PVD设备及工艺简介
PVD镀膜产品及制备工艺
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富森钛金设备
迪通恒业科技
联合出品
④ 非平衡磁控溅射：
通过减小或增大靶中心的磁体体积，使 部分磁力线发散到距靶较远的衬底附近， 使等离子体扩展到衬底附近且部分等离 子体起轰击衬底作用。 •拓展等离子体区域； •增加离子比例； •增加沉积能量。
富森钛金设备
迪通恒业科技
联合出品
PLASMA
物質的第四態
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富森钛金设备
迪通恒业科技
联合出品
濺鍍製程技術的特點
• • • • • 成長速度快 大面積且均勻度高 附著性佳可改變薄膜應力 金屬或絕緣材料均可鍍製 適合鍍製合金材料
I-V characteristics of three different methods used for sputtering
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富森钛金设备
迪通恒业科技
联合出品
（１）磁控溅射：
① 传统溅射方法缺点：
•沉积速率低； •工作气压高； •气体分子对薄膜污染高
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富森钛金设备
迪通恒业科技
联合出品
装饰膜的复合膜层
间电货品：膜层与基体颜色相间；根据间电颜色生产难度而定； 复合膜层：在同一工件上实现两种或两种以上颜色的镀膜；货品交 期大约20天； 界面平整分明，森科专利技术。
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PVD基础介绍
磁控溅射镀模型
下图为Sputter溅镀模型（类似打台球模型）：
图一 Sputter溅镀模型
图中的母球代表被电离后的气体分子，而 红色各球则代表将被溅射的靶材 （AL，AZO等）
图二则代表溅镀后被溅射出的原子、分子等的运动情形；即当被加速的离子与
表面撞击后，通过能量与动量转移过程（如图三），低能离子碰撞靶时，不能从固体 表面直接溅射出原子，而是把动量转移给被碰撞的原子，引起晶格点阵上原子的链锁
第四部分：点检及保养
日常点检（4h/次）
1、在工艺自动时，记录“靶室真空度” 2、空跑白玻后，靶高功率溅射时，记录“低速”、“靶电压”、“靶电流”、 “靶功率”、“氩气流量”、“靶消耗”、“累计芯片数”
3、出料时，用万用表测量芯片半成品膜面电阻，测量点在电流边中间位置，点 间距大于1200mm。SPL1800PVD产线有专门的测电阻装置，无需人工测量。
第三部分：操作规范
一、开机规范
1、开启前，检查水电气是否正常供应
2、开启分子泵及腔室循环水，先逆时针打开总回水阀， 然后逆时针打开总进水阀，调节进水压力值为0.250.3MPa左右，然后用同样方法开启靶子循环水路，压力 值同分子泵一样；
3、开启压缩空气总进气阀，通过二联件上的空气压力调 节器设定进气压力为0.55MPa左右，开启氩气进气阀， 设定压力值为3Bar左右 ； 4、打开电控柜总电源开关，开启控制电脑，打开控制软 件，进入控制界面；
铝膜，导电率仅次于 银和铜，反射可见光 和紫外光；
掺铝氧化锌膜， 可见光透射率高，红 外光反射率高，电阻 率低，是一种透明导 电材料。 （如掺2%wt氧化 铝的AZO对可见光区平 均透过率86% ，红外 反射率大于80% ）
3、控制系统（让PVD实现自动化控制） • 控制系统是整个装置的灵魂，控制整个系统的工作， 包括软件操作系统、数据采集系统、数据分析系统和 执行传输系统等组成 • 数据收集系统：片位、流量（水气）、真空压力、电 机转速、阀位、
PVD制备TCO工艺总结
触控面板
TCO材料作为触控面板的导电膜层， 能够实现高灵敏度的触控响应。
显示器
TCO材料能够提高显示器的透光率 和色彩表现，广泛应用于液晶显示 器、OLED显示器等领域。
03 PVD制备TCO工艺流程
靶材选择
01
02
03
靶材纯度
选择高纯度靶材以保证薄 膜的纯净度，减少杂质和 缺陷。
靶材晶体结构
06 PVD制备TCO工艺未来展 望
技术发展趋势
1 2 3
高效能
随着科技的不断进步，PVD制备TCO工艺将朝着 更高效率和更低能耗的方向发展，提高生产效率 和降低成本。
智能化
智能化技术将应用于PVD制备TCO工艺中，实现 自动化控制和优化生产过程，提高产品质量和稳 定性。
环保化
环保法规日益严格，PVD制备TCO工艺将更加注 重环保和可持续发展，减少对环境的影响。
应用领域拓展
新材料领域
随着新材料技术的不断发展， PVD制备TCO工艺将应用于更多 新材料领域，如新型太阳能电池、 柔性电子等。
新能源领域
在新能源领域，PVD制备TCO工 艺将应用于太阳能电池、风力发 电等领域，推动可再生能源的发 展。
生物医疗领域
PVD制备TCO工艺在生物医疗领 域的应用也将逐渐增多，如生物 传感器、医疗设备等。
辉光放电产生等离子体
辉光放电原理
01
辉光放电是一种气体放电现象，通过高压电场使气体电离产生
等离子体。
辉光放电条件
02
控制放电电压、电流和气体流量等参数，以产生稳定和高效的
等离子体。
等离子体诊断
03
通过诊断工具对等离子体的性质进行监测，如电子温度、密度、
PVD技术制程介绍
*
第三步 反應成膜
Ar+ + N2 2N +Ar+ Ti + N TiN
基底材料
*
PVD技術應用于金屬外殼之優點
高金屬質感和艷麗飽滿的色彩效果 優異的功能性(與基材的良好結合﹐高的硬度和耐磨性等) 底材選擇的多樣化(如不鏽鋼﹐鈦合金﹐甚至鋁合金) 制程的良好的穩定性和再現性 適應現代環保潮流
耐刮測試（Rod-scratch Test）
1N or 2N No scratch
4
膜厚測試（Film Thickness Test）
通常要求1um~2um; 有的專案要求2.6um以上
5
鹽霧測試(Salt mist Test)
No change after test
*
7.1 震動研磨測試方法介紹
*
2.1 不銹鋼產品PVD清洗流程圖 SS Product Cleaning Flow Chart
上挂 Racking
除蠟 Dewax
氧化 Oxidation
烘烤 Baking
除蠟 Dewax
酸洗 Acid rinsing
下挂 Unracking
純水洗 Pure water cleaning
NLV-LH PVD廠 承制
新專案/新色需求 New Project/Color Demand
送候選金樣 Golden Sample
6. PVD新色開發流程 PVD Color Development Flowchart
*
PVD新色承認 PVD New Color Approval Items
PVD新色承認
樣品製作 Sample Preparation
pvd设备及工艺简介
脉冲激光沉积设备及工艺流程
• 高功率脉冲激光器：脉冲激光沉积设备中最重要的部分是高 功率脉冲激光器，用于产生高能脉冲激光。
• 靶材：靶材是放置在真空室中的，由要沉积的材料制成。 • 基板：基板是放置在真空室中的，用于接收激光束照射靶材
高精度控制
pvd技术对工艺参数的控制要求较高，如真空度、温度、电流等，需要精确控制这些参数 以确保薄膜的质量和稳定性。
薄膜性能的改善
尽管pvd技术在制备薄膜方面具有很多优点，但仍然需要不断提高薄膜的性能和稳定性， 以满足不同领域的应用需求。
设备成本与维护
pvd设备的前期投入和后期维护成本较高，成为制约其广泛应用的一个因素。需要降低设 备成本并提高设备的可靠性和稳定性，以推广pvd技术的应用范围。
作和维护。
适用范围有限
03
PVD技术对于一些特殊材料和复杂形状的制品加工有
一定的难度和限制。
06 pvd技术的发展 趋势与挑战
pvd技术的发展趋势
01 02
向高效节能方向发展
随着环保要求的提高，pvd设备正朝着更加节能、环保、高效的方向发 展，如采用新型电源技术、优化真空系统和控制系统等，以提高设备运 行效率和降低能源消耗。
，提高其性能和稳定性。
光学制造
PVD技术可用于制造高透光 率、高反射率的薄膜，如太阳
能电池、光学镜片等。
其他领域
PVD技术还可应用于航空航 天、汽车制造、医疗器械等领
域。
pvd技术的发展趋势
多元化应用
随着科技的不断进步，PVD技术的应用领域越来越广泛，未来将会有更多领域应用PVD技术。
高性能材料
【9】【PVD工艺介绍】
PVD工艺介绍报告人：文辉民邮箱: swen99@目录1PVD 簡介2真空概述3PVD 製程腔体結構4元素•靶材的分類•氣體的選擇5薄膜沉積機制6電漿7材質8表面缺陷的影響1.PVD 簡介1.1 物理氣相沈積(Physical Vapor Deposition) 1.2 依蒸發源的不同分成：蒸鍍 濺鍍 電子束 離子束 陰極電弧1.PVD 簡介1.PVD 簡介1.PVD 簡介1.PVD 簡介1.PVD 簡介-12-2.真空概述2.1 真空的定義一個空間，其中的氣體壓力顯著小於其周圍的大氣壓力2.2 氣體分子的平均自由徑(λ，單位：cm)溫度為20℃的空氣，壓力Ｐ的單位為mbar2.真空概述3.腔体結構4.1 靶材的分類Ti Cr Zr TiAl W4.2 反應氣體的選擇Ar C 2H 2 N O CH 44.元素Cathodetraget plasma ‧‧Me ＋＋Me ‧Me ＋‧‧‧‧‧‧N ＋＋Me e -＋N N ＋‧Ar ＋-e 5.薄膜沉積機制5.薄膜沉積機制6.電漿Ø6.1 所謂「電漿」(又稱等離子體) 即是離子化氣體物質的第四態電中性等溫性7.材質Ø哪些材質可以PVD?1.不銹鋼、高速鋼、鎢鋼2.電鍍處理後的銅合金、鋅合金3.電鍍處理後的ABS、PC、ABS+PC8.表面缺陷的影響Ø金屬件砂孔、裂縫造成的吐氣表面氧化物、水痕造成的掉膜塑膠件耐溫性不足造成的軟化及雜質釋出引發吐氣表面氧化物、水痕造成的掉膜裂縫凸點凹點ox id e8.表面缺陷的影響裂縫凹點凸點砂孔8.表面缺陷的影響THE END, THANK YOU!。
是pvd处理工艺_概述说明
是pvd处理工艺概述说明1. 引言1.1 概述本文旨在对PVD处理工艺进行概述说明。
PVD，即物理气相沉积（Physical Vapor Deposition），是一种常用于材料表面涂层的工艺。
通过将固体材料加热至高温后，使其蒸发成气态，并在真空环境下沉积到待处理的基底表面上，形成均匀、致密的薄膜涂层。
1.2 文章结构本文按如下结构展开对PVD处理工艺的概述：首先引言部分给出了整个文章的概述和目标；然后介绍了PVD处理工艺的定义、背景和基本原理；接着详细描述了PVD处理工艺的工艺流程；随后讨论了PVD处理工艺在制造业、光电子学以及非金属材料涂层加工等领域的应用；之后列举了PVD处理工艺的优点和缺点；最后进行总结回顾并展望未来发展方向。
1.3 目的通过本文对PVD处理工艺进行全面而系统地介绍，旨在让读者对这一技术有一个清晰的认识。
同时，希望读者能够了解PVD处理工艺的基本原理和工艺流程，并认识到其在制造业、光电子学和非金属材料涂层加工等领域的广泛应用。
此外，我们也将分析和讨论PVD处理工艺的优点和缺点，以期为相关领域的研究人员和实践者提供参考，促进该技术的进一步发展。
以上是“1. 引言”部分内容的详细清晰撰写。
2. PVD处理工艺：PVD（物理气相沉积）是一种常用的表面涂层加工技术，它通过在真空环境中将固体材料蒸发或溅射成薄膜，将其沉积在待加工物体的表面上。
PVD处理工艺具有广泛的应用领域和重要的实际意义。
2.1 定义与背景：PVD处理工艺是一种以物理方式将材料从源头转移到待加工表面的技术。
其背景可以追溯到20世纪60年代，当时科学家们开始研究如何利用低压下的物理机制来制造具有优异性能和特殊功能的薄膜。
通过高纯度材料的蒸发和溅射过程，在无需化学反应的情况下形成薄膜沉积。
这种技术以其高效、环保等特点越来越受到关注。
2.2 基本原理：PVD处理工艺基于几种主要原理，包括热蒸发、电子束枪石墨棒石雾传输（EB-PVD）、直流磁控溅射（DC Sputtering）和射频磁控溅射（RF Sputtering）。
PVD工艺及设备简介
PVD工艺及设备简介2010/4/2/09:01 来源：《涂装指南》慧聪表面处理网：如今很多的塑料零件都穿上了漂亮的金属外衣，而实现这种功能的方法就是物理气相沉积金属化工艺，简称PVD。
简而言之，就是在真空室内，向塑料或金属基材表面喷涂一层特别薄的金属。
该金属层厚度仅有几个分子厚，测量单位是纳米。
基材通常是硅橡胶、热塑性弹性体TPE或热塑性塑料。
随着技术的发展，这项工艺能在较低的温底下，用很短时间完成。
PVD层一般沉积在基层表面，基层的作用是遮盖零件表面缺陷。
在汽车行业，塑料制品应用PVD法最常见的实例是灯光反射器。
如果反射器表面有缺陷会直接影响光线反射，因此为了在零件表面形成平整而光滑的表面来反射光线，就应用PVD技术来消除塑料件成型时出现的加工痕迹。
当然，对于一些家用把手来说，不使用基层是为了有意在制品表面形成图案。
一般来讲，为了保护零件外观质量，制造商还会在PVD层上面再喷涂一层保护层。
在基材上面喷涂一层金属PVD层会大大提高产品表面质量，表面将变得更加坚固、抗磨损，且耐化学药品性也得到了增强。
PVD涂层能起到电磁屏蔽而阻隔无线电波的作用。
PVD涂层还可以用在一些弹性零件上，如汽车安全气囊上的徽标，在这些零件发生弹性变形时，表面不会产生尖角或发生折断。
对于塑料零件来说，令人目不暇接的工艺变化为设计者和工程技术人员开创了一个前所未有的操作空间。
为了消除传统镀铬工艺对环境的破坏，技术人员也在研究用新方法代替电镀工艺。
于是，PVD这个利用100%固态紫外线进行干燥处理的工艺就应运而生了，目前该工艺对环境的破坏性为零。
实现金属化工艺的关键在于PVD设备。
PVD工艺过程包括汽化(激光、热、离子法、电子束、离子束)、阴极真空喷镀和离子电镀。
在高真空室里，等离子体撞击金属靶子，从而在真空室内产生金属蒸气，然后蒸气以纳米层形式沉积在零件表面。
生产周期是1min还是1h则取决于所要达到的沉积层厚度。
在真空室内旋转的夹具里有许多等待喷涂的零件，这种旋转能保证喷涂的PVD层均匀分布在零件表面。
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溅射源 圆柱靶磁铁布局及说明（图）：
a. 由于相对应靶材面不一样,圆柱靶磁铁布局相对平面靶磁铁布局要紧促的多,图中宽度 还不到平面靶的一半(50mm). b. 由于磁铁相对紧促,区域磁铁之间(之间)安装有导磁材料,既方便安装又可有效 的固定磁铁和磁路的控制. c. 圆柱靶磁铁也采用了强力磁铁(4.5Kgauss),中间区域的磁铁安装为尺寸较宽的规格,外 围区域的磁铁安装尺寸较窄的规格、区域之间磁铁极性必须保持相反,跟平面靶布局 同等原理.如图中区域磁铁磁极可为NSN,也可为SNS(根据工艺自行决定),检查时 跟平面靶一样,手持一块磁铁,根据磁铁同极相斥,异极相吸的原理,逐个单一的判定磁 铁极性是否安装错误. d. 相对圆柱靶靶材为管形,和平面靶材不一样,所以固定磁铁的磁铁座为凸形,如图中所 示.而平面靶磁座则为平面。
抽空系统 2. 技术要求: 2.1 品种规格及性能: （见右表） . 热偶计测量的是各种蒸汽 和永久气体的总压力,而麦化 计只能测出永久气体占的分 压力. . 几何抽速是根据几何尺寸 算出的抽速在大气压力时,实 际抽速与几何抽速基本相符 合,在各种不同的压力时,抽 速有一定下降. . 温升是指泵温稳定后,在 排气阀门处的油的温度与室 温之差.
溅射源 平面靶磁铁布局及说明（图）
安装磁铁过程中,外围区域的磁铁磁极必须保持一致.中间区域的磁铁磁极与外围区域磁 铁磁极必须保持相反.如图区磁铁磁极可为NSN,也可为SNS.可手挡一块磁铁,根据磁 铁同极相斥,异极相吸的原理,逐个单一的判定磁铁极性是否安装错误)。
溅射源 (二). 圆柱形磁控溅射靶 1、结构与说明（图）：
PVD设备及工艺简介
目 录
PVD设备简介 泵 靶 真空测量 真空检漏 PVD工艺简介 PVD相关概念定义 真空度量单位 磁控溅射 铂阳生产线相关工艺简介 合金靶的溅射 金属氧化物的溅射
PVD设备简介
铂阳生产线PVD真空设备布局图
抽空系统
抽空系统 一、2X泵
1. 概述: 1.1 用途: 2X型旋片式真空泵(以下简称真空泵)是用已抽除特定密封容器内的气体,使该容 器获得一定真空度的基本设备.可供电器、电真空、半导体、食品、原子能、编织 等科研机关、大专院校、工矿企业和生产与教学之用,真空泵可直接获得1.3×10Pa 以下的真空度,也可作为其它真空设备的前级使用.
抽空系统 4. 技术参数及性能:
型号 数值 项目 极限压力Pa ZJP-300 8×10-1 5×10-2 300 30 4×103 1×103
几何分压力 Pa
几何抽速 L/S 零流量压缩比 最大允许压差 Pa 起动压力 Pa 噪声 标准 实测 进气口通径mm
83 77
160 100 4 2890 3.5 280 2X-30
5. 前端板 10. 油密封室 15. 挡油网 20. 水接头 25. 视镜
抽空系统 3.2 工作原理: 图3是2X系列真空泵原理图,转子3及7与高真空室1及低真空室6相切,转子3与7沿箭头方向 旋转,带动转子槽内滑动的转片8旋转,由于弹簧9及离心力的作用,转片外端紧贴高低真空 室的内表面滑动,把转子与高低真空室所形成的洼形空间从进气嘴2到排气阀门5和从过 气管4到排气阀门10之间分隔开来,形成二或三个容积,并且周期性地大小变化,当在图标 位置继续旋转时,A及C容积逐渐增大,被抽容积气体沿气嘴进入泵内,同时B及D容积逐渐减 小,压力升高,随后冲开排气阀门5及10,将气体排出真空室外,气体经过油面而排于大气之 中,因为油是淹住排气门的,故能防止气体返回真空室,当抽气压力较高时,高低真空室的阀 门都排气,相当于单级泵;当真空度较高时,全部气体进入低真空室,再由排气阀门10排出, 此时二级串联即进入双级泵工作。
抽空系统 1.2 设计特点: 1.2.1 送气方向垂直由上向下. 1.2.2 在较宽的压力范围内有较大的抽速. 1.2.3 起动快. 1.2.4 对被抽气体中含有粉尘和水蒸气不敏感. 1.2.5 泵腔内无油,可获得清洁真空. 1.2.6 驱动功率小,运转维护费用低. 注意事项: 不可抽除液体介质. 不可抽除易燃、易爆气体. 须用前级泵. 被抽气体中含有固体颗粒时,进气口处应设有过滤装置.
抽空系统
图三 2X系列真空泵原理图
抽空系统 二.ZJP-300罗茨泵
1. 概述: 1.1 应用: 罗茨真空泵也称机械增压泵,它是快速抽除密封容器中气体的一种较为理想的真空获 得设备.它不能直接从大气压下抽气,须与各类前级泵(如旋片泵、液环泵、滑阀泵等) 配套组成真空系统.广泛应用于冶金、化工、电子、轻纺等领域。
抽空系统
1. 进气嘴 6. 高转片 11. 弹簧 16. 泵体 21. 键 27. 掺气阀 表示真空气格.
2. 密封圈 7. 高转子 12. 定位销 17. 中隔板 22. 低转片 27. 放油塞 表示低真空气路.
3. 过滤网 8. 轴承 13. 排气罩 18. 后端板 23. 水盖板
4. 皮带轮 9. 前轴 14. 排气垫 19. 低转子 24. 排气阀
复合式分子泵是涡轮分子泵与牵引分子泵的串联组合，集两种泵的 优点于一体。泵在很宽的压力范围内 ((10-6 ～ 1Pa) 具有较大的抽速和 较高的压缩比，大大提高了泵的出口压力。 涡轮级主要用来提高泵的抽速，一般采用有利于提高抽速的叶片形 状，级数在 l0 级以内。牵引级主要用来增加泵的压缩比，提高泵的出 口压力。
抽空系统 (1).牵引分子泵
分子泵的抽气机理与容积式 机械泵靠泵腔容积变化进行抽 气的机理不同，分子泵是在分 子流区域内靠高速运动的刚体 表面传递给气体分子以动量， 使气体分子在刚体表面的运动 方向上产生定向流动，从而达 到抽气的目的。通常把用高速 运动的刚体表面携带气体分子， 并使其按一定方向运动的现象 称为分子牵引现象。
型号 项目 不掺气 分压力(Pa) 总压力(Pa) 2X-30 6.0×10-2 1.3 1.3 30 82 1 ≦40 3 1430 B/1400 3 HFV-100 4.5 8 430 450 70 90 用法兰与泵体连接 水冷 480 5.5 1400 B/1600 4 2X-70 6.0×10-2 1.3 1.3 70 86
抽空系统
1. 皮带轮 6. 进气嘴 11. 低转子 16. 手柄 21. 挡板
2. 键 7. 密封圈 12. 弹簧 17. 放油塞 22. 视镜
3. 前端板 8. 排气罩 13. 低转片 18. 纸垫 23. 镜框
4. 高转子 9. 过滤网 14. 后端板 19. 阀座 24定位销钉
5. 高转片 10. 泵体 15. 密封圈 20. 阀片
极限压 力
掺气 分压力(Pa) 抽气速率 L/S 噪音(声功率级) Db 抽大气不喷油时间 (min) 温升 ℃ 功率 kw 配用电机 转速 r/min 型号/长短 mm 三角皮带 配用 根数 用油 牌号 数量 L 泵主轴转速 r/min 进气口直径 mm 进气口连接方式 冷却方式 冷却水最小数量 L/h
抽空系统 （2）.涡轮分子泵
涡轮分子泵输送气体应满足二 个必要条件：
1）. 涡轮分子泵必须在分子流状 态下工作。 2）. 分子泵的转子叶片必须具有 与气体分子速度相近的线速度。
分子泵的转速越高，对提高分 子泵的抽速越有利。实践表明， 对不同分子量的气体分子其速 度越大，泵抽除越困难。
抽空系统 (3).复合分子泵
抽空系统 2. 工作原理: 罗茨真空泵是一种旋转式变容真空泵,其泵腔内两个相互轭合的“8”字型转子,由一对 齿轮带动作反向同步高速旋转,使气体不断由位于上方的进气口传输到排气口,再由前级 真空泵抽走,达到抽气目的. (气体流程如下图所示).
抽空系统 3. 结构及说明:
抽空系统
抽空系统 注: 1. 齿轮箱 5. 从动转子 9. 压盖 13. 封套 17. 排气口托环 21. 油杯 2. 端板 6. 支撑架 10. 甩油盘 14. 减压阀 18. 轴承1 22. 电机 3. 泵壳 7. 主动齿轮 11. 活塞环 15. 减压阀盖 19.轴承2 4. 主动转子 8. 从动齿轮 12. 锁紧螺线 16. 进气口托环 20. 联轴节
复合式分子泵的形式很多，按结构分，主要有两种： 一种是涡轮叶片与盘式牵引泵的串联组合。 一种是涡轮叶片与筒式牵引泵的串联组合。
溅射源
靶
溅射源 一、一般术语: 1. 靶材: 在真空溅射中用来溅射的镀膜材料. 2. 靶: 用粒子轰击的面,标准中靶的含义就是: 溅射装置中由溅射材料所组成的电极. 二、磁控溅射通常使用的靶材分类 1、矩形平面靶； 2、圆柱靶.
溅射源 三、维护与保养: (一). 矩形平面磁控靶的维护与保养: 1、矩形平面磁控靶的日常维护与保养,其重点就是平面靶材更换作业的过程.其具体解释 为: 靶材寿命到期或工艺及质量要求等原因,将在用靶材拆下,安装上相同规格尺寸新靶材 的过程. 2、靶材安装前处理: 除油 → 喷砂 → 清洗 → 烘烤→ 入PVD备用 3、结构与说明:
如被抽除的气体中含有较高的蒸汽气体时,在气体受到压缩而其蒸汽的分压强超过此蒸 汽在泵内温度下的饱和压力时,此时蒸汽被压缩成为液体,真空泵无法排出而混在真空油 内,使泵的性能大大降低,如果掺入适量的空气,使蒸汽在受到压缩时其分压力也低于泵温 时的饱和压力,则蒸汽在变成液体前就能被排出泵外去,故本系列2X-1以上的泵都装有能 放入一定量真空测量 1. 薄膜真空规: 用金属弹片薄膜把规管分隔成两个小室,一侧接被测系统,另一侧作为参考压力室.当 压力变化时薄膜随之而变形,其变形量可用光学方法测量,也可转换为电容或电感量 的变化用电学方法来测,还可用薄膜上粘附的应度规来进行测量.
电容薄膜规分为两种类型: 一种将薄膜的一边密封为参考真空,成为“绝压式”电容 薄膜规;另一种是薄膜的两边均通入气体,成为“差压式”电容薄膜规.电容薄膜规具 有卓越的线性,较高的测量精度和分辨率.单个传感器的测量范围可覆盖5个数量级的 压力区间,短期稳定性优于0.1%,长期稳定性(一年)优于0.4%.电容薄膜规的灵敏度与气 体种类无关,可测蒸气和腐蚀性气体的压力,结构牢固,使用方便,还可作为粗低真空的 副标准和传递标准。