IGBT无损缓冲吸收电路设计
IGBT特性研究及驱动缓冲电路设计——毕业论文
武汉理工大学本科生毕业设计(论文)任务书学生姓名专业班级自动化指导教师工作单位自动化学院设计(论文)题目: IGBT特性研究及驱动、缓冲电路设计设计（论文）主要内容：了解和熟悉目前国内外IGBT产品现状和技术现状，分析IGBT结构、工作原理以及工作特性。
研究和设计多种IGBT驱动电路、保护电路，并对比分析。
针对具体一款IGBT FF600R06ME3设计其驱动电路及缓冲电路。
要求完成的主要任务:1．了解研究IGBT的目的以及意义，产品和技术的发展现状；2．IGBT驱动电路的设计；3．IGBT保护、缓冲电路的设计；4. 针对FF600R06ME3 IGBT设计其驱动电路，要求正向开通电压15V，反向截止电压-15V，工作频率≤20K，可驱动IGBT承受导通电流600A，耐压600V。
5．撰写毕业设计论文，字数不低于15000左右；6．完成外文文献翻译2万字符（其中汉字5000字）。
必读参考资料：[1] 王兆安.电力电子技术[m].北京:机械工业出版社,2008.[2] 周志敏.IGBT和IPM及其应用电路[m].北京:人民邮电出版社,2006.[3] 王飞军.IGBT关断特性分析及设计优化问题[D].浙江大学微电子与半导体系,1990.[4] 陈去非.绝缘栅双极晶体管（IGBT）的研究—静态、动态和终端模型及优化设计[D].浙江大学:电力电子技术,1993.[5] 李岳生.IGBT开关磁阻电动机调速系统研究[D].上海工业大学:工业自动化,1994.指导教师签名：系主任签名：院长签名(章)：武汉理工大学本科生毕业设计（论文）开题报告目录1．了解研究IGBT的目的以及意义，产品和技术的发展现状； (I)摘要 (1)ABSTRACT (2)1 绪论 (1)引言 (1)课题研究意义 (2)研究现状 (3)1.3.1 产品现状 (3)1.3.2 技术现状 (4)主要研究内容 (5)2 IGBT工作原理及特性研究 (6)IGBT的定义 (6)IGBT的结构和工作原理 (7)2.2.1 IGBT的结构 (7)2.2.2 IGBT的工作原理 (7)IGBT工作特性 (9)2.3.1 静态特性 (9)2.3.2 动态特性 (10)2.3.3 IGBT的开通与关断 (11)3 IGBT驱动及缓冲 (12)IGBT驱动电路的选择 (12)门极驱动的要求及电路设计 (14)3.2.1 栅极驱动电压 (14)3.2.2 对电源的要求 (14)3.2.3 对驱动波形的要求 (15)3.2.4 对驱动功率的要求 (15)3.2.5 栅极电阻 (15)3.2.6 栅极布线要求 (15)3.2.7 隔离问题 (16)典型的门极驱动电路介绍 (16)3.3.1 脉冲变压器驱动电路 (16)3.3.2 光耦隔离驱动电路 (17)3.3.3 驱动模块构成的驱动电路 (17)大功率IGBT驱动保护电路的分类 (18)3.4.1 单一功能型 (19)3.4.2 多功能型 (19)3.4.3 全功能型 (21)大功率IGBT驱动保护电路的功能 (22)3.5.1 隔离功能 (23)3.5.2 死区隔离功能 (23)3.5.3 驱动功率的缓冲功能 (24)针对FF600R06ME3这款IGBT设计的驱动电路 (24)4 IGBT保护电路的设计 (26)IGBT栅极的保护 (26)集电极与发射极间的过压保护 (26)4.2.1 直流过电压 (27)4.2.2 浪涌电压的保护 (27)集电极电流过流保护 (28)过热保护 (29)5 全文总结及展望 (30)致谢 (31)参考文献 (32)摘要全文首先对IGBT的产生和发展过程做了一个大致的介绍，重点突出了IGBT 发展的路线，智能化、模块化成为IGBT发展热点。
IGBT缓冲电容及电路
IGBT缓冲电容及电路1 引言众所周知，在电力电子功率器件的应用电路中，无一例外地都要设置缓冲电路，即吸收电路。
因为全控制器件在电路工作时莫名其妙损坏的原因虽然很多，但缓冲电路和缓冲电容选择不当是不可忽略的重要原因所在。
2 缓冲原理电路中器件的损坏，一般都是在器件在开关过程中遭受了过大的di/dt,dv/dt或瞬时功耗的冲击而造成的。
缓冲电路的作用就是改变器件的开关轨迹，控制各种瞬态时的过电压，以降低器件开关损耗来确保器件的安全。
图所示为GTR在驱动感性负载时的开关波形。
不难看出，在开通和送断过程中的某一时刻，GTR集电极电压Uc和集电极电流ic将同时达到最大值，此时瞬时功耗也最大。
加入缓冲电路可将这一开关功耗转移到相关的电阻上消耗掉，从而达到保证器件安全运行的目的。
通用的IGBT缓冲电路有如下图所示的三种形式。
其中，图（a）为单只低电感吸收电容构成的缓冲电路，适用于小功率IGBT 模块，用来对瞬变电压有效时的低成本控制，使用时一般将其接在C1和E2之间（两单元模块）或P和N之间（六单元模块）。
图4(b)为RCD构成的缓冲电路，适用于较小功率的IGBT模块，缓冲二极管D可箝住瞬变电压，以抑制由于母线寄存电感引起的寄存振荡。
其RC时间常数应设计为开关周期的1/3，即τ=T/3=1/3f。
图4（c）为P型RCD和N 型RCD构成的缓冲电路，适用于大功率IGBT模块，其功能类似于图4（b）缓冲电路，但其回路电感更小。
若同时配合使用图4(a)缓冲电路，则可减小缓冲二极管的应力，从而使缓冲效果达到最佳。
IGBT采用缓冲电路后的典型关断电压波形如图5所示。
图中，VCE起始部分的毛刺ΔV1是由缓冲电路的寄存电感和缓冲二极管的恢复过程引起的。
其值由下式计算：ΔV1=Lsdi/dtXK推出新款高性能镀金属聚丙烯膜缓冲电容器---XK Roederstein MMKP81，该器件可直接安装在绝缘栅双极型晶体管（IGBT）模块上，容量从0.047μF到10μF，可在+105℃高温下工作，有700VDC～2500VDC和420VAC～800VAC共7个电压等级。
双IGBT缓冲吸收电路研究
双IGBT缓冲吸收电路研究叶敏1，曹秉刚2（1长安大学道路施工技术与装备教育部重点实验室，西安7100642．西安交通大学机械工程学院，西安710049）摘要：为提高电动汽车双向功率变换器的工作效率和使用寿命，提出双IGBT缓冲吸收电路。
针对双RCD 型缓冲吸收电路，详述了IGBT关断过程C-E端过电压产生的原因，给出了电路缓冲电容和电阻的确定方法，讨论了不同门极驱动电阻下电路的缓冲吸收效果，通过计算和实验调整确定了电路相关元件参数，指出了ICBT温升设计及其安装的注意事项。
实验研究结果表明，双RCD型缓冲吸收电路可显著降低IGBT 关断过电压，具有良好的缓冲吸收效果，可保证其安全性、可靠性和稳定性。
关键词：双IGBT；缓冲吸收；无感电容；温升中图分类号：TP71 文献标志码：A 文章编号：1001-6848(2010)07-0040-040引言绝缘栅双极型晶体管(IGBT)是由双极型三极管(BJT)和绝缘栅型场效应管(MOSFET)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有高输入阻抗和低导通压降两方面的优点。
非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动电动汽车等领域。
IGBT的驱动电路是电力电子主电路与控制电路之间的接口。
驱动电路的基本任务，就是将控制电路传来的信号按照控制目标的要求，转换为加在IG-BT控制端和公共端之间，可以使其开通或关断的信号。
采用性能良好的驱动电路，可使IGBT工作在较理想的开关状态，缩小开关时间，减小开关损耗，对装置的运行效率、可靠性和安全性都有重要的意义。
本文针对电动汽车双向功率变换器，详述了双IGBT缓冲吸收电路的工作原理及其设计方法。
1 缓冲吸收电路结构及其工作原理1.1电气主回路要实现电动汽车的能量回收，必须采用双向功率变换器，其电气主电路主要利用降压和升压斩波原理进行设计。
图1为由双IGBT组成的电动汽车双向功率变换器电气主回路。
igbt的吸收电路原理
igbt的吸收电路原理
IGBT，即绝缘栅双极型晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor），是一种高压、高电流的功率开关器件。
它由一NPN型双极型晶体管和一个PN电势结(Field Stop)，以及一个
控制电压的绝缘栅电极(Gate)组成。
IGBT的吸收电路是用来
保护IGBT器件的重要部分，其作用是提供对于IGBT所产生
的高能电磁脉冲的吸收和消除。
吸收电路一般由两个主要部分组成：吸收二极管和电容器。
吸收二极管连接在IGBT的集电极(Drain)和源极(Source)之间，
其反向工作，可以使IGBT器件在关断状态下，吸收从电感中
储存的能量，并提供一条并行的电流路径。
这样可以防止能量的反向流动，有效地减小了管芯中的电压幅值。
吸收二极管在IGBT的关断过程中起到了决定性的作用。
另外，吸收电路中还包括一个电容器，用来吸收由IGBT快速
关断产生的高能电磁脉冲。
当IGBT关断时，由于晶体管的速
度很快，会产生一个高电压的尖峰脉冲。
这个尖峰脉冲会产生电磁干扰，对其他周围的电子设备产生不利影响，甚至会对IGBT器件本身造成损害。
因此，通过连接一个电容器来吸收
这个高能电磁脉冲，将其能量储存起来，保护IGBT器件。
总结起来，IGBT的吸收电路主要由吸收二极管和电容器组成。
吸收二极管可以吸收并消除关断过程中产生的高能电磁脉冲，而电容器用来吸收由IGBT快速关断产生的电磁脉冲，保护IGBT器件和其他电子设备。
这种吸收电路设计可以提高
IGBT的可靠性和稳定性，同时保证其正常工作。
IGBT保护电路设计[方案]
![IGBT保护电路设计[方案]](https://img.taocdn.com/s3/m/429c27c432d4b14e852458fb770bf78a65293a7a.png)
关于IGBT保护电路设计必知问题绝缘栅双极晶体管（Insulated Gate Bipolar Tramistor，IGBT）是MOSFET与GTR的复合器件，因此，它既具有MOSFET的工作速度快、开关频率高、输入阻抗高、驱动电路简单、热温度性好的优点，又包含了GTR的载流量大、阻断电压高等多项优点．是取代GTR的理想开关器件。
IGBT目前被广泛使用的具有自关断能力的器件，广泛应用于各类固态电源中。
IGBT的工作状态直接影响整机的性能，所以合理的驱动电路对整机显得很重要，但是如果控制不当，它很容易损坏，其中一种就是发生过流而使IGBT损坏，本文主要研究了IGBT 的驱动和短路保护问题，就其工作原理进行分析，设计出具有过流保护功能的驱动电路，并进行了仿真研究。
二IGBT的驱动要求和过流保护分析1 IGBT的驱动IGBT是电压型控制器件，为了能使IGBT安全可靠地开通和关断．其驱动电路必须满足以下的条件：IGBT的栅电容比VMOSFET大得多，所以要提高其开关速度，就要有合适的门极正反向偏置电压和门极串联电阻。
（1）门极电压任何情况下，开通状态的栅极驱动电压都不能超过参数表给出的限定值（一般为20v），最佳门极正向偏置电压为15v土10％。
这个值足够令IGBT饱和导通；使导通损耗减至最小。
虽然门极电压为零就可使IGBT处于截止状态，但是为了减小关断时间，提高IGBT的耐压、dv／dt耐量和抗干扰能力，一般在使IGBT处于阻断状态时．可在门极与源极之间加一个-5~-15v的反向电压。
（2）门极串联电阻心选择合适的门极串联电阻Rg对IGBT的驱动相当重要，Rg对开关损耗的影响见图1。
图1 Rg对开关损耗的影响IGBT的输入阻抗高压达109~1011，静态时不需要直流电流．只需要对输入电容进行充放电的动态电流。
其直流增益可达108~109，几乎不消耗功率。
为了改善控制脉冲的前后沿陡度和防止振荡，减少IGBT集电极大的电压尖脉冲，需在栅极串联电阻Rg，当Rg 增大时，会使IGBT的通断时间延长，能耗增加；而减少RF又会使di／dt增高，可能损坏IGBT。
基于Saber的IGBT逆变桥无损缓冲电路的仿真分析
基于Saber的IGBT逆变桥无损缓冲电路的仿真分析作者：杨淼来源：《中国新通信》2015年第02期【摘要】 IGBT（绝缘栅双极型晶体管）缓冲电路对抑制IGBT开关过程中产生的尖峰电压具有重要作用。
本文通过分析无损缓冲电路的原理及特点，结合原有RCD缓冲电路，探索研究了一种新的适用于IGBT逆变桥的无损缓冲电路，并采用Saber软件对两种电路进行了仿真分析，对比比较了两种缓冲吸收电路的优缺点。
仿真结果验证了新无损缓冲电路抑制IGBT 关断过电压的可靠性。
【关键词】 Saber IGBT逆变桥缓冲电路 RCD一、引言IGBT作为电力电子变换技术的重要器件，其工作频率经常高达20kHz～50kHz，即使大容量应用一般也在5kHz，因此很小的电路电感就可能引起很大的Ldi/dt，从而产生过电压危及IGBT的安全，故IGBT缓冲电路的功能在于对开关过程中过电压的吸收和抑制[1]。
传统RCD 缓冲电路中，由于使用电阻来为缓冲电容提供放电通路，消耗了部分能量，降低了电路的效率，且发热量大，因此研究一个实用的适用于桥式逆变器的无损缓冲电路对于电力电子技术的发展和我国各行各业的生产、节能、环保等方面都很有意义[2]。
二、无损缓冲电路的原理及设计一般无源无损缓冲电路有以下两个共同点：1、需要有缓冲吸收元件，用来控制开关器件的瞬变电流和瞬变电压，实现开关的零电流开通和零电压关断，故一般都串联一个开通缓冲电感和并联一个关断缓冲电容。
2、需要有缓冲吸收元件无损释放所吸收能量的辅助电路，或是转移其吸收能量的其他储能元件及其无损回馈电能的辅助电路[3，4]。
图1 传统钳位式RCD缓冲电路图2 钳位式无损缓冲电路图1是传统钳位式RCD缓冲电路。
该电路将电容上过冲能量部分送回电源，因此损耗较小，被认为是适合大功率IGBT的缓冲电路[5，6]。
一般无损吸收电容能量的恢复大多需要电感作为能量转移的中间环节，结合图1 RCD 缓冲电路中电容能量的转移路径，本文考虑用电感元件替代RCD电路中的电阻元件，并且为了避免振荡，串联一个导流二极管。
几种常用IGBT单体缓冲吸收电路的原理
几种常用IGBT单体缓冲吸收电路的原理
RS单体吸收电路
（1）抑制关断浪涌电压效果好
（2）最适用于斩波器
（3）IGBT容量较大时，R1，R2阻值选取小，开通时增加了IGBT集电极的容性开通电流，损耗增加，IGBT的功能受到限制。
充电RCD单体吸收电路
（1）可抑制关断浪涌电压
（2）充放电型RCD缓冲电路由于增加了二极管V DS，可使R3、R4增大，避免了IGBT功能受限制
（3）缓冲电路的损耗相当大
（4）因损耗大而不适用于高频开关用途
放电阻止型单体吸收电路
（1）具有较好抑制关断浪涌电压效果（2）缓冲电路产生的损耗小
（3）最适合于高频开关用途
C整体吸收电路
（1）线路最简单
（2）利用C7旁路浪涌尖峰电压
（3）C7取值不当，易与主回路电感LS构成谐振而产生振荡
（4）C7的取值根据能量守恒原理可求取
RCD整体吸收电路
（1）线路相当简单
（2）适用于各种逆变器
（3）VDS要示正向恢复电压VFM小，反向恢复时间短，软恢复的二极管，以降低Vcep值。
关断损耗，避免引起振荡。
大功率IGBT模块并联特性及缓冲电路研究
大功率IGBT模块并联特性及缓冲电路研究1. 本文概述随着现代电力电子技术的快速发展，大功率绝缘栅双极晶体管（IGBT）模块在电力系统、工业控制、新能源等领域中发挥着越来越重要的作用。
特别是在高电压、大电流的应用场合，单个IGBT模块往往难以满足系统的功率需求，将多个IGBT模块并联使用成为了一种常见的解决方案。
IGBT模块在并联运行时会出现诸如均压均流问题、热平衡问题以及开关特性不一致等问题，这些问题不仅影响系统的稳定性和可靠性，还可能缩短模块的寿命。
本文针对大功率IGBT模块并联运行时的特性和问题展开研究，重点分析并联模块之间的电压和电流分配不均的机理，以及由此引发的热平衡问题和开关特性不一致现象。
进一步地，本文将探讨缓冲电路的设计和优化，以解决并联运行中的这些问题。
缓冲电路能够有效地抑制电压和电流的峰值，降低开关过程中的损耗，从而提高系统的效率和可靠性。
本文将通过理论分析和仿真验证，提出一种适用于大功率IGBT模块并联运行的缓冲电路设计方案，并对该设计方案的性能进行评估。
本文的结构安排如下：介绍IGBT模块的基本原理和工作特性，以及并联运行时的问题和挑战分析并联模块间电压和电流分配不均的机理，以及热平衡问题和开关特性不一致现象的产生原因接着，详细阐述缓冲电路的设计原理和优化方法通过仿真实验验证所提出缓冲电路设计方案的有效性和可行性总结全文并提出进一步的研究方向。
2. 模块基础理论绝缘栅双极晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT）是一种高压、大电流的功率半导体器件，广泛应用于电力电子装置中。
IGBT模块的工作原理涉及三个基本过程：导通、截止和开关。
在导通状态下，IGBT作为一个功率开关，允许电流流过而在截止状态下，则阻止电流流过。
IGBT的开关速度和效率是其关键性能指标。
当IGBT模块并联使用时，可以实现更高的功率输出。
模块间的并联特性对整体性能有显著影响。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
IGBT无损缓冲吸收电路设计
1 IGBT无损吸收网络
工作在硬开关方式下的IGBT，若不断地提高其工作频率会引起以下问题。
1）开关损耗大。
开通时，开关器件的电流上升和电压下降同时进行；关断时，电压上升
和电流下降同时进行。
电压、电流波形的交叠产生了开关损耗，该损耗随开关频率的提高
而急速增加。
2）感性关断电压尖峰大。
当器件关断时，电路中的感性元件感应出尖峰电压。
开关频率
愈高，关断愈快，该感应电压愈高。
此电压加在开关器件两端，易造成IGBT模块击穿。
3）容性开通电流尖峰大。
当开关器件在很高的电压下开通时，储存在开关器件结电容中
的能量将以电流形式全部耗散在该器件内。
频率愈高，开通电流尖峰愈大，从而会引起IGBT器件过热损坏。
另外，二极管由导通变为截止时存在着反向恢复期，开关管在此期间的开通动作易产生很大的冲击电流。
频率愈高，该冲击电流愈大，对器件的安全运行造成
危害。
4）电磁干扰严重。
随着频率提高，电路中的di/dt和du/dt增大，从而使电磁干扰增大，影响变换器和周围电子设备的工作。
上述问题严重妨碍了开关器件工作频率的提高，降低变换器的效率，并危及开关器件的安
全可靠工作。
近年来开展的软开关技术研究为克服上述缺陷提供了一条有效途径。
软开关
工方式与硬开关工作方式不同，理想的零电流软关断过程是电流先降到零，电压再缓慢上
升到断态值，所以关断损耗近似为零。
由于器件关断前电流已下降到零，解决了感性关断
问题。
理想的零电压软开通过程是电压先降到零后，电流再缓慢上升到通态值，所以开通
损耗近似为零，器件结电容上的电压亦为零，解决了容性开通问题。
同时，开通时二极管
反向恢复过程已经结束，因此二极管反向恢复问题亦不存往。
di/dt和du/dt的降低使得EMI问题得以解决。
软开关技术实际上是利用电容与电感缓冲吸收原理，使开关器件中电流（或电压）按正弦
或准正弦规律变化。
当电流过零时，使器件关断；当电压过零时，使器件开通-实现开关损耗为零。
软开关技术在改善功率开关器件工作状态方面效果明显，使电力变换器的高频化成为可能，提高了功率器件工作的可靠性和安全性，实现了开关器件的软开关，使开关器件的电压、
电流应力减小，在减小电力变换器的体积、重量以及降低电磁干扰方面效果明显。
1．缓冲吸收原理
缓冲电路（阻容吸收电路）主要用于抑制模块内部的IGBT单元的过电压和du/dt或者过
电流和di/dt，同时减小IGRT的开关损耗。
由于缓冲电路所需的电阻、电容的功率、体积都较大，所以在IGBT模块内部并没有专门集成这部分电路，因此，在实际的系统中设有
缓冲电路，通过电容可把过电压的电磁能量变成静电能量储存起来，电阻可防止电容与电
感产生谐振。
如果没有缓冲电路，器件在开通时电流会迅速上升，di/dt也很大，关断时
du/dt很大，并会出现很高的过电压，极易造成IGBT器件损坏。
有源缓冲电路通过增添辅助开关以减少开关损耗，但这也增加了主电路和控制电路的复杂
程度，从而降低了性价比，也降抵了可靠性。
RCVD缓冲电路虽然结构最简单，价格最便宜，但由于电阻消耗了能量，效率较低，在各种软开关技术中性能最差。
而谐振变换器虽
然实现了ZVS或ZCS，减少了开关损耗，但谐振能量必须足够大，才能创造ZVS或ZCS
条件，而且谐振电路中循环电流较大，还必须在特定的软开关控制器的控制信号下工作，
增加了通态损耗和成本，降低了可靠性。
与这三种方法不同，无源无损缓冲电路既不使用
有源器单，效率与有源缓冲电路、谐振变换器一样高，电磁干扰小、造价低、性能好、可
靠性高，因而获得了广泛的应用。
无源无损缓冲电路虽然无法像有源软开关方案那样，在超前或滞后主开关的控制时序下吸
收能量或供给能量，以创造出真正的ZVS或ZCS条件，但它通过将开关期间的电压与电
流波形错开，使二者的重叠面积最小，可以显著降低开关损耗。
虽然开关器件内寄生结电
容的放电损耗无法被无源无损缓冲电路所消除，但此种损耗较其他开关损耗低得多，对于
提高整体效率影响较小。
无源无损缓冲电路和其他软开关方案相比，没有增加额外的辅助
有源器件损耗，因此，在同样的开关损耗功率降低的情况下，无源无损缓冲电路可以获得
更高的效率提高。
所以，无源无损缓冲电路被广泛地应用于PWM变换器中。
无损吸收网络能够把从输入或输出电路中吸收的能量进行再利用，能量传输的方式多是反
馈给电源或负载，或是在吸收网络内部循环。
下图所示的无损吸收网络包括CDE电容模块、二极管VD3以及电感L1，其中电容模块内封装两单元无感突波缓冲电容C1、C2与超快
恢复缓冲二极管VD1、VD2。
IGBT关断时电路开始工作，负载电流经二极管VD1向缓冲电容C2充电，电容C1（导通期间已充电至U）经VD3放电，能量反馈给负载，并提供负载电流的续流通路，IGBT集
电极电流逐渐减小。
当C2充电到U，C1放电到零时，VD3关断，感性负载中的电流流过
主续流二极管VD4。
由于电容C2两端电压不能瞬态突变，所以有效地限制了IGBT集电
极电压上升率du/dt，降低了IGBT的电压应力，同时集电极电流转移到了缓冲电路，从
而降低了关断功耗。
IGBT开通时，二极管VD1、VD3关断，C2、L1、C1组成谐振电路，U施加到吸收网络
电感L1的两端，电流从C2通过L1和VD2绐C1充电。
当C2放电到零时，C1充电到U，电感L1中的电流为零，串联的二极管VD2截止，谐振结束，C1储存能量，为IGBT关断作准备。
在这一开通期间，由于负载电感L、集电板母线电感、各种杂散电感以及L1对集电极电流的限流作用，有效地限制了IGBT集电极电流七升率di/dt，降低IGBT的电流应力，同样也降低了开通功耗。
这样，缓冲电路不仅降低了器件的开关损耗，而且降低了器
件所承受的电压、电流应力。
2．拓扑分类
在过去的几十年里，出现了许多不同的无源无损缓冲电路的拓扑结构，它们可以用一套属
性来描述。
为此，可划分为两类：一类是最小电压应力单元(MVS)，如下图(a)、(b)所示；另一类是非最小电压应力单元(Non-MVS)，如图 (c)、(d)、(e)、(f)所示。
最小电压应力单元仅使用一个电感和电容值较小的电容就能使主开关管电压应力最小，但实现软开关的范
围不大；非最小电压应力单元增加了一个电感，同时也增加了主开关管的电压应力，但与
最小电压应力单元相比，在同样的电感和电容下，其软开关范围较大，而且在小功率情况
下具有较高的效率。
深圳德意志工业的分享!。