塞于半数的四面体隙中。
图1 ZnO的晶体结构：（a）立方NaCl结构（b）闪锌矿结构（c）六角纤锌矿结构2.p型ZnO薄膜的制备方法2.1分子束外延技术（MBE）分子束外延(MBE)是一种真空蒸发技术,把原材料通过加热转化为气态,然后在真空中膨胀,再在衬底上凝结,进行外延生长。
典型的MBE设备由束源炉、样品台和加热器、控制系统、超高真空系统(包括真空生长室和机械泵、分子泵、离子泵、升华泵等, 真空度可达到1×10- 8 Pa以上)和检测分析系统(高能电子衍射仪、离子溅射枪、俄歇分析仪和四极质谱仪等)组成。
ZnO薄膜制备
Inverted Polymer Solar Cells Integrated with a LowTemperature-Annealed Sol-Gel-Derived ZnO Film as an Electron Transport Layer （溶胶凝胶法）
Preparation of the ZnO Precursor : The ZnO precursor was prepared by dissolving zinc acetate dihydrate (Zn(CH3COO)2·2H2O, Aldrich, 99.9%, 1 g) and ethanolamine (NH2CH2CH2OH, Aldrich, 99.5%, 0.28 g) in 2-methoxyethanol (CH3OCH2CH2OH, Aldrich, 99.8%, 10 mL) under vigorous stirring for 12 h for the hydrolysis reaction in air. Inverted solar cells were fabricated on ITO-coated glass substrates. The ITO-coated glass substrates were first cleaned with detergent, ultrasonicated in water, actone and isopropyl alcohol, and subsequently dried overnight in an oven. The ZnO precursor solution was spin-cast on top of the ITO-glass substrate. The films were annealed at 130 ° C, 150 ° C, or 200 ° C for 1 h in air. The ZnO film thickness was approximately 30 nm, as determined by a profilometer. The ZnO-coated substrates were transferred into a glove box.
浅谈ZnO薄膜的制备方法及其表征
空 的真空室 中通 入氩气 ， 氩气受 到强大 电场 的作 用 ， 被 电离 成 电子和正离 子 ， 在 电磁场 的作用 下带 电粒 子都会 发生运 动 ， 会 在靶材 附近发生 碰撞 ，。同时 正离子 在 电场 的作用下 ， 速度 被加 速 到
薄膜 方块电阻与薄膜 电阻率 的关系为 ： Ｐ：ｐ ｄ 。 所 以只要 测得 薄膜 厚度 ｄ就可 以通过 四探针测得 薄膜 的电阻率 。
当薄膜与衬底之间有 Ｐ—ｎ结 隔离 ， 或者 薄膜 电阻 率与衬 底 电阻率 相差很多时 ， 可以利用 四探针 来测量薄膜 的 电阻率 ，
所 以它还 是有一定的使用范 围的。
（ ｕ ｈ ｖ ） ＝ （ 砌 一Ｅ ）
化锌为直接 带隙半导体 ， 吸收系数 Ｏ ／ 满足方程式 ：
是 由安徽嘉 硕真空科 技 有限公 司 生产 的 Ｊ Ｓ Ｄ一３ ０ ０磁控 溅 射 镀膜机 。它 的基本原 理为 ， 将靶材 置于设 备 中的永久磁 铁 中， 这样靶材 的表面被 置于一 个很 强 的磁场 中， 与设 备 中通有 的
其原理是 改变探针与样品之间 的距 离来感测 来 自样 品表面 的 排斥力 以及 吸引力 ， 具体 的操 作是 把探 针放在 靠近样 品表面 的位置 ， 探针会感受到来 自样 品的吸引力 ， 当继续 减小探 针与
样 品之间的距 离时 ， 探 针会感 受 到来 自样 品 的排斥 力慢 慢变 强， 探 针一般会 由硅化 物与 针悬 臂 （ ｃ ａ ｎ ｔ ｉ ｌ ｅ ｖ ｅ ｒ ） 一 体成 型粘 连
２ ． ４ 四探 针 法
以较高 的动能脱 离靶 面 ， 然后在衬底 上沉 积成膜 。
２ 薄膜 的结 构及 性能 的表 征 方法
２ ． １ Ｘ射 线衍 射 分 析
ZnO薄膜的物理性质与制备方法研究
（ ． ｏ ｅｅｏ Ｐ ｙｉ ｎ ｏ ｍ ｎ ａｉ １ Ｃ ｌｇ ｆ ｈｓ ｓａｄＣ ｍ ｕ ｉ ｔ ｎ＆ Ｅｅｔ ｎｃ ， ａｇｉ ｏｍ ｌ ｎ ｅｓｙＪ ｎｘ Ｎ ｎ ｈｎ ３ ０ ２Ｐ Ｃ； ｌ ｃ ｃ ｏ ｌ ｒ ｉ Ｊ ｎｘ Ｎ ｒ ａ Ｕ ｉ ｒ ｔ，ｉ ｇｉ ａｃａｇ３ ０２ Ｒ ｃｏ ｓ ｉ ｖ ｉ ａ ２ Ｋ ｙＬｂｒｔ ｙｏ ｈｔ ｌ ｔ ｎｃ＆ Ｔ ｌ ｏ ｍｕｉａｏ ｆ ｉ ｇｉ ｒｖ ｃ ． ａｇｉ ａｃ ａｇ３ ０ ２ Ｒ ． ｅ ａｏａ ｒ ｆ ｏ ｅ ｃ ｏｉ ｏ Ｐ ｏｅｒ ｅｅ ｍ ｎｃｔ ｎｏ ａ ｘ Ｐｏｉ ｅ Ｊ ｎｘ Ｎ ｎｈｎ ３ ０ ２Ｐ Ｃ） ｃ ｉ Ｊｎ ｎ ｉ
法、 喷雾热 解法、 分子束外延法、 原子层 外延生长法。
关键词 ：ｎ Ｚ Ｏ薄膜 ； 物理性质 ； 制备 方法
中 图 分 类 号 ：Ｎ ０ ．５ Ｔ ３ ０５ ４ 文献标识码 ： Ａ
Ｓ ｕ ｙ ｏ ｙ ｉａ ｏ ｒ ｉｓａ ｄ Ｇｒ ｗｔ ｅｈｏ ｆＺｎＯ ｔ ｄ ｎ Ｐｈ ｓｃ ｌＰｒ ｐｅ ｔｅ ｎ ｏ ｈ Ｍ ｔ ｄｓｏ Ｔｈｉ ｌ ｎ Ｆｉｍ
维普资讯
第２ ６卷
第 １期
江
西
科
学
Ｖｏ ． ６ Ｎｏ １ １２ ．
Ｆ ｂ ２ ｏ ｅ．ｏ８
２０ ０ ８年 ２月
ＪＡ Ⅸ Ｉ Ｓ ＥＮＣＥ Ｉ ＮＣ ＣＩ
文章编号 ：０ １— ６ ９ ２０ ） １— １ １ ０ １０ ３ ７ （０ ８ ０ ０ ６ — ４
熟， 并且几乎所有 的现有制膜技术都可用于生长 Ｚ Ｏ薄膜 。如 上所 述 ，ｎ ｎ Ｚ Ｏ材 料 的研 究应 用 涉 及 许多领域 ， 很显然 ， 制备技术及工艺参数决定着 薄 膜 的性 能 ， 而不 同的应 用对 Ｚ Ｏ薄膜 的薄膜 厚 ｎ
ZnO薄膜的制备与性能研究
ZnO薄膜的制备与性能研究ZnO是众所周知的一种半导体材料，近年来，它的应用领域不断扩大，包括光电技术、传感器技术、气敏技术、生物技术等领域。
其具有较高的透明度、电阻率、热稳定性和高电子迁移率等优异特性，使得其在各个领域中拥有巨大市场前景。
在这些应用中，ZnO薄膜则是ZnO材料的重要组件之一。
本文主要探讨ZnO 薄膜的制备及其性能研究。
一、ZnO薄膜制备方法1.溶胶-凝胶法ZnO薄膜制备的一种常见方法为溶胶-凝胶法。
该方法主要涉及将预先制备好的ZnO溶胶放置于合适的基底上，然后通过热退火的方式完成ZnO薄膜的制备。
使用该方法，可以获得良好的薄膜质量和较大的薄膜面积，同时可以随意控制薄膜厚度。
2.物理气相沉积法物理气相沉积法是ZnO薄膜制备中最常用的方法之一。
其主要通过采用物理气相沉积设备将高温气体通入反应室，然后将蒸汽通过传输管道沉积在基底上完成ZnO薄膜的制备。
该方法具有制备ZnO晶体中空气杂质较少、晶粒精细等显著的优点。
3.MBE法MBE法是利用分子束外延设备在超高真空环境下生长晶体的方法。
该方法制备的ZnO薄膜具有非常高的晶体质量。
然而，需要难以实现的极限条件，如超高真空环境和较高的晶体表面温度。
二、ZnO薄膜性能研究1.光电性能ZnO薄膜是光学和电学交叉的半导体薄膜。
关于ZnO薄膜的光学性能，已有许多研究。
例如，有研究人员证实了ZnO条纹薄膜在光学上具有比等宽薄膜更高的透射比，这是由于条纹薄膜的形态依赖性的折射率引起的。
此外，ZnO薄膜具有优越的光电转换性能，可用于太阳能电池、传感器等领域。
2.气敏性能ZnO薄膜的气敏性能是其另一个重要的应用领域，具有广泛的市场前景。
研究表明，ZnO薄膜的气敏性能受到薄膜厚度、沉积温度和掺杂类型等多个因素的影响。
例如，掺杂ZnO薄膜的气敏性能不仅可以提高灵敏度，还可以增加电阻率等方面的特性。
3.化学性质关于ZnO薄膜的化学性质，研究人员通常需要从其表面性质、表面反应等多个方面进行分析。
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书山有路勤为径，学海无涯苦作舟
物理法制备ZnO 薄膜的方法
溅射法(Sputtering) 溅射是带电粒子轰击靶材,使靶材粒子(团)被击溅出来并淀积到衬底上成膜。
假如靶材是Zn,沉积过程中Zn 与气氛中的O2 发生反应生
成ZnO,属于反应溅射。
若靶材是ZnO,沉积过程中无化学变化则为普通溅射法。
溅射法要求较高的真空度,合适的溅射功率及衬底温度。
磁控溅射ZnO 薄膜,具有速率高、可有效抑制固相扩散、薄膜与衬底之间的界面陡峭等优点。
决定ZnO 薄膜微结构的主要因素是衬底温度和溅射粒子的能量分布。
保护气通常用
超高纯氩气,反应气为氧气。
在反应溅射中,可能会有部分Zn 与O2 没有反应完全,薄膜的特性不够理想,不如用ZnO 靶制备的薄膜质量好。
脉冲激光沉积法(PLD) PLD 是在超高真空(本底气压10-8Pa)系统中,准分子激光器所产生的高功率脉冲激光束聚焦照射靶面,使靶材瞬时升华、解离,产生高压高温等离子体(T≥104K),这种等离子体局域定向膨胀发射并冷却沉积在衬底上成膜。
PLD 常用的激光器有波长248nm 的KrF 和波长193 nm 的ArF 准分子激光器。
衬底温度和反应气氛是决定ZnO 薄膜结晶好坏的重要因素。
PLD 系统示意图示于图1。
PLD 法制备的ZnO 薄膜的结构、光电性质与衬底温度、背景气压、激光能量密度、脉冲宽度和重复频率等因素有关。
PLD 生长参数独立可调, 化学计量比可精确控制,薄膜平整度好,易于实现多层薄膜的生长,而且减少了不必要的玷污。
图1 PLD 系统示意图
分子束外延法(MBE)MBE 是一种原子级可控的薄膜生长方法MBE 生长ZnO
需要超高真空条件,本底压强大约为10-7Pa 或以上,衬底通常为蓝宝石。
在电子
回旋共振分子束外延(ECR-MBE)生长中,采用100mW 的微波功率,氧气分压为2。