电工学教案半导体二极管和三极管
电子技术教案——半导体二极管
课题1.1 半导体二极管课型新课授课班级授课时数 2 教学目标1．熟识二极管的外形和符号。
2．掌握二极管的单向导电性。
3．理解二极管的伏安特性、理解二极管的主要参数。
教学重点二极管的单向导电性。
教学难点二极管的反向特性。
学情分析教学效果教后记新课A．引入自然界中的物质，按导电能力的不同，可分为导体和绝缘体。
人们又发现还有一类物质，它们的导电能力介于导体和绝缘体之间，那就是半导体。
B．新授课1.1半导体二极管1.1.1什么是半导体1．半导体：导电能力随着掺入杂质、输入电压（电流）、温度和光照条件的不同而发生很大变化，人们把这一类物质称为半导体。
2．载流子：半导体中存在的两种携带电荷参与导电的“粒子”。
（1）自由电子：带负电荷。
（2）空穴：带正电荷。
特性：在外电场的作用下，两种载流子都可以做定向移动，形成电流。
3．N型半导体：主要靠电子导电的半导体。
即：电子是多数载流子，空穴是少数载流子。
4．P型半导体：主要靠空穴导电的半导体。
即：空穴是多数载流子，电子是少数载流子。
1.1.2PN结1．PN结：经过特殊的工艺加工，将P型半导体和N型半导体紧密地结合在一起，则在两种半导体的交界面就会出现一个特殊的接触面，称为PN结。
2．实验演示（1）实验电路（2）现象所加电压的方向不同，电流表指针偏转幅度不同。
（3）结论PN结加正向电压时导通，加反向电压时截止，这种特性称为PN结的单向导电性。
3．反向击穿：PN结两端外加的反向电压增加到一定值时，反向电流急剧增大，称为PN结的反向击穿。
4．热击穿：若反向电流增大并超过允许值，会使PN结烧坏，称为热击穿。
5．结电容（讲解）（引入实验电路，观察现象）PN结存在着电容，该电容称为PN结的结电容。
1.1.3半导体二极管利用PN结的单向导电性，可以用来制造一种半导体器件——半导体二极管。
1．半导体二极管的结构和符号（1）结构：由于管芯结构不同，二极管又分为点接触型（如图a）、面接触型（如图b）和平面型（如图c）。
电工学 第9章二极管和三极管概要
晶体管的结构示意图和表示符号
(a)NPN型晶体管； (b)PNP型晶体管
9. 4. 2 电流分配和放大原理
1. 三极管放大的外部条件 发射结正偏、集电结反偏
从电位的角度看： NPN 发射结正偏 VB>VE 集电结反偏 VC>VB C E C
B
RB EB C N P N E EC RC
发射结正偏 集电结反偏
二极管电路分析举例
导通 截止 若二极管是理想的，正向导通时正向管压降为零， 反向截止时二极管相当于断开。
定性分析：判断二极管的工作状态
否则，正向管压降
硅0.6~0.7V 锗0.2~0.3V
分析方法：将二极管断开，分析二极管两端电位 的高低或所加电压UD的正负。 若 V阳 >V阴或 UD为正( 正向偏置 )，二极管导通 若 V阳 <V阴或 UD为负( 反向偏置 )，二极管截止
二极管的单向导电性
1. 二极管加正向电压（正向偏置，阳极接正、阴 极接负 ）时， 二极管处于正向导通状态，二极管正 向电阻较小，正向电流较大。 2. 二极管加反向电压（反向偏置，阳极接负、阴 极接正 ）时， 二极管处于反向截止状态，二极管反 向电阻较大，反向电流很小。 3. 外加电压大于反向击穿电压二极管被击穿，失 去单向导电性。 4. 二极管的反向电流受温度的影响，温度愈高反 向电流愈大。
例2:
D2 D1
求：UAB
两个二极管的阴极接在一起 A + 取 B 点作参考点，断开二极 UAB 管，分析二极管阳极和阴极 – B 的电位。
6V
3k 12V
V1阳 =－6 V，V2阳=0 V，V1阴 = V2阴= －12 V UD1 = 6V，UD2 =12V ∵ UD2 >UD1 ∴ D2 优先导通， D1截止。 若忽略管压降，二极管可看作短路，UAB = 0 V 流过 D2 的电流为 12 在这里， D 起 2 I D2 4mA 钳位作用， D1起 3 D1承受反向电压为－6 V 隔离作用。
半导体二极管和三极管-PPT精品文档
自由电子
本征半导体的导电机理 当半导体两端加上外电压时，在半导体中将出 现两部分电流 (1)自由电子作定向运动 电子电流 (2)价电子递补空穴 空穴电流 自由电子和空穴都称为载流子。 自由电子和空穴成对地产生的同时，又不断复 合。在一定温度下，载流子的产生和复合达到动态 平衡，半导体中载流子便维持一定的数目。 注意： (1) 本征半导体中载流子数目极少, 其导电性能很差； (2) 温度愈高， 载流子的数目愈多,半导体的导电性 能也就愈好。所以，温度对半导体器件性能影响很大。
+ + + + + + + + + + + +
+ + + + + +
－ － － － － －
+ + + + + +
扩散和漂移 这一对相反的 运动最终达到 动态平衡，空 间电荷区的厚 度固定不变。
浓度差 形成空间电荷区
多子的扩散运动 扩散的结果使 空间电荷区变宽。
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14.2.2 PN结的单向导电性
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2. PN 结加反向电压（反向偏置） P接负、N接正
－ － － － － － － － － － － － － － － － － － + + + + + + + + + + + + + + + + + +
动画
P
内电场 外电场
电工学教案-半导体二极管以及三极管
9
12
15.5.3 特性曲线
晶体管的输出特性曲线分为三个工作区：
（1）放大区（线性区）
（1）放大区
IC/mA
100
4
（输2出）特截性止曲区线的近似水平部分。
80
（3）饱和区_ 3
IC β IB
60
2
40
放大区
发射结处于正1向偏置；集电结处于反向偏2置0µA
IB=0 UCE/V
0
3
6
9
12
15.5.3 特性曲线
第15章 半导体二极管和三极管
哈尔滨工业大学
电工学教研室
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目录
15.1 半导体的导电特性 15.2 PN结 15.3 半导体二极管 15.4 稳压管 15.5 半导体三极管
15.1 半导体的导电特性
半导体：导电能力介乎于导体和绝缘体之 间的 物质。
半导体特性：热敏特性、光敏特性、掺杂特性
本征半导体就是完全纯净的半导体。
（2）截止区
IC/mA
100
4
IB=0曲线以下的区域为截止区
80
IB=0 时，IC=ICEO3〈0.001mA
60
2 对NPN型硅管而言，当UBE〈0.5V时，即已开40 始截止，为了截止可靠，常使UBE小于等于零。 截止区
1
20µA
IB=0
UCE/V
0
3
6
9
12
15.5.3 特性曲线
（3）饱和区 IC/mA
1 外加正向电压使PN结导通
变窄
P
N
I
内电场 方向
R
外电场方向
+–
PN结呈现低阻导通状态，通过PN结的电流 基本是多子的扩散电流——正向电流
电工学教案半导体二极管和三极管
电工学教案半导体二极管和三极管一、教学目标1.了解半导体二极管和三极管的基本结构和工作原理；2.掌握常见半导体二极管和三极管的特性参数；3.能够分析和解决与半导体二极管和三极管相关的电路问题；4.培养学生的动手实践和创新能力。
二、教学内容1.半导体二极管的基本结构和工作原理；2.常见半导体二极管的特性参数和应用；3.三极管的基本结构和工作原理；4.常见三极管的特性参数和应用。
三、教学过程1.导入引入通过介绍电子元器件中的两种重要器件，半导体二极管和三极管，引发学生对相关知识的探究和学习兴趣。
2.课堂讲解2.1半导体二极管2.1.1基本结构和工作原理详细介绍半导体二极管的基本结构，包括P-N结和其注入。
详细介绍半导体二极管的工作原理，包括正向偏置和反向偏置。
2.1.2特性参数和应用介绍半导体二极管的特性参数，包括导通压降、最大反向电压和最大正向电流等。
介绍半导体二极管的应用，包括整流、波形修整等。
2.2三极管2.2.1基本结构和工作原理详细介绍三极管的基本结构，包括三个区域的P-N结和掺杂工艺。
详细介绍三极管的工作原理，包括共发射极、共集电极和共基极的基本工作模式。
2.2.2特性参数和应用介绍三极管的特性参数，包括放大系数、最大耗散功率和最大反向电压等。
介绍三极管的应用，包括放大、开关等。
3.实验演示通过实验演示，让学生亲自搭建电路，观察和验证半导体二极管和三极管的工作原理和特性。
4.小结反思对课堂内容进行总结和归纳，强化学生对半导体二极管和三极管的理解。
四、教学方法1.讲授结合实践通过讲解和实验结合，加深学生对半导体二极管和三极管相关知识的理解和应用能力。
2.探究式学习鼓励学生积极参与课堂互动，提出问题、讨论问题，培养学生的创新思维和解决问题的能力。
五、教学评估1.课堂小测验设置课堂小测验以检测学生对知识的掌握程度。
2.实验报告要求学生根据实验结果和分析写实验报告，评估学生对半导体二极管和三极管的实际操作和分析能力。
电工电子技术半导体二极管和三极管
第二节 半导体二极管
把PN结用管壳封装，然后在P区和N区分别向外引出一 个电极，即可构成一个二极管。二极管是电子技术中最基 本的半导体器件之一。根据其用途分有检波管、开关管、 稳压管和整流管等。
电工电子技术半导体二极管和三极管
第七章 半导体二极管和三极管
第一节 半导体的导电特性 第二节 半导体二极管 第三节 半导体三极管
本章要求
一、理解PN结的单向导电性，三极管的电流分配和 电流放大作用；
二、了解二极管、稳压管和三极管的基本构造、工 作原理和特性曲线，理解主要参数的意义；
三、会分析含有二极管的电路。
1. PN结的形成
少子的漂移运动
内电场越强，漂移运
动越强，而漂移使空间 电荷区变薄。
P 型半导体
内电场 N 型半导体
－－－－－－ －－－－－－ －－－－－－ －－－－－－
浓度差 形成空间电荷区
+ ++ + + +
+ ++ + + +
+ ++ + + +
+
+ ++++
多子的扩散运动
扩散和漂移 这一对相反的 运动最终达到 动态平衡，空 间电荷区的厚 度固定不变。
对于半导体器件，重点放在特性、参数、技术指标和正 确使用方法，不要过分追究其内部机理。讨论半导体器件的 原理目的在于应用。
学会用工程观点分析问题，就是根据实际情况，对半导 体器件的数学模型和电路的工作条件进行合理的近似，以便 用简便的分析方法获得具有实际意义的结果。
对电路进行分析计算时，只要能满足技术指标，就不要 过分追究精确的数值。
电工学(II)电子教案
教案系部：自动化课程：电子技术班级：机械自造及自动化教师：xxx应用职业技术学院教案教学内容、方法及过程结的导电性：）正向加压：外加的正向电压有一部分降落在PN结区，方向与电场方向相反，削弱了内电场。
于是,内电场对多子扩散运动的阻碍减弱，扩二、二极管伏安特性：、正向特性：当二极管外加正向电压很小时，正向电流很微弱。
只有当正向电压超过某值后，正向电流明显增大，这一电教案二、三极管电流分配与电流放大原理：、三极管电流放大电路：调节电阻RB的阻值，观察IB、IC和IE之间的关系如下：教学内容、方法及过程四、三极管的工作状态：、作为放大元件：工作在放大区域，此时发射结正偏，集电结反偏。
）开关断开——截止区，集电结与发射结均反向偏置）开关闭合——饱和区，集电结与发射结均正向偏置五、温度对三极管的影响：、温度对输入特性的影响温度升高，少子数目增加，ＰＮ变薄，发射结势垒电压下降，在维持的情况下，需要输入电压UBE下降。
输入特性曲线随温度升高向左移。
温度升高，少子数目增加，多子数目基本不高，由于复合作用，基区多子浓提高。
的影响教案三、MOS管的工作原理的空穴向下方排斥，出现了一薄层负离子的耗尽层。
耗尽层中的少子将向表层运动，但数量有限，不足以形成沟道，将漏极和源极沟通，所以不可能以形成漏极、输出特性结加正向电压导通时，发光；教案(b)教学内容、方法及过程—1%电源VCC 、电阻Rb 和发射结构成基极回路，VCC 和Rb 是线性电路部分，而发的关系是线性关系，即满足CE CC c Cu V R i =-2) 输出回路的动态图解分析，Rb=280KΩ，β=50，VT为NPN硅管，使用图解法求静态工作此时，基极和发射极之间壳等效为一个电阻：be EQ 26(mV)200(1)(mA)r I β≈Ω++、放大电路的小信号模型绘制：）将三极管从交流通路中去掉；）用小信号模型替换三极管）标注等效电路中的相应物理量b 0βi ⋅=t o CR R i =≈v、放大电路微变等效电路只适用与小信号模型、放大电路的动态指标包括电压放大倍数，输入电阻和输出电阻。
电路课件第4章 半导体二极管、三极管和场效应管
在 室 温 下 就可以激发 成自由电子
+4
+4
+4
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4.1 PN结
2）多子与少子
长 沙 理 工 大 学 计 算 机 通 信 工 程 学 院 制 作
电子空穴对
自由电子
多数载流子——自由电子， 主要由掺杂产生。
N型半导体 + + + + + + + + + + +
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4.1 PN结
长 沙 理 工 大 学 计 算 机 通 信 工 程 学 院 制 作
在本征半导体中掺入某些微量杂质元素后的半导体。 1、N型半导体 1） 构成
在本征半导体中掺入五价杂质元素，例如磷，砷等，称为N 型半导体。
+4 +4 +4
+4
+4
+4
掺入五价 原子占据Si 原子位置
空穴
+4
硼原子
+3
+4
－ －
+4
+4
+4
－
多数载流子—— 空穴 少数载流子——自由电子
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4.1 PN结
杂质半导体的示意图
多子—空穴
长 沙 理 工 大 学 计 算 机 通 信 工 程 学 院 制 作
多子—电子
P型半导体 － － － 少子—电子
N型半导体
－ － －
i IS (e
u 为PN结两端的电压降 IS 为反向饱和电流
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第15章半导体二极管和三极管哈尔滨工业大学电工学教研室返回目录15.1半导体的导电特性15.2 PN结15.3 半导体二极管15.4 稳压管15.5 半导体三极管15.1 半导体的导电特性半导体：导电能力介乎于导体和绝缘体之间的物质。
半导体特性：热敏特性、光敏特性、掺杂特性本征半导体就是完全纯净的半导体。
应用最多的本征半导体为锗和硅，它们各有四个价电子，都是四价元素.硅的原子结构纯净的半导体其所有的原子基本上整齐排列，形成晶体结构，所以半导体也称为晶体——晶体管名称的由来本征半导体晶体结构中的共价健结构15.1.1本征半导体Si SiSiSi共价键价电子自由电子与空穴15.1.1 本征半导体共价键中的电子在获得一定能量后，即可挣脱原子核的束缚，成为自由电子同时在共价键中留下一个空穴。
空穴Si SiSi Si自由电子热激发与复合现象由于受热或光照产生自由电子和空穴的现象-----热激发15.1.1 本征半导体自由电子在运动中遇到空穴后，两者同时消失，称为复合现象温度一定时，本征半导体中的自由电子—空穴对的数目基本不变。
温度愈高，自由电子—空穴对数目越多。
Si SiSi Si自由电子空穴半导体导电方式在半导体中，同时存在着电子导电和空穴导电，这是半导体导电方式的最大特点，也是半导体和金属在导电原理上的本质差别。
载流子自由电子和空穴因为，温度愈高，载流子数目愈多，导电性能也就愈好，所以，温度对半导体器件性能的影响很大。
15.1.1 本征半导体SiSiSi Si价电子空穴当半导体两端加上外电压时，自由电子作定向运动形成电子电流；而空穴的运动相当于正电荷的运动15.1.2 N 型半导体和P 型半导体N 型半导体在硅或锗的晶体中掺入微量的磷（或其它五价元素）。
自由电子是多数载流子，空穴是少数载流子。
电子型半导体或N 型半导体Si SiP+Si多余电子15.1.2 N型半导体和P型半导体P型半导体在硅或锗晶体中掺入硼（或其它三价元素）。
空穴是多数载流子，自由电子是少数载流子。
空穴型半导体或P型半导体。
Si SiB-Si空穴15.1.2 N型半导体和P型半导体不论N型半导体还是P型半导体，虽然它们都有一种载流子占多数，但是整个晶体仍然是不带电的。
返回15.2 PN 结15.2.1 PN 结的形成自由电子PN空穴PN 结是由扩散运动形成的15.2.1PN 结的形成自由电子PN空间电荷区内电场方向空穴15.2.1 PN 结的形成扩散运动和漂移运动的动态平衡扩散强漂移运动增强内电场增强两者平衡PN结宽度基本稳定外加电压平衡破坏扩散强漂移强PN 结导通PN 结截止15.2.2 PN 结的单向导电性1 外加正向电压使PN 结导通PN 结呈现低阻导通状态，通过PN 结的电流基本是多子的扩散电流——正向电流–+变窄PN内电场方向外电场方向RI15.2.2 PN 结的单向导电性2 外加反向电压使PN 结截止PN 结呈现高阻状态，通过PN 结的电流是少子的漂移电流----反向电流特点: 受温度影响大原因: 反向电流是靠热激发产生的少子形成的+-变宽PN内电场方向外电场方向RI=015.2.2 PN结的单向导电性结论PN结具有单向导电性（1）PN结加正向电压时，处在导通状态，结电阻很低，正向电流较大。
（2）PN结加反向电压时，处在截止状态，结电阻很高，反向电流很小。
返回15.3 半导体二极管15.3.2 伏安特性15.3.3 伏安特性的折线化15.3.4 二极管的主要参数15.3.1 基本结构PN 结阴极引线铝合金小球金锑合金底座N 型硅阳极引线面接触型引线外壳触丝N 型锗片点接触型表示符号15.3.2 伏安特性正向O 0.4 0.8 U/VI/mA80604020-50 -25I/µA-20-40反向死区电压击穿电压半导体二极管的伏安特性是非线性的。
正向O 0.4 0.8 U/VI/mA 80604020-50 -25I/µA-20-40反向死区电压击穿电压死区电压：硅管：0.5伏左右，锗管：0.1伏左右。
正向压降：硅管：0.7伏左右，锗管：0.2~ 0.3伏。
15.3.2 伏安特性1 正向特性反向电流：反向饱和电流：反向击穿电压U （BR ）15.3.2 伏安特性正向O 0.4 0.8 U/VI/mA 80604020-50 -25I/µA-20-40反向死区电压击穿电压2 反向特性15.3.4 伏安特性的折线化U 0U 0U S15.3.4 主要参数1 最大整流电流I OM：二极管长时间使用时，允许流过的最大正向平均电流。
2 反向工作峰值电压U RWM:保证二极管不被击穿而给出的反向峰值电压。
3 反向峰值电流I RM:二极管上加反向工作峰值电压时的反向电流值。
15.3.5 应用举例主要利用二极管的单向导电性。
可用于整流、检波、限幅、元件保护以及在数字电路中作为开关元件。
例: 图中电路，输入端A 的电位V A =+3V ，B 的电位V B =0V ，求输出端Y 的电位V Y 。
电阻R 接负电源-12V 。
V Y =+2.7V 解：D A 优先导通，D A 导通后，D B 上加的是反向电压，因而截止。
D A 起钳位作用，D B 起隔离作用。
-12VA B+3V 0VD BD A Y返回15.4 稳压管一种特殊的面接触型半导体硅二极管。
它在电路中与适当数值的电阻配合后能起稳定电压的作用。
1 稳压管表示符号：正向+-反向+-I ZΔΔU Z 2 稳压管的伏安特性：3 稳压管稳压原理：稳压管工作于反向击穿区。
稳压管击穿时，电流虽然在很大范围内变化，但稳压管两端的电压变化很小。
利用这一特性，稳压管在电路中能起稳压作用。
稳压管的反向特性曲线比较陡。
反向击穿是可逆的。
U/VI/mA0I Z I ZMU Z15.4 稳压管4 主要参数（2）电压温度系数Uα（1）稳定电压U Z稳压管在正常工作下管子两端的电压。
说明稳压管受温度变化影响的系数15.4 稳压管（3）动态电阻（4）稳定电流（5）最大允许耗散功率r Z稳压管端电压的变化量与相应的电流变化量的比值I ZP ZM管子不致发生热击穿的最大功率损耗。
P ZM =U Z I ZM15.4 稳压管例题+_UU0U ZR稳压管的稳压作用当U<U Z时,电路不通；当U>U Z大于时,稳压管击穿RUUI ZZ-=此时选R，使I Z<I ZM返回15.5 半导体三极管15.5.1 基本结构15.5.1 基本结构15.5.2 电流分配和放大原理15.5.3 特性曲线15.5.4 主要参数结构平面型合金型NPN PNP15.5.1 基本结构发射结集电结BN NP 发射区基区集电区E C N NP BECCEB发射结集电结BP PN 发射区基区集电区E C P PN BECCEB15.5.1 基本结构15.5.2 电流分配和放大原理µA mAmA I BI C I ER BE C++__E BBCE 3DG6共发射极接法15.5.2 电流分配和放大原理晶体管电流测量数据I B /mA 0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.10I C /mA <0.001 0.70 1.50 2.30 3.10 3.95I E /mA <0.001 0.72 1.54 2.36 3.18 4.05由此实验及测量结果可得出如下结论：（1）I E =I C +I B 符合基尔霍夫电流定律。
（2）I E 和I C 比I B 大的多。
（3）当I B =0（将基极开路）时，I E =I CEO ，I CEO <0.001mA用载流子在晶体管内部的运动规律来解释上述结论。
15.5.2 电流分配和放大原理外部条件：发射结加正向电压；集电结加反向电压。
U BE >0,U BC <0,U BC =U BE -U CE ,U BE <U CER BE C++__E B EBCNNP15.5.2 电流分配和放大原理发射结正偏扩散强E区多子（自由电子）到B区B区多子（空穴）到E区穿过发射结的电流主要是电子流形成发射极电流I EI E是由扩散运动形成的1 发射区向基区扩散电子，形成发射极电流I E。
15.5.2 电流分配和放大原理2 电子在基区中的扩散与复合，形成基极电流I BE 区电子到基区B 后，有两种运动扩散I EC复合I EB同时基区中的电子被E B 拉走形成I B I EB =I B 时达到动态平衡形成稳定的基极电流I B I B 是由复合运动形成的R BE C ++__E BEBC15.5.2 电流分配和放大原理3 集电极收集电子，形成集电极电流I C集电结反偏阻碍C区中的多子（自由电子）扩散，同时收集E区扩散过来的电子有助于少子的漂移运动，有反向饱和电流I CBO形成集电极电流I CR BE C++_ _E BEBCR BE C ++__E B EBC I CI BI EI CBOI BEI EC15.5.2 电流分配和放大原理15.5.3 特性曲线用来表示该晶体管各极电压和电流之间相互关系、反映晶体管的性能，是分析放大电路的重要依据。
以共发射极接法时的输入特性和输出特性曲线为例。
µAmAVI BI C R BE C++__E B B C E3DG6V +_+_U BEU CE15.5.3 特性曲线1输入特性曲线：CU BE B CE |)U (I ==f 死区电压：硅管：0.5伏左右，锗管0.1伏左右。
正常工作时，发射结的压降：NPN 型硅管U BE =0.6~0.7V;PNP 型锗管U BE =-0.2~-0.3V 。
0 0.4 0.8 U BE /VI B /µA 80604020U CE >115.5.3 特性曲线2 输出特性曲线CI CE C B |)U (I ==f 晶体管的输出特性曲线是一组曲线。
U CE /V13436912I C /mA10080604020µA I B =002晶体管的输出特性曲线分为三个工作区：（1）放大区（2）截止区（3）饱和区（1）放大区（线性区）132436912I C /mA 10080604020µAI B =0放大区U CE /V 输出特性曲线的近似水平部分。
B_C I βI 发射结处于正向偏置；集电结处于反向偏置（2）截止区I B =0曲线以下的区域为截止区I B =0 时，I C =I CEO 〈0.001mA对NPN 型硅管而言，当U BE 〈0.5V 时，即已开始截止，为了截止可靠，常使U BE 小于等于零。
132436912I C /mA 10080604020µAI B =0截止区U CE /V（3）饱和区当U CE 〈U BE 时，集电结处于正向偏置，晶体管工作处于饱和状态在饱和区，I B 的变化对I C 的影响较小，两者不成比例13436912I C /mA10080604020µAI B =02饱和区U CE /V 15.5.3 特性曲线15.5.4 主要参数1 电流放大系数β,β__β：静态电流（直流）放大系数B C_I I β=β：动态电流（交流）放大系数BC I I β∆∆=注意：β,β_两者的含义是不同的，但在特性曲线近于平行等距并且I CEO 较小的情况下，两者数值较为接近。