半导体词语含义介绍(二)
半导体名词解释
1. 何谓PIE PIE的主要工作是什幺答：Process Integration Engineer(工艺整合工程师), 主要工作是整合各部门的资源, 对工艺持续进行改善, 确保产品的良率（yield）稳定良好。
2. 200mm，300mm Wafer 代表何意义答：8吋硅片(wafer)直径为200mm , 直径为300mm硅片即12吋.3. 目前中芯国际现有的三个工厂采用多少mm的硅片(wafer)工艺未来北京的Fab4(四厂)采用多少mm的wafer工艺答：当前1~3厂为200mm(8英寸)的wafer, 工艺水平已达工艺。
未来北京厂工艺wafer将使用300mm(12英寸)。
4. 我们为何需要300mm答：wafer size 变大，单一wafer 上的芯片数(chip)变多，单位成本降低200→300 面积增加倍,芯片数目约增加倍5. 所谓的um 的工艺能力(technology)代表的是什幺意义答：是指工厂的工艺能力可以达到um的栅极线宽。
当栅极的线宽做的越小时，整个器件就可以变的越小，工作速度也越快。
6. 从>>>> 的technology改变又代表的是什幺意义答：栅极线的宽（该尺寸的大小代表半导体工艺水平的高低）做的越小时，工艺的难度便相对提高。
从-> -> -> -> 代表着每一个阶段工艺能力的提升。
7. 一般的硅片(wafer)基材(substrate)可区分为N,P两种类型（type）,何谓N, P-type wafer答：N-type wafer 是指掺杂negative元素(5价电荷元素，例如：P、As)的硅片, P-type 的wafer 是指掺杂positive 元素(3价电荷元素, 例如：B、In)的硅片。
8. 工厂中硅片（wafer）的制造过程可分哪几个工艺过程(module)答：主要有四个部分：DIFF（扩散）、TF(薄膜)、PHOTO（光刻）、ETCH（刻蚀）。
半导体
半导体（semiconductor），指常温下导电性能介于导体（conductor）与绝缘体（insulator）之间的材料。
半导体在收音机、电视机以及测温上有着广泛的应用。
如二极管就是采用半导体制作的器件。
半导体是指一种导电性可受控制，范围可从绝缘体至导体之间的材料。
无论从科技或是经济发展的角度来看，半导体的重要性都是非常巨大的。
今日大部分的电子产品，如计算机、移动电话或是数字录音机当中的核心单元都和半导体有着极为密切的关连。
常见的半导体材料有硅、锗、砷化镓等，而硅更是各种半导体材料中，在商业应用上最具有影响力的一种。
半导体的发现实际上可以追溯到很久以前。
1833年，英国科学家电子学之父法拉第最先发现硫化银的电阻随着温度的变化情况不同于一般金属，一般情况下，金属的电阻随温度升高而增加，但巴拉迪发现硫化银材料的电阻是随着温度的上升而降低。
这是半导体现象的首次发现。
不久，1839年法国的贝克莱尔发现半导体和电解质接触形成的结，在光照下会产生一个电压，这就是后来人们熟知的光生伏特效应，这是被发现的半导体的第二个特征。
1873年，英国的史密斯发现硒晶体材料在光照下电导增加的光电导效应，这是半导体又一个特有的性质。
半导体的这四个效应，(jianxia霍尔效应的余绩──四个伴生效应的发现)虽在1880年以前就先后被发现了，但半导体这个名词大概到1911年才被考尼白格和维斯首次使用。
而总结出半导体的这四个特性一直到1947年12月才由贝尔实验室完成。
在1874年，德国的布劳恩观察到某些硫化物的电导与所加电场的方向有关，即它的导电有方向性，在它两端加一个正向电压，它是导通的；如果把电压极性反过来，它就不导电，这就是半导体的整流效应，也是半导体所特有的第三种特性。
同年，舒斯特又发现了铜与氧化铜的整流效应。
很多人会疑问，为什么半导体被认可需要这么多年呢？主要原因是当时的材料不纯。
没有好的材料，很多与材料相关的问题就难以说清楚。
半导体行业内相关名词
半导体行业内相关名词
1. 微处理器（Microprocessor）: 是一种集成电路，用于执行计算机的指令和操作。
2. 芯片（Chip）: 是半导体材料上制造的集成电路，可以执行特定的功能。
3. 功率半导体（Power semiconductor）: 用于控制和调节电流和电压的半导体器件，常用于电力电子系统和功率放大器等应用。
4. 二极管（Diode）: 是一个具有两个电极的电子器件，主要用于限制电流的方向。
5. 晶体管（Transistor）: 是一种用于放大和开关电路的半导体器件，常用于电子设备中。
6. MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）: 是一种常用的功率半导体器件，被广泛应用于电子电路中。
7. LED（Light-emitting diode）: 是一种能将电能转化为光能的半导体器件，常用于照明、显示和指示等应用。
8. MEMS（Microelectromechanical systems）: 是一种微型机械器件，由微芯片上的微电子器件和微机械系统组成。
9. IC（Integrated circuit）: 是一种通过集成电路制造技术将多个电子器件集成在一起制成的器件。
10. Wafer（晶圆）：也称为半导体晶圆，是用来制造集成电路和微电子器件的基础材料之一。
以上只是半导体行业内的一些常见名词，还有许多其他名词和专业术语与该行业相关。
半导体名词解释
ACTIVE AREA主动区(工作区)主动晶体管(ACTIVE FRANSISTOR)被制造的区域即所谓的主动区(active area)在标准之MOS制造过程中ACTIVE AREA是由，一层氮化硅光罩及等接氮化硅蚀刻之后的局部特区氧化(LOCOS OXIDATION)所形成的，而由于利用到局部场氧化之步骤．所以Active AREA 会受到鸟嘴(BIRD’S BEAK)之影响而比原先之氮化硅光罩所定义的区域来得小以长0.6UM 之场区氧化而言大概会有O.5 UM之BIRD'S BEAK存在也就是说ACTIVE AREA比原在之氮化硅光罩定义之区域小O.5UMAcetone丙酮1.丙碗是有机溶剂的一种，分子式为CH30HCH32.性质：无色，具剌激性薄荷臭味之液体3.用途：在FAB内之用途，主要在于黄光室内正光阻之清洗、擦拭4﹒毒性：对神经中枢具中度麻醉性，对皮肤粘膜具轻微毒性，长期接触会引起皮肤炎，吸入过量之丙酮蒸气会刺激鼻、眼结膜、咽喉粘膜、甚至引起头痛、念心、呕吐、目眩、意识不明等。
5﹒允许浓度:1000ppmADI显影后检查After Developing Inspection之缩写目的：检查黄光室制程;光阻覆盖→对准→曝光弓显影。
发现缺点后，如覆盖不良、显影不良‥‥等即予修改(Rework)﹒以维产品良率、品质。
方法：利用目检、显微镜为之。
AEI蚀刻后检查1. AEI 即After Etching Inspection，在蚀刻制程光阻去除、前反光阻去除后，分别对产品实施主检或抽样检查。
2. AEI之目的有四：2-1提高产品良率，避免不良品外流。
2-2达到品质的一致性和制程之重复性。
2-3显示制程能力之指针。
2-4防止异常扩大，节省成本3. 通常AEI检查出来之不良品，非必要时很少做修改。
因为重去氧化层或重长氧化层可能造成组件特性改变可靠性变差、缺点密度增加。
生产成本增高，以及良率降低之缺点。
半导体专业词汇--汇总
Lifting, peeling or flaking of the lead finish is rejectable excluding 0.2mm of the lead length from body. Any lead with dam bar step dimensions exceeding 0.1mm is rejectable. end plug (S) manager of XX department XX Electronics CO.Ltd X-ray yield X-ray X-ray inspection safety curtain safety stock safety glasses ammoniam water Press the emergency button. lot for lot lifted bond lifted wedge cavity plate,cavity block PPM (parts per million) Pareto chart plate mold semiconductor insufficient ball size off loader wrong orentation molding wrong orientation molding molding molding mold chase mold chase molding mismatch packing packing packing box packing defect criteria shipping box carrying cost carrying cost rate safety time holdup time shelf life scrap remark backside metal (Au/Ag) back side back marking chip package chips specific gravity specific gravity hydrometer closed loop MRP closing time bending side rail edge die reject die around slice edge side rail edge die Tape & Reel tape/real peel back force test braid flat cable,ribbon cable flat ball variation discoloration discolor(yellowish,blcken,water mark) discoloration/oxidation/lifting deformed
半导体行业术语
半导体行业术语半导体行业术语是专门用于描述和解释半导体技术和相关概念的专业词汇。
在描述半导体行业的相关术语时，需要确保清晰度和准确性。
以下是一些常见的半导体行业术语及其解释：1.半导体：半导体是一种电子材料，具有介于导体和绝缘体之间的电导特性。
半导体材料通常可以控制电流的流动，是构成电子器件和集成电路的基本元件。
2.集成电路（IC）：集成电路是一种由多个电子元件（如晶体管、电容、电阻等）以及连接器件（如导线、金属线等）组成的电路系统。
集成电路可用于执行各种计算、存储和处理任务。
3.晶体管：晶体管是一种半导体器件，可以放大和控制电流。
晶体管由三层材料组成，其中包括一个控制区域、一个输入区域和一个输出区域。
晶体管被广泛用于电子设备和电路中。
4.功耗：功耗是指半导体器件在正常运行时消耗的电能。
功耗通常以瓦特（W）为单位进行衡量，是半导体行业中一个重要的考虑因素。
5.时钟频率：时钟频率是计量半导体器件工作速度的指标，通常以赫兹（Hz）为单位。
时钟频率越高，半导体器件的数据处理和运行速度越快。
6.互连：互连是指将不同的半导体器件或电子组件连接在一起的过程。
互连通常使用导线、金属线、连接器等来完成。
7.工艺技术：工艺技术是指用于制造半导体器件和集成电路的特定技术过程。
包括一系列的步骤，如沉积、蚀刻、掩膜制备等，用于制造和构建电子器件。
8.掩膜：掩膜是一种用于制造半导体器件的模板。
掩膜通常是由光刻工艺制备的，可以在半导体材料上形成特定的图案和结构，用于制造电子器件的特定组件。
9.封装：封装是将半导体芯片和连接线封装在外壳中的过程。
封装有助于保护芯片和电路，并提供适当的物理连接和支持。
10.微纳加工技术：微纳加工技术是一种用于制造微小尺度结构和器件的技术。
在半导体行业中，微纳加工技术被广泛应用于制造芯片和集成电路，以及其他微小尺度的器件。
以上是一些常见的半导体行业术语及其解释。
了解和熟悉这些术语对于了解半导体技术和行业发展趋势非常重要。
半导体常用名词定义.
#15728. 半导体物理学（semiconductor physics）半导体物理学是固体物理学的重要分支，是固体电子学的基础。
半导体材料物理性质的研究最早可追溯到1833年，当时法拉第发现硫化银的电导率随温度升高而迅速增加。
1873年史密斯发现光照能改变硒的电导率，1874年布朗发现硫化铅与一个探针接触时呈现整流效应。
但对半导体中电子输运过程的深刻理解则归因于量子力学的创立及基于单电子理论的能带模型的建立。
20世纪30年代末，莫特、达维多夫和肖特基发展了金属-半导体接触的整流理论。
在此基础上肖克利、布拉顿和巴丁发明了第一个固体放大器——点接触晶体管，并于1956年获得诺贝尔物理学奖。
这一发明及其后来的结型晶体管的制作是半导体器件发展史上的划时代突破，是固体电子学时代的开始。
20世纪50年代后期基尔比和诺伊斯发明了集成电路，实现了电路的微型化，引发了电子技术的革命。
1958年江崎玲於奈发现了pn结二极管中的电子隧道现象，因此而获得1973年诺贝尔物理学奖。
由两种不同半导体材料直接接触构成的半导体异质结构概念是1960年前后由克罗默和阿尔弗洛夫提出的。
1982年克利青（Klitzing）在超薄的异质结构中发现了基于反型层中二维电子运动的量子霍尔效应并获1985年诺贝尔物理学奖。
其后崔琦和施特默在超高纯半导体材料中又发现分数量子霍尔效应。
劳克林用量子流体的理论进行了解释，并与崔琦、斯特默（Stormer）分享了1998年诺贝尔物理学奖。
半导体异质结构的发展产生了更快的晶体管——高电子迁移率晶体管及性能更优良的激光器——双异质结激光器。
克罗默和阿尔弗洛夫因此获得2000年诺贝尔物理学奖。
1970年江崎玲於奈和朱兆祥首先提出超晶格的概念。
它是一种人造的周期性结构，其中电子的运动在一个方向上受到限制即电子在二维平面内运动，这种结构称为量子阱。
如果电子的运动在两个维度方向上均受到限制时，这种结构称为量子线。
半导体基本知识
半导体基本知识一、半导体有关概念1、半导体半导体是导电能力介于导体与绝缘体之间的一种物体。
它内部运载电荷的粒子有电子载流子(带负电荷的自由电子)和空穴载流子(带正电荷的空穴)。
硅、锗、硒以及大多数金属氧化物和硫化物都是半导体。
2、晶体凡是原子按照一定规律、连续整齐地排列着的物体称为晶体。
半导体一般都具有这种结构，所以半导体也被称为晶体。
3、本征半导体本征半导体是完全纯净的(不含任何其它元素)、具有晶体结构的半导体。
本征半导体内部电子和空穴的数量在任何情况下总是相等的。
如锗单晶、硅单晶就是本征半导体。
4、半导体掺杂掺杂是指在本征半导体中掺进一定类型和数量的其它元素，掺进去的其它元素为杂质。
掺杂的目的是改善半导体的导电能力，亦即掺杂后，使半导体在原有的“电子-空穴对”的基础上，增加大量的电子或空穴。
5、N型半导体如果给本征半导体掺进某种微量的杂质后，使它获得大量电子，则掺有这种杂质的导体就称“电子型半导体”或“N型半导体”。
在N型半导体中，除“电子-空穴对”提供的载流子外。
主要的、大量的是电子载流子。
因此，电子称为多数载流子，而空穴则称少数载流子。
6、P型半导体如果本征半导体掺杂后能获得大量空穴，则这种半导体就称“空穴型半导体”或“P型半导体”。
在P型半导体中，除“电子-空穴对”提供的载流子外，主要的、大量的是空穴载流子，所以空穴称多数载流子，而电子则称少数载流子。
7、PN结将P型半导体和N型半导体用特殊工艺结合在一起时，由于P型半导体中的空穴多，N型半导体中的电子多，在交界面上，多数载流子就要分别向对方扩散，在交界处的两侧形成带电荷的薄层，称为空间电荷区，又称为PN结。
二、PN结的单向导电性1、PN结空间电荷区的一边带正电，另一边带负电,产生了PN结的内电场，其方向为N区的正电荷区指向P区的负电荷区，阻碍了P 区空穴进一步向N区扩散和N区电子向P区继续扩散。
2、如果把PN结的P区接电源正端，N区接电源负端，如上图(a)，外加电场方向与内电场相反，并且外电场很强，这样，在外电场作用下，两侧的多数载流子不断越过PN结，形成正向电流。
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半导体词语含义介绍（二）101) Ion Implanter 离子植入机102) Ion Source 离子源离子植入机中产生所要植入杂质离子的部分，主要由Arc Chamber ,Filament组成，杂质气体或固体通入Arc Chamber，由Filament产生的电子进行解离而产生离子。
103) IPA 异丙醇Isopropyl Alcohol的简称，在半导体制造中，用来作为清洗溶剂，常用来擦拭机台操作面板等，也作为SOG等化学液体的溶剂。
104) Isotropic Etching等向性蚀刻在蚀刻反应中，除了纵向反应发生外﹒横向反应亦同时发生(见左图)，此种蚀刻即称之为等向性蚀刻，一般化学湿蚀刻多发生此种现象。
干式蚀刻，其蚀刻后的横截面具有异向性蚀刻特性 (Anisotropic)，即可得到较陡的图形105) Latch up:闭锁效应CMOS组件里的底材、阱及PMOS的漏极与NMOS的源极，在某些条件下，会形成一个如图（1）所示的寄生的pnpn二极管。
这种pnpn二极管的电流（I）对电压（V）的操作曲线则如图。
其中图中的IH，为使pnpn二极管处于运作（Acting）状态时所需的最低电流称之为“引发电流（triggering current）”。
当I≥IH发生之后，CMOS电路的功能将暂时或永久性的丧失，我们称这个现象为“闭锁（Latch up）”。
即，如果CMOS组件的设计或制作不当，这种寄生于CMOS组件里的“pnpn二极管”，有可能处于运作的状态，而影响到CMOS的正常运作。
所以在使用CMOS的设计时，务必注意使这个pnpn二极管随时处于“闭”的状态，即I<IH，以防止“闭锁现象”的发生。
防止闭锁的方法很多，最简单的方式就是把CMOS的n阱（内有PMOS）与NMOS彼此间的远离而不发生。
不过这将使半导体组件在芯片上的集成度下降，所以并不是很好的方法最普遍防闭锁的方法是“外延硅底材（EPI substrate）”这种防制方法的原理，是在原本高掺杂的底材上，加上一层轻微掺杂的单晶硅层，已做为CMOS制程的的底材。
因此CMOS是直接建筑在低掺杂的EPI层上（不是以往的底材上）的。
而高掺杂底材作为接地的板面（ground plane）。
假如这层EPI够薄（但要比阱深度厚），则图中的直立的pnp双载子寄生电晶体的电流将不易横向流向寄生的npn电晶体，而流向高掺杂的硅底材（掺杂浓度高导电性好）。
因此硅底材接地，寄生pnp和npn的闭锁现象就可以被抑制了。
外延单晶硅层的厚度宜薄，这样发生闭锁的引发电流将越高，闭锁将不容易发生，但考虑到EPI层太薄，底材杂质将会进入EPI层，造成浓度的改变，故需严格控制以避免EPI太薄或太厚所带来的问题。
106) Layout布局Layout：此名词用在IC设计时，是指将设计者根据客户需求所设计的线路，经由CAD(计算机辅助设计)，转换成实际制作IC时，所需要的光罩布局，以便去制作光罩。
因为此一布局工作﹒关系到光罩作出后是和原设计者的要求符合，因此必须根据一定的规则，好比一场游戏一样，必须循一定的规则，才能顺利完成﹒而布局完成后的图形便是IC工厂制作时所看到的光罩图形。
107) Lightly Doped Drain 轻掺杂集极简称LDD，可以防止热电子效应(Hot Electron/Carrier Effect)；方法是采用离子植入法，在原来的MOS的源极和汲极接近通道的地方，再增加一组掺杂程度较原来n型的源极与汲极为低的n型区。
缺点是制程复杂且轻掺杂使S/D串联电阻增大，导致组件操作速度降低。
108) Local Oxidation 区域氧化法Local Oxidation of Silicon 即区域氧化，简称LOCOS,是FieldOxide一种制作方法,即在有SiN层作为幕罩的情况下让芯片进入炉管进行Field Oxide的制作。
109) Load Lock传送室LPCVD 的全名是Low Pressure Chemical Vapor Deposition, 即低压化学气相沉积。
这是一种沉积方法。
在IC制程中，主要在生成氮化硅，复晶二氧化硅及非晶硅等不同材料。
112) Mask 光罩；罩幕在微影的阶段中，必要的线路或MOS电晶体的部分结构，将被印制在一片玻璃片上，这片印有集成电路图形的玻璃片称为光罩（Mask）；在离子植入或LOCOS氧化时，上面会有一层氧化层或SiN层作为幕罩（Mask），以降低离子植入时的通道效应或氧化时的阻挡。
113) MFC（Mass Flow Controller）质流控制器简称MFC,是直接测量气体流量的一种装置，常用在流动气体的控制上。
主要是由一个质流感应器，一个旁流管及一个可调整阀构成。
114) micro, Micrometer, Micron微，微米Micro 为10-6, 1 Micro＝10-61 Micrometer＝10-6 m＝1 Micron＝1μm通常我们说1μ即为10-6 m。
又因为1Å＝10-8 cm＝10-8 m （原子大小）故1μ＝10,000 Å约为一万个原子堆积而成的厚度或长度。
115) Mobile Ion Charge 移动性离子电荷一般出现在热氧化层中，主要来自钠及钾等贱金属杂质，影响到氧化层的电性；这些杂质可以借由在氧化制程中加入适量的HCl来防范。
116) MOS金属半导体构成IC的晶体管结缸可分为两型一双载子型(bipolar)和MOS(Metal-Oxide-Semiconductor)。
双载子型IC的运算速度较快但电力消耗较大，制造工程也复杂，并不是VLSI的主流。
而MOS型是由电场效应晶体管(FET)集积化而成。
先在硅上形成绝缘氧化膜之后，再由它上面的外加电极(金属或复晶硅)加入电场来控制某动作，制程上比较简单，也较不耗电，最早成为实用化的是P-MOS，但其动作速度较慢，不久，更高速的N-MOS也被采用。
一旦进入VLSI的领域之后﹒NMOS的功率消耗还是太大了，于是由P-MOS及N-MOS组合而成速度更高、电力消耗更少的互补式金氧半导体(CMOS，Complementary MOS) 遂成为主流。
117) N2, Nitrogen氮气空气中约4/5是氮气，氮气是一安定的惰性气体，由于取得不难且安定，故Fab内常用以当作Purge管路，除去脏污、保护气氛、传送气体(Carrier Gas)、及稀释(Dilute)用途，另外氮气在零下196℃(77°F)以下即以液态存在，故常被用做真空冷却源。
118) N Well N井在半导体行业里，一般在P-Sub上植入P以形成N-well,以便为后期形成PMOS.119) Nanospec一种用于量测膜厚的测量仪器。
120) P/ N-Type Semiconductor P/N型半导体一般金属由于阻值相当低(10-2Ω-cm以下)，因此称之为良导体，而氧化物等阻值高至105Ω-cm以上，称之非导体或绝缘体。
若阻值在10-2~10-5Ω-cm之间，则名为半导体。
IC工业使用的硅芯片，阻值就是在半导体的范围，但由于Si(硅)是四价键结(共价键)的结构，若掺杂有如砷(As)，磷(P)等五价元素，且占据硅原子的地位(Substitutional Sites)，则多出一个电子，可用来导电，使导电性增加，称之为N型半导体。
若掺杂硼(B)等三价元素，且仍占据硅原子的地位，则键结少了一个电子，因此其它电子在足够的热激发下，可以过来填补，如此连续的电子填补，称之为定电洞传导，亦使硅的导电性增加，称为P型半导体。
因此N型半导体中，其主要常电粒子为带负电的电子，而在P型半导体中，则为常正电的电洞。
在平衡状况下(室温)不管N型或P型半导体，其电子均与电洞浓度的乘积值不变。
故一方浓度增加，另一方即相对减少。
145) Native Oxide 原始氧化层当我们把硅芯片暴露在含氧的环境里时，例如氧气或水，芯片表面的硅原子便会进行如下（一）（二）所示的氧化反应，然后在芯片的表面长出一层二氧化硅层。
因为（二）式所示的氧化反应涉及到水分子，虽然进行反应的水分子不见得是以液态的形式存在，但我们习惯以干式氧化（Dry Oxidation）来称呼（一）式的反应，而以湿式氧化（Wet Oxidation）来表示（二）式。
因为这两个反应在室温下便得以进行，所以硅芯片的表面通常都会由一层厚度约在数个Å到20Å不等的SiO2所覆盖。
这层因为空气里的氧以及水分子所自然形成的SiO2,则称为“原始氧化层（Native Oxidation）”。
Si(s) + O2(g) = SiO2(s) (一)Si(s) + 2H2O(g) = SiO2(s) + 2H2(g)） (二)146) Needle Valve 针阀针状阀装在圆锥形阀座上的有细杆的阀，用于准确地调整液体或气体的流动。
147) Nitric Acid 硝酸一种腐蚀性液态无机酸HNO3,通常由氨的催化氧化或硫酸与硝酸盐反应制得,主要用作氧化剂(如火箭推进剂),并用于硝化作用以及肥料、炸药、染料、硝基烷和各种其它有机化合物的制造中。
硝酸是透明，无色或微黄色，发烟，易吸湿的腐蚀性液体，能腐蚀大部份金属。
其黄色是由于曝光所产生的二氧化氮，为强氧化剂，可与水混合，沸点78℃，比重1.504。
对皮肤有腐蚀性，为强氧化剂，与有机物接触有起火危险。
清洗炉管用。
148) NSG Nondoped Silicate Glass无渗入杂质硅酸盐玻璃NSG为半导体集成电路中的绝缘层材料，通常以化学气相沉积的方式生成，具有良好的均匀覆盖特性以及良好的绝缘性质。
主要应用于闸极与金属或金属与金属间高低不平的表面产生均匀的覆盖及良好的绝缘，并且有助于后续平坦化制程薄膜的生成。
149) Nozzle 喷嘴管嘴，喷嘴管子等对象的尾端的带有开口的突起部分，用于控制和引导水流。
150) OCAPOCAP 是 Out of Control Action Plan 的缩写，中文称为制程异常处理程序它是在处理制程异常时的一套标准步骤，可供处理人员遵循，依序将问题厘清，并加以解决。
更详细的说，OCAP乃是由一连串的问题及行动指示所组成，以流程图的方式来指示我们，当制程违反管制规则时，应采取的步骤及措施。
OCAP 是由制造部、制程、设备一同来制定及检讨。
OCAP 须不断的修订，以符合生产线实际的需要。
151) Ohmic Contact 欧姆式接触欧姆接触是指金属与半导体的接触，而其接触面的电阻值远小于半导体本身的电阻，使得组件操作时，大部分的电压降在于活动区(Active region)而不在接触面。