内存名称详解

PC-66

这种内存使用66MHz的频率，而这也是第一代的SDR SDRAM内存。

PC-100

同样的，这种内存只是将工作频率提升到了100MHz，工作在CAS3模式下。

PC-133

这次改变还是只是将频率提升到133MHz，同样工作在CAS3模式下。

PC-150

这种内存并非官方发布的一个版本，而PC-150实际上就是一个超频版的内存。通常这种内存可以运行在150MHz频率CAS3模式或者是133MHz频率CAS2模式下，但是据说Corsair 的PC-150内存可以在150MHz 的频率下以CAS2的模式工作。

PC-166

另外一类超频内存，只是单纯的超频使得频率达到了一个新高点而已，仍然运行在CAS3之下。

PC-180

可以算作是另类的超频内存了，它简单的将频率提升到了180MHz，但是我个人认为这种内存没有实际使用的意义，因为毕竟现在DDR内存的价格已经是非常便宜了。

DDR SDRAM

DDR内存按照速度分类就可以用两种方法来进行分类了。第一种就是以DDRXXX这种方式命名。后边的“XXX”就表示了这个内存是以两倍于XXX的速度运行的内存。另外一种就是以PCXXXX进行命名。后边的“XXXX”就是内存的带宽。

PC1600

此类DDR内存就是最早的一代DDR内存了。它的工作频率为200MH(由于是DDR内存，所以频率增加一倍，就是100MHz x2所以实际上这类内存是工作在200MHz的频率下的)，而工作模式为CAS2.5。

DDR266/PC2100

现在最普遍见到的DDR内存，工作频率为266MHz，工作模式为CAS2.5。

PC2400

又是一个非官方版本的DDR内存。实际上就是通过对内存颗粒的筛选、改造而制造成质量上乘的超频DDR内存。这样，让它们可以在150MHz（实际使用中双倍变为300MHz）的频率下工作在CAS2的模式下。Corsair就是其中的一个厂商。

DDR333/PC2700

官方发布的一个DDR内存版本，通过将内存频率增加到166MHz DDR(实际工作中双倍变为333MHz)的CAS2.5模式，来提升系统性能。

PC3000

DDR内存的一个超频版，将内存超频到183 x 2的366MHz，并且工作在CAS2的模式下。同样的，这些内存还是由比如象Corsair这样的一些大内存生产商提供。

DDR400/PC3200

目前还没有通过官方认可，工作的频率——200MHz DDR(实际工作频率为400MHz)。RDRAM

RDRAM 内存的命名方式和DDR内存非常相似。统一命名采用PCXXX的格式，而其中的XXX 就接近于内存实际工作频率。

PC600

这是第一代的RDRAM。工作频率为300MHz DDR (也就是实际工作频率为600MHz)。

PC700

也是第一代的RDRAM内存。工作频率为356MHz DDR (也就是实际工作频率为712MHz)。

PC800

这也是第一代的RDRAM内存版本。工作频率为400MHz DDR (实际工作频率为800MHz)。这是至今为止能买到的最高频率的内存。

PC1066

这是RDRAM中新的一代内存，它运行在533MHz DDR之下，实际工作频率达到了1.66MHz。很明显这是和Intel的Northwood P4想搭配使用的，因为Northwood P4正好也是使用的533MHz的前端总线频率。

PC1200

未来的16-bit 的RDRAM内存。和PC1066/800类似，他的运行频率将在600MHz DDR (实际为1200MHz这个频率之下)。

也许大家都注意到了，前边我们所提到的内存都是16位的。而我们从技术特点上分析16位的内存都对于高要求的系统来说已经有点捉襟见肘了，所以，市场迫切需要32位的RDRAM内存面市。而正因为这样，才有了我们后边的RIMMXXXX系列内存。RIMMXXXX内存是32位RDRAM内存的一个标示方式。后边的XXXX就表示的是内存的带宽。

RIMM 3200

未来的32-bit的RDRAM内存。而这个时候RIMM 3200 将会运行在400MHz DDR频率之下 (实际工作频率为800MHz)，这个速度和PC800的RDRAM正好一样，但是实际上它们也有了质的不同了——毕竟这是32位的存储器了。

RIMM 4200

32位的RDRAM内存，运行频率为533MHz DDR (实际频率为1066MHz)——同PC1066 RDRAM 运行速度类似。

RIMM 4800

32位的RDRAM内存，工作频率为600MHz DDR (实际频率为1200MHz)——同PC1200 RDRAM 的速度一样。

计算内存带宽

内存的带宽总量可能是决定一组内存的性能的重要标准之一了。这个是什么意思呢？其实真正理解起来不难，而且还非常容易计算。我们刚才所说的内存带宽总量其实就是在理想状态下这一组内存在一秒内所能传输的最大数据容量。公式也很简单：内存带宽总量(MBytes) = 最大时钟速频率 (MHz) x 总线宽度 (bits) x 每时钟数据段数量/ 8

好了，我们还是来解释解释吧。“每始终数据段数量”这个是最好理解的了——你只需要记住，如果你的内存是SDR那么这里这个值就等于1，如果您使用的是DDR或者是RDRAM 的话，那么这个值就是2。然后我们再将这个值除以8的意义就是将位这个单位换算成为字节。

所以说，对于一般的标准PC2100 DDR内存来说，他的最大时钟频率应该是133MHz，而它的内存总线宽度为64bit，每时钟数据段数为2。所以(133x64x2)/8 = 2128MB/s。一秒种能够传输2128MB，现在你知道为什么叫做PC2100了吧？

再来一个例子。这次就拿PC800的RDRAM来计算吧。最大时钟频率为400MHz，内存总

线宽度为16bit，每时钟数据段数为2，那么套用公式了之后就是(400x16x2)/8 = 1600MB/s。

从这里的大家可以看的出来吧，PC2100的DDR内存能够提供高达2.1GB/s 的带宽，而RDRAM内存的带宽只能达到1.6GB/s,但是需要大家注意的是，由于RDRAM是曾对使用，两条内存一共可以3.2GB/s的内存带宽，而新一代的RIMM内存(总线为32位的RDRAM内存) 将会使用两个数据通道进行工作，所以，他们的带宽几一下增加了一倍——这样就成为了

3.2GB/s，并且单独一条内存即可使用。

我们后边的讨论可能会将重心放在SDRAM内存上，因为毕竟这种内存是时至今日用得最多的一种内存。

内存时钟

首先要我要理性的给大家说，内存的性能并不单单只是由它传送数据的快慢决定的。内存从接受到请求到对这个请求作出反应也是决定内存的性能一个非常重要的因素。而现在大多数的内存性能都被这个重要的因素所制约着，它就是——持续反应时间（潜伏期）。

由于当前RDRAM的持续反应时间比较高，所以，在很大程度上影响了RDRAM内存的性能，并且RDRAM的价格比较高昂，导致现在很多人已经不在向往RDRAM，而投向了DDR内存的怀抱。

内存设置参数

行地址控制器 (CAS)

行地址控制器（CAS）可能是最能决定内存模块对数据请求进行响应的因素之一了。通常我们把这个叫做CAS延迟，一般来说，在SDR SDRAM中，我们可以设定为2 或者3（当然是根据自己内存的具体情况而定）。对于DDR内存来说，我们一般常用的设定为2 或者2.5。

内存中最基本的存储单元就是柱面，而这些柱面通过行和列的排列组成了一个矩阵。而每个行和列的坐标集就代表了一个唯一的地址。所以内存在存取数据的时候是根据行和列的地址集来进行数据搜索的。

寻址到可用（Trp）/CAS到RAS (CMD)

相对而言，Trp以及CMD时间并没有CAS时间那么重要，但是也是足以影响内存的性能的了。一般这个地方设置的值为3 (时钟循环)，如果把这个这个值改小为2，就可以提升一点内存性能。

列地址控制器(RAS) /其他延迟

内存本身就是一个非常复杂的零部件，可以这么说，计算机内部工作过程最复杂的就是存储器了。但是幸好这些烦琐的工作对于我们这些最终用户来说是透明的，而我们平时用来判断内存性能、质量好坏的这些参数也只是其中的一些部分而已。有两个是不得不提到的，那就是RAS延迟和另外两个延迟。RAS 通常为6个始终循环，但是实际上在超频中可以将它修改为5。

Command rate（指令比率）是另外一个比较普遍的延迟。允许进行的设置为1T或者是2T，而通常2T是默认的设置，1T就要比2T稍微快一点点。另外一个需要注意的地方就是Row Cycle Time (Trc，列循环时间)，这个参数一般为3或者2。

其他一些和内存紧密相关的参数：

Bank 激活时间

Bank 循环时间

已装载数据到充电前时间

已装载数据到激活时间

Bank到Bank延迟

大多数的这些参数都是在内存出厂的时候由厂商根据内存的型号种类设定好了的，比如说PC2100 DDR, PC800 RAMBUS, PC133 SDR等等，他们不同的内存会给他们设置不同的参数。而我们不能够自己随意的改动它。

校验内存和缓冲内存和以上我们介绍的内存又有不一样的地方。为了同步内存的时钟频率（这在一些特殊的情况下要求特别严格），数据在输出前是要首先被放到一个叫做“校验区”的存储模块中，这样很多人都把这种内存叫做“校验内存”。这样就可以保证所有从内存中读出的数据都是“同步”的，这样就可以避免很多的数据读写错误了。这样的一个校验过程将会消耗掉一个时钟循环，所以理论上CAS 2的校验内存将会和CAS 3的非缓冲内存性能相当——不要嫌弃，这一切都是为了数据的稳定。

也许有一些朋友会注意到，当他们把内存设置到CAS 2工作模式下的时候，反而系统的性能还没有默认的CAS 2.5/3好了，这是什么原因呢？我的理解是这样的：内存根本就不能稳定的工作在那种模式下，而用户强行的将内存设置为那种工作模式，这样的话就会在存取数据的时候不时的造成数据“丢失”，这样数据不能取得，当然就只能重新读取，这样就浪费掉了很多的时间，当然系统效率就变低了哦。举个例子方便理解吧。内存试着去搜索所有的行和列，但是如果它在这个时钟循环中并没有能够完成这次数据读取，那么就只有等待下一个循环，本来用一个时钟循环就能够解决的问题而现在需要用两个时钟循环甚至三个去完成，这就明显的降低了系统效率。这个时候，越是高的频率越容易导致错误。

内存交错模式

由于在这些延迟的时间间隔内，内存是不能进行读写工作的，所以这个等待时间也造成了内存暂时工作停止。为了避免这种情况发生，内存就可以使用交错模式，但是一般来说，内存默认这项功能是关闭的。如果要提高性能的话，那么就把这个模式设置为2-way甚至

4way。

我们再来复习一遍内存的循环过程“CAS -> CMD -> RAS -> 输出数据”。想像一下，如果你的一半内存正在进行行寻址（CAS阶段），而另外一半的内存已经完成了列的寻址（RAS 阶段）。如果是这种情况的话，那么一个输出过程就将会执行两个时钟周期才能完成。大家仔细想想也就知道了，内存交错模式并不能使你的显存的存取速度增倍，但是实际上它利用了显存的等待时间，从而提高了显存的工作效率。

最开始的时候交错模式是应用在独立的两根内存条上的，但是现在已经改变了这种情况，现在单独的一根内存条也可以采用交错模式进行工作。在现在的内存（SDR/DDR SDRAM 这些）中，你可以在只有一根内存的情况下就使用2路或者4路交错模式。实际上，交错模式并不是内存条和内存条之间进行的一种“交错”，而是内存的bank和bank之间进行的一种提高效率的工作方式。现在绝大多数的内存都被设计为了4个bank，所以，实际上你可以在2-way和4-way之间做一个选择。

内存超频

听起来神秘莫测的内存超频其实也是相当简单的。首先我们要提醒你的是，如果一旦你对内存进行超频使用，当内存损坏了之后，你的内存就不属于质保范围。而超频这种东西也是见仁见智了。

超频的意义其实就是在承担了随时都可能会对电脑造成毁灭性的伤害的风险的同时，将电脑的性能推向它的极限！其中有风险，但也有乐趣。如果超频方法不正确，轻则导致系统经常不稳定，重则你将会可能损坏一部分的硬件设备，而导致这些配件永远的离你而去，给你留下不可磨灭的心灵创伤和阴影——呵呵，说得有点过。超频的一个必备的要素就是“胆大心细”。一旦超频成功，你将会得到系统性能的提升——而且这不用花一分钱！

好了，现在我们言归正传，现在来说怎么超频吧。其实很少有朋友是为了超频内存而对内存进行超频的，他们购买容易超频的内存的目的只是为了让CPU能够运行在更高的频率下。现在很多的机器的内存是按照CPU的时钟频率（FSB，前端总线频率）同频运行的。这也就以为着要加速内存运行就必须要提高FSB的频率，那么顺理推下去，就要提高CPU的频率。同时，PCI总线也是以前端总线的一个分频在进行工作，如果一旦前端总线频率提升了，

那么PCI总线的频率也势必提升，那么这里又触及到了PCI设备在高于额定频率下能不能稳定工作的问题了……

提高内存工作频率比低潜伏期更能提升系统性能。绝大多数内存在高潜伏期的工作状态要比低潜伏期工作状态超频能力强一些。所以，在对内存超频之前，请将你的内存潜伏期值设置得高点。

当然，超频的瓶颈部分也并不是只是内存。当你达到了一个比较高的频率，而且反复测试系统在这个时候能够比较稳定的工作的话，你以为超频工作算完了吗？没有！我们来近一步提升内存性能。这个时候我们要试着降低内存的潜伏期。首先是设置内存寻址到可用的延迟，我们把这个值从3 改到2。接着试试降低CMD，最后再试试CAS 延迟。CAS延迟一旦得到恰当的设置对系统的性能提升是很有帮助，但是这也是诸多设置中最不好掌握的一个。

通常来说2-3-3-6的时钟设置要比3-2-2-5更能突出系统的性能。

从经验上来讲，以下设置改动能够让你的SDR内存拥有更好的工作状态，提高系统的性能。当然，系统的差异也是存在的，所以还是以下内容仅供参考。

Interleave 关闭 -> Interleave 4-way

CAS 3 -> CAS 2

Trp3 -> Trp2 / CMD3 -> CMD2

Interleave 关闭 -> Interleave 2-way / Interleave 2-way -> Interleave 4-way Command Rate3 -> Command Rate2

RAS6 -> RAS5

如果是DDR内存的话，我会做这样的设置修改建议。

Interleave 关闭-> Interleave 4-way

Trp3 -> Trp2 / CMD3 -> CMD2

CAS2.5 -> CAS2

Interleave 关闭 -> Interleave 2-way / Interleave 2-way -> Interleave 4-way Command Rate3 -> Command Rate2

RAS6 -> RAS5

需要提到的是RAS似乎很奇怪，有的机器上一旦调节了这个参数之后，系统的性能就能得到一个非常不错的提高，但是有的机器调节了他性能却没有什么起色，而且不仅仅没有性能提高，反而会影响系统的稳定性……所以，如果感觉有什么不对劲儿的话，请马上修改回6！

磁性材料基本参数详解

磁性材料基本参数详解磁性是物质的基本属性之一，磁性现象与各种形式的电荷的运动相关联，物质内部电子的运动和自旋会产生一定大小的磁矩，因而产生磁性。自然界物质按其磁性的不同可分为：顺磁性物质、抗磁性物质、铁磁性物、反铁磁性物质以及亚铁磁性物质，其中铁磁性物质和亚铁磁性物质属于强磁性物质，通常将这两类物质统称为“ 磁性材料” 。铁氧体颗粒料: 是已经过配料、混合、预烧、粉碎和造粒等工序，可以直接用于成形加工的铁氧体料粒。顾客使用该料可直接压制成毛坯，经烧结、磨削后即可制成所需磁芯。本公司生产并销售高品质的铁氧体颗粒料，品种包括功率铁氧体JK 系列和高磁导率铁氧体JL 系列。锰锌铁氧体: 主要分为高稳定性、高功率、高导铁氧体材料。它是以氧化铁、氧化锌为主要成分的复合氧化物。其工作频率在1kHz 至10MHz 之间。主要用着开关电源的主变压器用磁芯. 。随着射频通讯的迅猛发展，高电阻率、高居里温度、低温度系数、低损耗、高频特性好（高电阻率ρ、低损耗角正切tg δ）的镍锌铁氧体得到重用，我司生产的Ni-Zn 系列磁芯，其初始磁导率可由10 到2500 ，使用频率由1KHz 到100MHz 。但主要应用于1MHz 以上的频段、磁导率范围在7-1300 之间的EMC 领域、谐振电路以及超高频功率电路中。磁粉芯: 磁环按材料分为五大类：即铁粉芯、铁镍钼、铁镍50 、铁硅铝、羰基铁。使用频率可达100KHZ ，甚至更高。但最适合于10KHZ 以下使用。磁场强度H ：磁场“ 是传递运动电荷或者电流之间相互作用的物理物” 。它可以由运动电荷或者电流产生，同时场中其它运动或者电流发生力的作用。均匀磁场中，作用在单位长磁路的磁势叫磁场强度，用H 表示；使一个物体产生磁力线的原动力叫磁势，用F 表示：H=NI/L, F = N I H 单位为安培/ 米（A/m ），即: 奥斯特Oe ；N 为匝数；I 为电流，单位安培（A ），磁路长度L 单位为米（m ）。在磁芯中，加正弦波电流，可用有效磁路长度Le 来计算磁场强度： 1 奥斯特= 80 安/ 米磁通密度，磁极化强度，磁化强度在磁性材料中，加强磁场H 时，引起磁通密度变化，其表现为： B= ц o H+J= ц o (H+M) B 为磁通密度( 磁感应强度) ，J 称磁极化强度，M 称磁化强度，ц o 为真空磁导率，其值为4 π× 10 ˉ 7 亨利/ 米（H/m ） B 、J 单位为特斯拉，H 、M 单位为A/m, 1 特斯拉=10000 高斯（Gs ）在磁芯中可用有效面积Ae 来计算磁通密度：

内存硬件知识汇总

为了保证所保存的数据不丢失，DRAM必须定时进行刷新，DDR3也不例外。为了最大的节省电力，DDR3采用了一种新型的自动自刷新设计（ASR，Automatic Self-Refresh）。当开始ASR之后，将通过一个内置于DRAM芯片的温度传感器来控制刷新的频率，因为刷新频率高的话，消电就大，温度也随之升高。而温度传感器则在保证数据不丢失的情况下，尽量减少刷新频率，降低工作温度。不过DDR3的ASR是可选设计，并不见得市场上的DDR3内存都支持这一功能，因此还有一个附加的功能就是自刷新温度范围（SRT，Self-Refresh Temperature）。通过模式寄存器，可以选择两个温度范围，一个是普通的的温度范围（例如0℃至85℃），另一个是扩展温度范围，比如最高到95℃。对于DRAM内部设定的这两种温度范围，DRAM将以恒定的频率和电流进行刷新操作。局部自刷新（RASR，Partial Array Self-Refresh）这是DDR3的一个可选项，通过这一功能，DDR3内存芯片可以只刷新部分逻辑Bank，而不是全部刷新，从而最大限度的减少因自刷新产生的电力消耗。这一点与移动型内存（Mobile DRAM）的设计很相似 FBD、XDR、XDR2内存概述来自(https://www.360docs.net/doc/5c15473858.html,/) 2009-07-14 1．FBD内存 FBD即Fully-buffer DIMM（全缓存模组技术），它是一种串行传输技术，可以提升内存的容量和传输带宽.是Intel在DDR2、DDR3的基础上发展出来的一种新型内存模组与互联架构，既可以搭配现在的DDR2内存芯片，也可以搭配未来的DDR3内存芯片。FB-DIMM可以极大地提升系统内存带宽并且极大地增加内存最大容量。 FB-DIMM与XDR相比较，虽然性能不及全新架构的XDR，但成本却比XDR要低廉得多。与现有的普通DDR2内存相比，FB-DIMM技术具有极大的优势:在内存频率相同的情况下目前能提供四倍于普通内存的带宽，并且能支持的最大内存容量也达到了普通内存的24倍，系统最大能支持192GB内存。FB-DIMM最大的特点就是采用已有的DDR2内存芯片(以后还将采用DDR3内存芯片)，但它借助内存PCB上的一个缓冲芯片AMB(Advanced Memory Buffer，高级内存缓冲)将并行数据转换为串行数据流，并经由类似PCI Express 的点对点高速串行总线将数据传输给处理器。与普通的DIMM模块技术相比，FB-DIMM与内存控制器之间的数据与命令传输不再是传统设计的并行线路，而采用了类似于PCI-Express的串行接口多路并联的设计，以串行的方式进行数据传输。在这种新型架构中，每个DIMM上的缓冲区是互相串联的，之间是点对点的连接方式，数据会在经过第一个缓冲区后传向下一个缓冲区，这样，第一个缓冲区和内存控制器之间的连接阻抗就能始终保持稳定，从而有助于容量与频率的提升。 2．XDR内存 XDR就是“eXtreme Data Rate”的缩写，这是Rambus的黄石的最终名称。XDR将Rambus之前公布了一系列新技术集中到了一起，新技术不仅带来了新的内存控制器设计和DRAM模块设计，同时可以工作在相当高的频率，带来让人难以置信的带宽。 XDR内存比较有意思，这次架构同目前实际使用的DDR、DDR II并没有太大的差别，但XDR却依旧拥有自己的知识产权。XDR在今年年内会有样品出现，明年中后期正式推广，同原来一样三星依旧是RAMBUS

SDRAM内存详解(经典)

SDRAM内存详解（经典）我们从内存颗粒、内存槽位接口、主板和内存之间的信号、接口几个方面来详细阐述SDRAM内存条和主板内存系统的设计思路... 虽然目前SDRAM内存条价格已经接底线，内存开始向DDR和Rambus内存过渡。但是由于DDR内存是在SDRAM基础上发展起来的，所以详细了解SDRAM内存的接口和主板设计方法对于设计基于DDR内存的主板不无裨益。下面我们就从内存颗粒、内存槽位接口、主板和内存之间的信号接口几个方面来详细阐述SDRAM内存条和主板内存系统的设计思路。内存颗粒介绍对于DRAM（Dynamic Random Access Memory）内存我想凡是对于计算机有所了解的读者都不会陌生。这种类型的内存都是以一个电容是否充有电荷来作为存储状态的标志，电容冲有电荷为状态1，电容没有电荷为状态0。其最大优点是集成度高，容量大，但是其速度相对于SRAM (Static Random Access Memory) 内存来说慢了许多。目前的内存颗粒封装方式有许多种，本文仅仅以大家常见的TSSOP封装的内存颗粒为例子。其各个管脚的信号定义和我们所使用的DIMM插槽的定义是相同的，对于不同容量的内存，地址信号的位数有所不同。另外一个需要注意的地方就是其供电电路。Vcc和Vss是为内存颗粒中的存储队列供电，而VccQ和VssQ是为内存颗粒中的地址和数据缓冲区供电。两者的作用不同。我们对内存颗粒关心的问题主要是其颗粒的数据宽度（数据位数）和容量（寻址空间大小）。而对于颗粒自检、颗粒自刷新等等逻辑并不需要特别深入的研究，所以对此我仅仅是一笔带过，如果读者有兴趣的读者可以详细研究内存颗粒的数据手册。虽然内存颗粒有这么多的逻辑命令方式，但是由于目前北桥芯片和内存颗粒的集成度非常高，只要在布线和元器件的选择上严格按照内存规范来设计和制造，需要使用逻辑分析仪来调试电路上的差错的情况比较少，并且在设计过程中尽量避免出现这种情况。 168线DIMM内存插槽的信号定义　我们目前PC和Server使用的内存大都是168 Pins的SDRAM，区别只是其工作频率有的可能是100MHz频率，有的可能是133MHz频率的。但是只要是SDRAM，其DIMM插槽的信号定义是一样的。而这些引脚得定义就是设计内存条和主板所必须遵从的规范。内存引脚主要分为如下几类：地址引脚、数据引脚（包含校验位引脚）、片选等控制信号、时钟信号。整个内存时序系统就是这些引脚上的信号配合产生。下面的表中就是内存插槽的引脚数量和引脚定义，对于一些没有定义或者是保留以后使用的信号就没有列出来。符号功能详细描述 DQ [0-63] I/O 数据输入/输出 CB [0-7] I/O ECC内存的ECC校验输入/输出 A [0-13] I/O 地址选择 BA [0-1] Control Bank选择 CS [0-3] Control 片选信号 RAS Control 行地址选择信号 CAS Control 列地址选择信号 DQMB [0-7] Control 数据掩码控制（DQ Mask）高有效* WE Control 写允许信号 CK [0-3] Clock 时钟信号 CKE [0-1] Clock 时钟允许信号** REGE Control 寄存器 (Registered) 允许信号

内存试题

实训四内存、硬盘的参数认知任务目标掌握内存、硬盘的性能参数；了解内存的功能和分类；了解硬盘的分类及结构；任务准备计算机一台；能连接互联网；任务操作（1）、知识阅读（资料文件夹下的CPU和主板） 1、内存的工作原理； 2、内存； 3、内存简介； 4、如何识别内存条； 5、内存条的发展； 6、DDR； 7、从外观区别DDR和DDR2，DDR3； 8、怎么识别内存型号。 9、常见的三大硬盘“形态”；

10、揭秘泰国洪水如何成为硬盘涨价替罪羊； 11、硬盘厂商情何以堪创见2TB U盘研发成功； 12、MHDD使用方法图解； 13、固态硬盘； 14、再吹就成SSD 厂家最爱4大硬盘关键词； 15、蓝光光驱；（2）、习题内存部分 1、在计算机中, Cache 又称为:( D )。 A：存储器B：高速存储器C：高速缓冲存储器D：缓冲存储器 2、关机后,其中的程序和数据都不会丢失的内存是( D )。 A：硬盘B：软盘C：RAM D：ROM 3、下列设备中，响应CPU访问速度最快的是：( C )。 A：硬盘B：软盘C：内存储器D：光盘 4、内存存取时间的单位是（C） A：毫秒B：秒C：纳秒D：分 5、DDRIII内存的工作电压为：（ D ） A：3.3v B：2.5v C：2.3v D：1.5v 6、我们一般所说的内存是指ROM（ B ） A：对B：错 7、双通道内存技术是与主板芯片组有关的技术与内存本身无关

的技术。( B ) A：对B：错 8、ROM是随机存储器,RAM是只读存储器?( B 说反了) A：对B：错 9、内存主要是指随机存取存储器，断电后数据将会丢失。( A) A：对B：错多选题： 10、内存的性能指标有（DC ） A：接口类型B：内存条的大小C：内存的容量D：内存颗粒的速度 11、随机存储器RAM可分为哪两种类型的存储器：（AB） A：SRAM B：DRAM C：DDRAM D：SDRAM 简答： 12、内存条的主要技术指标有哪些？ SRAM RAM SDRAM同步动态、随机储存器，3.3V/168引脚DRAM DDRAM 2.5V/184线， DDRⅡ 1.8V 240线 DDRⅢ 1.5V 240线 13、简述内存条选购要点？品牌，

LTE常用参数详解

LTE现阶段常用参数详解 1、功率相关参数 1.1、Pb（天线端口信号功率比）功能含义：Element）和TypeA PDSCH EPRE的比值。该参数提供PDSCH EPRE（TypeA）和PDSCH EPRE（TypeB）的功率偏置信息（线性值）。用于确定PDSCH（TypeB）的发射功率。若进行RS功率boosting时，为了保持Type A 和Type B PDSCH 中的OFDM符号的功率平衡，需要根据天线配置情况和RS功率boosting值根据下表确定该参数。1，2，4天线端口下的小区级参数ρB/ρA取值： PB 1个天线端口2个和4个天线端口 0 1 5/4 1 4/5 1 2 3/5 3/4 3 2/5 1/2 对网络质量的影响：PB取值越大，RS功率在原来的基础上抬升得越高，能获得更好的信道估计性能，增强PDSCH的解调性能，但同时减少了PDSCH （Type B）的发射功率，合适的PB取值可以改善边缘用户速率，提高小区覆盖性能。取值建议：1

1.2、Pa（不含CRS的符号上PDSCH的RE功率与CRS 的RE功率比）功能含义：不含CRS的符号上PDSCH的RE功率与CRS的RE功率比对网络质量的影响：在CRS功率一定的情况下，增大该参数会增大数据RE功率取值建议：-3 1.3、PreambleInitialReceivedTargetPower（初始接收目标功率(dBm)）功能含义：表示当PRACH前导格式为格式0时，eNB期望的目标信号功率水平，由广播消息下发。对网络质量的影响：该参数的设置和调整需要结合实际系统中的测量来进行。该参数设置的偏高，会增加本小区的吞吐量，但是会降低整网的吞吐量；设置偏低，降低对邻区的干扰，导致本小区的吞吐量的降低，提高整网吞吐量。取值建议：-100dBm~-104dBm 1.4、PreambleTransMax（前导码最大传输次数）功能含义：该参数表示前导传送最大次数。对网络质量的影响：最大传输次数设置的越大，随机接入的成功率越高，但是会增加对邻区的干扰；最大传输次数设置的越小，存在上行干扰的场景随机接入的成功率会降低，但是会减小对邻区的干扰取值建议：n8，n10

IGBT基本参数详解

第一部分IGBT模块静态参数 1，：集射极阻断电压在可使用的结温范围内，栅极和发射极短路状况下，集射极最高电压。手册里一般为25℃下的数据，随着结温的降低，会逐渐降低。由于模块内外部的杂散电感，IGBT在关断时最容易超过限值。 2，：最大允许功耗在25℃时，IGBT开关的最大允许功率损耗，即通过结到壳的热阻所允许的最大耗散功率。其中，为结温，为环境温度。二极管的最大功耗可以用同样的公式获得。在这里，顺便解释下这几个热阻，结到壳的热阻抗，乘以发热量获得结与壳的温差；芯片热源到周围空气的总热阻抗，乘以发热量获得器件温升；芯片结与PCB间的热阻抗，乘以单板散热量获得与单板的温差。 3，集电极直流电流在可以使用的结温范围流集射极的最大直流电流。根据最大耗散功率的定义，可以由最大耗散功率算出该值。所以给出一个额定电流，必须给出对应的结和外壳的温度。 ) 4，可重复的集电极峰值电流规定的脉冲条件下，可重复的集电极峰值电流。 5，RBSOA，反偏安全工作区 IGBT关断时的安全工作条件。如果工作期间的最大结温不被超过，IGBT在规定的阻断电压下可以驱使两倍的额定电流。 6，短路电流

短路时间不超过10us。请注意，在双脉冲测试中，上管GE之间如果没有短路或负偏压，就很容易引起下管开通时，上管误导通，从而导致短路。 7，集射极导通饱和电压在额定电流条件下给出，Infineon的IGBT都具有正温度效应，适宜于并联。随集电极电流增加而增加，随着增加而减小。可用于计算导通损耗。根据IGBT的传输特性，计算时，切线的点尽量靠近工作点。对于SPWM方式，导通损耗由下式获得， M为调制因数；为输出峰值电流；为功率因数。第二部分IGBT模块动态参数 1，模块内部栅极电阻为了实现模块内部芯片的均流，模块内部集成了栅极电阻，该电阻值常被当成总的驱动电阻的一部分计算IGBT驱动器的峰值电流能力。 2，外部栅极电阻数据手册中往往给出的是最小推荐值，可以通过以下电路实现不同的和。

液晶电视常见参数详解

不懂千万别装懂液晶电视常见参数详解年月日来源：中国经济网 [推荐朋友] [打印本稿] [字号大中小] 春节黄金周这几天正是卖场销售最为火爆地几天，好多消费者都趁着放假去卖场里采购一番.春节各种促销活动多，但是陷阱也不少，一方面是店员地“忽悠”，另一方面就是消费者对于产品地不了解，所以才让那些有机可乘.在此，笔者提醒那些想要购买家电地消费者，在购买之前一定要做好充分地准备，事前调查一些相关资料，这样就算那些店员再怎么能忽悠，您地火眼金睛一眼就能看穿. 下面笔者就来为向要购买液晶电视地朋友解释一些专业参数术语，希望那些完全不懂或者一知半解地朋友们赶紧来充充电. 什么是分辨率？对于液晶电视来说分辨率是非常重要地参数，是指屏幕上究竟有多少个像素点.液晶电视地物理分辨率具有固定不变地特点，让液晶电视工作在非标准分辨率下，便会造成显示图象失真.液晶电视地最佳分辨率，也叫最大分辨率，在该分辨率下，液晶电视才能显现最佳影像.液晶电视呈现分辨率较低地显示模式时，有两种方式进行显示. 第一种为居中显示：例如在×地屏幕上显示×地画面时，只有屏幕居中地×个像素被呈现出来，其它没有被呈现出来地像素则维持黑暗.目前该方法较少采用.另一种称为扩展显示：在显示低于最佳分辨率地画面时，各像素点通过差动算法扩充到相邻像素点显示，从而使整个画面被充满.这样也使画面失去原来地清晰度和真实地色彩.这就是为什么在商场中显示画面非常好地电视一到家中就大打折扣，要知道商场中放地都是高清碟，而家中还是传统地模拟信号. 什么是响应速度？响应速度也称反应时间是液晶电视各像素点对输入信号反应地速度，即像素由暗

转亮或由亮转暗所需要地时间.一般将反应时间分为两个部分：上升时间( )和下降时间( )，而表示时以两者之和为准. 如果响应时间不够快，像素点对输入信号地反应速度跟不上，观看高速移动地画面时就会出现类似残影或者拖沓地痕迹，无法保证画面地流畅.目前市面上地液晶电视多在，与电视低于地响应时间相比，还有一点差距.不过代线已经将液晶电视响应速度提高到毫秒，甚至毫秒，这样就超过了电视. 什么是屏幕亮度？屏幕亮度是指电视机在白色画面之下明亮地程度，单位是堪德拉每平米()或称. 堪德拉每平米()或地含义是每平方米地烛光亮度，即单位面积地光强度.液晶是一种介于液体和晶体之间地物质，它可以通过电流来控制光线地穿透度，从而显示出图像.但是，液晶本身并不会发光，因此所有地液晶电视都需要背光照明，背光地亮度也就决定了显示器地亮度.目前提高亮度地方法有两种，一种是提高面板地光通过率；另一种就是增加背景灯光地亮度，或增加灯管数量.提高面板地光通过率也被称为“擦亮技术”，显示屏表面好比装了一层玻璃，增强了光线地反射，而且还提高了屏幕地色彩对比度及饱和度. 理论上，亮度高，画面显示地层次也就更丰富，从而提高画面地显示质量，但也不是亮度越高就越好地，这主要是从健康地角度来考虑，电视画面过亮常常会令人感觉不适.研究人员指出，当显示器地亮度达到＆时，就会引起视疲劳.而“擦亮技术”地使用使显示屏很容易使眼睛被光线“刺伤”，还容易引发眼睛疲劳，甚至导致视力下降和头痛等健康问题.同时也使纯黑与纯白地对比降低，影响色阶和灰阶地表现.目前市场上主流地液晶亮度一般都在到，而实践证明这样地亮度在英寸大小地屏幕上已经足够满足视觉欣赏地要求.选择合适地亮度与观看电视地距离有很大关系，大屏幕地电视观看距离一般比较大，适合选择亮度较高地款型，而小屏幕地电视则宜选择亮度不要太高地产品.一般理想地亮度选择可以粗略地参考这个标准，即不高于*屏幕高度地平方，同时不低于*屏幕高度地平方(首先屏幕高度化成国际标准单位：米). 另外，亮度地均匀性也非常重要，但在液晶电视产品规格说明书里通常不做标注.亮度均匀与否，和背光源与反光镜地数量与配置方式息息相关，品质较佳地电视，

DDR系列内存详解及硬件设计规范-Michael

D D R 系列系列内存内存内存详解及硬件详解及硬件设计规范 By: Michael Oct 12, 2010 haolei@https://www.360docs.net/doc/5c15473858.html,

目录 1.概述 (3) 2.DDR的基本原理 (3) 3.DDR SDRAM与SDRAM的不同 (5) 3.1差分时钟 (6) 3.2数据选取脉冲（DQS） (7) 3.3写入延迟 (9) 3.4突发长度与写入掩码 (10) 3.5延迟锁定回路（DLL） (10) 4.DDR-Ⅱ (12) 4.1DDR-Ⅱ内存结构 (13) 4.2DDR-Ⅱ的操作与时序设计 (15) 4.3DDR-Ⅱ封装技术 (19) 5.DDR-Ⅲ (21) 5.1DDR-Ⅲ技术概论 (21) 5.2DDR-Ⅲ内存的技术改进 (23) 6.内存模组 (26) 6.1内存模组的分类 (26) 6.2内存模组的技术分析 (28) 7.DDR 硬件设计规范 (34) 7.1电源设计 (34) 7.2时钟 (37) 7.3数据和DQS (38) 7.4地址和控制 (39) 7.5PCB布局注意事项 (40) 7.6PCB布线注意事项 (41) 7.7EMI问题 (42) 7.8测试方法 (42)

摘要：本文介绍了DDR 系列SDRAM 的一些概念和难点，并分别对DDR-I/Ⅱ/Ⅲ的技术特点进行了论述，最后结合硬件设计提出一些参考设计规范。关键字关键字：：DDR, DDR, SDRAM SDRAM SDRAM, , , 内存模组内存模组内存模组, , , DQS DQS DQS, DLL, MRS, ODT , DLL, MRS, ODT , DLL, MRS, ODT Notes : Aug 30, 2010 – Added DDR III and the PCB layout specification - by Michael.Hao

常用参数一览表

三菱常用参数一览表轴参数： #2011 G0back G0间隙补偿 #2012 G1back G1 间隙补偿 G00和G01 状态丝杆反相间隙补偿，单位时0.001/2 。 #2013 OT- 软件极限I- #2043 OT+ 软件极限I＋设定以基本机械坐标0点的软件极限领域。＃2013和＃2014设定相同数值时软极限无效。 #2019 revnum 复归次序设定每个伺服轴回归参考点的次序。 “0”：无次序 “1～NC最大轴数”：各轴归零次序。压到行程开关时，轴移动的速度。 #2037 G53ops 参考点＃1 #2038 #2_rfp 参考点＃2 #2039 #3_rfp 参考点＃3 #2040 #4_rfp 参考点＃4 设定第二第三第四参考点对于机械原点的坐标值。伺服参数： 2238 SV038 FHz) 伺服共振频率扼制 2205 VGN(1/sec)伺服马达增益根据马达型号及马达惯量设定。主轴参数： 3001 slimt 1 第一档主轴最高转速 3002 slimt 2 第二档主轴最高转速 3003 slimt 3 第三档主轴最高转速 3004 slimt 4 第四档主轴最高转速 3005 smax 1 第一档S指令最高转速 3006 smax 2 第二档S指令最高转速 3007 smax 3 第三档S指令最高转速 3008 smax 4 第四档S指令最高转速 Slimt和smax 设定相同，为主轴最高转速。 3207 OPST 0 主轴M19定位偏转角度，单位为4096/360.. 刀库乱刀调整在IF诊断#(R1954) (刀库刀号)（1） #(R1984) (刀库刀号) (1) #(R2970)(主轴刀号)（1）在刀具登录页面将刀具重新输入。

DDR内存时序设置详解

内存时序设置详解内容概要关键词：内存时序参数设置导言：是否正确地设置了内存时序参数，在很大程度上决定了系统的基本性能。本文详细介绍了内存时序相关参数的基本涵义及设置要点。与传统的SDRAM相比，DDR（Dual date rate SDRSM：双倍速率SDRAM），最重要的改变是在界面数据传输上，其在时钟信号上升缘与下降缘时各传输一次数据，这使得DDR 的数据传输速率为传统SDRAM的两倍。同样地，对于其标称的如DDR400，DDR333，DDR266数值，代表其工作频率其实仅为那些数值的一半，也就是说DDR400 工作频率为200MHz。 FSB与内存频率的关系首先请大家看看FSB(Front Side Bus：前端总线)和内存比率与内存实际运行频率的关系。 FSB/MEM比率实际运行频率 1/1 200MHz 1/2 100MHz 2/3 133MHz 3/4 150MHz 3/05 120MHz 5/6 166MHz 7/10 140MHz 9/10 180MHz 对于大多数玩家来说，FSB和内存同步，即1:1是使性能最佳的选择。而其他的设置都是异步的。同步后，内存的实际运行频率是FSBx2，所以，DDR400的内存和200MHz的FSB正好同步。如果你的FSB为240MHz，则同步后，内存的实际运行频率为240MHz x 2 = 480MHz。

FSB与不同速度的DDR内存之间正确的设置关系强烈建议采用1：1的FSB与内存同步的设置，这样可以完全发挥内存带宽的优势。内存时序设置内存参数的设置正确与否，将极大地影响系统的整体性能。下面我们将针对内存关于时序设置参数逐一解释，以求能让大家在内存参数设置中能有清晰的思路，提高电脑系统的性能。涉及到的参数分别为： ?CPC : Command Per Clock ?tCL : CAS Latency Control ?tRCD : RAS to CAS Delay ?tRAS : Min RAS Active Timing ?tRP : Row Precharge Timing ?tRC : Row Cycle Time ?tRFC : Row Refresh Cycle Time ?tRRD : Row to Row Delay(RAS to RAS delay) ?tWR : Write Recovery Time ?……及其他参数的设置 CPC : Command Per Clock 可选的设置：Auto，Enable(1T)，Disable(2T)。 Command Per Clock(CPC：指令比率，也有翻译为：首命令延迟)，一般还被描述为DRAM Command Rate、CMD Rate等。由于目前的DDR内存的寻址，先要进行P-Bank的选择（通过DIMM上CS片选信号进行），然后才是L-Bank/行激活与列地址的选择。这个参数的含义就是指在P-Bank选择完之后多少时间可以发出具体的寻址的L-Bank/行激活命令，单位是时钟周期。

笔记本内存知识大全

笔记本内存知识大全----买本必看（二）笔记本内存是笔记本电脑中的主要部件，它是相对于其他存储器而言的。我们平常使用的程序，如操作系统、、游戏软件等，一般都是安装在硬盘等外存上的，但仅此是不能使用其功能的，必须把它们调入内存中运行，才能真正使用其功能，我们平时输入一段文字，或玩一个游戏，其实都是在内存中进行的。通常我们把要永久保存的、大量的数据存储在外存上，而把一些临时的或少量的数据和程序放在内存上。内存是连接CPU 和其他设备的通道，起到缓冲和数据交换作用！一:什么是SDRAM、DDR、DDR2、DDR3内存在介绍DDR之前我们先明白什么是SDRAM，SDRAM是 Synchronous Dynamic Random Access Memory的缩写,中文叫同步动态随机存取存储器。SDRAM在一个时钟周期内只传输一次数据，它是在时钟的上升期进行数据传输。SDRAM从发展到现在已经经历了四代，分别是：第一代SDR SDRAM，第二代DDR SDRAM，第三代 DDR2 SDRAM，第四代DDR3 SDRAM后面将做详细介绍 DDR叫DDR SDRAM，人们习惯称为DDR，DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的缩写，DDR内存则是一个时钟周期内传输两次次数据，它能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据，就是双倍速率同步动态随机存储器的意思。 DDR2的定义： DDR2（Double Data Rate 2） SDRAM ,即简称DDR2。DDR2和DDR一样，采用了在时钟的上升延和下降延同时进行数据传输的基本方式，但是最大的区别在于，DDR2内存可进行4bit预读取。两倍于标准DDR内存的2BIT预读取，这就意味着，DDR2拥有两倍于DDR的预读系统命令数据的能力，因此，DDR2则简单的获得两倍于DDR的完整的数据传输能力。 DDR2内存技术最大的突破点其实不在于所谓的两倍于DDR的传输能力，而是，在采用更低发热量，更低功耗的情况下，反而获得更快的频率提升，突破标准DDR的400MHZ 限制。外形，封装

汽车基本参数详解

1.悬挂系统与汽车的发动机和变速器被称为汽车的三大主要部件，是一部汽车的核心技术。 2.车长,长宽,长高, 单位mm. 3.轮距(较宽的轮距有更好的横向的稳定性与较佳的操纵性能), 4.轴距（反应汽车内部空间重要参数), 5.最小离地间距(汽车底盘与地面的距离,距离越大,车辆的通过性就越好) 6.最小转弯直径: 外转向轮的轨迹圆直径（将车辆方向盘向某个方向打满,驾驶车辆转一个圈.表明汽车转弯性能灵活与否的参数.) 7.空车质量(按出厂技术装备完整,油水加满后的质量.单位为kg) 8.允许总质量:汽车在正常条件下准备行驶时,包括载人/物时的允许总质量. 9.允许总质量-空车质量=汽车承重质量 10.车门数(2门, 3门,4门,5门,6门) 11.座位数(2位,5位不等),行李箱容积(单位L) 12.油箱容积:指一辆车能够携带燃油的体积,单位为L.一般油箱容积与该车的油耗有关,油箱要能保证车行驶500公里以上.百公里耗油10升的话,油箱容积在60升左右. 13.前后配重:指车身前轴与车身后轴各自所承担重量的比.汽车的配重,一般是在50:50最平均. 14.接近角:汽车满载静止时,汽车前端突出点向前轮所引切线与地面的夹角. 15.离去角: 汽车满载静止时,身车身后端出点向后轮引切线与地面之间的夹角. 16.爬坡角度: 当汽车满载时在良好路面上用第一档克报的最大坡度角,它表汽车的爬坡能力.用度数表示. 17.最大涉水深度: 汽车所能通过的最深水域.单位mm. 评价汽车越野性能的重要指标. 18.发动机: 又称引擎,把化学能转化为机械能.装配在汽车上主要以汽油,柴油,电池等. 标准的描述方法:排气量+排列形式+汽缸数+发动机特殊功能. 如宝马3升直列6缸双涡轮增压直喷发动机. 奔驰1.8升直列4缸机械增压发动机. 18.1发动机放置位置: 前置,中置,后置发动机. 或分为横向式/纵向式发动机. 18.2发动机结构: L直列V形, W形,H形,转子发动机(尺寸小,重量轻,功率大,但是技术复杂,成本高,耐用性低) 18.3进气方式: 自然吸气, 涡轮增压, 机械增压, 18.3.1自然吸气: 利用汽缸内产生的负压力,将外部空气吸入.（常用,寿命长,维修方便） 18.3.2涡轮增压: 相当一个空气压缩机.利用发动机排出的废气作为动力来推动涡轮室内的涡轮.优点是发动机动力增加40%,缺点就是迟滞性. 18.3.3机械增压: 采用皮带与发动机曲轴皮带连接,利用发动机转速来带动机械增压器内部叶片,以产生增压空气送入引擎进气管内.以此达到增压并使发动机输出动力变高的目的 18.4混合气形成方式: 单点电喷, 多点电喷, 直喷式 18.4.1单点电喷:以喷油嘴取代了化油器,进气总管中的节流阀体内设置一只喷射器,对各缸实施集中喷射,汽油被喷入进气气流中,形成可燃混合气,同上进气歧分配到各个气缸内.（电子控制,但无法精确均匀混合与分配） 18.4.2多点电喷:每个气缸都由单独的喷油嘴喷射燃油.(目前主流的形式,能够按照每个气缸的需求实现精确的按需供油,因此,降低了油耗和排放. 18.4.3直喷式: 燃油喷嘴安装在气缸内,直接将燃油喷入气缸内与进气混合.喷射压力也进一步提高,使燃油雾化更加细致,真正实现了精准地按比例控制喷油并与进气混合,并且消除了缸外喷射的缺点. 18.5排气量:指活塞从上止点到下止点所扫过的气体容积,又称单缸排量.它取决于缸径和活塞行程.排气量越大,功率和扭矩就会越大.单位为升(L) 18.6最大功率: 也叫马力,单位是kw或ps. 千瓦/匹.输出功率与发动机的转速关系很大.有100kw/6000rpm. 18.7最大扭矩: 发动机性能的一个重要参数,是指定发动机运转时从曲轴端输出的平均力矩.扭矩的大小也是和发动机转速有关系的.在不同的转速就会有不同的扭矩.扭矩越大,发动机输出的劲就越大.扭矩决定了汽车的加速能力,爬坡能力和牵引力. 18.8汽缸: 按照冷却方式分为水冷发动机(水套)和风冷发动机气缸体(散热片) 一般来说,缸数越多,排量越大, 功率越高,速度越高,加速度也越快. 18.9每缸气门数: 指发动机每个汽缸所拥有的气门数,有2,3,4,5,6几种.但超过6结构复杂,寿命短.常用为4气门. 气门与气缸数量可以作为判断发动机优劣标准之一,但不是唯一的. 18.10凸轮轴: 活塞发动机里的一个部件,它的作用是控制气门的开启和闭合动作.其材质一般是特种铸铁,或者锻件. 凸轮轴的主体是一根与汽缸组长度相同的圆柱形棒体.上面套有若干个凸轮,用于驱动气门.凸轮轴的一端是轴承支承点,另一端与驱动轮相连接.

内存基本知识详解

内存这样小小的一个硬件，却是PC系统中最必不可少的重要部件之一。而对于入门用户来说，可能从内存的类型、工作频率、接口类型这些简单的参数的印象都可能很模糊的，而对更深入的各项内存时序小参数就更摸不着头脑了。而对于进阶玩家来说，内存的一些具体的细小参数设置则足以影响到整套系统的超频效果和最终性能表现。如果不想当菜鸟的话，虽然不一定要把各种参数规格一一背熟，但起码有一个基本的认识，等真正需要用到的时候，查起来也不会毫无概念。内存种类目前，桌面平台所采用的内存主要为DDR 1、DDR 2和DDR 3三种，其中DDR1内存已经基本上被淘汰，而DDR2和DDR3是目前的主流。 DDR1内存第一代DDR内存 DDR SDRAM 是Double Data Rate SDRAM的缩写，是双倍速率同步动态随机存储器的意思。DDR内存是在SDRAM内存基础上发展而来的，仍然沿用SDRAM生产体系，因此对于内存厂商而言，只需对制造普通SDRAM的设备稍加改进，即可实现DDR内存的生产，可有效的降低成本。 DDR2内存

第二代DDR内存 DDR2 是DDR SDRAM 内存的第二代产品。它在DDR 内存技术的基础上加以改进，从而其传输速度更快（可达800MHZ ），耗电量更低，散热性能更优良。 DDR3内存第三代DDR内存

DDR3相比起DDR2有更低的工作电压，从DDR2的1.8V降落到1.5V，性能更好更为省电；DDR2的4bit预读升级为8bit预读。DDR3目前最高能够1600Mhz的速度，由于目前最为快速的DDR2内存速度已经提升到800Mhz/1066Mhz的速度，因而首批DDR3内存模组将会从1333Mhz的起跳。三种类型DDR内存之间，从内存控制器到内存插槽都互不兼容。即使是一些在同时支持两种类型内存的Combo主板上，两种规格的内存也不能同时工作，只能使用其中一种内存。内存SPD芯片内存SPD芯片 SPD(Serial Presence Detect): SPD是一颗8针的EEPROM（Electrically Erasable Programmable ROM 电可擦写可编程只读存储器）, 容量为256字节，里面主要保存了该内存的相关资料，如容量、芯片厂商、内存模组厂商、工作速度等。SPD的内容一般由内存模组制造商写入。支持SPD的主板在启动时自动检测SPD中的资料，并以此设定内存的工作参数。启动计算机后，主板BIOS就会读取SPD中的信息，主板北桥芯片组就会根据这些参数信息来自动配置相应的内存工作时序与控制寄存器，从而可以充分发挥内存条的性能。上述情况实现的前提条件是在BIOS设置界面中，将内存设置选项设为“By SPD”。当主板从内存条中不能检测到SPD信息时，它就只能提供一个较为保守的配置。从某种意义上来说，SPD芯片是识别内存品牌的一个重要标志。如果SPD内的参数值设置得不合理，不但不能起到优化内存的作用，反而还会引起系统工作不稳定，甚至死机。因此，很多普通内存或兼容内存厂商为了避免兼容性问题，一般都将SPD中的内存工作参数设置得较为保守，从而限制了内存性能的充分发挥。更有甚者，一些不法厂商通过专门的读

单反相机基本参数调试详解

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单反相机基本参数调试详解单反相机作为一种比较复杂的摄影工具,让一些新手望而却步。其实只要了解了相机的一些简单的参数,想要上手还是比较容易的，今天小编就整理了网上的一些关于单反相机基本参数调试的内容，分享给大家。?一、镜头的焦距?焦距在物理中是指透镜中心到平行光聚集点的距离;而在摄影中,是指当对焦在无穷远时，镜头中心到感光器成像平面的距离。因此，只要知道镜头的焦距是怎样影响拍摄效果的就可以了。图下就是不同焦距拍摄的示意图。? ? ?

二、等效焦距?我们把镜头上标注的焦距定义为绝对焦距。绝对焦距是不会随着相机的改变而改变的,它反映了镜头本身的物理特性。而等效焦距这个概念的出现是因为不同相机有着不同大小的感光器。简单来讲，相同的镜头装在不同大小感光器的相机上，照片拍出来的范围会有区别。怎么来量化不同大小感光器带来的这种差异呢??尼康(NIKON)和佳能（CANOＮ）全幅相机的感光器大小一般在3６mm*２4ｍm左右，如尼康（NＩKＯＮ)D3ｘ,尼康(NIKＯＮ)D７00，佳能(CANON）1ＤｓMarｋIII，佳能(CAＮON）5DＭａrk II。尼康(NIKON）和佳能(CA ＮON）的非全幅(APS-C画幅）相机的感光器大小大约分别在24mｍ*１6mm和２2mm*15ｍm。我们将全幅相机（感光器大小为3６ｍｍ*２4mm的相机）作为摄影衡量标准。也就是说：所有能装在全幅相机上的镜头,等效焦距等于绝对焦距;而镜头在所有其他大小感光器相机上,等效焦距等于绝对焦距乘以一个固定的系数。?举个例子，镜头装在尼康（NIKON）的非全幅(APＳ-C画幅)相机上,如D3０0s，D90，等效焦距约等于绝对焦距乘以1.5倍；镜头装在佳能（CANOＮ)的非全幅(APS-Ｃ画幅）相机上,如７D,６0D，等效焦距约等于绝对焦距乘以1.6倍。意思就是这些镜头装在非全幅（AＰＳ-C画幅) 的相机上,拍摄出来的画面范围等效为一个更长的镜头在全幅相机上拍摄出来的范围。图下的几张例图可以很容易的帮助理解。从图中我们可以看出一个2０0mm的镜头在APS-C画幅机器尼康(NIＫOＮ）D９0上拍摄到的范围与一个３00ｍm镜头在全画幅机器尼康（NIKOＮ)D7００上一致。 ?三、对焦?对焦又叫聚焦,

详解内存工作原理及发展历程

详解内存工作原理及发展历程 RAM（Random Access Memory）随机存取存储器对于系统性能的影响是每个PC 用户都非常清楚的，所以很多朋友趁着现在的内存价格很低纷纷扩容了内存，希望借此来得到更高的性能。不过现在市场是多种内存类型并存的，SDRAM、DDR SDRAM、RDRAM等等，如果你使用的还是非常古老的系统，可能还需要EDO DRAM、FP DRAM（块页）等现在不是很常见的内存。虽然RAM的类型非常的多，但是这些内存在实现的机理方面还是具有很多相同的地方，所以本文的将会分为几个部分进行介绍，第一部分主要介绍SRAM 和异步DRAM（asynchronous DRAM），在以后的章节中会对于实现机理更加复杂的FP、EDO和SDRAM进行介绍，当然还会包括RDRAM和SGRAM等等。对于其中同你的观点相悖的地方，欢迎大家一起进行技术方面的探讨。存储原理：为了便于不同层次的读者都能基本的理解本文，所以我先来介绍一下很多用户都知道的东西。RAM主要的作用就是存储代码和数据供CPU在需要的时候调用。但是这些数据并不是像用袋子盛米那么简单，更像是图书馆中用有格子的书架存放书籍一样，不但要放进去还要能够在需要的时候准确的调用出来，虽然都是书但是每本书是不同的。对于RAM等存储器来说也是一样的，虽然存储的都是代表0和1的代码，但是不同的组合就是不同的数据。让我们重新回到书和书架上来，如果有一个书架上有10行和10列格子（每行和每列都有0-9的编号），有100本书要存放在里面，那么我们使用一个行的编号＋一个列的编号就能确定某一本书的位置。如果已知这本书的编号87，

内存知识全集---讲义教材

内存知识大全 DDR2 DDR2的定义： DDR2（Double Data Rate 2） SDRAM是由JEDEC（电子设备工程联合委员会）进行开发的新生代内存技术标准，它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是，虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力（即：4bit 数据读预取）。换句话说，DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据，并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。此外，由于DDR2标准规定所有DDR2内存均采用FBGA封装形式，而不同于目前广泛应用的TSOP/TSOP-II封装形式，FBGA封装可以提供了更为良好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了坚实的基础。回想起DDR的发展历程，从第一代应用到个人电脑的DDR200经过DDR266、DDR333到今天的双通道DDR400技术，第一代DDR的发展也走到了技术的极限，已经很难通过常规办法提高内存的工作速度；随着Intel最新处理器技术的发展，前端总线对内存带宽的要求是越来越高，拥有更高更稳定运行频率的DDR2内存将是大势所趋。 DDR2与DDR的区别：在了解DDR2内存诸多新技术前，先让我们看一组DDR和DDR2技术对比的数据。 1、延迟问题：从上表可以看出，在同等核心频率下，DDR2的实际工作频率是DDR的两倍。这得益于DDR2内存拥有两倍于标准DDR内存的4BIT预读取能力。换句话说，虽然DDR2和DDR 一样，都采用了在时钟的上升延和下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2拥有两倍于DDR的预读取系统命令数据的能力。也就是说，在同样100MHz的工作频率下，DDR 的实际频率为200MHz，而DDR2则可以达到400MHz。这样也就出现了另一个问题：在同等工作频率的DDR和DDR2内存中，后者的内存延时要慢于前者。举例来说，DDR200和DDR2-400具有相同的延迟，而后者具有高一倍的带宽。实际上，DDR2-400和DDR400具有相同的带宽，它们都是3.2GB/s，但是DDR400的核心工作频率是200MHz，而DDR2-400的核心工作频率是100MHz，也就是说DDR2-400的延迟要高于DDR400。 2、封装和发热量： DDR2内存技术最大的突破点其实不在于用户们所认为的两倍于DDR的传输能力，而是在采用更低发热量、更低功耗的情况下，DDR2可以获得更快的频率提升，突破标准DDR 的400MHZ限制。 DDR内存通常采用TSOP芯片封装形式，这种封装形式可以很好的工作在200MHz上，当频率更高时，它过长的管脚就会产生很高的阻抗和寄生电容，这会影响它的稳定性和频率提升的难度。这也就是DDR的核心频率很难突破275MHZ的原因。而DDR2内存均采用FBGA封装形式。不同于目前广泛应用的TSOP封装形式，FBGA封装提供了更好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了良好的保障。 DDR2内存采用1.8V电压，相对于DDR标准的2.5V，降低了不少，从而提供了明显的更小的功耗与更小的发热量，这一点的变化是意义重大的。 DDR2采用的新技术：除了以上所说的区别外，DDR2还引入了三项新的技术，它们是OCD、ODT和Post CAS。 OCD（Off-Chip Driver）：也就是所谓的离线驱动调整，DDR II通过OCD可以提高信号的完整性。DDR