模拟电路第四章
南邮模电 第四章 差动放大电路和功率放大电路
RC
＋
V1 ＋ Uid1 － －
Uid2
V2
Uid=Uid1-Uid2
－
＋
11
图4―13基本差动放大器的差模等效通路
U od 1. 差模电压放大倍数 Aud U id 在双端输出时 U od U od 1 U od 2 2U od 1 2U od 2
U id U id1 U id 2 2U id1 2U id 2
＋
~ U i1 U i 2 2 ~ U i1 U i 2 2
~
RE －UEE
U i1 U i 2 2 2
~ U i1 U i 2
32
双端输出时： Uo AudUid Aud (Ui1 Ui 2 )
1 单端输出时： U o1 AudU id Auc (单)U ic 2 1 U o 2 Aud U id Auc (单)U ic 2
6
图4―12 基本差动放大器
RC UC1 U i1 ＋ V1
RL Uo － V2
RC UC2
U CC
U CE1Q U CE 2Q U CC 0.7 I C1Q RC
U C1Q U C 2Q U CC I C1Q RC
静态时，差动放 大器两输出端之 间的直流电压为 零。
7
34
六、放大电路的四种接法
差动放大电路有两个输入端和两个输出端， 所以信号的输入端和输出端有四种不同的连 接方式，即（1）单端输入，单端输出；（2） 双端输入，双端输出；（3）单端输入，双端 输出；（4）双端输入，单端输出。图4.2.6 给出了电路图。
35
（a）双端输入、双端输出 （b）双端输入、单端输出
模电第四章标准答案
第4章 集成运算放大电路自测题一、选择合适答案填入空内。
(1)集成运放电路采用直接耦合方式是因为( C )。
A.可获得很大的放大倍数B.可使温漂小C.集成工艺难于制造大容量电容 (2)通用型集成运放适用于放大( B )。
A.高频信号B.低频信号C.任何频率信号 (3)集成运放制造工艺使得同类半导体管的( C )。
A.指标参数准确B.参数不受温度影响C.参数一直性好 (4)集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以( A )。
A.减小温漂 B.增大放大倍数 C.提高输入电阻(5)为增大电压放大倍数,集成运放的中间级多采用( A )。
A.共射放大电路 B.共集放大电路 C.共基放大电路二、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果。
(1)运放的输入失调电压U IO 是两输入端电位之差。
( × ) (2)运放的输入失调电流I IO 是两输入端电流之差。
( √ )(3)运放的共模抑制比cdCMR A A K =。
( √ ) (4)有源负载可以增大放大电路的输出电流。
( √ )(5)在输入信号作用时，偏置电路改变了各放大管的动态电流。
( × ) 三、电路如图T4.3 所示，已知β1＝β2＝β3= 100 。
各管的U BE 均为0.7V , 试求I C 2的值。
解：分析估算如下：21100CC BE BE R V U U I A Rμ--==00202211B B B B I I I I ββββ++==++；0202()1R B B B I I I I ββββ+=+=++图T4.322021C B B I I I ββββ+==⋅+。
比较上两式，得 2(2)1002(1)C R R I I I A ββμβββ+=⋅≈=+++四、电路如图T4.4所示。
图T4.4(1)说明电路是几级放大电路，各级分别是哪种形式的放大电路（共射、共集、差放… … ）;(2)分别说明各级采用了哪些措施来改善其性能指标（如增大放大倍数、输入电阻… … ）。
模拟电路第四章习题解答
用 SPICE 分析： （1） 求电路的静态工作点； （2） 输入取频率为 1 kHz、幅值为 10 mV 的正弦信号，绘出差模输入时，
输出电压 vo1 和 vo2 的波形，并绘出 vo vo1 vo2 的波形； （3） 输入取频率为 1 kHz、幅值为 100 mV 的正弦信号，绘出差模输入时，
vo
而同相输入端的电位为：
u
R2 R1 R2
v1
因为“虚短”，即 u u ，所以
R2 R1 R2
v2
R1 R1 R2
vo
R2 R1 R2
v1 ，整理可求得差分放大器的输入输出关系为
vo
R2 R1
(v1
v2 )
。
题目中，电路增益为-10，因此 R2 10 。 R1
设：IIB 为运放输入偏置电流，IB1，IB2 分别是运放两个输入端的输入偏置电 流，IOs 为输入失调电流。有
vi 1mHz 1V
C1
R1 100KΩ
10uF
+ U1
R5 1KΩ
R2 10KΩ R3 1KΩ
-
U2
vo
+
R4 2KΩ
图 P4.8 解：U1 组成积分电路，U2 组成比例放大电路。
vi 1mHz 1V
C1
R1 100KΩ
10uF
-
U1
+
R5 1KΩ
vo1
R2
10KΩ
R3
1KΩ
-
U2
vo
+
R4 2KΩ
+
M4 Vo1 vo1
-
VEE
这是一个带有密勒补偿的两级运算放大器。放大器采用 PMOS 管输入。 a、低频电压增益；
模拟电路基础第四章二PPT课件
1. 为了稳定静态工作点， 应引入直流负反馈；为改善 电路的动态性能，应引入交流负反馈。
2. 根据信号源的性质决定引入串联负反馈，或者并联负
反馈。当信号源为恒压源或内阻较小的电压源时，为
减小信号源输出的电流和信号源内阻压降，应引入串
联负反馈。反之，应引入并联反馈。
3. 根据负载对放大电路的需要引入电压负反馈，或者电
其中
AufAu/1 (AuB)
fHf(1AuB)f
6
20lg A Au Auf
f H f Hf
AufAu/1 (AuB)
fHf(1AuB)f
7
f
4-2-4 输入电阻
Ii
1、串联负反馈
Uid
ri A
（提高输入电阻,减小 Ui 从信号源索取的电流）
rif
Ui Ii
ri
U id Ii
Uf B
rif
U id U f Ii
问题提问与解答
HERE COMES THE QUESTION AND ANSWER SESSION 18
结束语
感谢参与本课程，也感激大家对我们工作的支 持与积极的参与。课程后会发放课程满意度评 估表，如果对我们课程或者工作有什么建议和
意见，也请写在上边
19
感谢您的观看与聆听
本课件下载后可根据实际情况进行调整
流负反馈。当负载要求有稳定的电压信号时，应引入
电压负反馈；当负载要求有稳定的电流信号时，应引
入电流负反馈；
12
4. 若需要进行信号变换时，选择合适的组态，如将电
流信号转换为电压信号，应引入
； 如将电
压信号转换为电流信号，应引入
例：根据需要引入负反馈，并连接好电路 1. 减小放大电路从信号源索取的电流并增强带负载的能力 2. 将输入电流转换为与之成线性关系的输出电流 3. 将输入电流转换为稳定的输出电压
模拟电路各章知识点总结
模拟电路各章知识点总结第一章：电路基础1.1 电路的基本概念电路是由电气元件（例如电阻、电容、电感等）连接而成的网络。
电路中电流和电压是基本的参数，描述了其中元件之间的相互作用。
电路按照其两个端点的特性可以分为单端口电路和双端口电路。
1.2 电路的基本定律欧姆定律、基尔霍夫定律以及其他电路定律描述了电路中电流和电压之间的关系。
其中欧姆定律描述了电阻元件电流和电压之间的关系，而基尔霍夫定律描述了电路中电流和电压的分布和流动规律。
1.3 电路的等效变换电路中电气元件可以通过等效电路进行简化处理。
例如将若干电阻串并联为一个等效电阻等。
第二章：基本电路元件2.1 电阻电阻是电路中最基本的元件之一，它的作用是阻碍电流的流动。
在电路中，电阻可以通过串联和并联的方式连接。
电阻的阻值与其材料、长度和横截面积有关系。
2.2 电容电容是电路中用来存储电荷的元件，它在电路中具有很多重要的应用。
电容的存储能量与其带电电压和电容量有关。
2.3 电感电感是电路中具有电磁感应作用的元件，其具有对电流变化的响应。
电感的存储能量与其感抗和电流有关。
2.4 理想电源理想电源是电路中常用的元件，可以提供恒定的电压或电流。
其特点是内部阻抗为零或者无穷大。
第三章：基本电路分析方法3.1 直流电路分析直流电路是电路分析中最简单的一种情况。
在直流电路中，电源提供的是恒定电压或电流，不会发生周期性或者随时间改变的变化。
3.2 交流电路分析交流电路分析是在电路中考虑电压和电流随时间变化的情况。
常见的交流电路分析包括使用复数形式进行计算。
3.3 电路的参数测量方法电路中常用的参数测量方法有欧姆表、万用表等。
它们可以测量电阻的阻值、电压的大小以及电流的大小等参数。
第四章：模拟电路设计4.1 放大器设计放大器是模拟电路中广泛应用的电路元件，可以放大电压或者电流的幅值。
常见的放大器有运放放大器、差分放大器等。
4.2 滤波器设计滤波器是可以去除特定频率成分的电路，可以用于信号处理、通信和音频等领域。
电子电工学——模拟电子技术 第四章 双极结型三极管及发达电路基础
4.1 双极结型三极管BJT
(Bipolar Junction Transistor)
又称半导体三极管、晶 体管，或简称为三极管。
分类： 按材料分：硅管、锗管 按结构分：NPN型、PNP型 按频率分：高频管、低频管 按功率分：小功率、大功率
半导体三极管的型号
国家标准对半导体三极管的命名如下:
3 D G 110 B
c
e V VCE
VCC
V
VBE
也是一组特性曲线
实验电路
1.共射极电路的特性曲线
输入特性 :iB=f(vBE)|vCE=const
(1)VCE=0V时，发射结和集电结均正偏，输入特性相当于两个PN结并联
(2)VCE=1V时，发射结正偏，集电结反偏，收集电子能力增强，发射极发
射到基区的电子大部分被集电极收集，从而使得同样的VBE时iB减小。
ICEO (1 )ICBO 值愈大，则该管的 ICEO 也愈大。
３．极限参数
(1) 集电极最大允许电流 ICM
过流区
当IC过大时，三极管的值要 iC
减小。在IC=ICM时，值下降 ICM
到额定值的三分之二。
PCM = iCvCE
(2) 集电极最大允许耗散功率 PCM
将 iC 与 vCE 乘 积 等 于 规 定 的 PCM 值各点连接起来，可得 一条双曲线。
利用IE的变化去控制IC，而表征三极管电流控制作用的参 数就是电流放大系数 。
共射极组态连接方式
IE UBE
+ Uo
-
49 IC 0.98(mA)
IB
20( A)
共射极接法应用我们得到的结论：
１、从三极管的输入电流控制输出电流这一点看来，这两 种电路的基本区别是共射极电路以基极电流作为输入控制 电流。 ２、共基极电路是以发射极电流作为输入控制电流。
模拟CMOS集成电路设计第四章差分放大器.
ΔVinmax
2ISS 故允许输入的最大差模电压范围△V 为： ID =β
2ISS （这就是电路能处理信号的最大差模电压。） ΔVID = β
差动放大器4 # 14
基本差分对的定量分析(4)
4. 因△ID是△Vin的奇函数，故有：
ΔID(t)=αΔV 1 in(t)+αΔV 3 in (t)+αΔV 5 in (t)+......
gmR D VY = A VX VT = Vin 2
差动放大器4 # 19
差分对的小信号特性(3)
gmR D VX = A VX Vin1 = Vin1 2 gmR D VY = A VX VT = Vin1 2 (VX-VY ) |Vin1=∆Vin=-gmRD ∆Vin
(VX-VY ) |Vin2=-∆Vin=-gmRD ∆Vin
差动放大器4 # 18
差分对的小信号特性(2)
利用叠加定理 ,先考虑Vin1的 作用,再求VY
1 1 RT = = g m1 g m
VT=Vin RL1 求开路电压VT
这是CG放大器
利用小信号等 效电路,可求得:
g m1R L1R D1 利用CG放大器已有公式: VR L1 = Vin 1+ g m1R L1 g m2R D gmR D g m1R L1R D1 A VX = = VT = lim VR L1 = Vin = Vin 1+ g m2R T 2 R L1 →∞ 1+ g m1R L1
简 单 差 动 对
如何减小输入共模电平变化的影响呢?
差动放大器4 # 5
基本差动对
Vin1-Vin2 足够负, M1截止, M2导通 Vin1-Vin2 相差不 大时, M1 和 M2 均 导通
模拟电路ppt课件
105 107之间。理想运放的Aod为。
2. 共模抑制比KCMR 常用分贝作单位，一般100dB以上。
3. 差模输入电阻rid
ri>1M, 有的可达100M以上。
(4-22)
4. 输出电阻ro
ro =几-几十。
5. 最大共模输入电压UIcmax 6. 最大差模输入电压UIdmax 7. -3dB带宽fH
第四章 结束
(4-26)
由镜像关系： Δ iC3= Δ iC4；
-VEE
所以： Δ io= Δ iC4 -Δ iC2= Δ iC1 –(-Δ iC1)=2 Δ iC1
此时，单端输出的放大 倍数接近于双端输出：
Aiu
iO uI
2iC1 2iB1rbe1
1 rbe1
(4-20)
§4.3 集成运放电路简介
(4-21)
§4.4 集成运放的性能指标及低频等效电路 4.4.1 主要性能指标
ln IR IC1
可用图解法或累试法求解
例：P177
(4-15)
4.2.2 改进型电流源电路
一、加射极输出器的电流源
+VCC
IR R
IB
IC0
T0
2
T2
IE2 IB1
IB0
Re2
特点：利用T2管的电流放大 作用，减小了基极电流IB0和 IC1 IB1对基准电流IR的分流。
IC1 IC0 IR IB2
集成电路的分类：
模拟集成电路、数字集成电路； 小、中、大、超大规模集成电路；
(4-2)
集成电路内部结构的特点：
1. 电路元件制作在一个芯片上，元件参数偏差方 向一致，温度均一性好。
模电第四章答案
第四章习题解答4-1如题4-1图所示MOSFE转移特性曲线，说明各属于何种沟道？若是增强型，开启电压等于多少？若是耗尽型，夹断电压等于多少？答：（a）P-EMOSFET，开启电压V GSM2V（b）P-DMOSFET，夹断电压V Gsoff （或统称为开启电压V GS Q 2V（c）P-EMOSFET，开启电压V Gsth 4V（d）N-DMOSFET，夹断电压V GS Off （或也称为开启电压V GS Q4V4-2 4个FET的转移特性分别如题4-2图（a）、（b）、（c）、（d）所示。
设漏极电流i D的实际方向为正，试问它们各属于哪些类型的FET?分别指出i D的实际方向是流进还是流出？答：（a）P-JFET，i D的实际方向为从漏极流出。
（b）N-DMOSFET，i°的实际方向为从漏极流进。
（c）P-DMOSFET，i D的实际方向为从漏极流出。
（d）N-EMOSFET, i D的实际方向为从漏极流进。
4-3 已知N 沟道EMOSFET 的卩n C ox=100y A/V2，V GS（th）=0.8V, W/L=10，求下列情况下的漏极电流：（a）V GS=5V，V DS=1V ; （b）V GS=2V，V DS=1.2V ;（c）V GS=5V，V DS=0.2V; （d）V GS=V DS=5V。
解：已知N-EMOSFET 的n C ox 100 A/V2, V GSth 0.8V W L 10（a）当V GS 5V,V DS 1V 时，MOSFET 处于非饱和状态V°s V GS V GS thI D /2V GS V Gsth V DS V2DS今0.1mA V2 102 5 0.8 1 12 3.7mA（b）当V GS2V,V DS 1.2V 时，J S V GS th 1-2V V DS，MOSFET 处于临界饱和I D i n C ox ¥V GS V GS th 弓0.1叫 2 10 2 0.8 20.72mA（c）当V GS5V,V DS0.2V 时，% V GS th 4.2V V DS，MOSFET 处于I D ； nC oxWL 2V GSV GS th J SV DS4 0.1mA V 2 1025 0.80.2 0.220.82mA(d )当 V GSV DS5V 时,V DSV GSV GS th,MOSFET 处于饱和状态1nC oxWV GS V GS th20.1mA v 2 105 0.8 2 8.82mA4-4 N 沟道 EMOSFET 的 V GS(th)=1V ，卩 n C ox (W/L ) =0.05mA/V 2，V GS =3V 。
模电课件第四章集成运算放大电路
§4.1集成运算放大电路概述 一、集成运放的电路结构特点
集成运算放大电路：高电压放大倍数的直接耦合多级放大电路。
2019/7/28
模电课件
二、集成运放的电路组成
1、输入级：运算放大器的输入级通常是差分放大电路，其主 要功能是抑制共模干扰和温漂，双极型运放中差分管通常采 用CC-CB复合管，以便拓展通频带。 2、中间级：电压放大，要求：放大倍数要尽可能大，通常采 用共201射9/7/2或8 共源电路，并采用恒模电流课源件 负载和复合管以增加电压 放大倍数。
工作在放大状态。
当T0与 T1特性参数完全一致时，由U BE0 = U BE1可推得
IB0 = IB1 = IB IC0 = IC1 = Io 由基极输入回路得，
Io
IR
VCC
U BE R
I0 2IB
I0
2
I0
所以，I0
1 1 2
IR
基准电流
输出电流
当
时，I0 IR 。
在集成运放电路中通常只能制作小容量（几十pF）电容，不能 制作大201容9/7/量28 电解电容，级间通常模采电课用件 直接耦合。
四、以电流源为有源负载的放大电路
在集成运放的共射（共源）放大电路中，为了提高电压放大 倍数，常用电流源电路取代Rc （或Rd ），这样在电源电压不 变的情况下，既获得合适的静态电流，又可以得到很大的等效 的Rc（或 Rd ）。
（1） 运放电路的结构分解 输入级是一个差动放大电路，主要由T1、T3（共集-共基组合）
和T2、T4组成。中间放大级由T16、T17、T13组成共集—共射电路； 输出级由T14、T18 、 T19组成互补输出电路。
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IE1
Re1
IE2
Re2
IE3
Re3
输出电流： Re I IC1 IE1 Re1 R IC2 IE2 Re IR Re2 IC3 IE3 Re IR Re3
当IR确定后， 改变各电流源射极电阻，
可获得不同比例的输出电流。
4· 4 以电流源为有源负载的放大电路 2·
在共射(共源)放大电路中, Rc 或 A g R Au u m d rbe
双端输入、单端 输出差分放大电 路
以复合管为放大管、 用UBE倍增电路消 恒流源作负载的共 除交越失真的准 射放大电路 互补输出级
4· 集成运放的性能指标 4
1、开环差模电压增益Aod 运放工作在线性区，接入规定的负载，无负反馈情况 下的 直流差模电压增益； uo Aod 或 20lg|Aod |(dB ) (uP uN) 通用型集成运放的Aod通常在105 (100dB)左右， 且具有极好的低频响应； 20lgAod (dB ) 2、-3dB带宽fH 120 106dB (M741) 80 开环差模电压增益下 40 降3dB时对应的频率 ； 3、单位增益带宽fc 0 1 10 102 103 104 105 106 107 f (HZ) 开环差模电压增益下 fH 7HZ fc 1.4MHZ 降到0dB时对应的频率 ；
o
β1 (rce1 ∥ rce2 ∥ R L ) Au R b rbe1
二、有源负载差分放大电路
+VCC T3 IC3 IC1 T1 T4 IC4 IC2 T2 I
iO
T1 、T2为放大管， T3与T4构成镜像电流源， 作T1和T2的有源负载。 静态:
IC1 IC2 1 I 2
基 准 电 流
VCC R IR UBE1
工作原理： VCC UB E1 IR R
IC1 IR IC1 2IB IC1 2 当β足够大时 IC1 IR 问题：
IC2 IC1 IR
若要求IC2更大,
R的功耗增大, 应当避免;
若要求IC2更小, 则R增大, 在集成电路中不易实现;
13、转换速率SR: 表示集成运放对信号变化速度的适应能力, 是衡量运放在大幅值信号作用时工作速度的参数,即： du o SR dt max
4· 集成运放的种类及选择 5
1、按工作原理分类 电压放大型 电流放大型 跨导型 互阻型 3、按性能指标分类 高阻型 高速型 高精度型 低功耗型 高压型 2、按可控性分类 可变增益运放 选通控制运放
+ ui –
+ uo RL –
பைடு நூலகம்I C3 I C1，
-VEE 使单端输出电 路的差模放大倍 数近似等于双端 输出时的差模放 大倍数。
I C 3 I C4 , I C4 I C 2
i O I C4 I C2 0
动态：输入差模信号△uI iC1 iC2 iC4 iC3 iC1
8、温度漂移: 温度漂移是零点漂移的主要来源; (1) 输入失调电压温漂 UIO/T 在规定温度范围内，UIO的温度系数； (2) 输入失调电流温漂 UIIO/T 在规定温度范围内，IIO的温度系数； UIO/T和IIO/T不能用外接调零装置的办法来补偿； 9、输入偏置电流IIB : 两个输入端静态电流的平 集成运放输出电压为零时， 均值： IIB (IBN IBP) / 2
（5）定量计算：必要时可估算或利用计算机计算电路主
要参数。
二、F007电路分析
对于集成运放电路，应首先找出偏置电路，然后根据 信号流通顺序，将其分为输入级、中间级和输出级电路。
找出偏置电路
若在集成运放电路中能够估算出某一支路的电流，则 这个电流往往是偏置电路中的基准电流。
简化电路 分解电路
三级放大电路
10、最大差模输入电压Uidmax : 超过这个电压值， 两个输入端所能承受的最大电压值， 运放输入级某一侧的晶体管将出现发射结反向击穿；
11、最大共模输入电压Uicmax : 运放所能承受的最大共模输入电压， 超过这个电压值， 运放的共模抑制比将显著下降； 12、最大输出电流 Iomax : 运放所能输出的正向或负向的峰值电流；
在比例电流源电路中,
IC2与IR成比例关系,
使IC2可以大于或小于IR。 Re1、Re2是电流负反馈电阻, 使IC1、IC2具有更高的温度稳定性。
三、微电流源
要求提供很小的静态电流，又不能用大电阻。
+VCC IR IC1 T1 IE1 Re T2 IE2 R IB1+IB2 IC2
基准电流
VCC U BE1 IR R 输出电流 U BE1 U BE 2 I C2 Re
基准电流: VCC U BE 3 U BE1 IR R 输出电流:
I C3 2 (1 2 )I R I R 2 2
4· 3 多路电流源电路 2·
利用一个基准电路去获得多个不同的输出电流。
IR +VCC IC1 R
ΣIB
IC2
IC3
IC T IE
T1
T2
T3
Re
Rb
IC1 + T1 RL uo –
IR R
T1为放大管， T2与T3构成镜像电流源， T2是T1的有源负载。
基准电流
IR VCC U EB3 R
iC
ic
Q
uce
uce rce ic
uCE
•静态空载，T1集电极静态电流 IC1 IC2 IR
ib C
•动态时
rce
集成运放电路中的晶体管和场效应管除了作为放大 管，还构成电流源电路，为各级提供合适的静态电流; 或作为有源负载取代高阻值电阻，从而增大放大电路的 电压放大倍数。
Rc + uo – T1 T3 -VEE T2 Rc +VCC Rb ui2 + ui – +VCC T2 IC2 Rb IC1 + T1 RL uo – IR R T3
增大Rc (或Rd), 可以提高电压放大倍数; 但是会影响
放大电路的静态工作点。
用电流源电路取代Rc，既可获得合适的静态电流，
对于交流信号， 又可得到很大的等效RC 。 在集成运放中, 用电流源取代Rc(或Rd), 称为有源负载。
一、有源负载共射放大电路
+VCC T2 IC2 + ui – T3
二、保护措施
1、输入保护 防止输入差模信号幅值过大
R
2、输出保护 + A –
R DZ
–
A D2 D1 +
防止输入共模信号幅值过大
+V R D1 D2 -V
3、电源端保护
+VCC D1
– +
A
+ A –
D2 -VCC
三、输出电压与输出电流的扩展
1、提高输出电压
+VCC 设 R1=R2=R3=R4=R c1 R1 +30V 无信号输入时, T1 b1 uP=uN=0, uo=0, e1 +15V R2 + A的供电电压为15V； A uo – 当有输入信号时, e2 -15V R3 T2 b2 uB1 1 (VCC uo) uo 1 (VCC uo) c2 2 2 R4 -30V -VCC uB2 1 (VCC uo) uo 1 (VCC uo)
二、比例电流源
+VCC
基准电流
IC2 T2 IE2
IR
IC1 T1
R IB1+IB2
VCC UB E1 IR R Re1
而 U BE1 I E1 R e1 U BE 2 I E 2 R e 2 忽略基极电流，可得 R IC2 e1 IR 输出电流 Re2
IE1 Re1
Re2
iO iC4 iC2 2iC1
4.3 集成运放电路分析
一. 读图方法
已知电路图，分析其原理和功能、性能。
（1）了解用途：了解电路的应用场合、用途和技术指标。
（2）化整为零：将整个电路分为各自具有一定功能的基
本电路。 （4）统观整体：相互连接关系以及连接后实现的功能和 性能。
（3）分析功能：定性分析每部分电路的基本功能和性能。
IC2 IR
在T3 的发射极
为避免T3 的电流过小而 使β3下降, 加一电阻Re3, 使IE3增大。
二、威尔逊电流源
+VCC IR R IB3 IC3 T3 IE3 IC2 T2
IC1 2IB
T1
T2管的c-e串联在T3管的发射 极, 其作用与典型工作点稳定 电路的Re相同。 因为c-e间等效电阻非常大, 可使IC3高度稳定。
uP uN
2 uB1 uB2VCC 30V
2
2、增大输出电流
加射极输出器
+VCC uP uN + A –
加互补输出级
+VCC R1 T1 uP uN + A – D1 D2 RL + uo –
RL
+ uo – -V CC
R2
T2
-VCC
第四章 集成运算放大电路
4· 集成运算放大电路概述 1
高性能的直接耦合多级放大电路，简称集成运放。 4· 1 集成运放的电路特点 1·
(1) 级间采用直接耦合方式； 用有源器件取代电阻； (2) 相邻元件具有良好的对称性， 受环境温度和干扰 等影响后的变化也相同， 所以大量采用各种差分放大电路 (作输入级) 和恒流源电路（作偏置电路或有源负载)； (3) 不同形式的集成电路， 只增加元件不增加工序， 通常用复杂的电路形式来实现提高各方面性能的目的； (4) 常采用复合管