集成电路工艺总结
4#210宿舍集体版总结
引言
第一只晶体管
?第一只晶体管, AT&T Bell Lab, 1947
?第一片单晶锗, 1952
?第一片单晶硅, 1954 (25mm，1英寸)
?第一只集成电路（IC）, TI, 1958
?第一只IC商品, Fairchild, 1961
摩尔定律晶体管最小尺寸的极限
?价格保持不变的情况下晶体管数每12月翻一番，1980s后下降为每18月翻一番；
?最小特征尺寸每3年减小70%
?价格每2年下降50%；
IC的极限
?硅原子直径: 2.35 ?；
?形成一个器件至少需要20个原子；
?估计晶体管最小尺寸极限大约为50 ?或0.005um，或5nm。
电子级多晶硅的纯度
一般要求含si>99.9999以上，提高纯度达到
99.9999999—99.999999999%（9-11个9）。其导电性介于10-4-1010 。电子级高纯多晶硅以9N以上为宜。
cm
/
1980s以前半导体行业的模式
1980s以前：大多数半导体公司自己设计、制造和测试IC芯片，如Intel，IBM
1990s以后半导体行业的模式
F&F模式，即Foundry(代工)+Fabless(无生产线芯片设计),
什么是Foundry
有晶圆生产线，但没有设计部门；接受客户订单，为客户制
造芯片；
IC流程图:
接受设计订单→芯片设计→EDA编辑版图→将版图交给掩膜版制造商→制造晶圆→芯片测试→芯片封装
硅片制备与高温工艺单晶生长：直拉法区熔法
高温工艺:氧化，扩散，退火。
Si集成电路芯片元素组成
■半导体（衬底与有源区）：单晶Si
■杂质（N型和P型）：P (As)、B
■导体（电极及引线）：Al、Wu（Cu 、Ti）、poly-Si
■绝缘体（栅介质、多层互连介质）：SiO2、Si3N4
硅的重要性
■储量丰富，便宜；（27.6％）
■SiO2性质很稳定、良好介质，易于热氧化生长；
■较大的禁带宽度（1.12eV），较宽工作温度范围
硅提纯 I的工艺步骤、化学反应式及纯度
从石英砂到硅锭
■石英砂（SiO2)→冶金级硅(MGS)
■HCl与MGS粉反应形成TCS■（trichlorosilane：氯硅烷）
■利用汽化和冷凝提纯TCS
■TCS与H2反应形成多晶硅(EGS)
■熔融EGS和拉单晶硅锭
从硅锭到硅片
单晶硅锭→整型→切片→磨片倒角→刻蚀→抛光→清洗→检查→包装
化学反应式
硅提纯I
多晶硅淀积
直拉法的拉晶过程
拉晶过程
①熔硅②引晶（下种）③收颈④放肩
直拉法的拉晶过程中收颈的作用目的：抑制位错从籽晶向晶体延伸直拉法与区熔法的对比
直拉法，更为常用(占75％以上)
⑴便宜⑵更大的圆片尺寸(300mm已生产)⑶剩余原材料可重复使用⑷位错密度：0～104cm2
区熔法
⑴高纯度的硅单晶(不使用坩锅)（电阻率2000Ω-mm）⑵成本高，可生产圆片尺寸较小(150mm)⑶主要用于功率器件⑷位错密度：103～105cm2
定位边或定位槽的作用
①识别晶向、导电类型及划片方向②硅片（晶锭）机械加工定位的参考面；
③硅片装架的接触位置
外延的定义：外延、外延层、外延片、同质外延、异质外延外延层：单晶衬底上单晶薄膜层
外延：同质外延和异质外延
同质外延：衬底与外延层为相同晶体，晶格完全匹配
异质外延：衬底与外延层为不同晶体，晶格不匹配
双极晶体管（电路）和CMOS器件（电路）中外延层的应用双极晶体管（电路）中外延层的应用
高阻的外延层可提高集电结的击穿电压
■低阻的衬底（或埋层）可降低集电极的串联电阻
CMOS器件（电路）中外延层的应用
■减小pnpn寄生闸流管效应降低漏电流
Si外延的源材料
■Si源气体：SiH4(硅烷), SiH2Cl2(二氯硅烷),
SiHCl3(三氯硅烷), SiCl4(四氯硅烷)
■掺杂剂
N型掺杂剂：PH3, AsH3
P型掺杂剂：B2H6
分子束外延（MBE）的特点
高温工艺设备小结
■高温工艺通常使用炉管反应室；
■反应炉通常由控制系统、气体输运系统、反应腔、装卸片系统和尾气处理系统构成
■立式炉管使用最广泛，因为其占地面积小、污染控制好、维护量小■温度控制的精确性和均匀性对于高温工艺的成功至关重要
氧化膜在IC中的应用
■掺杂阻挡层■表面钝化(保护)隔离层■栅氧化层■MOS电容的介质材料
各种氧化层在工艺中的应用、厚度及工艺
掺杂阻挡氧化层应用
■Much lower B and P diffusion rates in SiO2than that in S
■SiO2can be used as diffusion mask
表面钝化(保护)氧化层应用
■Pad Oxide衬垫（缓冲）氧化层, Screen Oxide屏蔽氧化层Sacrificial Oxide牺牲氧化层, Barrier Oxide阻挡氧化层
■Normally thin oxide layer (~150?) to protect silicon defects from contamination and over-stress
器件隔离氧化层应用
■Electronic isolation of neighboring devices
■Blanket field oxide
■Local oxidation of silicon (LOCOS)
■Thick oxide, usually 3,000 to 10,000 ?
栅氧化层应用
■Gate oxide: thinnest and most critical layer
■Capacitor dielectric
1号液和2号液的配方及作用
■SC-1－NH4OH:H2O2:H2O with 1:1:5 to 1:2:7 ratio at 70 to 80℃to remove organic contaminants.(1号液)
■SC-2--HCl:H2O2:H2Owith 1:1:6 to 1:2:8 ratio at 70 to 80 ℃to remove inorganic contaminates.(2号液)
颗粒、有机粘污、无机粘污及本征氧化层的清洗
Pre-oxidation（预氧化）Wafer Clean Organic（有机）Removal ■Strong oxidants remove organic residues
■H2SO4:H2O2or NH3OH:H2O2followed by DI H2O rinse.
■High pressure scrub or immersion in heated dunk tank followed by
rinse, spin dry and/or dry bake (100 to 125 °C).
Pre-oxidation Wafer Clean Inorganic （无机）Removal ■HCl:H2O
■Immersion (浸入)in dunk tank followed by rinse, spin dry and/or dry bake (100 to 125℃)
Pre-oxidation Wafer Clean Native Oxide Removal （本征氧化层） ■HF:H2O ■Immersion(浸入)in dunk tank or single wafer vapor etcher followed by rinse, spin dry and/or dry bake (100 to 125℃)
SiO2生长的迪尔-格罗夫模型
干氧氧化和湿氧氧化的特点与应用
干（氧）氧化
■氧化剂：干燥的O 2■Si+O 2→SiO 2■O 来源于提供的氧气；Si 来源于衬底硅圆片■O 2通过表面已有的氧化层向内扩散并与Si 反应生长SiO 2■氧化膜越厚，生长速率越低■干氧化速率最低
湿（氧）氧化
■氧化剂：O 2携带H 2O ■Si+O 2→SiO 2■Si+ 2H 2O →SiO 2+ 2H 2
■湿氧化的生长速率介于水汽氧化与干氧化之间■实际氧化工艺：干氧+湿氧+干氧
氧化工艺应用
干氧化，薄氧化层（<1000A）
－■MOS栅氧化层（30～120A）-■衬垫氧化层（100～200A），--■屏蔽氧化层（～200A），■牺牲氧化层（<1000A），等等
湿氧化，厚氧化层
■场氧化层（3000～5000A）■扩散掩膜氧化层（400～1200A）
掺氯氧化的作用
■Cl 可以减少氧化层中的可动离子（如Na+）■MOS栅极氧化中广泛采用■氧化速率提高（1～5）％
影响氧化速率的因素
■温度■湿氧化或干氧化■厚度■压力■硅片晶向(<100>或<111>)■硅中杂质
氧化速率与温度
■氧化速率对温度很敏感，指数规律■温度升高会引起更大的氧化速率升高
氧化速率与圆片晶向
■<111>表面的氧化速率高于<100>表面■原因：<111>表面的Si原子密度高
氧化速率与杂质浓度
■掺杂浓度越高，氧化层生长速率越高
Si-SiO2界面特性替位式扩散、间隙式扩散、扩散系数
在Si-SiO2界面有四种不同类型的电荷：（1）可动离子电荷（2）氧化层固定电荷（3）界面陷阱电荷（4）氧化层陷阱电荷
杂质再硅晶体中的主要扩散机构有：间隙式扩散、替位式扩散。
替位式扩散：杂质从一个晶格位置运动到另一个晶格位置上称为替位式扩散
间隙式扩散：杂质从一个间隙位置到另一个间隙位置上的运动称为间隙式扩散
两步扩散工艺
两步法扩散分预淀积和再分布两步进行，第一步称为预扩散或预淀积，在较低的温度下，采用恒定表面浓度扩散方式在硅片便面扩散一薄层杂质原子，目的在于确定进入硅片的杂质总量。第二步称为主扩散或再分布或推进扩散，在较高的温度下，采用很定杂质总量扩散方式，让淀积在表面的杂质继续往硅片中扩散，目的在于控制扩散深度和表面浓度。
扩散的局限性与应用
扩散技术的主要缺陷
■扩散是各向同性的，掩膜下方也会有杂质横向扩散
■不能独立控制结深和掺杂浓度
扩散应用
■主要用在阱注入后的推进工艺
离子注入后为什么要退火
■高能离子损伤晶体结构■非晶硅有很高的电阻率
■需要外部能量如热使其恢复单晶结构■只有在单晶结构中杂质才能被激活
RTP（快速热退火）的优点
■快速升温(75 to 150 °C/sec)■更高温度(up to 1200 °C)
■过程快速■使杂质扩散最小化■热预算的更好控制（节约能源）■更好的圆片间均匀性控制
薄膜淀积
真空蒸发法蒸发源加热方式
■电阻加热■电子束加热■激光加热■高频感应加热
溅射的工作原理与特点
原理；具有一定能量的入射离子对固体表面轰击时，入射离子与固体表面原子碰撞发生能量和动量的转移，将固体表面的原子溅射出来直流溅射特点：只适于金属靶材。
磁控溅射特点：淀积速率最高。
RF溅射特点：适于各种金属与非金属靶材。
PVD 与CVD对比
■CVD：衬底表面发生化学反应
■PVD：衬底表面不发生化学反应
■CVD: 更好的台阶覆盖性(50% to ~100%) 和空隙填充能力
■PVD: 台阶覆盖性差(~ 15%) 和空隙填充能力差
■PVD 源: 固态材料
■CVD 源: 气体或蒸汽
CVD氧化硅与热生长氧化硅对比
■热生长氧化硅
?O来源于气源，Si来源于衬底?氧化物生长消耗硅衬底?高质量
■CVD 氧化硅
?O和Si都来自气态源?淀积在衬底表面?生长温度低（如PECVD）?生
长速率高
CVD介质薄膜的应用
■浅槽隔离(STI):undopedsilicon dioxide glass, USG■侧墙隔离：USG ■金属前介质(PMD）：PSG or BPSG■金属层间介质(IMD/ILD）：USG or FSG■钝化介质(PD）：Oxide/Nitride
CVD的基本过程
①传输②吸附③化学反应④淀积⑤脱吸⑥逸出
CVD生长的两种极限：表面反应控制与质量输运（传输）控制
表面反应控制型
■化学反应速率不能满足反应剂扩散和吸附的速率，反应剂堆积在衬底表面等待反应；■淀积速率＝反应速率■淀积速率对温度很敏感质量输运控制型
■表面化学反应速率足够高，当反应剂被吸附在衬底表面时会立即反应■淀积速率＝D dn/dx■淀积速率对温度不敏感■淀积速率主要受到气体流速的控制
CVD 的三种类型及各自的应用
■APCVD 常压化学气相淀积■LPCVD 低压化学气相淀积
■PECVD 等离子体增强化学气相淀积
CVD淀积速率G与温度T的关系
■低温下，hg>>ks，反应控制过程，故G与T呈指数关系；
■高温下，hg< 离子注入 离子注入与热扩散的对比 离子注入的两种阻挡机制 核碰撞和电子碰撞 避免沟道效应的方法 ■倾斜硅片, 7°最常用■屏蔽氧化层（无定形）■注入前预先无定型处理 离子注入机的原理 离子注入工艺的应用及技术趋势 离子注入工艺 ■CMOS工艺应用■CMOS离子注入的工艺要求■离子注入工艺的评价。 技术趋势 ■超浅结(USJ)■绝缘体上硅(SOI)■等离子体沉浸离子注入(PIII) SOI的优势 ■芯片速度更快，耗电更少■电路密度提高 ■SOI尤其在RF与SoC方面表现出色 SOI圆片的制造：智能剥离与注氧隔离 离子注入特点： ⑴注入温度低⑵掺杂数目受控⑶横向扩散小⑷不受固溶度限制⑸注 入深度随离子能量增加而增加⑹适合化合物掺杂 光刻与刻蚀工艺（曝光、刻蚀） 光刻的需要及光刻三要素 ■高分辨率■光刻胶高光敏性■精确对准 正胶与负胶的比较 光刻工艺的10个步骤 （1）硅片清洗（2）预烘和底膜涂覆（3）涂光刻胶（4）前烘（5）对准（6）曝光（7）后烘（8）显影（9）坚膜（10）图形检测前烘、后烘及坚膜工艺目的（作用）的比较 前烘作用:促进胶膜内溶剂充分挥发，使胶膜干燥； 增加胶膜与SiO2 （Al膜等）的粘附性及耐磨性 后烘作用：平衡驻波效应，提高分辨率。 坚膜的作用 ■蒸发PR中所有有机溶剂■提高刻蚀和注入的抵抗力■提高光刻胶和表面的黏附性■聚合和使得PR更加稳定■PR流动填充针孔 4种曝光机 ■接触式曝光机■接近式曝光机■投影式曝光机■步进式曝光机 分辨率与波长及NA的关系 （最小线宽）R由曝光系统的光波长λ和数值孔径NA决定，R=K1λ/NA K1为系统常数, λ光波长, NA = 2r0/D； ■NA: 凸镜收集衍射光的能力 如何提高分辨率？ ■提高NA 更大的凸镜, 可能很昂贵而不实际 减小DOF（焦深），会引起制造困难 ■减小光波长 开发新光源, PR和设备 波长减小的极限：UV到DUV, 到EUV, 到X-Ray ■减小K1 相移掩膜 移相掩模的原理与应用 移相掩模是一种双层设计结构,通过利用干涉技术抵消某些衍射效应,可使光刻分辨率的改进达到25%～100% 两种紫外线和三种深紫外线的名称、波长及对应的最小特征尺寸 ■汞灯i-line, 365 nm：–常用在0.35 μm光刻 ■DUV KrF受激准分子激光器, 248 nm：应用0.25 μm, 0.18 μm and 0.13 μm光刻 ■ArF受激准分子激光器,193 nm：–应用: < 0.13 μm ■F2受激准分子激光器：157 nm：–仍处于研发阶段, < 0.10 μm应用 ：使用相移掩膜, 即使0.035 μm 都是可以的■157 nm F2激光器光刻 下一代光刻 ■超紫外■X射线■电子束 干法刻蚀与湿法刻蚀的对比 湿法刻蚀的优点 ■高选择性■设备成本较低■批处理, 高产量 湿法刻蚀的缺点 ■各向同性■不能刻蚀3μm以下图形■化学品使用量高■化学品危险 干法刻蚀优点： ■各向异性腐蚀强；■分辨率高；■刻蚀3μm以下线条 湿法刻蚀SiO2、Si、Poly-Si及Si3N4的配方及反应式 湿法刻蚀SiO2 常用配方(KPR胶）：HF: NH4F: H2O=3ml:6g:10ml (HF溶液浓度为48％) SiO2+ 6HF →H2SiF6 + 2H2O 湿法刻蚀Si、Poly-Si HNO3-HF-H2O(HAC)混合液 湿法刻蚀Silicon Nitride 热(150 to 200 °C) 磷酸H3PO4溶液 干法刻蚀的原理与种类 ①等离子体刻蚀：化学性刻蚀②溅射刻蚀：纯物理刻蚀③反应离子 刻蚀（RIE）：结合①、② 干法刻蚀SiO2、Si、Poly-Si及Si3N4的腐蚀剂 刻蚀气体：CF4 、BCl3、CCl4、CHCl3、SF6 金属化与多层互连 金属化的应用、三种最常用的金属及三种不同的金属化方法 应用 ■栅电极材料■金半接触电极材料■互连材料 常用的金属性材料 ■掺杂的poly-Si■金属硅化物■金属合金 金属化方法 多晶硅－重掺杂，LPCVD淀积 金属硅化物-淀积 合金=淀积（PVD,CVD） 集成电路对金属化的基本要求 1.形成低阻欧姆接触； 2. 提供低阻互连线； 3. 抗电迁移； 4. 良好的 附着性；5. 耐腐蚀；6. 易于淀积和刻蚀；7. 易键合；8. 层与层之间绝缘要好 90年代CMOS标准金属化：栅材料，接触孔（通孔）填充材料，阻挡层（势垒层）、黏附层、焊接层、及防反射层材料，互连材料，金半接触电极材料及工艺 Al-Si接触的尖楔现象、影响及抑制 Al/Si接触的尖楔现象：Si在Al中的溶解度及快速扩散 影响：PN结穿刺–Al刺穿过掺杂PN结，使源/漏与衬底短路 抑制：400 ℃热退火在Si-Al界面形成Si-Al合金 Al的电迁移现象、影响及抑制 电迁移：大电流密度下发生质量（离子/晶粒）输运 现象：在阳极端堆积形成小丘或须晶，造成电极间短路； 在阴极端形成空洞，导致电极开路 影响； ■电迁移使金属线变窄变薄■残留引线中电流密度更高■电迁移影 响IC的可靠性 电迁移抑制 ■少量铜与铝形成的合金将大大提供Al对电迁移的抵抗，铜作为Al 晶粒间的粘合剂，防止Al晶粒因电子轰击而迁移 ■Al-Cu (0.5%) 最常用■使用Al-Si-Cu 合金 TiN的作用 TiN：阻挡层，防止W扩散 TiN：粘合层，帮助W与SiO2表面粘合在一起 TiN：防反射涂层ARC（Anti-reflection coating），防止反射提高光刻分辨率 Cu淀积的大马士革镶嵌工艺 ①在低K介质层上刻蚀出Cu互连线用的沟槽； ②②CVD淀积一层薄的金属势垒层：防止Cu的扩散 ③③溅射淀积Cu的籽晶层：电镀或化学镀Cu需要 ④④沟槽和通孔淀积Cu：电镀或化学镀； ⑤400℃下退火； ⑤Cu的CMP。 工艺集成 MOS IC与双极IC的隔离 MOS集成电路的隔离：LOCOS隔离工艺；侧墙掩蔽的隔离工艺；浅槽隔离等. 双极集成电路的隔离：pn结隔离工艺；深槽隔离工艺. 工艺员个人年终工作总结 XX年在紧紧围绕公司“节能减排”的工作战略方针、精神为指引，结合车间工作思路开展工作，狠抓质量各项治理，落实目标治理责任，推行质量绩效考核，较好的完成了上半年产品质量各项工作任务。回顾作为工艺员的我，主要工作如下： 节能减排是各级确定的全年工作重点，按照车间“我为节能减排做贡献”的思想，作为车间工艺执行的直接监管者，认真学习了公司、车间的节能减排的工作思路，针对职工对节能减排认识不足的现状。一我充分利用班前会进行节能减排思想的教育贯彻，不间断的向全体职工灌输节能减排的思想意识。二利用车间板报定期进行节能减排内容的主题宣传，为职工营造工作氛围。三积极撰写工作体会，参与公司内刊的组稿。通过不懈的努力取得了较好的效果。同时针对节能减排考核的要求制订了具体的考核标准，并通过班前班后会和专题会讨论宣传节能减排考核的基本思想、运作模式及其作用意义等。将节能减排考核的先进治理思想和企业文化“5s精神”联系在一起，使节能减排考核的治理思想与企业文化、工化一道深入人心。员工节能减排意识发生了 __的转变，由过去的要我做变成了我要做，员工的积极性、主动性、规范性进一步加强，生产收率、工艺质量进一步提高。 工艺员的职责就是抓好车间员工工艺执行情况，对于违反工艺操作的行为进行制止，并带领大家完成公司、车间下达的质量生产任务。所以， 1、我时刻认真监督员工操作情况。在工作中对员工制定规范、严格的工艺操作规程和质量考核标准，并对员工提出车间巡查、班级抽查和个人自查的三级考核要求。以“人人不违反工艺，人人为节能减排尽心尽力”的工作思想关注每一位员工，注重调动员工的积极性，化解员工中的消极思想。为提高员工们参与班级治理的积极性，我们公开了节能减排治理内务，具体措施是对班级月奖金分配情况进行张贴公开。 2、质量管理。生产工艺上，我们在继续执行公司拟定的工艺规范的基础上，与班组结合车间设备实际制定了更加细致化的岗位质量要求，使工艺质量进一步稳定，保障了全年生产的产品质量，没有发生一起较大的质量事故反馈。跟班措施的落实，也使工艺质量治理更加严格规范。针对跟班检查中发现的问题，要求班组长组织员工进行了质量分析会和一定的工艺质量培训。进一步提高员工的质量意识，为打造质量优势尽心尽力。 3、工艺执行。为了减轻公司生产压力，提高车间产量，与大家一起进行生产实践，在公司的指导下，进行了工艺方面的尝试性的试 1、描述集成电路工艺技术水平的五个技术指标及其物理含义 ⑴集成度(Integration Level)：以一个IC芯片所包含的元件(晶体管或门/数)来衡量，（包括有源和无源元件）。 ⑵特征尺寸 (Feature Size) /（Critical Dimension）：特征尺寸定义为器件中最小线条宽度(对MOS器件而言，通常指器件栅电极所决定的沟道几何长度)，也可定义为最小线条宽度与线条间距之和的一半。 ⑶晶片直径(Wafer Diameter)：当前的主流晶圆的尺寸为12寸(300mm)，正在向18寸(450mm)晶圆迈进。 ⑷芯片面积(Chip Area)：随着集成度的提高，每芯片所包含的晶体管数不断增多，平均芯片面积也随之增大。 ⑸封装（Package）：指把硅片上的电路管脚，用导线接引到外部接头处，以便于其它器件连接。封装形式是指安装半导体集成电路芯片用的外壳。 2、简述集成电路发展的摩尔定律。 集成电路芯片的集成度每三年提高4倍，而加工特征尺寸缩小倍，这就是摩尔定律。当价格不变时，集成电路上可容纳的晶体管数目，约每隔18个月便会增加一倍，性能也将提升一倍 3、集成电路常用的材料有哪些？ 集成电路中常用的材料有三类：半导体材料，如Si、Ge、GaAs?以及InP?等；绝缘体材料，如SiO2、SiON?和Si3N4?等；金属材料，如铝、金、钨以及铜等。 4、集成电路按工艺器件类型和结构形式分为哪几类，各有什么特点。 双极集成电路：主要由双极晶体管构成（NPN型双极集成电路、PNP型双极集成电路）。优点是速度高、驱动能力强，缺点是功耗较大、集成度较低。 CMOS集成电路：主要由NMOS、PMOS构成CMOS电路，功耗低、集成度高，随着特征尺寸的缩小，速度也可以很高。 BiCMOS集成电路：同时包括双极和CMOS晶体管的集成电路为BiCMOS集成电路，综合了双极和CMOS器件两者的优点，但制作工艺复杂。 5、解释基本概念: 微电子、集成电路、集成度、场区、有源区、阱、外延 微电子：微电子技术是随着集成电路，尤其是超大型规模集成电路而发展起来的一门新的技术。微电子技术包括系统电路设计、器件物理、工艺技术、材料制备、自动测试以及封装、组装等一系列专门的技术，微电子技术是微电子学中的各项工艺技术的总和。微电子学是研究在固体（主要是半导体）材料上构成的微小型化电路、电路及微电子系统的电子学分支。 集成电路：通过一系列特定的加工工艺，将晶体管、二极管等有源器件和电阻、电容等无源器件，按照一定的电路互连，“集成”在一块半导体单晶片（如硅或砷化镓）上，封装在一个外壳内，执行特定电路或系统功能。 集成度：集成电路的集成度是指单块芯片上所容纳的元件数目。 篇一：车间工艺员个人工作总结 车间工艺员个人工作总结 2012年在紧紧围绕公司“节能减排”的工作战略方针、精神为指引，结合车间工作思路开展工作，狠抓质量各项治理，落实目标治理责任，推行质量绩效考核，较好的完成了上半年产品质量各项工作任务。回顾作为工艺员的我，主要工作如下： 一、狠抓思想教育，提高节能减排意识。 节能减排是各级确定的全年工作重点,按照车间“我为节能减排做贡献”的思想，作为车间工艺执行的直接监管者，认真学习了公司、车间的节能减排的工作思路，针对职工对节能减排认识不足的现状。一我充分利用班前会进行节能减排思想的教育贯彻，不间断的向全体职工灌输节能减排的思想意识。二利用车间板报定期进行节能减排内容的主题宣传，为职工营造工作氛围。三积极撰写工作体会，参与公司内刊的组稿。通过不懈的努力取得了较好的效果。同时针对节能减排考核的要求制订了具体的考核标准，并通过班前班后会和专题会讨论宣传节能减排考核的基本思想、运作模式及其作用意义等。将节能减排考核的先进治理思想和企业文化“5s精神”联系在一起，使节能减排考核的治理思想与企业文化、工作文化一道深入人心。员工节能减排意识发生了彻底的转变，由过去的要我做变成了我要做，员工的积极性、主动性、规范性进一步加强，生产收率、工艺质量进一步提高。 二、以质量为核心，集中精力抓好产品质量工作。 工艺员的职责就是抓好车间员工工艺执行情况，对于违反工艺操作的行为进行制止，并带领大家完成公司、车间下达的质量生产任务。所以，1、我时刻认真监督员工操作情况。在工作中对员工制定规范、严格的工艺操作规程和质量考核标准，并对员工提出车间巡查、班级抽查和个人自查的三级考核要求。以“人人不违反工艺，人人为节能减排尽心尽力”的工作思想关注每一位员工，注重调动员工的积极性，化解员工中的消极思想。为提高员工们参与班级治理的积极性，我们公开了节能减排治理内务，具体措施是对班级月奖金分配情况进行张贴公开。2、质量管理。生产工艺上，我们在继续执行公司拟定的工艺规范的基础上，与班组结合车间设备实际制定了更加细致化的岗位质量要求，使工艺质量进一步稳定，保障了全年生产的产品质量，没有发生一起较大的质量事故反馈。跟班措施的落实，也使工艺质量治理更加严格规范。针对跟班检查中发现的问题，要求班组长组织员工进行了质量分析会和一定的工艺质量培训。进一步提高员工的质量意识，为打造质量优势尽心尽力。 3、工艺执行。为了减轻公司生产压力，提高车间产量，与大家一起进行生产实践，在公司的指导下，进行了工艺方面的尝试性的试验，通过大家的努力，产量挺高了很多，在各项工艺要求上没有出现大的异常，并持续稳定的生产下去，上半年累计生产5000吨，同比增长百分之十。较好的完成了公司、车间交给的生产任务。 2012年的工作中，我也暴露出一些问题，主要体现在两方面： 1、由于改进工艺，做实验性的生产，在节能减排方面出现一些反复，特别是月分的各类消耗指标不尽人意。加之，由于车间操作大多数是人工进行，没有更好的降低生产成本，我必定先从自身找问题，完善制度，狠抓内务，但也离不开车间，公司的大力支持、协调解决。2012年，我们将奋发作为，狠抓工艺执行、质量提高，努力培训员工的质量意识，为公司的节能减排的战略方针，抓好落实，争做公司节能减排的排头兵，为公司更快更好发展做出自己的贡献。篇二：工艺员工作总结 转眼间，2012年上半年的工作已经告一段落了，回顾这几个月以来的工作，我通过自己的努力，也有了一点收获，临近年半，我感觉有必要对自己的工作做一下总结。目的在于吸取教训，提高自己，以至于把工作做得更好，自己有信心也有决心把以后的工作做得更好。以下是我对这几个月以来的工作进行的总结。 我于2012年3月1日进入的我们公司，最开始我在车间实习了一个月，我知道实践才是检验 集成电路制造工艺流程之详细解答 1.晶圆制造( 晶体生长-切片-边缘研磨-抛光-包裹-运输 ) 晶体生长(Crystal Growth) 晶体生长需要高精度的自动化拉晶系统。 将石英矿石经由电弧炉提炼，盐酸氯化，并经蒸馏后，制成了高纯度的多晶硅，其纯度高达0.99999999999。 采用精炼石英矿而获得的多晶硅，加入少量的电活性“掺杂剂”，如砷、硼、磷或锑，一同放入位于高温炉中融解。 多晶硅块及掺杂剂融化以后，用一根长晶线缆作为籽晶，插入到融化的多晶硅中直至底部。然后，旋转线缆并慢慢拉出，最后，再将其冷却结晶，就形成圆柱状的单晶硅晶棒，即硅棒。 此过程称为“长晶”。 硅棒一般长3英尺，直径有6英寸、8英寸、12英寸等不同尺寸。 硅晶棒再经过研磨、抛光和切片后，即成为制造集成电路的基本原料——晶圆。 切片(Slicing) /边缘研磨(Edge Grinding)/抛光(Surface Polishing) 切片是利用特殊的内圆刀片，将硅棒切成具有精确几何尺寸的薄晶圆。 然后，对晶圆表面和边缘进行抛光、研磨并清洗，将刚切割的晶圆的锐利边缘整成圆弧形，去除粗糙的划痕和杂质，就获得近乎完美的硅晶圆。 包裹(Wrapping)/运输(Shipping) 晶圆制造完成以后，还需要专业的设备对这些近乎完美的硅晶圆进行包裹和运输。 晶圆输送载体可为半导体制造商提供快速一致和可靠的晶圆取放，并提高生产力。 2.沉积 外延沉积 Epitaxial Deposition 在晶圆使用过程中，外延层是在半导体晶圆上沉积的第一层。 现代大多数外延生长沉积是在硅底层上利用低压化学气相沉积(LPCVD)方法生长硅薄膜。外延层由超纯硅形成，是作为缓冲层阻止有害杂质进入硅衬底的。 过去一般是双极工艺需要使用外延层，CMOS技术不使用。 由于外延层可能会使有少量缺陷的晶圆能够被使用，所以今后可能会在300mm晶圆上更多 第三章、器件 一、超深亚微米工艺条件下MOS 管主要二阶效应： 1、速度饱和效应：主要出现在短沟道NMOS 管，PMOS 速度饱和效应不显著。主要原因是 TH G S V V -太大。在沟道电场强度不高时载流子速度正比于电场强度（μξν=） ，即载流子迁移率是常数。但在电场强度很高时载流子的速度将由于散射效应而趋于饱和，不再随电场 强度的增加而线性增加。此时近似表达式为：μξυ=（c ξξ<），c s a t μξυυ==（c ξξ≥） ，出现饱和速度时的漏源电压D SAT V 是一个常数。线性区的电流公式不变，但一旦达到DSAT V ，电流即可饱和，此时DS I 与GS V 成线性关系（不再是低压时的平方关系）。 2、Latch-up 效应：由于单阱工艺的NPNP 结构，可能会出现VDD 到VSS 的短路大电流。 正反馈机制：PNP 微正向导通，射集电流反馈入NPN 的基极，电流放大后又反馈到PNP 的基极，再次放大加剧导通。 克服的方法：1、减少阱/衬底的寄生电阻，从而减少馈入基极的电流，于是削弱了正反馈。 2、保护环。 3、短沟道效应：在沟道较长时，沟道耗尽区主要来自MOS 场效应，而当沟道较短时，漏衬结（反偏）、源衬结的耗尽区将不可忽略，即栅下的一部分区域已被耗尽，只需要一个较小的阈值电压就足以引起强反型。所以短沟时VT 随L 的减小而减小。 此外，提高漏源电压可以得到类似的效应，短沟时VT 随VDS 增加而减小，因为这增加了反偏漏衬结耗尽区的宽度。这一效应被称为漏端感应源端势垒降低。 4、漏端感应源端势垒降低（DIBL）： VDS增加会使源端势垒下降，沟道长度缩短会使源端势垒下降。VDS很大时反偏漏衬结击穿，漏源穿通，将不受栅压控制。 5、亚阈值效应（弱反型导通）：当电压低于阈值电压时MOS管已部分导通。不存在导电沟道时源（n+）体（p）漏（n+）三端实际上形成了一个寄生的双极性晶体管。一般希望该效应越小越好，尤其在依靠电荷在电容上存储的动态电路，因为其工作会受亚阈值漏电的严重影响。 绝缘体上硅（SOI） 6、沟长调制：长沟器件：沟道夹断饱和；短沟器件：载流子速度饱和。 7、热载流子效应：由于器件发展过程中，电压降低的幅度不及器件尺寸，导致电场强度提高，使得电子速度增加。漏端强电场一方面引起高能热电子与晶格碰撞产生电子空穴对，从而形成衬底电流，另一方面使电子隧穿到栅氧中，形成栅电流并改变阈值电压。 影响：1、使器件参数变差，引起长期的可靠性问题，可能导致器件失效。2、衬底电流会引入噪声、Latch-up、和动态节点漏电。 解决：LDD（轻掺杂漏）：在漏源区和沟道间加一段电阻率较高的轻掺杂n-区。缺点是使器件跨导和IDS减小。 8、体效应：衬底偏置体效应、衬底电流感应体效应（衬底电流在衬底电阻上的压降造成衬偏电压）。 二、MOSFET器件模型 1、目的、意义：减少设计时间和制造成本。 2、要求：精确；有物理基础；可扩展性，能预测不同尺寸器件性能；高效率性，减少迭代次数和模拟时间 3、结构电阻：沟道等效电阻、寄生电阻 4、结构电容： 三、特征尺寸缩小 目的：1、尺寸更小；2、速度更快；3、功耗更低；4、成本更低、 方式： 1、恒场律（全比例缩小），理想模型，尺寸和电压按统一比例缩小。 优点：提高了集成密度 未改善：功率密度。 问题：1、电流密度增加；2、VTH小使得抗干扰能力差；3、电源电压标准改变带来不便；4、漏源耗尽层宽度不按比例缩小。 2、恒压律，目前最普遍，仅尺寸缩小，电压保持不变。 优点：1、电源电压不变；2、提高了集成密度 问题：1、电流密度、功率密度极大增加；2、功耗增加；3、沟道电场增加，将产生热载流子效应、速度饱和效应等负面效应；4、衬底浓度的增加使PN结寄生电容增加，速度下降。 3、一般化缩小，对今天最实用，尺寸和电压按不同比例缩小。 限制因素：长期使用的可靠性、载流子的极限速度、功耗。 工艺员年终工作总结 一、工艺员年终工作总结 20**年在紧紧围绕公司“节能减排”的工作战略方针、精神为指引，结合车间工作思路开展工作，狠抓质量各项治理，落实目标治理责任，推行质量绩效考核，较好的完成了上半年产品质量各项工作任务。回顾作为工艺员的我，主要工作如下： 一、狠抓思想教育，提高节能减排意识。 节能减排是各级确定的全年工作重点，按照车间“我为节能减排做贡献”的思想，作为车间工艺执行的直接监管者，认真学习了公司、车间的节能减排的工作思路，针对职工对节能减排认识不足的现状。一我充分利用班前会进行节能减排思想的教育贯彻，不间断的向全体职工灌输节能减排的思想意识。二利用车间板报定期进行节能减排内容的主题宣传，为职工营造工作氛围。三积极撰写工作体会，参与公司内刊的组稿。通过不懈的努力取得了较好的效果。同时针对节能减排考核的要求制订了具体的考核标准，并通过班前班后会和专题会讨论宣传节能减排考核的基本思想、运作模式及其作用意义等。将节能减排考核的先进治理思想和企业文化“5s精神”联系在一起，使节能减排考核的治理思想与企业 文化、工作文化一道深入人心。员工节能减排意识发生了彻底的转变，由过去的要我做变成了我要做，员工的积极性、主动性、规范性进一步加强，生产收率、工艺质量进一步提高。 二、以质量为核心，集中精力抓好产品质量工作。 工艺员的职责就是抓好车间员工工艺执行情况，对于违反工艺操作的行为进行制止，并带领大家完成公司、车间下达的质量生产任务。所以： 1、我时刻认真监督员工操作情况。在工作中对员工制定规范、严格的工艺操作规程和质量考核标准，并对员工提出车间巡查、班级抽查和个人自查的三级考核要求。以“人人不违反工艺，人人为节能减排尽心尽力”的工作思想关注每一位员工，注重调动员工的积极性，化解员工中的消极思想。为提高员工们参与班级治理的积极性，我们公开了节能减排治理内务，具体措施是对班级月奖金分配情况进行张贴公开。 2、质量管理。生产工艺上，我们在继续执行公司拟定的工艺规范的基础上，与班组结合车间设备实际制定了更加细致化的岗位质量要求，使工艺质量进一步稳定，保障了全年生产的产品质量，没有发生一起较大的质量事故反馈。跟班措施的落实，也使工艺质量治理更加严格规范。针对跟班检查中发现的问题，要求班组长组织员工进行了质量分析会 集成电路分析 集成工业的前后道技术：半导体（wafer）制造企业里面，前道主要是把mos管，三极管作到硅片上，后道主要是做金属互联。 集成电路发展：按规模划分，集成电路的发展已经历了哪几代？ 参考答案： 按规模，集成电路的发展已经经历了：SSI、MSI、LSI、VLSI、ULSI及GSI。它的发展遵循摩尔定律 解释欧姆型接触和肖特基型接触。 参考答案： 半导体表面制作了金属层后，根据金属的种类及半导体掺杂浓度的不同，可形成欧姆型接触或肖特基型接触。 如果掺杂浓度比较低，金属和半导体结合面形成肖特基型接触。 如果掺杂浓度足够高，金属和半导体结合面形成欧姆型接触。 、集成电路主要有哪些基本制造工艺。 参考答案： 集成电路基本制造工艺包括：外延生长，掩模制造，光刻，刻蚀，掺杂，绝缘层形成，金属层形成等。 光刻工艺： 光刻的作用是什么？列举两种常用曝光方式。 参考答案： 光刻是集成电路加工过程中的重要工序，作用是把掩模版上的图形转换成晶圆上的器件结构。 曝光方式：接触式和非接触式 25、简述光刻工艺步骤。 参考答案： 涂光刻胶，曝光，显影，腐蚀，去光刻胶。 26、光刻胶正胶和负胶的区别是什么？ 参考答案： 正性光刻胶受光或紫外线照射后感光的部分发生光分解反应，可溶于显影液，未感光的部分显影后仍然留在晶圆的表面，它一般适合做长条形状；负性光刻胶的未感光部分溶于显影液 中，而感光部分显影后仍然留在基片表面，它一般适合做窗口结构，如接触孔、焊盘等。常规双极型工艺需要几次光刻？每次光刻分别有什么作用？ 参考答案： 需要六次光刻。第一次光刻--N+隐埋层扩散孔光刻；第二次光刻--P+隔离扩散孔光刻 第三次光刻--P型基区扩散孔光刻；第四次光刻--N+发射区扩散孔光刻；第五次光刻--引线接触孔光刻；第六次光刻--金属化内连线光刻 掺杂工艺： 掺杂的目的是什么？举出两种掺杂方法并比较其优缺点。 参考答案： 掺杂的目的是形成特定导电能力的材料区域，包括N型或P型半导体区域和绝缘层，以构成各种器件结构。 掺杂的方法有：热扩散法掺杂和离子注入法掺杂。与热扩散法相比，离子注入法掺杂的优点是：可精确控制杂质分布，掺杂纯度高、均匀性好，容易实现化合物半导体的掺杂等；缺点是：杂质离子对半导体晶格有损伤，这些损伤在某些场合完全消除是无法实现的；很浅的和很深的注入分布都难以得到；对高剂量的注入，离子注入的产率要受到限制；一般离子注入的设备相当昂贵， 试述PN结的空间电荷区是如何形成的。 参考答案： 在PN结中，由于N区中有大量的自由电子，由P区扩散到N区的空穴将逐渐与N区的自由电子复合。同样，由N区扩散到P区的自由电子也将逐渐与P区内的空穴复合。于是在紧靠接触面两边形成了数值相等、符号相反的一层很薄的空间电荷区，称为耗尽层。简述CMOS工艺的基本工艺流程（以1×poly，2×metal N阱为例）。 参考答案： 形成N阱区，确定nMOS和pMOS有源区，场和栅氧化，形成多晶硅并刻蚀成图案，P＋扩散，N＋扩散，刻蚀接触孔，沉淀第一金属层并刻蚀成图案，沉淀第二金属层并刻蚀成图案，形成钝化玻璃并刻蚀焊盘。 表面贴装技术：电子电路表面组装技术（Surface Mount Technology，SMT）， 称为表面贴装或表面安装技术。它是一种将无引脚或短引线表面组装元器件（简称SMC/SMD，中文称片状元器件）安装在印制电路板（Printed Circuit Board，PCB)的表面或其它基板的表面上，通过再流焊或浸焊等方法加以焊接组装的电路装连技术。[1]工艺流程简化为：印刷-------贴片-------焊接-------检修 有源区和场区：有源区：硅片上做有源器件的区域。（就是有些阱区。或者说是采用STI等隔离技术，隔离开的区域）。有源区主要针对MOS而言，不同掺杂可形成n或p型有源区。有源区分为源区和漏区（掺杂类型相同）在进行互联 工艺员年终总结 工艺员年终总结 转眼间，20xx年上半年的工作已经告一段落了，回顾 这几个月以来的工作，我通过自己的努力，也有了一点收获，临近年半，我感觉有必要对自己的工作做一下总结。目的在 于吸取教训，提高自己，以至于把工作做得更好，自己有信 心也有决心把以后的工作做得更好。以下是我对这几个月以 来的工作进行的总结。 我于20xx年3月1日进入的我们公司，最开始我在车 间实习了一个月，我知道实践才是检验真理的唯一标准，在 实习期间，我努力地融入我实习的各个工作岗位，与生产工 人尽心地交流。对公司的企业文化，运行机制等都有了一定 的了解。同时，在此期间，我对公司的设备，产品，加工流 程等也有了一定的认识。这为我之后的工艺工作打下了一定 的基础。 实习完之后，我回到了技术中心，成了一名工艺员。 在此之前，我从事的是机械设计工作，从来没有接触过工艺 工作，虽说经常和工艺人员接触，但对具体明确的工艺职责 和工艺任务，我心里也没有底。经过几个月的工作，我主要 负责的工作有以下几个方面： 1.工艺文件的编制。我主要负责编制了新产品袋装粉 料拆包机、干混砂浆移动筒仓及部分老产品的工艺编制及改 进。现在拆包机已经试制成功，移动筒也正紧锣密鼓的生产 中。并且，我起草编制了工装编码规则，用以规范公司工装 的图号编制。 2.工装的设计。我负责设计了几个新式工装，例如;皮带机尾部张紧装置焊接工装、从动滚筒的同心度检测工装等。 同时也将公司以前设计正在使用工装重新测绘整理出图成 了标准图纸。 3.在管理提升工作方面，我负责起草了与工艺相关的 岗位职责。并且从四月底开始，和其他工艺工程师一起进行 了每周两次的工艺纪律检查。对工艺文件也进行了系统的整 理。 4.在工艺培训工作方面，我们工艺人员利用晚上休息 时间进行了三次工艺培训，我主要负责了机械识图方面，针 对车间员工的培训，反响良好。 5.在进行工艺工作的同时，也协助技术人员进行了部 分设计工作。例如：协助郑芮设计了部分拆包机部件、设计 了几种新老产品的油漆方案及铭牌、协助何浩设计了部分皮 带机部件等。 通过这四个来月的工作，使我在工作能力，思想方面 都有了很大的进步，同时，也存在一些不足。比如，移动筒 的制作工艺还不能跟上我们的发货及制作数量，工艺有待进 一步改进。又比如，工艺检查及反馈执行情况还不太理想。 集成电路制造工艺流程 1.晶圆制造( 晶体生长-切片-边缘研磨-抛光-包裹-运输 ) 晶体生长(Crystal Growth) 晶体生长需要高精度的自动化拉晶系统。 将石英矿石经由电弧炉提炼，盐酸氯化，并经蒸馏后，制成了高纯度的多晶硅，其纯度高达0.。 采用精炼石英矿而获得的多晶硅，加入少量的电活性“掺杂剂”，如砷、硼、磷或锑，一同放入位于高温炉中融解。 多晶硅块及掺杂剂融化以后，用一根长晶线缆作为籽晶，插入到融化的多晶硅中直至底部。然后，旋转线缆并慢慢拉出，最后，再将其冷却结晶，就形成圆柱状的单晶硅晶棒，即硅棒。 此过程称为“长晶”。 硅棒一般长3英尺，直径有6英寸、8英寸、12英寸等不同尺寸。 硅晶棒再经过研磨、抛光和切片后，即成为制造集成电路的基本原料——晶圆。 切片(Slicing) /边缘研磨(Edge Grinding)/抛光(Surface Polishing) 切片是利用特殊的内圆刀片，将硅棒切成具有精确几何尺寸的薄晶圆。 然后，对晶圆表面和边缘进行抛光、研磨并清洗，将刚切割的晶圆的锐利边缘整成圆弧形，去除粗糙的划痕和杂质，就获得近乎完美的硅晶圆。 包裹(Wrapping)/运输(Shipping) 晶圆制造完成以后，还需要专业的设备对这些近乎完美的硅晶圆进行包裹和运输。 晶圆输送载体可为半导体制造商提供快速一致和可靠的晶圆取放，并提高生产力。 2.沉积 外延沉积 Epitaxial Deposition 在晶圆使用过程中，外延层是在半导体晶圆上沉积的第一层。 现代大多数外延生长沉积是在硅底层上利用低压化学气相沉积(LPCVD)方法生长硅薄膜。外延层由超纯硅形成，是作为缓冲层阻止有害杂质进入硅衬底的。 过去一般是双极工艺需要使用外延层，CMOS技术不使用。 由于外延层可能会使有少量缺陷的晶圆能够被使用，所以今后可能会在300mm晶圆上更多 Layout主要工作注意事项 ●画之前的准备工作 ●与电路设计者的沟通 ●Layout 的金属线尤其是电源线、地线 ●保护环 ●衬底噪声 ●管子的匹配精度 一、l ayout 之前的准备工作 1、先估算芯片面积 先分别计算各个电路模块的面积，然后再加上模块之间走线以及端口引出等的面积，即得到芯片总的面积。 2、Top-Down 设计流程 先根据电路规模对版图进行整体布局，整体布局包括：主要单元的大小形状以及位置安排；电源和地线的布局；输入输出引脚的放置等；统计整个芯片的引脚个数，包括测试点也要确定好，严格确定每个模块的引脚属性，位置。 3、模块的方向应该与信号的流向一致 每个模块一定按照确定好的引脚位置引出之间的连线 4、保证主信号通道简单流畅，连线尽量短，少拐弯等。 5、不同模块的电源，地线分开，以防干扰，电源线的寄生电阻尽可能较小，避免各模块的 电源电压不一致。 6、尽可能把电容电阻和大管子放在侧旁，利于提高电路的抗干扰能力。 二、与电路设计者的沟通 搞清楚电路的结构和工作原理明确电路设计中对版图有特殊要求的地方 包含内容：（1）确保金属线的宽度和引线孔的数目能够满足要求（各通路在典型情况和最坏情况的大小）尤其是电源线盒地线。 （2）差分对管，有源负载，电流镜，电容阵列等要求匹配良好的子模块。 （3）电路中MOS管，电阻电容对精度的要求。 （4）易受干扰的电压传输线，高频信号传输线。 三、layout 的金属线尤其是电源线，地线 1、根据电路在最坏情况下的电流值来确定金属线的宽度以及接触孔的排列方式和数目，以避免电迁移。 电迁移效应：是指当传输电流过大时，电子碰撞金属原子，导致原子移位而使金属断线。在接触孔周围，电流比较集中，电迁移更容易产生。 2、避免天线效应 长金属（面积较大的金属）在刻蚀的时候，会吸引大量的电荷，这时如果该金属与管子栅相连，可能会在栅极形成高压，影响栅养化层质量，降低电路的可靠性和寿命。 解决方案：（1）插一个金属跳线来消除（在低层金属上的天线效应可以通过在顶层金属层插入短的跳线来消除）。 （2）把低层金属导线连接到扩散区来避免损害。 3、芯片金属线存在寄生电阻和寄生电容效应 寄生电阻会使电压产生漂移，导致额外的噪声的产生 寄生电容耦合会使信号之间互相干扰 关于寄生电阻： （1）镜像电流镜内部的晶体管在版图上放在一起，然后通过连线引到各个需要供电的版图。 车间工艺员个人工作总结范文 20xx年在紧紧围绕公司“节能减排”的工作战略方针、精神为指引，结合车间工作思路开展工作，狠抓质量各项治理，落实目标治理责任，推行质量绩效考核，较好的完成了上半 年产品质量各项工作任务。回顾作为工艺员的我，主要工作 作工作总结如下： 一、狠抓思想教育，提高节能减排意识。 节能减排是各级确定的全年工作重点,按照车间“我为节能减排做贡献”的思想，作为车间工艺执行的直接监管者，认真学习了公司、车间的节能减排的工作思路，针对职工对 节能减排认识不足的现状。一我充分利用班前会进行节能减 排思想的教育贯彻，不间断的向全体职工灌输节能减排的思 想意识。二利用车间板报定期进行节能减排内容的主题宣传，为职工营造工作氛围。三积极撰写工作体会，参与公司内刊 的组稿。通过不懈的努力取得了较好的效果。 同时针对节能减排考核的要求制订了具体的考核标准，并 通过班前班后会和专题会讨论宣传节能减排考核的基本思想、运作模式及其作用意义等。将节能减排考核的先进治理 思想和企业文化“5s精神”联系在一起，使节能减排考核的治理思想与企业文化、工作文化一道深入人心。员工节能减 排意识发生了彻底的转变，由过去的要我做变成了我要做，员工的积极性、主动性、规范性进一步加强，生产收率、工艺质量进一步提高。 二、以质量为核心，集中精力抓好产品质量工作。 工艺员的职责就是抓好车间员工工艺执行情况，对于违反工艺操作的行为进行制止，并带领大家完成公司、车间下达的质量生产任务。 所以，1、我时刻认真监督员工操作情况。在工作中对员工制定规范、严格的工艺操作规程和质量考核标准，并对员工提出车间巡查、班级抽查和个人自查的三级考核要求。以“人人不违反工艺，人人为节能减排尽心尽力”的工作思想关注每一位员工，注重调动员工的积极性，化解员工中的消极思想。为提高员工们参与班级治理的积极性，我们公开了节能减排治理内务，具体措施是对班级月奖金分配情况进行张贴公开。 2、质量管理。生产工艺上，我们在继续执行公司拟定的工艺规范的基础上，与班组结合车间设备实际制定了更加细致化的岗位质量要求，使工艺质量进一步稳定，保障了全年生产的产品质量，没有发生一起较大的质量事故反馈。跟班措施的落实，也使工艺质量治理更加严格规范。针对跟班检查中发现的问题，要求班组长组织员工进行了质量分析会和一 第1章 集成电路的基本制造工艺 1.6 一般TTL 集成电路与集成运算放大器电路在选择外延层电阻率上有何区别?为什么? 答：集成运算放大器电路的外延层电阻率比一般TTL 集成电路的外延层电阻率高。 第2章 集成电路中的晶体管及其寄生效应 复 习 思 考 题 2.2 利用截锥体电阻公式，计算TTL “与非”门输出管的CS r ，其图形如图题2.2 所示。 提示：先求截锥体的高度 up BL epi mc jc epi T x x T T -----= 然后利用公式： b a a b WL T r c -? = /ln 1ρ ， 2 1 2?? =--BL C E BL S C W L R r b a a b WL T r c -? = /ln 3ρ 321C C C CS r r r r ++= 注意：在计算W 、L 时, 应考虑横向扩散。 2.3 伴随一个横向PNP 器件产生两个寄生的PNP 晶体管，试问当横向PNP 器件在4种可能的偏置情况下，哪一种偏置会使得寄生晶体管的影响最大? 答：当横向PNP 管处于饱和状态时，会使得寄生晶体管的影响最大。 2.8 试设计一个单基极、单发射极和单集电极的输出晶体管，要求其在20mA 的电流负载下 ，OL V ≤0.4V ，请在坐标纸上放大500倍画出其版图。给出设计条件如下： 答： 解题思路 ⑴由0I 、α求有效发射区周长Eeff L ； ⑵由设计条件画图 ①先画发射区引线孔； ②由孔四边各距A D 画出发射区扩散孔； ③由A D 先画出基区扩散孔的三边； ④由B E D -画出基区引线孔； ⑤由A D 画出基区扩散孔的另一边； 工艺员个人工作计划(精选多篇) 工艺员的工作是繁忙的，同时工艺这一环节对于生产是至关重要的。工艺对生产起着指导和辅助的作用。工艺工作的好坏直接影响生产的顺利进行，同时很大程度上决定了车间kpi的相关指标的好坏，从而影响公司的效益。所以，车间工艺技术团队的能力高低往往决定了车间生产的质量和效率。 作为车间工艺团队的一员，我觉得我现在存在的最大问题就是缺乏经验，不能很熟练地解决生产中出现的问题，对于多件事情理不清头绪，关于工作的多个方面不能形成一个好的系统。 工艺表制作方面，能够熟练地制作工艺表，但个别工艺做不到最优。见到一个牌号，不能清除地知道它配方结构、技术要求、生产工艺条件、检测项目及相关标准。这需要在以后的工作中去学习、积累、总结，迅速掌握相关知识和信息，准确而快速地制作工艺。 对相关接口及流程还不是非常熟悉。遇到一些具体问题，往往需要请教他人。工作方式和方法还不够成熟，与其他岗位之间的交流缺少经验。这一方面，需要谦虚地向“前辈”们请教，并在技术方面快速成长，并熟练掌握流程相关操作，尽快融入岗位、融入团队。 异常处理方面，能够熟练处理简单异常，对于一些特殊的异常处理，还是缺乏经验，反应速度不够快。异常出现时，需要快速做出反应，果断采取措施，及时与制造工程师、qe、配色、中试等相关技术 人员联系并一同处理。另一方面，多积累经验，快速成长，争取早日能独当一面。 对于现在的工作和以后的工作岗位，需要多去学习、思考和总结，多与有经验的技术和管理人员交流，并及时向上级反馈自己的学习和工作情况，及时发现自己的问题与不足并完善。 个人的成长与发展，需要依靠于团队，同时自我的努力是至关重要的。对于现在的工作和状态，自我感觉是良好的。在这半年里，我学习到了许多东西，并迅速地成长着。我很满意我现在所处的环境，我很努力地在学习和工作着。 2014年在紧紧围绕公司“节能减排”的工作战略方针、精神为指引，结合车间工作思路开展工作，狠抓质量各项治理，落实目标治理责任，推行质量绩效考核，较好的完成了上半年产品质量各项工作任务。回顾作为工艺员的我，主要工作如下： 一、狠抓思想教育，提高节能减排意识。 节能减排是各级确定的全年工作重点,按照车间“我为节能减排做贡献”的思想，作为车间工艺执行的直接监管者，认真学习了公司、车间的节能减排的工作思路，针对职工对节能减排认识不足的现状。一我充分利用班前会进行节能减排思想的教育贯彻，不间断的向全体职工灌输节能减排的思想意识。二利用车间板报定期进行节能减排内容的主题宣传，为职工营造工作氛围。三积极撰写工作体会，参与公 C M O S集成电路制造工艺 流程 Company number：【0089WT-8898YT-W8CCB-BUUT-202108】 陕西国防工业职业技术学院课程报告 课程微电子产品开发与应用 论文题目CMOS集成电路制造工艺流程 班级电子3141 姓名及学号王京（24#） 任课教师张喜凤 目录 CMOS集成电路制造工艺流程 摘要：本文介绍了CMOS集成电路的制造工艺流程，主要制造工艺及各工艺步骤中的核心要素，及CMOS器件的应用。 引言：集成电路的设计与测试是当代计算机技术研究的主要问题之一。硅双极工艺面世后约3年时间，于1962年又开发出硅平面MOS工艺技术，并制成了MOS集成电路。与双极集成电路相比，MOS集成电路的功耗低、结构简单、集成度和成品率高，但工作速度较慢。由于它们各具优劣势，且各自有适合的应用场合，双极集成工艺和MOS集成工艺便齐头平行发展。 关键词：工艺技术，CMOS制造工艺流程 1.CMOS器件 CMOS器件，是NMOS和PMOS晶体管形成的互补结构，电流小，功耗低，早期的CMOS电路速度较慢，后来不断得到改进，现已大大提高了速度。 分类 CMOS器件也有不同的结构，如铝栅和硅栅CMOS、以及p阱、n阱和双阱CMOS。铝栅CMOS和硅栅CMOS的主要差别，是器件的栅极结构所用材料的不同。P阱CMOS，则是在n型硅衬底上制造p沟管，在p阱中制造n沟管，其阱可采用外延法、扩散法或离子注入方法形成。该工艺应用得最早，也是应用得最广的工艺，适用于标准CMOS电路及CMOS与双极npn兼容的电路。N阱CMOS，是在p型硅衬底上制造n沟晶体管，在n阱中制造p沟晶体管，其阱一般采用离子注入方法形成。该工艺可使NMOS晶体管的性能最优化，适用于制造以NMOS为主的CMOS以及E/D－NMOS和p沟MOS兼容的CMOS电路。双阱CMOS，是在低阻n＋衬底上再外延一层中高阻n――硅层，然后在外延层中制造n 阱和p阱，并分别在n、p阱中制造p沟和n沟晶体管，从而使PMOS和NMOS晶体管都在高阻、低浓度的阱中形成，有利于降低寄生电容，增加跨导，增强p沟和n沟晶体管的平衡性，适用于高性能电路的制造。 1.基本概念： 集成电路：是经过氧化、光刻、扩散、外延、蒸铝等半导体制造工艺，把构成具有一定功能的电路所需的半导体有源器件、电阻、电容等元件及它们之间的连接导线全部“集成”在一块半导体单晶片上，封装在一个外壳内，执行特定电路或系统功能的电路。集成度：每块集成电路芯片中包含的元器件数目。 多项目晶圆技术：多项目晶圆就是将多个使用相同工艺的集成电路设计放在同一晶圆片上流片，制造完成后，每个设计可以得到数十片芯片样品，这一数量对于原型设计阶段的实验、测试已经足够。而该次制造费用就由所有参加MPW的项目按照芯片面积分摊，成本仅为单独进行原型制造成本的5%-10%，极大地降低了产品开发风险、培养集成电路设计人才的门槛和中小集成电路设计企业在起步时的门槛。 无生产线集成电路设计： 代工厂：加工厂的铸造车间，无自己产品。优良的加工技术(包括设计和制造)及优质的服务为客户提供加工服务。 2.微电子的战略地位：对人类社会的巨大作用 3.集成电路分类： 按器件结构类型分类：①双极集成电路②金属-氧化物-半导体(MOS)集成电路 ③双极-MOS(BiMOS)集成电路 按集成度分类：①小规模集成电路②中规模集成电路③大规模集成电路 ④超大规模集成电路⑤特大规模集成电路⑥巨大规模集成电路按使用的基片材料分类：①单片集成电路②混合集成电路 按电路的功能结构分类：①数字集成电路②模拟集成电路③数模混合集成电路按应用领域分类：①标准通用集成电路②专用集成电路 4.集成电路按规模划分经历了哪几代？遵循什么定律？ 小规模集成（SSI）→中规模集成（MSI）→大规模集成（LSI）→超大规模集成电路(VLSI) →特大规模集成电路(ULSI) → GSI(巨大规模集成) →SoC(系统芯片)。 摩尔定律：集成电路芯片的集成度每三年提高4倍，而加工特征尺寸缩小根号2倍。 5.IC（集成电路）、VLSI(超大规模集成电路）、ULSI(特大规模集成电路） 6.高K介质： 问题：90 nm工艺之前，晶体管之间的电流泄露问题并不是很严重，因为晶体管之间有较长的间距。但随着特征尺寸减小，不同晶体管间距变得很短，电流泄露现象变得异常严重，为了抵消泄露电流，芯片不得不要求更大的供电量，造成的直接后果就是芯片功耗增加。无论英特尔还是AMD（超微半导体），90纳米工艺制造的产品都没有在功耗方面表现出应有的优势，而按照惯例，每次新工艺都会让同型芯片的功耗降低30%左右。 解决：采用高K值的氧化物材料来制造晶体管的栅极，英特尔称之为“高K门电介 总结范本：_________ xx工艺员年终工作总结 姓名：______________________ 单位：______________________ 日期：______年_____月_____日 第1 页共7 页 xx工艺员年终工作总结 xx年在紧紧围绕公司“节能减排”的工作战略方针、精神为指引，结合车间工作思路开展工作，狠抓质量各项治理，落实目标治理责任，推行质量绩效考核，较好的完成了上半年产品质量各项工作任务。回顾作为工艺员的我，主要工作如下： 一、狠抓思想教育，提高节能减排意识。 节能减排是各级确定的全年工作重点,按照车间“我为节能减排做贡献”的思想，作为车间工艺执行的直接监管者，认真学习了公司、车间的节能减排的工作思路，针对职工对节能减排认识不足的现状。一我充分利用班前会进行节能减排思想的教育贯彻，不间断的向全体职工灌输节能减排的思想意识。二利用车间板报定期进行节能减排内容的主题宣传，为职工营造工作氛围。三积极撰写工作体会，参与公司内刊的组稿。通过不懈的努力取得了较好的效果。同时针对节能减排考核的要求制订了具体的考核标准，并通过班前班后会和专题会讨论宣传节能减排考核的基本思想、运作模式及其作用意义等。将节能减排考核的先进治理思想和企业文化“5s精神”联系在一起，使节能减排考核的治理思想与企业文化、工作文化一道深入人心。员工节能减排意识发生了彻底的转变，由过去的要我做变成了我要做，员工的积极性、主动性、规范性进一步加强，生产收率、工艺质量进一步提高。 二、以质量为核心，集中精力抓好产品质量工作。 工艺员的职责就是抓好车间员工工艺执行情况，对于违反工艺操作的行为进行制止，并带领大家完成公司、车间下达的质量生产任务。所以，1、我时刻认真监督员工操作情况。在工作中对员工制定规范、严 第 2 页共 7 页 超大规模集成电路及其生产工艺流程 现今世界上超大规模集成电路厂（Integrated Circuit, 简称IC，台湾称之为晶圆厂）主要集中分布于美国、日本、西欧、新加坡及台湾等少数发达国家和地区，其中台湾地区占有举足轻重的地位。但由于近年来台湾地区历经地震、金融危机、政府更迭等一系列事件影响，使得本来就存在资源匮乏、市场狭小、人心浮动的台湾岛更加动荡不安，于是就引发了一场晶圆厂外迁的风潮。而具有幅员辽阔、资源充足、巨大潜在市场、充沛的人力资源供给等方面优势的祖国大陆当然顺理成章地成为了其首选的迁往地。 晶圆厂所生产的产品实际上包括两大部分：晶圆切片（也简称为晶圆）和超大规模集成电路芯片（可简称为芯片）。前者只是一片像镜子一样的光滑圆形薄片，从严格的意义上来讲，并没有什么实际应用价值，只不过是供其后芯片生产工序深加工的原材料。而后者才是直接应用在应在计算机、电子、通讯等许多行业上的最终产品，它可以包括CPU、内存单元和其它各种专业应用芯片。 一、晶圆 所谓晶圆实际上就是我国以往习惯上所称的单晶硅，在六、七十年代我国就已研制出了单晶硅，并被列为当年的十天新闻之一。但由于其后续的集成电路制造工序繁多（从原料开始融炼到最终产品包装大约需400多道工序）、工艺复杂且技术难度非常高，以后多年我国一直末能完全掌握其一系列关键技术。所以至今仅能很小规模地生产其部分产品，不能形成规模经济生产，在质量和数量上与一些已形成完整晶圆制造业的发达国家和地区相比存在着巨大的差距。 二、晶圆的生产工艺流程： 从大的方面来讲，晶圆生产包括晶棒制造和晶片制造两面大步骤，它又可细分为以下几道主要工序（其中晶棒制造只包括下面的第一道工序，其余的全部属晶片制造，所以有时又统称它们为晶柱切片后处理工序）： 多晶硅——单晶硅——晶棒成长——晶棒裁切与检测——外径研磨——切片——圆边——表层研磨——蚀刻——去疵——抛光—（外延——蚀刻——去疵）—清洗——检验——包装 1、晶棒成长工序：它又可细分为： 1）、融化（Melt Down）：将块状的高纯度多晶硅置石英坩锅内，加热到其熔点1420℃以上，使其完全融化。2）、颈部成长（Neck Growth）：待硅融浆的温度稳定之后，将，〈1.0.0〉方向的晶种慢慢插入其中，接着将晶种慢慢往上提升，使其直径缩小到一定尺寸（一般约6mm左右），维持此真径并拉长100---200mm，以消除晶种内的晶粒排列取向差异。 3）、晶冠成长（Crown Growth）：颈部成长完成后，慢慢降低提升速度和温度，使颈直径逐渐加响应到所需尺寸（如5、6、8、12时等）。 4）、晶体成长（Body Growth）：不断调整提升速度和融炼温度，维持固定的晶棒直径，只到晶棒长度达到预定值。 5、）尾部成长（Tail Growth）：当晶棒长度达到预定值后再逐渐加快提升速度并提高融炼温度，使晶棒直径逐渐变小，以避免因热应力造成排差和滑移等现象产生，最终使晶棒与液面完全分离。到此即得到一根完整的晶棒。 2、晶棒裁切与检测（Cutting & Inspection）：将长成的晶棒去掉直径偏小的头、尾部分，并对尺寸进行检测，以决定下步加工的工艺参数。 3、外径研磨（Surface Grinding & Shaping）：由于在晶棒成长过程中，其外径尺寸和圆度均有一定偏差，其外园柱面也凹凸不平，所以必须对外径进行修整、研磨，使其尺寸、形状误差均小于允许偏差。 4、切片（Wire Saw Slicing）：由于硅的硬度非常大，所以在本序里，采用环状、其内径边缘嵌有钻石颗粒的薄锯片将晶棒切割成一片片薄片。 5、圆边（Edge profiling）：由于刚切下来的晶片外边缘很锋利，单晶硅又是脆性材料，为避免边角崩裂影响晶片强度、破坏晶片表面光洁和对后工序带来污染颗粒，必须用专用的电脑控制设备自动修整晶片边缘形状和外径尺寸。 6、研磨（Lapping）：研磨的目的在于去掉切割时在晶片表面产生的锯痕和破损，使晶片表面达到所要求的光洁度。2020年工艺员个人年终工作总结
集成电路版图复习课答案总结
工艺员转正个人工作总结
集成电路制造工艺流程之详细解答
数字集成电路设计_笔记归纳..
工艺员年终工作总结
集成电路分析期末复习总结要点
工艺员年终总结
集成电路制造工艺流程
Layout(集成电路版图)注意事项及技巧总结
车间工艺员个人工作总结范文
(工艺技术)集成电路的基本制造工艺
工艺员个人工作计划小结(精选多篇)
CMOS集成电路制造工艺流程
郑州大学半导体集成电路复习总结
xx工艺员年终工作总结
超大规模集成电路及其生产工艺流程