2017年模拟电子技术期中测验 答案

北京交通大学阶段测验
课程名称:模拟电子技术学年学期:2016—2017学年第2学期
课程编号:14L182Q 开课学院:电信学院出题教师:课程组
学生姓名:学号:任课教师:
学生学院:班级:
一、概念题(每空1分,共32分)
1.在本征半导体中掺入五价元素的杂质半导体中,多数载流子是(电子),少数载流子是(空穴)。

2.PN结存在扩散电容和势垒电容效应。

PN结正偏时主要是(扩散)电容,PN结反偏是主要是(势垒)电容。

3.光电二极管在光能发电时应使光电二极管工作在(反偏)工作状态。

稳压二极管在稳压时应使稳压二极管工作在(反偏)工作状态。

4.根据半导体的掺杂浓度不同,当PN结反偏电压较大时,掺杂浓度高的PN结容易引起(齐纳)击穿,掺杂浓度低的PN结容易引起(雪崩)击穿。

5.三极管是一种双极型晶体管,而场效应管是一种(单极)型晶体管。

场效应管是电压控制晶体管,三极管是(电流)控制晶体管。

场效应晶体管的栅极电流(几乎为零)。

6.当三极管工作在放大态时,其发射结(正偏),集电结(反偏)。

当结型场效应管在恒流区时,栅极PN结应该(反偏)。

7.在共射、共集、共基三种基本放大电路组态中,高频特性最好的是(共基)组态。

可以放大电压、不能放大电流的是(共基)组态;输出电阻最小的是(共集)组态。

8.在构成多级放大电路时,放大器之间的级间耦合方式主要有光电耦合、变压器耦合、
(直接耦合)和(阻容耦合)。

如果要传送变化缓慢的信号,应采取(直接)耦合方式。

9.多级放大电路级联后,增益(提高)了,通频带(变窄)了。

10.放大电路中的晶体管结电容、分布电容、耦合电容、旁路电容对不同频率的信号的
响应是不同的,影响放大器高频响应的主要原因是(结)电容和分布电容;影响放大器低频响应的主要原因是(耦合)电容和旁路电容。

11.fβ为共射电流放大系数对应的截止频率,f T为三极管丧失电流放大能力的极限频率,
fα为共基电流放大系数对应的截止频率。

三个参数中,(fα)的频率最高,(fβ)的频率最低。

12.为了使反馈放大电路稳定可靠的工作,设计时都留有稳定裕量。

通常增益裕量为(10)
分贝,相位裕量为(45)度。

13.典型共射电路如图1(a)所示,典型共射偏置电路如图1(b)所示,其中晶体管是
硅管。

从工程角度考虑图1(a)和图1(b)两电路在温度或其他因素变化时:图1(a):(没有)反馈作用。

假设温度降低,集电极电流将(降低)。

图1(b):(有)反馈作用。

(b)图的静态工作点更稳定。

(a)(b)
图1
二、简答题(共16分)
1. 为什么场效应管放大电路不使用共栅组态?为什么放大器的输入级经常使用共集组态三极管放大电路?(8分)
答:共源和共漏组态的输入阻抗理论上为无穷大,共栅组态的输入阻抗相对较小,没有发挥栅极与沟道之间的高阻特性,因此在放大电路中几乎不使用共栅组态。

共集组态三极管放大电路具有输入阻抗高的特点。

2. 简述在实验中,如何测量电路的通频带?(8分)
答:首先在示波器中记录电路的中频增益。

分别调高或调低输入信号频率,当电路增益降低到中频增益的0.707倍时,此时的频率为f H或f L。

BW=f H - f L
三、两级放大器(共22分)
两级放大电路如图2所示。

已知增强型N 沟道MOS 管g m 和U GS, th ,已知NPN 三极管β=100和h ie ,已知U CC 和所有电阻阻值,且电阻取值合适。

1. 列写静态工作点的计算公式:I BQ 、I CQ 、U CEQ
2. 画出该电路的微变等效电路
3. 列写公式:r i ’、r o ’和A u
u i
u o
图2
解答: 1. CC BEQ
BQ 5
-=U U I R 、CQ BQ =I I β⨯、CEQ CC CQ 6=U U I R -⨯
2.
i b
3.
r i ’ = R 3+ R 1// R 2 r o ’ = R 6
fe 6u u1u2m 45ie ie
==h R A A A g R //R //h h ⋅⨯⋅⨯
四、波特图(11分)
画出增益函数的幅频特性曲线:()()()12
U 54ω10ωω10ω10ω10j A j j j j ⋅=+⋅+⋅+
解答:先化为标准式:()2U 4510ω
ωωωω111101010j A j j j j =⎛⎫⎛⎫⎛⎫+++ ⎪⎪⎪
⎝
⎭⎝⎭⎝⎭
然后做出幅频特性曲线:
60
40 20
五、负反馈放大电路(18分)
观察如图3所示电路。

(1)指出主反馈的反馈元件与反馈类型; (2)写出主反馈的反馈系数。

(3)引入该反馈后,对原放大电路的增益、稳定度、带宽、输出电阻有什么影响?
u 图3
解答:
1. 主反馈元件:R 3和R 4。

反馈类型:交直流电压串联负反馈。

2. 反馈系数4
34
f U o u R B u R R =
=
+ 3. 引入该反馈后,增益下降了,稳定度提高了,带宽提高了,输出电阻减小了。

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模拟电子技术单选考试模拟题(含答案)

模拟电子技术单选考试模拟题(含答案)

模拟电子技术单选考试模拟题(含答案)一、单选题(共100题,每题1分,共100分)1、放大电路中的所有电容器的作用均为通交隔直。

( )A、错误B、正确 ;正确答案:B2、输出端交流短路后仍有反馈信号存在,可断定为电流负反馈。

()A、对 :B、错正确答案:A3、正弦电流经过二极管整流后的波形为( )。

A、仍为正弦波。

B、矩形方波;C、等腰三角波;D、正弦半波;正确答案:D4、三极管超过( )所示极限参数时,必定被损坏。

A、集电极最大允许电流ICMB、集—射极间反向击穿电压U(BR)CEOC、集电极最大允许耗散功率PCMD、管子的电流放大倍数正确答案:C5、对于工作在放大区的晶体三极管而言,下列式子正确的是:( )A、ic=βibB、ie=βibC、ie=βic正确答案:A6、共模信号和差模信号都是电路传输和放大的有用信号。

()A、错B、对 :正确答案:A7、放大电路的集电极电流超过极限值ICM,就会造成管子烧损。

( )A、正确 ;B、错误正确答案:B8、N型半导体中的多数载流子是()A、空穴B、负离子C、自由电子D、正离子正确答案:C9、集成电路内部,各级之间的耦合方式通常采用()A、光电耦合B、阻容耦合C、直接耦合D、变压器耦合正确答案:C10、如果两个信号,它们的大小相等,相位相同,则它们是( )信号。

A、共模B、模拟C、差模正确答案:A11、理想集成运放的输出电阻为()。

A、不定。

B、∞;C、0;正确答案:C12、PN结两端加正向偏置电压时,其正向电流是由()而成。

A、少子扩散B、少子漂移C、多子漂移D、多子扩散正确答案:D13、因放大电路对不同频率信号成分的放大能力和相移能力不同而造成输出畸变的现象称为()A、交越失真B、截止失真C、频率失真D、饱和失真正确答案:C14、测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为VE=2.1V,VB=2.8V,VC=4.4V,说明此三极管处在( )。

A、放大区;B、饱和区;C、截止区;D、反向击穿区。

模拟电子技术基础测试题及参考答案

模拟电子技术基础测试题及参考答案

模拟电子技术基础测试题及参考答案一、单选题(共50题,每题1分,共50分)1、贴片电阻的封装是:( )A、0805B、SOT-23C、TO-92D、以上都正确正确答案:A2、引起直接耦合放大器零点漂移的因素很多,其中最难控制的是( )A、电源电压的变化B、元器件的对称性C、电路中电容和电阻数值的变化D、半导体器件参数的变化正确答案:D3、某多级放大电路由三级基本放大器组成,已知每级电压放大倍数为Au,则总的电压放大倍数为( )A、3AuB、Au3C、AuD、以上答案均不正确正确答案:B4、乙类推挽功率放大电路的静态工作点在三极管的( )边缘。

A、放大区B、截止区C、饱和区D、截止区与饱和区正确答案:B5、直流放大器中的级间耦合通常采用( )A、阻容耦合B、直接耦合C、电感抽头耦合D、变压器耦合正确答案:B6、下列关于三极管S8050的性质描述对的是 ( )A、锗材料NPN型B、硅材料NPN型C、硅材料PNP型D、锗材料PNP型正确答案:B7、元件引脚的剪脚高度为( )。

A、0.5MM以下B、0.5-2.5MMC、2.5MM以上D、无所谓,没关系正确答案:B8、下列集成稳压器,不能实现稳压输出+9 V的是( )A、CW7909B、CW317C、CW117D、CW7809正确答案:A9、由NPN型管构成的基本共射放大电路,输入是正弦信号,若从示波器显示的输出信号波形发现顶部(正半周)削波失真,则该放大电路产生了( )失真。

A、截止B、放大C、饱和D、无法确定正确答案:C10、把电动势是 1.5伏的干电池以正向接法直接接到一个硅二极管的两端,则该管( )A、击穿B、被烧坏C、电流基本正常D、电流为零正确答案:C11、多级放大电路各级的电压增益分别是:10dB、20 dB、30 dB,则电压总增益是( )。

A、0 dBB、30 dBC、60 dBD、6000 dB正确答案:C12、在单级射极输出器中,输人电压信号和输出电压信号的相位是( )A、同相B、相差90° D .相差270°C、反相正确答案:A13、CW7900系列稳压器的1脚为 ( )A、公共端B、输出端C、输入端D、调整端正确答案:A14、电烙铁焊接完成后与被焊体约( )度角移开A、90B、30C、60D、45正确答案:D15、下列关于电感线圈描述正确是( )A、线圈中通直流电流会产生磁场B、电感线圈中的电流能发生突变C、线圈中会产生一定的自感电动势,增强电流的变化D、电感线圈的品质因素越高,损耗越大正确答案:D16、当晶体二极管的PN结导通后,则参加导电的是 ( )A、少数载流子B、多数载流子C、既有少数载流子又有多数载流子D、以上答案均不正确正确答案:C17、下列关于变压器表述不正确的是 ( )。

模拟电子技术期中考试卷

模拟电子技术期中考试卷

模拟电子技术期中考试卷
1.(10分)两级阻容耦合放大电路如图所示,已知T 1的g m =1ms ,r ds =200k Ω, T 2的β=50,r be =1k Ω,⑴画出该放大电路的微变等效电路;
⑵求放大电路的电压放大倍数i O U U A .
../ ;
⑶求放大电路的输入电阻R i 和输出电阻R o ;
2. (10分)已知电路如图所示,T1和T2管的饱和管压降│U CES │=3V ,V CC =15V , R L =8Ω。

选择正确答案填入空内。

(1)电路中D1和D2管的作用是消除 。

A .饱和失真
B .截止失真
C .交越失真
(2)静态时,晶体管发射极电位U EQ 。

A .>0V
B .=0V
C .<0V
(3)最大输出功率P OM 。

A .≈28W
B .=18W
C .=9W
(4)当输入为正弦波时,若R 1虚焊,即开路,则输出电压 。

A .为正弦波
B .仅有正半波
C .仅有负半波
(5)若D1虚焊,则T1管 。

A .可能因功耗过大烧坏
B .始终饱和
C .始终截止
U
o
CC。

模拟电子技术试题及答案

模拟电子技术试题及答案

模拟电子技术试题及答案一、选择题(每题2分,共20分)1. 在模拟电子技术中,以下哪个元件不是基本的线性元件?A. 电阻器B. 电容器C. 电感器D. 晶体管2. 理想运算放大器的输入阻抗应该是:A. 无穷大B. 零C. 有限值D. 负值3. 以下哪个不是运算放大器的基本应用?A. 放大器B. 比较器C. 振荡器D. 整流器4. 负反馈在放大器中的作用是:A. 增加增益B. 减小增益C. 提高稳定性D. 降低噪声5. 在模拟电子电路中,若要实现电压跟随器,应该使用运算放大器的哪种配置?A. 反相放大器B. 非反相放大器C. 差分放大器D. 积分器6. 一个理想的二极管在正向偏置时,其导通电压是:A. 0VB. 0.7VC. 无穷大D. 负值7. 以下哪个不是模拟滤波器的类型?A. 低通滤波器B. 高通滤波器C. 带通滤波器D. 逻辑滤波器8. 一个理想稳压二极管的正向导通电压是:A. 变化的B. 固定的C. 无穷大D. 零9. 在模拟电路设计中,为了减少噪声,通常采用以下哪种方法?A. 增加增益B. 使用高阻值电阻C. 使用低阻值电阻D. 增加电源电压10. 以下哪个不是模拟信号的特点?A. 连续性B. 可量化C. 可模拟D. 可放大答案:1-5 D A C B B;6-10 B D D C B二、填空题(每空1分,共10分)1. 一个理想的运算放大器的输出电压范围是_________。

2. 运算放大器的开环增益通常表示为_________。

3. 一个理想的二极管在反向偏置时,其电流是_________。

4. 模拟滤波器按照频率特性可以分为_________、_________和_________。

5. 稳压二极管的工作原理是利用PN结的_________特性。

答案:1. 正负电源电压 2. 无穷大 3. 零 4. 低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器 5. 齐纳击穿三、简答题(每题10分,共20分)1. 简述模拟电子技术中负反馈的概念及其在放大器设计中的作用。

《电子技术基础》期中考试试卷及参考答案整理版

《电子技术基础》期中考试试卷及参考答案整理版

2017-2018学年第一学期《电子技术基础》期中考试卷班级:姓名:学号:得分:一、填空题(每空格1分,共30 分)1、半导体材料通常有、锗和砷等。

2、P型半导体中多数载流子是,少数载流子是。

3、PN结加正向电压时________,加反向电压时________,这种特性称为PN结的单向导电性。

4、硅二极管的死区电压约为左右,锗二极管的死区电压约为0.1V-0.2V。

5、已知三极管的发射极电流IE=3000uA ,基极电流IB=50uA,则集电极电流IC=。

6、三极管有三个管脚,分别称为、、。

7、整流是指将变换为的过程,常见的整流电路有整流电路、整流电路和单相全波整流电路三种。

8、稳压管二极管正常工作时须工作在状态。

9、三极管工作时通常有、、三种工作状态。

10、半导体三极管又称双极型三极管,它是利用输入电流控制输出电流的半导体器件,称为器件;场效应管是利用输入电压产生的电场效应控制输出电流的半导体器件,称为器件。

11、放大器无信号输入时的直流工作状态称为________,给放大器设置合适的静态工作点是为了__ ______。

12、已知某三极管的IB1=10uA时,IC1=0.8mA,当IB2=30uA时,IC2=2.4mA,求该三极管的β值为,若IB3=60uA,那么IC3= 。

13、画交流通路时,是把较大的和视为短路,画直流通路时是把视为开路。

14、半波整流电路中,若变压器次级电压为V2=10V,那么负载两端电压V0= 。

15、在单向半波整流电路负载两端并接滤波电容时,输出电压平均值=oV________2V;在桥式整流电路负载两端并接滤波滤波电容时,输出电压平均值=oV________2V。

二、判断题(每题2分,共10分)()1、二极管是非线性器件。

()2、将脉动直流电变换为平滑直流电的过程称为滤波。

()3、PNP型三极管一定是硅管,NPN型三极管是锗管。

()4、分压式偏置放大电路的静态工作点会随温度的变化而发生很大的变化。

《模拟电子技术》试卷(十套附答案)

《模拟电子技术》试卷(十套附答案)

《模拟电子技术》试卷目录《模拟电子技术》试卷1 (1)《模拟电子技术》试卷1答案 (5)《模拟电子技术》试卷2 (7)《模拟电子技术》试卷2答案 (10)《模拟电子技术》试卷3 (12)《模拟电子技术》试卷3答案 (16)《模拟电子技术》试卷4 (18)《模拟电子技术》试卷4答案 (20)《模拟电子技术》试卷5 (23)《模拟电子技术》试卷5答案 (26)《模拟电子技术》试卷6 (28)《模拟电子技术》试卷6答案 (30)《模拟电子技术》试卷7 (32)《模拟电子技术》试卷7答案 (35)《模拟电子技术》试卷8 (36)《模拟电子技术》试卷8答案 (39)《模拟电子技术》试卷9 (41)《模拟电子技术》试卷9答案 (44)《模拟电子技术》试卷10 (46)《模拟电子技术》试卷10答案 (49)《模拟电子技术》试卷1班级:姓名总分:一、填空(每空1分,共15分)1. 二极管最主要的特性是(),它的两个主要参数是反映正向特性的()。

2. 三极管工作在三个区域的条件是:放大区(),饱和区()截止区()。

3. 场效应管从结构上分成()和()两大类型,它属于()控制型器件。

4. 集成运算放大器是一种采用()耦合方式的放大电路,最常见的问题是()。

5. 差动放大电路的基本功能是对差模信号的()作用和对共模信号的()作用。

6. 小功率直流稳压电源由变压器、()、()、()四部分组成。

二、选择题(每空2分,共10分)1. 在图示电路中,当电源V=5V时,测得I=1mA。

若把电源电压调整到V=10V,则()。

A. I=2mAB. I<2mAC. I>2mAD. I=10mA2. 集成运放的输入所采用差分放大电路是因为可以()。

A. 减小温漂B.增大放大倍数C. 提高输入电路D. 减小噪声3. 欲减小电路从信号源索取的电流,增大带负载能力,应在放大电路中引入()负反馈。

A. 电压串联B. 电压并联C. 电流串联D. 电流并联4. 欲实现Au=-100的放大电路,应选用()电路。

2017上期电子技术期中试题

2017年上期期中考试《电子技术》试卷专业适用班级时间90分钟班级学号姓名评分选择题一、选择题:(每题2分,共30分)1、对于连续变化、不间断的电信号称之为()。

A、模拟信号B、数字信号C、脉冲信号2、对于不连续变化、有间断的电信号称之为()。

A、模拟信号B、数字信号C、漂移信号3、时序电路是()存储和记忆信息功能。

A、有B、没有C、不确定4、下面哪种信号属于数字信号()。

A、交流信号B、矩形脉冲信号C、漂移信号5、数字电路有()种表示状态。

A、0B、1C、26、若输出端A或B中有一个为低电平时,输出端Y即为低电平,称之为()关系。

A、与B、或C、非7、()电路的逻辑功能为“有1出1,全0出0”。

A、与门B、或门C、非门8、或门电路的逻辑表达式()。

A、Y=ABB、Y=A+BC、Y=A·B9、若逻辑功能为“有1出0,全0出1”,称为()门电路。

A、与非B、或非C、非10、逻辑代数为Y=A+1=()。

A、AB、1C、O11、逻辑代数为Y=A·A=()。

A、AB、1C、O12、触发器具有()个稳定状态。

A、1B、2C、313、认真作答。

本题标号是()。

A、13B、18C、2314、我们所说的467、468、469是用()进制表示的。

A、二B、十C、十六15、二进制数0110对应十进制数()。

A、5B、8C、6二、填空题:(每题2分,共20分)1、模拟信号的特征是,数字信号的特征是。

2、数字电路具有、、、等优点。

3、数字电路可分为电路和电路两大类。

4、描述逻辑关系通常是表示高电平、有信号、开关合、事情真、满足条件等。

表示低电平、无信号、开关断、事情假、不满足条件等。

5、与门电路的逻辑功能为。

6、或门电路的逻辑功能为。

7、是一种具有记忆和存储功能、最常用的基本时序逻辑电路。

8、规定了触发器的端的状态为触发器的状态。

9、在CP=0时,触发器处于状态。

10、JK触发器解决了基本RS触发器和同步RS触发器存在的问题。

模拟电子技术试题及答案

模拟电子技术试题及答案一、选择题1. 在模拟电子技术中,以下哪种元件不是基本的模拟电路元件?A. 电阻B. 电容C. 电感D. 逻辑门答案:D2. 运算放大器的主要作用是什么?A. 信号放大B. 信号整形C. 信号转换D. 信号滤波答案:A3. 以下哪种滤波器能够通过高频信号而阻止低频信号?A. 高通滤波器B. 低通滤波器C. 带通滤波器D. 带阻滤波器答案:A4. 在模拟电路设计中,为了减小温度对电路性能的影响,通常采用哪种方法?A. 温度补偿B. 自动增益控制C. 负反馈D. 电源滤波答案:A5. 哪种类型的半导体材料具有P型半导体的特性?A. 锗(Ge)B. 硅(Si)C. 氮化镓(GaN)D. 氧化锌(ZnO)答案:B二、填空题1. 在模拟电子技术中,______和______是构成振荡器的基本元件。

答案:电阻、电容2. 为了实现信号的放大,通常需要在电路中引入______。

答案:负反馈3. 在模拟信号处理中,______是用来描述信号频率内容的工具。

答案:傅里叶变换4. 电流放大器的主要功能是放大______信号。

答案:低频5. 在模拟电路中,为了提高电路的稳定性和可靠性,常常使用______电源。

答案:稳压三、简答题1. 请简述晶体管的主要工作原理及其在模拟电路中的应用。

晶体管是一种半导体器件,主要通过控制基极电流来调节集电极与发射极之间的电流。

在模拟电路中,晶体管可以作为放大器使用,通过小信号控制大信号的放大过程,实现信号的增益。

同时,晶体管还可以用作开关,控制电路的导通与截止。

2. 描述运算放大器的基本特性及其在模拟电路设计中的重要性。

运算放大器是一种高增益、高输入阻抗、低输出阻抗的放大器。

其基本特性包括开环增益高、输入阻抗大、输出阻抗小、频率响应宽等。

在模拟电路设计中,运算放大器因其优良的放大性能和灵活性,被广泛应用于信号放大、滤波、积分、微分等电路中,是模拟电路设计中不可或缺的核心组件。

2016-2017学年度第二学期电子技术基础期中考试试卷(16计算机班)201704

江苏省泗洪中等专业学校2016–2017学年度第二学期期中考试试卷 《16计算机班—电子技术基础与技能》(满分150分,考试时间75分钟,命题人:王秀彬)一、单项选择题(每小题2分,共计40分)1.下面说法中不正确的是( ) A .本征半导体就是纯净的半导体B .二极管导通后,内部有两种载流子在做定向移动C .二极管击穿了则不能使用D .P 型半导体中空穴是多子,电子为少子 2.反相器输入为高电平时,输出应为( ) A .高电平 B .低电平 C .0电平 D .不确定 3.下列命题用逻辑分析关系正确的是( ) A .若A+B=A+C 则B=C B .若AB=AC 则B=C C .若A+B=A+C 且AB=AC 则B=C D .以上都对 4.下列表达式中,反映或逻辑关系的是( ) A .1+1=10 B .1+1=2 C .1+1=1 D .1+1=0 5.或门的逻辑功能是( )A .有0出1,全1出0B .有1出0,全0出1C .有1出1,全0出0D .有0出0,全1出1 6.能实现当输入全部为0时,输出才为0的门电路是( ) A .与门 B .或门 C .非门 D .与非门7.能使Y=A B +BC=1的A 、B 、C 所有可能的组合是( ) A .011、100、110、111 B .011、100、101、111 C .010、011、100、111 D .001、011、100、101 8.逻辑函数式F=ABC +A +B +C 的逻辑结果是( )班级___________ 姓名_____________………………密……………封……………线……………内……………不……………要……………答……………题……………………A .ABCB .0C .1D .A +B +C9.逻辑函数式AB+A B +A B+ A B 化简后的结果是( ) A .0 B .1 C .A+B D .AB 10.逻辑函数式E F+E F +EF ,化简结果是( ) A .EF B .F C .E+F D .E二、判断题(每小题2分,共计20分)1.晶体二极管只要加正向电压就会导通。

模拟电子技术基础试卷期中答案


R o = 2 kΩ
(b) Au = − : ɺ
(1 + β) Re ≈ 0.99 (或 ≈ 1 ) rbe + (1 + β)Re
Ro = Re //
rbe ≈ 19Ω 1+β
ɺ 2. : U o = Au U i (a)
RL ≈ 146mV Ro + RL RL ≈ 294mV Ro + RL
ɺ (b) U o = Au U i :
RL ≈ 7.56V Rc + RL
′ Rc = Rc // RL ≈ 1.89kΩ
′ U CEQ =V ′ CC− I CQ Rc ≈ 4.9V
2.
R b1 . Ui . Ib . . Uo
R b2
r be
β Ib
Rc
RL
3. rbe = rbb′ + (1 + β)
UT ≈1.9k Ω I EQ
3 3
0 3
截止 导通
导通 导通
0.3 3.3
四、非客观题(5 小题,共 49.0 分) (10 分)[15 1.5 2.5 3.5 t ms
(12 分)[2][答案] 1. : Au = − (a) ɺ
βRc ≈ −0.97 (或 ≈ −1 ) rbe + (1 + β)Re
====================答案==================== 答案部分,(卷面共有 20 题,100.0 分,各大题标有题量和总分) 一、选择题(8 小题,共 30.0 分) (1 分)[1][答案] C|A (2 分)[2][答案] A|C (6 分)[3][答案] A|A|C|D|B (2 分)[4][答案] C (8 分)[5][答案] B|C (2 分)[6][答案] B|A (6 分)[7][答案] C|A|C|B|D (3 分)[8][答案] A|A|B 二、是非(5 小题,共 14.0 分) (2 分)[1][答案] 错 (1 分)[2][答案] 对|错 (2 分)[3][答案] 错 (3 分)[4][答案] 对|对对|错 (6 分)[5][答案] 错|对|对|错 三、填空题 (2 小题,共 7.0 分) (2 分)[1][答案] 3.5V (5 分)[2][答案] U1 / V 0 0 U2 / V 0 3 VD1 导通 导通 VD2 导通 截止 U O/ V 0.3 0.3
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