Pspice仿真常用变压器模型
基于PSpice的升压型开关稳压电源设计和仿真
基于PSpice的升压型开关稳压电源设计与仿真20世纪50年代，美国宇航局以小型化、重量轻为目标，为搭载火箭开发了开关电源。
在半个多世纪的发展过程中，开关电源因具有体积小、重量轻、效率高、发热量低、性能稳定等优点而逐渐取代由传统技术设计制造的连续工作的线性电源，并广泛用于电子、电气设备中。
20世纪80年代，计算机全面实现了开关电源化，率先完成了计算机的电源换代。
20世纪90年代，开关电源在电子、电气设备以及家电领域得到了广泛的应用，开关电源技术进入快速发展期。
Cadence旗下的PSpice是一款电路仿真软件，能够对复杂的模数混合电路进行仿真，而且开关电源也不例外。
1升压变换器拓扑结构升压变换器属于间接能量传输变换器。
供电过程包含能量的存储和释放两方面。
如图1所示，Vclock是脉冲信号源，提供PWM电压，用以功率开关S1的导通与截止。
Rsense为电流取样电阻，Resr为电容的等效串联电阻。
在开关S1导通期间，二极管D1截止，电感储存能量，输出电容单独为负载提供电能。
在开关S1断开期间，二极管D1导通，储存了能量的电感与输入电源串联，为输出提供电能，其中一部分转移到电容C1里。
1.1工作于CCM条件下的升压变换器波形对图1所示电路，借助PSpice进行仿真，获得如图2所示的波形图。
这是典型的电感电流连续导通模式（CCM）。
图1基础升压变压器结构电路图2工作于CCM条件下的Boost变换器波形曲线①代表PWM波形，用于触发功率开关导通或断开。
当开关S1导通时，公共点SW/D电压几乎降到0.相反，当开关S1断开时，公共点SW/D电压增加为输出电压和二极管的正向压降之和，如曲线②所示。
曲线③描述了电感两端电压的变化。
高电平期间，电感左侧电压为Vin,右侧几乎为0,对应功率开关导通；而低电平期间，电感左侧电压仍为Vin,而右侧突变为Vout,因为功率开关截止，同时二极管导通，此时对应电感电压为负值，这就意味着输出电压大于输入电压。
变压器的参数和数学模型
第二节变压器的参数和数学模型⏹双绕组变压器的参数和数学模型⏹三绕组变压器的参数和数学模型⏹自耦变压器的参数和数学模型一.双绕组变压器的参数和数学模型⏹阻抗⏹电阻变压器的电阻是通过变压器的短路损耗，其近似等于额定总铜耗。
我们通过如下公式来求解变压器电阻：（MV A）Rt—电阻（欧）•电抗在电力系统计算中认为，大容量变压器的电抗和阻抗在数值上接近相等，可近似如下求解：Uk —阻抗电压（%），Un —额定电压（kV ），Sn —额定容量（MV A ） Xt —电抗⏹导纳⏹电导 变压器电导对应的是变压器的铁耗，近似等于变压器的空载损耗，因此变压器的电导可如下求解：⏹电纳在变压器中，流经电纳的电流和空载电流在数值上接近相等，其求解如下：二.三绕组变压器的参数和数学模型⏹按三个绕组容量比的不同有三种不同的类型：100/100/100、100/50/100、100/100/50⏹按三个绕组排列方式的不同有两种不同的结构：升压结构：中压内，低压中，高压外降压结构：低压内，中压中，高压外•电阻由于容量的不同，对所提供的短路损耗要做些处理 ⏹⏹对于100/50/100或100/100/50首先，将含有不同容量绕组的短路损耗数据归算为额定电流下的值。
例如：对于100/50/100然后，按照100/100/100计算电阻的公式计算各绕组电阻。
2. 电抗⏹根据变压器排列不同，对所提供的短路电压做些处理：一般来说，所提供的短路电压百分比都是经过归算的三.自耦变压器的参数和数学模型就端点条件而言，自耦变压器可完全等值于普通变压器，但由于三绕组自耦变压器第三绕组的容量总小于变压器的额定容量，因此需要进行归算。
❖对于旧标准：❖对于新标准，也是按最大短路损耗和经过归算的短路电压百分比值进行计算。
第二章 电力系统各元件的特性和数学模型一．电力线路的参数和数学模型二．负荷的参数和数学模型第三节 电力线路的参数和数学模型⏹电力线路结构简述电力线路按结构可分为架空线：导线、避雷线、杆塔、绝缘子和金具等电缆：导线、绝缘层、保护层等架空线路的导线和避雷线导线：主要由铝、钢、铜等材料制成避雷线：一般用钢线1. 架空线路的导线和避雷线❖认识架空线路的标号×××××—×/×钢线部分额定截面积主要载流部分额定截面积J 表示加强型，Q表示轻型J 表示多股线表示材料，其中：L表示铝、G表示钢、T表示铜、HL表示铝合金例如：LGJ—400/50表示载流额定截面积为400、钢线额定截面积为50的普通钢芯铝线。
PSCAD中的变压器模型
1.Introduction to Transformers（引言）EMTDC中使用变压器有两种方法：经典方法和统一的磁等效电路（unified magnetic equivalent circuit (UMEC)）方法。
经典方法用来模拟同一变压器铁芯上的绕组。
也就是说，每一相都是独立的，各单相变压器之间没有相互作用。
而UMEC方法计及了相间的相互作用：由此，可以对3相3臂或3相5臂式变压器构造进行精确的模拟。
每一模型中，铁芯的非线性特征是最基本的不同。
经典模型中的铁芯饱和是通过对选定绕组使用补偿注入电流实现的。
UMEC方法采用完全插值，采用分断线性化的ϕ-I曲线来表征饱和特性。
2.Transformer Models Overview（变压器模型概述）对电力系统进行电磁暂态分析过程中必然会出现变压器。
PSCAD中有两种方法对变压器进行模拟：经典方法和UMEC方法。
经典方法仅限于单相设备，其中不同的绕组处于同一铁芯腿上。
而UMEC方法，考虑到来铁芯的几何外形和相间的相互耦合因素。
除了以上的显著区别外，两种变压器模型之间最基本的区别是对铁芯非线性特性的描述。
在经典模型中，非线性特性采用近似地基于“拐点”、“空心电抗”和额定电压的磁化电流曲线进行模拟。
而UMEC模型则直接采用V-I曲线进行模拟。
与经典模型不同，UMEC模型没有配置在线分接头调整功能。
但是，可以在指定绕组上设置分接头，不过分接头在仿真过程中不能动态调整。
3.1-Phase Auto Transformer（单相自耦变压器）此组件基于经典方法模拟了单相自耦变压器。
用户可以选择采用磁化支路（线性铁芯）或注入电流模拟磁化特性。
理想情况下，可以忽略磁化支路，变压器即为理想模式，仅保留串联的漏抗。
4.3-Phase Star-Star Auto Transformer（三相星形连接的自耦变压器）此组件模拟了由3个单相构成的3相自耦变压器。
用户可以选择采用磁化支路（线性铁芯）或注入电流模拟磁化特性。
变压器隔离推挽式开关电源PSpice仿真设计
变压器隔离推挽式开关电源PSpice仿真设计作者：邵珠雷来源：《科技视界》2013年第01期【摘要】设计了一种采用变压器隔离推挽式输出的开关电源，其输出电压为5V，输出电流为2A，开关频率为25kHZ。
使用仿真软件PSpice进行系统建模，设置相关参数后得出仿真分析结果，由输出电压和输出电流的时域波形图可知，所设计的开关电源输出稳定，符合设计要求。
【关键词】开关电源；推挽式；PSpice仿真0 引言在开关电源的的设计中，输入电源与输出负载之间的公共点常常需要隔离，从而阻隔共模回流和消除地线上的环流。
开关电源在变换器部分的设计中常采用变压器来隔离输入电源与输出负载，并且通过变压器实现电压调节功能。
推挽式开关电源包含两个反相工作的正激变换器，因此推挽式开关电源具有正激式开关电源拓扑的所有优点[1]。
由于电源提供给负载的功率并不在变压器中存储，推挽式开关电源比正激式开关电源能处理更多的功率，且效率更高，控制性能更好。
1 电路拓扑结构及工作原理本设计为采用变压器隔离推挽式输出的开关电源，其输入电压为35V，输出电压为5V，输出电流为2A，纹波为250mV。
为了实现稳定输出，开关电源采用电流型PWM开关电源控制器SG1846构成反馈回路，开关频率为25kHZ。
为缓解变压器磁通不平衡造成的过热失控问题，在电路中采用功率MOSFET作为开关管[2]。
其电路结构如图1所示。
如图所示，开关管M1，M2根据输入电压V1、变压器变比和预期输出电压所决定的占空比每半周期交替导通。
为避免两开关管直通现象的发生，需要在M2开通和M1关断之间设置死区时间td。
二极管D2上的电压为矩形波，幅值为输入电压V1乘以变压器电压比，即v=V■■（1）二级管D2正偏导通，输出电感L1此时间段内充磁。
二级管D2的电流i■（t）与开关管集电极电流i■（t）成比例。
i■（t）=i■（t）■（2）电路的电压调整率可以从输出电感L1的伏秒平衡关系导出，由于每个开关周期输出电感都要充磁两次，开关管开通时间ton的系数为2。
建立PSPICE模型
PSpice库中已有极多模型可用，没有必要自建模型，如果遇到库中没有的器件模型，可以到生产该器件上公司网站上下载，一般大型公司都会提供。
如果一定要自建模型，可以用PSpice中的模型编辑软件实现（“Model Editor”），一般可以用已有的模型作一些修改实现。
可以上网找一些深层次的PSpice书看或是找一些极老版本的PSpice的书看，老版本的书中会较多得提到关于PSpice命令、语言等方面与模型有关的东西。
听过一个高手的培训，PSpice其实就是一个计算器。
只要器件模型对了，就能给出结果。
你调用的是PSpice的模型库中的元器件吗？如果是，基本不会出现因为模型原因而不能仿真的现象！资料你可以上网找，很多的。
先找本简单的看看就行了。
个人认为PSpiec在模拟电路仿真方面是最好的。
关于你出现的问题，是PSpice中常见的，与PSpice的算法有关。
解决的方法是在出现问题的结点处（即提示的node ***）与电路地之间加一个值很大的电阻，这样即不会影响仿真精度，问题也能解决。
值得一提的是在PSpice的电路在必需有一个结点的名称为“0”,一般建议将“地”结点命名为“0”.这与PSpice的算法与电路网表的结构有关，不必深揪！PSpice 如何利用Model Editor 建立仿真用的模型PSpice 提供Model Editor 建立元件的Model，从元件供应商那边拿到该元件的Datasheet，透过描点的方式就可以简单的建立元件的仿真模型，来做电路的模仿真。
PSpice 提供约十多种的元件(Diode、Bipolar Transistor、Magnetic Core、IGBT、JFET、MOSFET、Operational Amplifier、Voltage Regulator、Voltage Comparator、Voltage Reference、Darlington Transistor)来建立元件的模型。
基于PSpice的电力变压器绕组中暂态电压分布的仿真计算
基于PSpice的电力变压器绕组中暂态电压分布的仿真计算高宏;郭颖娜;王世山【摘要】传统对电力变压器绕组中暂态电压分布的仿真计算有多种,但均需编程计算而得,为此提出了一种适用于PSpice仿真的电力变压器绕组中暂态电压分布的电路模型,并对该变压器雷电过电压时的暂态电压分布及正常运行电压分布进行了仿真,结果表明该模型可表达绕组暂态时的表现,且大大简化了计算过程.【期刊名称】《现代电子技术》【年(卷),期】2006(029)013【总页数】3页(P137-139)【关键词】电力变压器;暂态电压;电路模型;PSpice【作者】高宏;郭颖娜;王世山【作者单位】西安石油大学,电子工程学院,陕西,西安,710065;西安石油大学,电子工程学院,陕西,西安,710065;南京航天航空大学,江苏,南京,210016【正文语种】中文【中图分类】TM71 引言对1995～2001年共7年间的常规变压器故障原因统计可得，变压器绕组故障占故障总数的71.2%[1]，且变压器绕组故障大部分是由于绕组本身结构及绝缘不合理所引起的[2]。
因此在处理变压器的绝缘问题时，应该小心对待绝缘裕度，选择恰当的试验电压和完善的试验方法。
变压器在冲击电压作用下的过电压，主要是由线圈内部的自由振荡过程和线圈之间的静电及电磁感应过程引起的。
这两种过程，我们统一称为变压器线圈中的波过程。
当输入电压的波形和幅值一定时，自由振荡电压的幅值主要决定于变压器的最终电压分布和起始电压分布之差。
改善起始电压分布，使他尽量接近于最终电压分布，是降低自由振荡电压的主要方法。
因此，准确计算变压器的起始电压分布对于正确地进行变压器绝缘结构的设计，对于减小变压器的体积、节省材料、运行维修、降低成本以及改善振荡过电压波形都是必须的，研究绕组的波过程具有重要的意义。
起始电压分布，传统的主要以实验的方法测得。
由于受实验条件的限制，多数厂家很难准确测定，而传统的手工计算方法速度慢，又因简化太多使计算精确度大打折扣。
SPICE的器件模型大全(第6章)
SPICE的器件模型大全在介绍SPICE基础知识时介绍了最复杂和重要的电路描述语句，其中就包括元器件描述语句。
许多元器件（如二极管、晶体管等）的描述语句中都有模型关键字，而电阻、电容、电源等的描述语句中也有模型名可选项，这些都要求后面配以.MODEL起始的模型描述语句，对这些特殊器件的参数做详细描述。
电阻、电容、电源等的模型描述语句语句比较简单，也比较容易理解，在SPICE基础中已介绍，就不再重复了；二极管、双极型晶体管的模型虽也做了些介绍，但不够详细，是本文介绍的重点，以便可以自己制作器件模型；场效应管、数字器件的模型过于复杂，太专业，一般用户自己难以制作模型，只做简单介绍。
元器件的模型非常重要，是影响分析精度的重要因素之一。
但模型中涉及太多图表，特别是很多数学公式，都是在WORD下编辑后再转为JEPG图像文件的，很繁琐和耗时，所以只能介绍重点。
一、二极管模型：1.1 理想二极管的I-V特性：1.2 实际硅二极管的I-V特性曲线：折线1.3 DC大信号模型：1.4 电荷存储特性：1.5 大信号模型的电荷存储参数Qd：1.6 温度模型：1.7 二极管模型参数表：二、双极型晶体管BJT模型：2.1 Ebers-Moll静态模型：电流注入模式和传输模式两种2.1.1 电流注入模式：2.1.2 传输模式：2.1.3 在不同的工作区域，极电流Ic Ie的工作范围不同，电流方程也各不相同：2.1.4 Early效应：基区宽度调制效应2.1.5 带Rc、Re、Rb的传输静态模型：正向参数和反向参数是相对的，基极接法不变，而发射极和集电极互换所对应的两种状态，分别称为正向状态和反向状态，与此对应的参数就分别定义为正向参数和反向参数。
2.2 Ebers-Moll大信号模型：2.3 Gummel-Pool静态模型：2.4 Gummel-Pool大信号模型：拓扑结构与Ebers-Moll大信号模型相同，非线性存储元件电压控制电容的方程也相同2.5 BJT晶体管模型总参数表：三、金属氧化物半导体晶体管MOSFET模型：3.1 一级静态模型：Shichman-Hodges模型3.2 二级静态模型（大信号模型）：Meyer模型3.2.1 电荷存储效应：3.2.2 PN结电容：3.3 三级静态模型：3.2 MOSFET模型参数表：一级模型理论上复杂，有效参数少，用于精度不高场合，迅速粗略估计电路二级模型可使用复杂程度不同的模型，计算较多，常常不能收敛三级模型精度与二级模型相同，计算时间和重复次数少，某些参数计算比较复杂四级模型BSIM，适用于短沟道（<3um）的分析，Berkley在1987年提出四、结型场效应晶体管JFET模型：基于Shichman-Hodges模型4.1 N沟道JFET静态模型：4.2 JFET大信号模型：4.3 JFET模型参数表：五、GaAs MESFET模型：分两级模型（肖特基结作栅极）GaAs MESFET模型参数表：六、数字器件模型：6.1 标准门的模型语句：.MODEL <(model)name> UGATE [模型参数] 标准门的延迟参数：6.2 三态门的模型语句：.MODEL <(model)name> UTGATE [模型参数]三态门的延迟参数：6.3 边沿触发器的模型语句：.MODEL <(model)name> UEFF [模型参数]边沿触发器参数：JKFF nff preb,clrb,clkb,j*,k*,g*,gb* JK触发器，后沿触发DFF nff preb,clrb,clk,d*,g*,gb* D触发器，前沿触发边沿触发器时间参数：6.4 钟控触发器的模型语句：.MODEL <(model)name> UGFF [模型参数]钟控触发器参数：SRFF nff preb,clrb,gate,s*,r*,q*,qb* SR触发器，时钟高电平触发DLTCH nff preb,clrb,gate,d*,g*,gb* D触发器，时钟高电平触发钟控触发器时间参数：6.5 可编程逻辑阵列器件的语句：U <name> <pld type> (<#inputs>,<#outputs>) <input_node>* <output_node># +<(timing model)name> <(io_model)name> [FILE=<(file name) text value>] +[DATA=<radix flag>$ <program data>$][MNTYMXDLY=<(delay select)value>]+[IOLEVEL=<(interface model level)value>]其中：<pld type>列表<(file name) text value> JEDEC格式文件的名称，含有阵列特定的编程数据JEDEC文件指定时，DATA语句数据可忽略<radix flag> 是下列字母之一：B 二进制 O 八进制 X 十六进制<program data> 程序数据是一个数据序列，初始都为0PLD时间模型参数：七、数字I/O接口子电路：数字电路与模拟电路连接的界面节点，SPICE自动插入此子电路子电路名（AtoDn和DtoAn）在I/O模型中定义，实现逻辑状态与电压、阻抗之间的转换。
Pspice仿真常用变压器模型
Pspice仿真——常用变压器模型时间：2012-04-12 2176次阅读【网友评论0条我要评论】收藏因为电感元件的参数比较单一，而且在仿真中，主要是仿真元件的电子特性。
所以，这里就不谈电感，而主要讨论一下变压器和耦合电感的问题。
不少朋友在使用pspice仿真的时候，只会使用元件库中的几个理想化的耦合电感和变压器模型，却不会用那种带磁芯参数的耦合电感和变压器。
下面让我们画一张原理图，把常用的理想化的和非理想话的耦合电感及变压器包含进去，进行一个仿真比较，这样才能掌握模型的特点，从而在实际工作中运用。
在这张原理图中，我们一共放置了5个耦合电感和变压器模型。
其中左边的2个是理想化的，右边三个是非理想化，模拟的是带着实际的磁芯的磁性元件，磁芯的规格是3C90材质的ER28L。
有必要先简单说一下耦合电感这个模型，让一些刚入门的朋友便于自己动手尝试。
在图中的K1、K2、K3就是以耦合电感为核心构造的几个变压器。
我们构造这种变压器的时候，需要放置一个耦合电感模型K_Linear 或K_Break或一个带磁芯的耦合电感模型例如K3所用的ER28L_3C90这个模型。
然后需要根据实际的需要放置一个电感模型作为绕组，有几个绕组就放几个电感模型，但对于一个耦合电感模型，绕组不能超过6个。
下面说说这几个模型的设置。
左边两个理想化模型：K1：耦合电感模型为K_Linear，绕组为L1和L2，必须双击K_Linear模型在其参数L1中输入L1，在参数L2中输入L2，才能实现两个绕组的耦合。
耦合系数设定为1，说明是完全耦合。
电感L1和L2的电感量，就代表绕组的电感量。
我们设定L1为250uH，L2为1000uH。
这就意味这初级与次级的匝比为1：2。
因为电感量之比是匝比的平方。
TX1：采用理想变压器模型XFRM_LINEAR，这个模型只有两个绕组，双击模型后设定耦合系数为1，两个绕组的电感量也分别设定为250uH和1000uH。
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Pspice仿真——常常使用变压器模子之青柳念文创作时间：0412 2176次阅读【网友评论0条我要评论】收藏
因为电感元件的参数比较单一，而且在仿真中，主要是仿真元件的电子特性.所以，这里就不谈电感，而主要讨论一下变压器和耦合电感的问题.很多朋友在使用pspice仿真的时候，只会使用元件库中的几个抱负化的耦合电感和变压器模子，却不会用那种带磁芯参数的耦合电感和变压器.下面让我们画一张原理图，把常常使用的抱负化的和非抱负话的耦合电感及变压器包含出来，停止一个仿真比较，这样才干掌握模子的特点，从而在实际工作中运用.
在这张原理图中，我们一共放置了5个耦合电感和变压器模子.其中左边的2个是抱负化的，右边三个是非抱负化，摹拟的是带着实际的磁芯的磁性元件，磁芯的规格是3C90材质的ER28L.
有需要先简单说一下耦合电感这个模子，让一些刚入门的朋友便于自己动手测验测验.在图中的K1、K2、K3就是以耦合电感为核心构造的几个变压器.我们构造这种变压器的时候，需要放置一个耦合电感模子K_Linear或K_Break或一个带磁芯的耦合电感模子例如K3所用的ER28L_3C90这个模子.然后需要根据实际的需要放置一个电感模子作为绕组，有几个绕组就放几个电感模子，但对于一个耦合电感模
子，绕组不克不及超出6个.
下面说说这几个模子的设置.
左边两个抱负化模子：
K1：耦合电感模子为K_Linear，绕组为L1和L2，必须双击K_Linear模子在其参数L1中输入L1，在参数L2中输入
L2，才干实现两个绕组的耦合.耦合系数设定为1，说明是完全耦合.电感L1和L2的电感量，就代表绕组的电感量.我们设定L1为250uH，L2为1000uH.这就意味这初级与次级的匝比为1：2.因为电感量之比是匝比的平方.
TX1：采取抱负变压器模子XFRM_LINEAR，这个模子只有两个绕组，双击模子后设定耦合系数为1，两个绕组的电感量也分别设定为250uH和1000uH.
右边的非抱负化模子：
K2：采取的耦合电感模子为KBreak，同样还需要放置两个电感，这里是L3和L4，双击KBreak的模子，设定耦合系数为1，参数L1为L3，参数L2为L4，把参数Implementation设置为ER28L_3C90.这里要注意了，电感L3和L4的参数分别为10和20.这个数字代表什么意思呢？是电感量吗？不是，千万注意，这里的意思是匝数！凡是采取了带磁芯的模子，就不再用电感量来作为参数了，而是使用匝数.
TX2：采取的非抱负变压器模子XFRM_NONLINEAR，同样这个
模子只有两个绕组.双击模子后，设定耦合系数为1，参数Implementation设置为ER28L_3C90，参数L1_TURNS和
L2_TRUNS分别设置为10和20.很显然，这里也是匝数.
K3：直接采取ER28L_3C90磁芯的耦合电感模子，绕组为L5和L6.双击耦合电感模子，设置耦合系数为1，参数L1为
L5，参数L2为L6.把L5和L6的参数改成10和20.
为什么我这里要把采取ER28L_3C90磁芯的模子的匝比设定为10：20呢，因为这个磁芯的电感系数为250nH/N2，这样刚好使初次级之间的电感量之比
为250uH:1000uH，和抱负模子的参数一致，方便仿真后成果的比较.
现在我们在每一个变压器的初级串一个0.001欧的电阻，次级接上10欧的负载.并放置一个峰值1V，频率10KHz的正弦波电压源给变压器初级提供输入信号，并双击这个信号源，设置初始相位为90度，如图毗连好电路，放置0电位的地.然后点击菜单pspice项，选择new simulation profile建立一个新的仿真.然后选择时域仿真，见下图：设定仿真时间从0秒开端到1ms，最大步长100ns，跳过初始化偏压点计算.然后点击菜单pspice，选择Run，仿真便可以开端了.
待仿真完成后，如最开端的图放置电压探头.我们已经知道这些变压器的变比是1：2，那末实际的电压输出是不是这
样呢？看看吧：
从图中可以看到，输入电压峰值为1V的正弦波，输出为峰值为2V的正弦波.再如下图放置电流探头：
然后点击仿真器的菜单plot，选择Add plot to window，再放置一个如上图中的看输入电压信号的电压探头，可以
同时看到输入电压与输出电流的波形：从波形上可以看出，每一个变压器的输出电流波形几乎是完全一致的.那末有朋友要说了，这么看来，抱负变压器和非抱负变压器模子的表示好像是一样的，没有什么区别呀？下面我们来继续探讨.抱负变压器和非抱负变压器的一个重要的区别就是，抱负变压器不会饱和，而非抱负变压器会饱和.怎么样才干让变压器饱和呢？假如给变压器的初级施加一个直流电压信号，时间长了，励磁电流越来越大，变压器就会饱和.我们来看看是不是这样的.
把输入的交流信号源换成一个0.5V的直流信号源:然后点击工具栏上的这个，再次开端时域扫描（没有改参数，和上次一样）.然后在如图中所示，R1、R5处放置电流探头.在仿真器界面下选择菜单的plot>Add plot to window，再如图在R3、R7、R9处放置电流探头，看看变压器原边电流在长时间施加直流电流会如何变更吧：
从图中可以看到，抱负变压器的初级电流线性上升.而非抱负变压器的初级电流在大约0.76ms的地方开端急剧上升.是
不是变压器在这个地方饱和了呢？我们来计算一下.先看一
下磁芯和材质的参数：根据这些已知参数，依照电磁感应定律：
说明从时间零点开端到0.76毫秒处的磁感应强度增量为
467mT.而根据上表中，3C90材质的饱和点约为470mT，说明采取了ER28L_3C90磁芯的几个非抱负变压器在这个地方的确开端进入饱和状态了！而抱负变压器的初级电流只是线性上升，不会进入饱和！
懂得了这些模子的特性，你便可以依照实际的需要选择合适的模子停止仿真.不管是抱负化的耦合电感模子，还是非抱负的模子，K系列的模子可以支持有6个绕组的耦合电感或变压器.通常足够我们使用了.。