内存名称详解
DDR系列内存详解及硬件设计规范-Michael
D D R 系列系列内存内存内存详解及硬件详解及硬件设计规范By: MichaelOct 12, 2010haolei@目录1.概述 (3)2.DDR的基本原理 (3)3.DDR SDRAM与SDRAM的不同 (5)3.1差分时钟 (6)3.2数据选取脉冲（DQS） (7)3.3写入延迟 (9)3.4突发长度与写入掩码 (10)3.5延迟锁定回路（DLL） (10)4.DDR-Ⅱ (12)4.1DDR-Ⅱ内存结构 (13)4.2DDR-Ⅱ的操作与时序设计 (15)4.3DDR-Ⅱ封装技术 (19)5.DDR-Ⅲ (21)5.1DDR-Ⅲ技术概论 (21)5.2DDR-Ⅲ内存的技术改进 (23)6.内存模组 (26)6.1内存模组的分类 (26)6.2内存模组的技术分析 (28)7.DDR 硬件设计规范 (34)7.1电源设计 (34)7.2时钟 (37)7.3数据和DQS (38)7.4地址和控制 (39)7.5PCB布局注意事项 (40)7.6PCB布线注意事项 (41)7.7EMI问题 (42)7.8测试方法 (42)摘要：本文介绍了DDR 系列SDRAM 的一些概念和难点，并分别对DDR-I/Ⅱ/Ⅲ的技术特点进行了论述，最后结合硬件设计提出一些参考设计规范。
关键字关键字：：DDR, DDR, SDRAM SDRAM SDRAM, , , 内存模组内存模组内存模组, , , DQS DQS DQS, DLL, MRS, ODT , DLL, MRS, ODT, DLL, MRS, ODTAug 30, 2010 – Added DDR III and the PCB layout specification - by Michael.Hao1.概述DDR SDRAM全称为Double Data Rate SDRAM，中文名为“双倍数据流SDRAM”。
DDR SDRAM在原有的SDRAM的基础上改进而来。
CPU、主板、内存详解
12. 好戏连台
13. 双核时代
13. 双核时代
AMD AM2 Athlon 64 X2 6000+
13、双核时代
Intel Core 2 Quad Q6600（四核）
2.1.3 CPU主要性能参数
主频 外频 倍频 前端总线频率 高速缓存 接口 多媒体指令集 电压 制造工艺 封装形式
1. 主频
2. 外频
外频是CPU乃至整个计算机系统的基准频率，单位 是MHz（兆赫兹）。 主频就是CPU的时钟频率；倍频即主频与外频之比 的倍数。 主频、外频、倍频的关系为：主频＝外频×倍频。 在奔腾时代，CPU的外频一般是60/66MHz，从 Pentium Ⅱ 350开始，CPU外频提高到100MHz，目 前CPU外频已经达到了200MHz。 一个CPU默认的外频只有一个，主板必须能支持这 个外频。因此在选购主板和CPU时必须注意这点， 如果两者不匹配，系统就无法工作。
外频与前端总线频率的区别
前端总线的速度指的是CPU和北桥芯片间总 线的速度，更加实质性的表示了CPU和外界 数据传输的速度。 外频是CPU与主板之间同步运行的速度。 之所以前端总线与外频这两个概念容易混 淆，主要的原因是在以前的很长一段时间 里（主要是在Pentium 4出现之前和刚出现 Pentium 4时），前端总线频率与外频是相 同的，因此往往直接称前端总线为外频， 最终造成这样的误会。
1. 8086和8088处理器 2. 80286 3. 80386 4. 80486 5. Pentium（奔腾）时代 6. Pentium MMX 7. Pentium Pro
2.1.2 CPU发展简史
8. Pentium II与Celeron（赛扬） 9. Pentium II Xeon 10. 第六代CPU 11. 双雄争霸 12. 好戏连台 13. 双核时代
笔记本SDR内存参数详解
笔记本SDR内存参数详解笔记本SDR内存参数详解从PC100标准开始内存条上带有SPD芯片，SPD芯片是内存条正面右侧的一块8管脚小芯片，里面保存着内存条的速度、工作频率、容量、工作电压、CAS、tRCD、tRP、tAC、SPD 版本等信息。
当开机时，支持SPD功能的主板BIOS就会读取SPD中的信息，按照读取的值来设置内存的存取时间。
我们可以借助SiSoftSandra2001这类工具软件来查看SPD芯片中的信息，例如软件中显示的SDRAMPC133U-333-542就表示被测内存的技术规范。
内存技术规范统一的标注格式，一般为PCx-xxx-xxx，但是不同的内存规范，其格式也有所不同。
1、PC66/100SDRAM内存标注格式(1)1.0---1.2版本这类版本内存标注格式为：PCa-bcd-efgh，例如PC100-322-622R，其中a表示标准工作频率，用MHZ表示(如66MHZ、100MHZ、133MHZ等);b表示最小的CL(即CAS纵列存取等待时间)，用时钟周期数表示，一般为2或3;c表示最少的Trcd(RAS相对CAS的延时)，用时钟周期数表示，一般为2;d表示TRP(RAS的预充电时间)，用时钟周期数表示，一般为2;e表示最大的tAC(相对于时钟下沿的数据读取时间)，一般为6(ns)或6。
5，越短越好;f表示SPD 版本号，所有的PC100内存条上都有EEPROM，用来记录此内存条的相关信息，符合IntelPC100规范的为1。
2版本以上;g代表修订版本;h代表模块类型;R代表DIMM已注册，256MB以上的内存必须经过注册。
(2)1.2b+版本其格式为：PCa-bcd-eeffghR，例如PC100-322-54122R，其中a表示标准工作频率，用MHZ表示;b表示最小的CL(即CAS纵列存取等待时间)，用时钟周期数表示，一般为2或3;c 表示最少的Trcd(RAS相对CAS的延时)，用时钟周期数表示;d表示TRP(RAS的预充电时间)，用时钟周期数表示;ee代表相对于时钟下沿的数据读取时间，表达时不带小数点，如54代表5.4nstAC;ff代表SPD版本，如12代表SPD版本为1.2;g代表修订版本，如2代表修订版本为1.2;h代表模块类型;R代表DIMM已注册，256MB以上的内存必须经过注册。
带图对比详解DDR3,DDR2,DDR内存条的区别
带图对比详解DDR3,DDR2,DDR内存条的区别【武汉电脑维修培训】课前热身图1就是三代内存的全家照，从上到下分别是DDR3、DDR2、DDR。
大家牢牢记住它们的样子，因为后面的内容会提到这幅图。
(图1)DDR3,DDR2,DDR外观区别防呆缺口：位置不同防插错图1红圈圈起来的就是我们说的防呆缺口，目的是让我们安装内存时以免插错。
我们从图1可以看见三代内存上都只有一个防呆缺口，大家注意一下这三个卡口的左右两边的金属片，就可以发现缺口左右两边的金属片数量是不同的。
比如DDR 内存单面金手指针脚数量为92个（双面184个），缺口左边为52个针脚，缺口右边为40个针脚；DDR2 内存单面金手指120个（双面240个），缺口左边为64个针脚，缺口右边为56个针脚；DDR3内存单面金手指也是120个（双面240个），缺口左边为72个针脚，缺口右边为48个针脚。
芯片封装：浓缩是精华在不同的内存条上，都分布了不同数量的块状颗粒，它就是我们所说的内存颗粒。
同时我们也注意到，不同规格的内存，内存颗粒的外形和体积不太一样，这是因为内存颗粒“包装”技术的不同导致的。
一般来说，DDR内存采用了TSOP（Thin Small Outline Package，薄型小尺寸封装）封装技术，又长又大。
而DDR2和DDR3内存均采用FBGA（底部球形引脚封装）封装技术，与TSOP相比，内存颗粒就小巧很多，FBGA封装形式在抗干扰、散热等方面优势明显。
TSOP是内存颗粒通过引脚（图2黄色框）焊接在内存PCB上的，引脚由颗粒向四周引出，所以肉眼可以看到颗粒与内存PCB接口处有很多金属柱状触点，并且颗粒封装的外形尺寸较大，呈长方形，其优点是成本低、工艺要求不高，但焊点和PCB的接触面积较小，使得DDR内存的传导效果较差，容易受干扰，散热也不够理想。
(图2)一颗DDR现代内存芯片焊接细节-黄色部分为焊接引脚FBGA封装把DDR2和DDR3内存的颗粒做成了正方形（图3），而且体积大约只有DDR内存颗粒的三分之一，内存PCB上也看不到DDR内存芯片上的柱状金属触点，因为其柱状焊点按阵列形式分布在封装下面，所有的触点就被“包裹”起来了，外面自然看不到。
oracle_sga内存详解
四：有多少并发连接
五：应用是OLTP类型还是OLAP类型
根据这几个问题的答案，我们可以粗略地为系统估计一下内存设置。那我们现在来逐个问题地讨论，首先物理内存多大是最容易回答的一个问题，然后操作系统估计使用多少内存呢？从经验上看，不会太多，通常应该在200M以内（不包含大量进程PCB）。
sort_area_size integer 65536
SQL>
在这部分内存中我们最关注的通常是sort_area_size，这是当查询需要排序的时候，数据库会话将使用这部分内存进行排序，当内存大小不足的时候，使用临时表空间进行磁盘排序。由于磁盘排序效率和内存排序效率相差好几个数量级，所以这个参数的设置很重要。这四个参数都是针对会话进行设置的，是单个会话使用的内存的大小，而不是整个数据库使用的。偶尔会看见有人误解了这个参数以为是整个数据库使用的大小，这是极其严重的错误。假如设置了MTS，则UGA被分配在large_pool_size，也就是说放在了共享内存里面，不同进程（线程）之间可以共享这部分内存。在这个基础上，我们假设数据库存在并发执行server process为100个，根据上面我们4个参数在oracle8.1.7下的默认值，我们来计算独立模式下PGA的大致大小。由于会话并不会经常使用create_bitmap_area_size、bitmap_merge_area_size，所以我们通常不对四个参数求和。在考虑到除这四个参数外会话所保存的变量、堆栈等信息，我们估计为2M，则100个进程最大可能使用200M的PGA。
Large_pool_size
对于大缓冲池的设置，假如不使用MTS，建议在20—30M 足够了。这部分主要用来保存并行查询时候的一些信息，还有就是RMAN在备份的时候可能会使用到。如果设置了MTS，则由于UGA部分要移入这里，则需要具体根据server process数量和相关会话内存参数的设置来综合考虑这部分大小的设置。
详解内存(RAM,SRAM,SDRAM)工作原理及发展历程
详解内存(RAM，SRAM，SDRAM)工作原理及发展历程/csrwzt/blog/item/7ec462ef44e87fe9cf1b3e6f.htmlRAM（Random Access Memory）随机存取存储器对于系统性能的影响是每个PC 用户都非常清楚的，所以很多朋友趁着现在的内存价格很低纷纷扩容了内存，希望借此来得到更高的性能。
不过现在市场是多种内存类型并存的，SDRAM、DDR SDRAM、RDRAM等等，如果你使用的还是非常古老的系统，可能还需要EDO DRAM、FP DRAM（块页）等现在不是很常见的内存。
虽然RAM的类型非常的多，但是这些内存在实现的机理方面还是具有很多相同的地方，所以本文的将会分为几个部分进行介绍，第一部分主要介绍SRAM和异步DRAM（asynchronous DRAM），在以后的章节中会对于实现机理更加复杂的FP、EDO和SDRAM进行介绍，当然还会包括RDRAM和SGRAM等等。
对于其中同你的观点相悖的地方，欢迎大家一起进行技术方面的探讨。
存储原理：为了便于不同层次的读者都能基本的理解本文，所以我先来介绍一下很多用户都知道的东西。
RAM主要的作用就是存储代码和数据供CPU在需要的时候调用。
但是这些数据并不是像用袋子盛米那么简单，更像是图书馆中用有格子的书架存放书籍一样，不但要放进去还要能够在需要的时候准确的调用出来，虽然都是书但是每本书是不同的。
对于RAM等存储器来说也是一样的，虽然存储的都是代表0和1的代码，但是不同的组合就是不同的数据。
让我们重新回到书和书架上来，如果有一个书架上有10行和10列格子（每行和每列都有0-9的编号），有100本书要存放在里面，那么我们使用一个行的编号＋一个列的编号就能确定某一本书的位置。
如果已知这本书的编号87，那么我们首先锁定第8行，然后找到第7列就能准确的找到这本书了。
在RAM 存储器中也是利用了相似的原理。
现在让我们回到RAM存储器上，对于RAM存储器而言数据总线是用来传入数据或者传出数据的。
内存详解（Memorydetail）
内存详解（Memory detail）A single.Txt memory is very painful, single long more pain, a few days ago I saw a sow, it happens what is cruel? Man, I interrupted three legs; is a male dog, I cut it five legs! Each memory has its own specific sizeIf you don't see the memory writeThe memory is inserted in the memory slotStart the computer into the windows on the "my computer" right attribute in the bottom of the "general" where memory size is 2 times to rememberOh, some computer display 504MB what is actually a digital memory 512MB anyway, closest to the power of 2 (of course sometimes64+128 also has)Answer: cang__cang a 6-6 09:00We can put it into a machine to test it.In addition, through the inspection of memory particle model, can calculate the memory capacity. Although the production of memory manufacturers have many, butCan produce memory particles, and can occupy the market of the manufacturers is relatively less, the domestic market mainstream memory with memoryThat is mainly a number of international companies.Here in memory encoding rules of several companies as an example to illustrate the identification method of memory.Samsung memoryAt present, the use of memory particles to produce Samsung memory manufacturers in the market very much, have a very high share. Because of its huge product line,So the naming rules of Samsung memory particles is very complex. Samsung memory model uses a 16 bit digital encoding named. Which useUsers are more concerned about the recognition rate and working memory capacity, so we focus on the two part of the meaning of.4 X X encoding rules: K X X X X X X X X X X - XThe main meaning:First - the function of the chip K, memory chip is representative of.Second - chip type 4, on behalf of DRAM.Third - chip further type, S, DDR, H on behalf of SDRAM on behalf of G on behalf of SGRAM.Fourth, fifth - capacity and refresh rate, the same capacity with different memory refresh rate, will also use different numbers. 64, 62,63, 65, 66, Volume 67, 6A on behalf of 64Mbit; 28, 27, 2A represents the capacity of 128Mbit; 56, 55, 57, 5A 256MbitCapacity; capacity of 51 512Mbit.Sixth, seventh - the number of data lines representing 08 pins, 8 bit data; 16 represents a 16 bit data; 32 represents a 32 bit data; 64 represents 64 bits of data.Eleventh - line - "".Fourteenth, fifteenth - chip rate, such as 60 6ns; 70 7ns; 7B 7.5ns (CL=3); 7C 7.5ns (CL=2); 808NS 10ns (66MHz); 10.Know the main meaning of digital memory encoding, get a memory after it is very easy to calculate its capacity. For example, a Samsung DDRThe use of memory, 18 pieces of SAMSUNG encapsulatedK4H280838B-TCB0 nanoparticles. Grain number fourth, fifth "28" on behalf of the particles is 128Mbits,Sixth, seventh "08" on behalf of the particles is 8 bits of data bandwidth, so we can calculate the memory capacity is 128Mbits (Gigabit digital)* 16 /8bits=256MB (megabytes).Note: "bit" for "digital", "B" or "byte", a byte byte is 8 bits is calculated when divided by 8. Calculation on memory capacityThere are two kinds of situations, for examples: one is the non ECC memory, each of the 8 pieces of 8 bit data width of the particles can be composed of a memory; the otherA ECC memory, after every 64 bits of data, also increased the ECC 8 bit checksum. Through the verification code, can detect memory data in twoA mistake, correct a mistake. So in the actual process of computing capacity, do not calculate the parity bit, 18 pieces of granule has the function of ECC memoryAccording to the actual capacity by 16.Can also buy the memory it is judged 18 pieces or 9 pieces of memory patch is ECC memory.Micron memoryMicron (Mei Guang) identification capacity of memory particles relative to the Samsung is much simpler. Here in this number to MT48LC16M8A2TG-75Micron memory encoding rule description.Meaning：MT Micron - the name of the manufacturer.48 types of memory. 48 on behalf of 46 representative DDR SDRAM.LC: power supply voltage. LC 3V; C represents 5V; V represents 2.5V.16M8 - the memory capacity of 128Mbits, the calculation method is: 16M (address) * 8 bit data width.A2 - memory kernel version.TG, TG package, TSOP package.-75 - memory work rate, -75 133MHz; -65 150MHz.Examples: a Micron DDR memory, with 18 pieces of manufacturing MT46V32M4-75 particle number. The memory support ECC function. So everyBank is odd pieces of memory.The capacity calculation for capacity: 32M * 4bit * 16 / 8=256MB (megabytes).SIEMENS memoryAt present, a subsidiary of SIEMENS Infineon production of memory on the domestic market only two capacity: the capacityof 128Mbits particles and capacity256Mbits particles. The number of details of its memory capacity, data width. All memory queue management mode of InfineonEach particle is composed by 4 Bank. It is less the memory model, is the most easy to identify.HYB39S128400 128MB/ 4bits, "128" logo is the particle volume, after the three logo is the width of the memory data. OtherSo, such as: HYB39S128800 128MB/8bits; HYB39S128160128MB/16bits; HYB39S256800256MB/8bits.Infineon said the memory work rate method is in the model finally add a short-term, then mark the work rate.-7.5 said the work frequency of the memory is 133MHz;-8 said the work frequency of the memory is 100MHz.For example:Memory 1 Kingston memory, using 16 pieces of InfineonHYB39S128400-7.5 production. The capacity calculation for:128Mbits (digital /8=256MB * 16 MB) (megabytes).Memory 1 Ramaxel memory, using 8 pieces of InfineonHYB39S128800-7.5 production. The capacity calculation for:128Mbits (digital /8=128MB * 8 MB) (megabytes).Kingmax memoryKingmax memory is the use of TinyBGA package (Tiny ball grid array). And the package mode is a patented product, so weSee the memory with Kingmax particles made of all is the factory production. There are two Kingmax memory capacity: 64Mbits128Mbits. This can be a series of memory capacity list model.Capacity note:KSVA44T4A0A, 64Mbits, 16M address space X 4 bit data width;KSV884T4A0A, 64Mbits, 8M address space X 8 bit data width;KSV244T4XXX, 128Mbits, 32M address space X 4 bit data width;KSV684T4XXX, 128Mbits, 16M address space X 8 bit data width;KSV864T4XXX, 128Mbits, 8M address space x 16 bit data width.There are four types of Kingmax memory work rate, is used in the models of short-term memory work rate identification symbols separated:-7A - PC133 /CL=2;-7 - PC133 /CL=3;-8A - PC100/ CL=2;-8 - PC100 /CL=3.For example, a Kingmax memory, memory using 16 pieces of KSV884T4A0A-7A manufacturing,The capacity (number: 64Mbits millionA) x 16 /8=128MB (megabytes).。
内存名称详解
PC-66这种内存使用66MHz的频率，而这也是第一代的SDR SDRAM内存。
电+脑*维+修-知.识_网(w_ww*dnw_xzs*co_m)PC-100同样的，这种内存只是将工作频率提升到了100MHz，工作在CAS3模式下。
电+脑*维+修-知.识_网(w_ww*dnw_xzs*co_m)PC-133这次改变还是只是将频率提升到133MHz，同样工作在CAS3模式下。
电+脑*维+修-知.识_网(w_ww*dnw_xzs*co_m)PC-150这种内存并非官方发布的一个版本，而PC-150实际上就是一个超频版的内存。
通常这种内存可以运行在150MHz频率CAS3模式或者是133MHz频率CAS2模式下，但是据说Corsair的PC-150内存可以在150MHz 的频率下以CAS2的模式工作。
电+脑*维+修-知.识_网(w_ww*dnw_xzs*co_m)PC-166另外一类超频内存，只是单纯的超频使得频率达到了一个新高点而已，仍然运行在CAS3之下。
电+脑*维+修-知.识_网(w_ww*dnw_xzs*co_m)PC-180可以算作是另类的超频内存了，它简单的将频率提升到了180MHz，但是我个人认为这种内存没有实际使用的意义，因为毕竟现在DDR内存的价格已经是非常便宜了。
电+脑*维+修-知.识_网(w_ww*dnw_xzs*co_m)DDR SDRAMDDR内存按照速度分类就可以用两种方法来进行分类了。
第一种就是以DDRXXX 这种方式命名。
后边的“XXX”就表示了这个内存是以两倍于XXX的速度运行的内存。
另外一种就是以PCXXXX进行命名。
后边的“XXXX”就是内存的带宽。
电+脑*维+修-知.识_网(w_ww*dnw_xzs*co_m)PC1600此类DDR内存就是最早的一代DDR内存了。
它的工作频率为200MH(由于是DDR内存，所以频率增加一倍，就是100MHz x2所以实际上这类内存是工作在200MHz的频率下的)，而工作模式为CAS2.5。
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内存名称详解PC-66这种内存使用66MHz的频率，而这也是第一代的SDR SDRAM内存。
PC-100同样的，这种内存只是将工作频率提升到了100MHz，工作在CAS3模式下。
PC-133这次改变还是只是将频率提升到133MHz，同样工作在CAS3模式下。
PC-150这种内存并非官方发布的一个版本，而PC-150实际上就是一个超频版的内存。
通常这种内存可以运行在150MHz频率CAS3模式或者是133MHz频率CAS2模式下，但是据说Corsair 的PC-150内存可以在150MHz 的频率下以CAS2的模式工作。
PC-166另外一类超频内存，只是单纯的超频使得频率达到了一个新高点而已，仍然运行在CAS3之下。
PC-180可以算作是另类的超频内存了，它简单的将频率提升到了180MHz，但是我个人认为这种内存没有实际使用的意义，因为毕竟现在DDR内存的价格已经是非常便宜了。
DDR SDRAMDDR内存按照速度分类就可以用两种方法来进行分类了。
第一种就是以DDRXXX这种方式命名。
后边的“XXX”就表示了这个内存是以两倍于XXX的速度运行的内存。
另外一种就是以PCXXXX进行命名。
后边的“XXXX”就是内存的带宽。
PC1600此类DDR内存就是最早的一代DDR内存了。
它的工作频率为200MH(由于是DDR内存，所以频率增加一倍，就是100MHz x2所以实际上这类内存是工作在200MHz的频率下的)，而工作模式为CAS2.5。
DDR266/PC2100现在最普遍见到的DDR内存，工作频率为266MHz，工作模式为CAS2.5。
PC2400又是一个非官方版本的DDR内存。
实际上就是通过对内存颗粒的筛选、改造而制造成质量上乘的超频DDR内存。
这样，让它们可以在150MHz（实际使用中双倍变为300MHz）的频率下工作在CAS2的模式下。
Corsair就是其中的一个厂商。
DDR333/PC2700官方发布的一个DDR内存版本，通过将内存频率增加到166MHz DDR(实际工作中双倍变为333MHz)的CAS2.5模式，来提升系统性能。
PC3000DDR内存的一个超频版，将内存超频到183 x 2的366MHz，并且工作在CAS2的模式下。
同样的，这些内存还是由比如象Corsair这样的一些大内存生产商提供。
DDR400/PC3200目前还没有通过官方认可，工作的频率——200MHz DDR(实际工作频率为400MHz)。
RDRAMRDRAM 内存的命名方式和DDR内存非常相似。
统一命名采用PCXXX的格式，而其中的XXX 就接近于内存实际工作频率。
PC600这是第一代的RDRAM。
工作频率为300MHz DDR (也就是实际工作频率为600MHz)。
PC700也是第一代的RDRAM内存。
工作频率为356MHz DDR (也就是实际工作频率为712MHz)。
PC800这也是第一代的RDRAM内存版本。
工作频率为400MHz DDR (实际工作频率为800MHz)。
这是至今为止能买到的最高频率的内存。
PC1066这是RDRAM中新的一代内存，它运行在533MHz DDR之下，实际工作频率达到了1.66MHz。
很明显这是和Intel的Northwood P4想搭配使用的，因为Northwood P4正好也是使用的533MHz的前端总线频率。
PC1200未来的16-bit 的RDRAM内存。
和PC1066/800类似，他的运行频率将在600MHz DDR (实际为1200MHz这个频率之下)。
也许大家都注意到了，前边我们所提到的内存都是16位的。
而我们从技术特点上分析16位的内存都对于高要求的系统来说已经有点捉襟见肘了，所以，市场迫切需要32位的RDRAM内存面市。
而正因为这样，才有了我们后边的RIMMXXXX系列内存。
RIMMXXXX内存是32位RDRAM内存的一个标示方式。
后边的XXXX就表示的是内存的带宽。
RIMM 3200未来的32-bit的RDRAM内存。
而这个时候RIMM 3200 将会运行在400MHz DDR频率之下 (实际工作频率为800MHz)，这个速度和PC800的RDRAM正好一样，但是实际上它们也有了质的不同了——毕竟这是32位的存储器了。
RIMM 420032位的RDRAM内存，运行频率为533MHz DDR (实际频率为1066MHz)——同PC1066 RDRAM 运行速度类似。
RIMM 480032位的RDRAM内存，工作频率为600MHz DDR (实际频率为1200MHz)——同PC1200 RDRAM 的速度一样。
计算内存带宽内存的带宽总量可能是决定一组内存的性能的重要标准之一了。
这个是什么意思呢？其实真正理解起来不难，而且还非常容易计算。
我们刚才所说的内存带宽总量其实就是在理想状态下这一组内存在一秒内所能传输的最大数据容量。
公式也很简单：内存带宽总量(MBytes) = 最大时钟速频率 (MHz) x 总线宽度 (bits) x 每时钟数据段数量/ 8好了，我们还是来解释解释吧。
“每始终数据段数量”这个是最好理解的了——你只需要记住，如果你的内存是SDR那么这里这个值就等于1，如果您使用的是DDR或者是RDRAM 的话，那么这个值就是2。
然后我们再将这个值除以8的意义就是将位这个单位换算成为字节。
所以说，对于一般的标准PC2100 DDR内存来说，他的最大时钟频率应该是133MHz，而它的内存总线宽度为64bit，每时钟数据段数为2。
所以(133x64x2)/8 = 2128MB/s。
一秒种能够传输2128MB，现在你知道为什么叫做PC2100了吧？再来一个例子。
这次就拿PC800的RDRAM来计算吧。
最大时钟频率为400MHz，内存总线宽度为16bit，每时钟数据段数为2，那么套用公式了之后就是(400x16x2)/8 = 1600MB/s。
从这里的大家可以看的出来吧，PC2100的DDR内存能够提供高达2.1GB/s 的带宽，而RDRAM内存的带宽只能达到1.6GB/s,但是需要大家注意的是，由于RDRAM是曾对使用，两条内存一共可以3.2GB/s的内存带宽，而新一代的RIMM内存(总线为32位的RDRAM内存) 将会使用两个数据通道进行工作，所以，他们的带宽几一下增加了一倍——这样就成为了3.2GB/s，并且单独一条内存即可使用。
我们后边的讨论可能会将重心放在SDRAM内存上，因为毕竟这种内存是时至今日用得最多的一种内存。
内存时钟首先要我要理性的给大家说，内存的性能并不单单只是由它传送数据的快慢决定的。
内存从接受到请求到对这个请求作出反应也是决定内存的性能一个非常重要的因素。
而现在大多数的内存性能都被这个重要的因素所制约着，它就是——持续反应时间（潜伏期）。
由于当前RDRAM的持续反应时间比较高，所以，在很大程度上影响了RDRAM内存的性能，并且RDRAM的价格比较高昂，导致现在很多人已经不在向往RDRAM，而投向了DDR内存的怀抱。
内存设置参数行地址控制器 (CAS)行地址控制器（CAS）可能是最能决定内存模块对数据请求进行响应的因素之一了。
通常我们把这个叫做CAS延迟，一般来说，在SDR SDRAM中，我们可以设定为2 或者3（当然是根据自己内存的具体情况而定）。
对于DDR内存来说，我们一般常用的设定为2 或者2.5。
内存中最基本的存储单元就是柱面，而这些柱面通过行和列的排列组成了一个矩阵。
而每个行和列的坐标集就代表了一个唯一的地址。
所以内存在存取数据的时候是根据行和列的地址集来进行数据搜索的。
寻址到可用（Trp）/CAS到RAS (CMD)相对而言，Trp以及CMD时间并没有CAS时间那么重要，但是也是足以影响内存的性能的了。
一般这个地方设置的值为3 (时钟循环)，如果把这个这个值改小为2，就可以提升一点内存性能。
列地址控制器(RAS) /其他延迟内存本身就是一个非常复杂的零部件，可以这么说，计算机内部工作过程最复杂的就是存储器了。
但是幸好这些烦琐的工作对于我们这些最终用户来说是透明的，而我们平时用来判断内存性能、质量好坏的这些参数也只是其中的一些部分而已。
有两个是不得不提到的，那就是RAS延迟和另外两个延迟。
RAS 通常为6个始终循环，但是实际上在超频中可以将它修改为5。
Command rate（指令比率）是另外一个比较普遍的延迟。
允许进行的设置为1T或者是2T，而通常2T是默认的设置，1T就要比2T稍微快一点点。
另外一个需要注意的地方就是Row Cycle Time (Trc，列循环时间)，这个参数一般为3或者2。
其他一些和内存紧密相关的参数：Bank 激活时间Bank 循环时间已装载数据到充电前时间已装载数据到激活时间Bank到Bank延迟大多数的这些参数都是在内存出厂的时候由厂商根据内存的型号种类设定好了的，比如说PC2100 DDR, PC800 RAMBUS, PC133 SDR等等，他们不同的内存会给他们设置不同的参数。
而我们不能够自己随意的改动它。
校验内存和缓冲内存和以上我们介绍的内存又有不一样的地方。
为了同步内存的时钟频率（这在一些特殊的情况下要求特别严格），数据在输出前是要首先被放到一个叫做“校验区”的存储模块中，这样很多人都把这种内存叫做“校验内存”。
这样就可以保证所有从内存中读出的数据都是“同步”的，这样就可以避免很多的数据读写错误了。
这样的一个校验过程将会消耗掉一个时钟循环，所以理论上CAS 2的校验内存将会和CAS 3的非缓冲内存性能相当——不要嫌弃，这一切都是为了数据的稳定。
也许有一些朋友会注意到，当他们把内存设置到CAS 2工作模式下的时候，反而系统的性能还没有默认的CAS 2.5/3好了，这是什么原因呢？我的理解是这样的：内存根本就不能稳定的工作在那种模式下，而用户强行的将内存设置为那种工作模式，这样的话就会在存取数据的时候不时的造成数据“丢失”，这样数据不能取得，当然就只能重新读取，这样就浪费掉了很多的时间，当然系统效率就变低了哦。
举个例子方便理解吧。
内存试着去搜索所有的行和列，但是如果它在这个时钟循环中并没有能够完成这次数据读取，那么就只有等待下一个循环，本来用一个时钟循环就能够解决的问题而现在需要用两个时钟循环甚至三个去完成，这就明显的降低了系统效率。
这个时候，越是高的频率越容易导致错误。
内存交错模式由于在这些延迟的时间间隔内，内存是不能进行读写工作的，所以这个等待时间也造成了内存暂时工作停止。
为了避免这种情况发生，内存就可以使用交错模式，但是一般来说，内存默认这项功能是关闭的。
如果要提高性能的话，那么就把这个模式设置为2-way甚至4way。
我们再来复习一遍内存的循环过程“CAS -> CMD -> RAS -> 输出数据”。