晶体相关基础知识
矿物岩学基础知识(晶体的基础知识)
第一章晶体的基础知识第一节晶体及其基本性质一、晶体、非晶质体、准晶质体的概意晶体的分布十分广泛。
可以毫不夸张地说，人类就是生活在晶体的世界之中。
自然界的固体物质，绝大多数都是晶体。
我们日常吃的食盐、食糖，用的金属、陶瓷、在泥，一直到组成生命有机体的蛋白质等，莫不都是晶体。
那么，晶体的定义是什么呢？20世纪以前，人们把具规则几何多面体外形的固体称为)等(图1-1)。
晶晶体。
如常见的石盐、方解石、水晶(具规则几何多面体形态的石英SiO2体的这种定义，显然是不正确的。
例如，同样是一种物质石英，它既可以呈多面体形态的水晶，也可以呈外形不规则的颗粒而生成于岩石之中。
这两种形态的石英，本质是一样的。
所以规则几何多面体的外形并不是晶体的本质，而只是晶体在一定条件下的外在表现。
晶体的本质必须从它的内部去寻找。
1912年德国物理学家劳埃用X射线研究晶体，发现了晶体的根本特性：晶体内部质点(原子、离子或分子)在三维空间周期性地重复排列。
这种质点在三维空间周期性地重复排列也称格子构造。
所以晶体的正确定义是：晶体是具有格子构造的固体。
正是由于晶体内部质点是规则排列的，所以在一定的条件下，晶体能自发形成几何多面体的外形。
非晶体是指内部质点在三维空间不作周期性地重复排列，即不具格子构造的固体物质。
由于原子或离子空间分布的无规律性，所以非晶体在任何情况下都不可能自发形成几何多面体的外形，因而也被称为无定形体。
非晶体的种类远不如晶体那么繁多。
常见的有蛋白石、沥青、松香、玻璃等。
晶体与非晶体在一定条件下是可以互相转化的。
例如，蛋白石在漫长的地质年代中，其内部质点进行着很缓慢的扩散、调整，趋于规则排列，即由非晶态转化为晶态，这一过程称为晶化。
晶体也可因内部质点的规则排列遭到破坏而转化为非晶态，这个过程称为非晶化。
图1-2是晶体与玻璃的平面结构特点示意图。
由图可见，晶体的内部质点排列是规则的，具有格子构造，非晶体的内部结构是不规则的，不具格子构造。
晶体学基础必学知识点
晶体学基础必学知识点1. 晶体的定义：晶体是由原子、离子或分子以有序排列形成的固态物质。
2. 结晶学：研究晶体的结构、性质以及晶体的生长过程。
3. 晶体的晶格：晶体具有规则的周期性排列结构，可以用晶格来描述。
4. 晶胞：晶体中最小的重复单元，可以通过平移来产生整个晶体结构。
5. 晶体的晶系：根据晶胞的对称性，晶体可以分为七个晶系，分别为三斜晶系、单斜晶系、正交晶系、四方晶系、六方晶系、菱方晶系和立方晶系。
6. 晶体的晶面和晶向：晶体表面上的平面称为晶面，晶体内部的线段称为晶向。
7. 晶体的点阵和晶格常数：晶胞中的基本单位称为点阵，晶体的晶格常数是指晶格中基本单位的尺寸参数。
8. 布拉格方程：描述X射线或中子衍射中晶体衍射角度与晶格参数之间的关系。
9. 动态散射理论：描述X射线或中子与晶体中原子、离子或分子相互作用的过程。
10. 逆格子：描述晶格的倒数空间，逆格子与晶格的结构存在对偶关系。
11. 晶体缺陷：晶体中的缺陷包括点缺陷、线缺陷和面缺陷，晶体缺陷对晶体的性质和行为有重要影响。
12. 晶体生长：研究晶体从溶液或气体中的形成过程，包括核化、生长和晶面的形态演化等。
13. 晶体的结构表征方法：包括X射线衍射、中子衍射、电子衍射、扫描电子显微镜和透射电子显微镜等。
14. 晶体结构的解析和精修：通过衍射数据和晶体学软件对晶体的结构进行解析和精修，得到晶体的准确原子位置和结构参数。
15. 晶体的物理和化学性质：晶体的结构对其性质有重要影响，包括光学性质、电学性质、磁学性质和力学性质等。
16. 晶体学的应用：晶体学在材料科学、化学、生物学、地质学和矿物学等领域有广泛的应用，如材料合成、催化剂设计、药物研发和矿石勘探等。
初中物理晶体知识点总结
初中物理晶体知识点总结晶体与非晶体的结构差异晶体与非晶体是物质存在的两种不同形态。
晶体具有规则的几何形状和固定的熔点，其内部原子、分子或离子按照一定的规律排列，形成有序的晶格结构。
而非晶体则没有固定的几何形状和熔点，其内部结构排列无序。
晶格结构晶格结构是晶体内部的基本构造，由原子、分子或离子在三维空间中按照一定的几何图案周期性排列而成。
晶格中的每个单元称为晶胞，晶胞通过平移重复构成了整个晶体结构。
晶格结构的类型有多种，如简单立方、体心立方、面心立方等。
晶体的类型晶体可以根据其组成和结构特点分为不同的类型。
常见的晶体类型包括金属晶体、离子晶体、分子晶体和共价晶体。
金属晶体由金属原子组成，离子晶体由正负离子交替排列形成，分子晶体由分子通过分子间力连接，共价晶体则是原子间通过共价键紧密连接。
晶体的物理性质晶体的物理性质与其结构特点密切相关。
例如，晶体的硬度、导电性、导热性、光学性质等都受到晶格结构的影响。
晶体的对称性也决定了其物理性质的各向异性，即在不同方向上可能表现出不同的物理特性。
晶体的熔化与凝固晶体在熔化过程中吸收热量，其温度保持不变，这个温度称为熔点。
在熔化过程中，晶体结构中的原子或分子获得足够的能量克服晶格势能，从而转变为液态。
凝固过程则是熔化过程的逆过程，晶体在凝固时放出热量，并在凝固点温度下形成晶格结构。
晶体的生长晶体的生长是指晶体从溶液、熔体或气相中逐渐形成或增大的过程。
晶体生长的速度和方向受到许多因素的影响，如溶液的饱和度、温度、杂质的存在等。
晶体生长的基本原理是原子或分子在晶体表面的吸附和排列，形成新的晶格层。
晶体的缺陷晶体中的缺陷是指晶格结构中的不规则性，包括点缺陷、线缺陷和面缺陷。
点缺陷如空位和替代原子，线缺陷如位错，面缺陷如晶界和层错。
这些缺陷会影响晶体的物理性质和化学性质，如影响导电性、强度和韧性等。
晶体的应用晶体在工业和科学研究中有广泛的应用。
例如，硅晶体是半导体工业的基础材料，石英晶体用于制作压电传感器和振荡器，金刚石晶体因其极高的硬度和热导性而用于切割工具和热沉等。
晶体结构基础知识
a ≠ b ≠ c ， = = = 90° 正交晶系 。 此外还有六方晶系，三方晶系，单斜晶系和三斜晶系。
由晶胞参数a，b， c，α，β，γ表 示， a，b，c 为 六面体边长， α， β，γ 分别是bc ca , ab 所形成的 三个夹角。
晶胞的两个要素：
(1)晶胞的大小与形状：
简单单斜
底心单斜
简单三斜
晶体分类
离子晶体： 原子晶体： 分子晶体： 金属晶体：
阴阳离子间通过离子键构成的晶体
原子间以共价键形成的空间网状结构的晶体
分子间以分子间作用力（范德华力）形成的晶体
金属阳离子和自由电子通过金属键形成的单质晶体
金属晶体中离子是以紧密堆积的形式存在的 。下面用等径刚性球模型来讨论堆积方式。
观察实心圆点 K，除了 立方体顶点的 8 个 K 外，体 心位置有 1 个 K 。所以称为体心立方晶胞。
再看金属钾的晶胞，右图 。必须说明的是，它属于立方晶系，但既不是 AB 型，也不属 于离子晶体。
立方晶系有 3 种类型晶胞 ： 面心立方、简单立方、体心立方 。
晶体结构基础知识
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红宝石 ruby Al2O3-Cr
宏观晶体的形貌
立方 立方晶体的宏观形貌
晶体的宏观对称性分析
石英玻璃
非晶态又称玻璃态
天然石英玻璃矿物照片
晶体的原子呈周期性排列 非晶体的原子不呈周期性排列
1
在一个层中，最紧密的堆积方式，是一个球与周围 6 个球相切，在中心的周围形成 6 个凹位，将其算为第一层。
2
四、金属晶体
1
2
3
4
晶体管知识点总结
晶体管知识点总结晶体管是一种半导体器件，广泛应用于电子设备中，是现代电子技术的基础。
晶体管的发明和应用，极大地推动了电子技术的发展，使得现代电子设备变得更加小型化、高效、稳定和便携。
下面我们将对晶体管的基本原理、结构、工作原理和应用进行详细介绍。
一、晶体管的基本原理1. 电子运动的基本原理电子是原子的一个组成部分，带有负电荷。
在半导体晶体中，有大量的自由电子，在外加电压的作用下，这些自由电子会受到电场的驱动，从而在晶格中运动。
同时，半导体中还有空穴，即电子从原子轨道中跃迁出去后留下来的空位，空穴带有正电荷，也会在外加电压下发生移动。
2. PN结和二极管的基本原理PN结是由n型半导体和p型半导体组成的结构，它具有正向导通和反向截止的特性。
当PN结处于正向偏置时，n区的自由电子会向p区移动，p区的空穴会向n区移动，导致电子和空穴的复合，形成导电通道，电流得以通过。
而当PN结处于反向偏置时，n区和p区的电荷云层会被电场的作用扩散，形成空间电荷区，此时电流不能通过。
3. 晶体管的基本原理晶体管是由两个PN结构组成的器件，即P型区和N型区交替排列，整体上形成三个电极分别为集电极、发射极和基极。
当在基极和发射极之间加上正向偏置电压时，n区的自由电子会向p区移动，电子和空穴会在P区与N区的交界处结合而产生电流放大的效应。
这样，就实现了晶体管的放大功能，使得电子信号得以放大，并通过集电极输出。
二、晶体管的结构1. 晶体管的主要构成晶体管主要由P型半导体、N型半导体和金属电极组成。
P型半导体富含空穴，电子的迁移率较低；N型半导体富含自由电子，电子的迁移率较高；金属电极则起到了连接内部半导体材料的作用。
2. 晶体管的结构类型晶体管有多种不同的结构类型，包括双极型晶体管、场效应晶体管、异质结晶体管等。
不同结构的晶体管在性能和应用方面都有所不同，需根据具体的应用场景进行选择。
三、晶体管的工作原理1. 晶体管的工作状态晶体管主要有截止状态和放大状态两种工作状态。
晶体基础知识试题
晶体基础知识试题一、选择题（每题2分，共20分）1. 晶体的三种基本对称操作是什么？A. 平移、旋转、反射B. 平移、旋转、对称中心C. 旋转、反射、对称中心D. 平移、旋转、滑移2. 以下哪个是晶体的七大晶系之一？A. 立方晶系B. 六角晶系C. 斜方晶系D. 所有选项3. 晶体学中，晶面族是指：A. 具有相同米勒指数的一组晶面B. 具有相同晶面间距的一组晶面C. 具有相同晶面取向的一组晶面D. 具有相同晶面形状的一组晶面4. 晶体中原子排列的周期性是由什么决定的？A. 原子的大小B. 原子的排列方式C. 晶格的对称性D. 晶格的周期性5. 晶体的晶格常数指的是：A. 晶格中原子间的距离B. 晶格中原子的数量C. 晶格的基本重复单元的边长D. 晶格中原子的电荷6. 晶体的X射线衍射图样是由什么决定的？A. 晶体的形状B. 晶体的表面状态C. 晶体的晶格结构D. 晶体的化学成分7. 晶体的熔点与其对称性的关系是：A. 对称性越高，熔点越高B. 对称性越低，熔点越高C. 对称性与熔点无关D. 对称性越高，熔点越低8. 晶体的滑移面是指：A. 晶体中原子排列发生滑移的平面B. 晶体中原子排列发生旋转的平面C. 晶体中原子排列发生反射的平面D. 晶体中原子排列发生平移的平面9. 晶体的晶面间距与晶面指数的关系是：A. 晶面指数越大，晶面间距越小B. 晶面指数越小，晶面间距越小C. 晶面间距与晶面指数无关D. 晶面间距与晶面指数成反比10. 晶体的米勒指数表示的是：A. 晶面的取向B. 晶面的面积C. 晶面的体积D. 晶面的形状二、填空题（每题2分，共20分）1. 晶体的对称操作包括_______、_______、_______、_______、_______。
2. 晶体的晶格可以被分为_______、_______、_______、_______、_______、_______、_______七大晶系。
物理高中晶体知识点总结
物理高中晶体知识点总结1. 晶体的结构晶体的结构主要有原子晶体、离子晶体、分子晶体和合金晶体。
原子晶体是由同一种原子组成，例如金属晶体；离子晶体是由正负离子组成，例如NaCl；分子晶体是由分子组成，例如甘油；合金晶体是由两种或两种以上不同的金属原子组成，例如青铜。
2. 晶体的晶格晶体的结构是由晶格和晶体的基本单位组成的。
晶格是晶体内部空间周期性排列的结构，晶格可以分为立方晶系、四方晶系、六方晶系、菱面晶系、单斜晶系、三斜晶系。
晶体的基本单位是指构成晶体的最小部分，可以是原子、离子或分子。
3. 晶胞和晶系晶体是由晶体的基本单位重复堆叠而成的。
晶胞是晶体结构最小的重复单元，不同的晶体结构形成不同的晶胞结构。
晶系是由晶胞的平行和垂直关系来确定的，晶系有七种：立方晶系、四方晶系、六方晶系、菱面晶系、单斜晶系、三斜晶系和三斜晶系。
4. 晶体的晶体类别晶体可以分为单晶、多晶和非晶体。
单晶是晶体中晶粒具有一定的形状和方向。
多晶是晶粒方向规则排列，但没有固定的晶粒形状。
非晶体是晶体没有任何长程周期性排列的结构，它的原子、离子或分子具有较弱的相互作用。
5. 晶体的衍射晶格的结构可以通过衍射现象进行分析。
当入射光波照射到晶体上时，晶格的周期性结构会导致光波的衍射现象，形成衍射图样。
通过观察衍射图样的规则性，我们可以得知晶体的结构。
6. 晶格的缺陷晶格中存在着一些缺陷，包括点缺陷、线缺陷和面缺陷。
点缺陷包括空位缺陷、间隙原子、替位原子和杂质原子等；线缺陷包括位错和蠕滑体等；面缺陷包括晶界和位错堆垛等。
7. 晶体的物理性质晶体的物理性质包括晶体的热物性、光学性质、电学性质和力学性质等。
晶体的热物性质包括热膨胀、导热性和热容量等；光学性质包括吸收、散射和折射等；电学性质包括介电常数和电导率等；力学性质包括硬度、弹性模量和塑性等。
8. 晶体的应用晶体在电子学、光电子学、材料科学和生物科学等领域有着广泛的应用。
晶体材料可以用于制造半导体器件、激光器件、光学元件、电子元件和传感器等。
晶体学基础知识
不同晶面族的晶面间距也不相同。
面心立方和密堆六方的原子堆垛
原子的密排面的形式：在平面上每个原子与六个原子相切。
hcp中为(0001)面，
按 –ABABAB-方式堆垛。
Fcc中为{111}面，
按 –ABCABCABC-方式 堆垛。
平行六面体的三个棱长a、b、c和及其夹角α 、 β 、γ ，可决定平行六面体尺寸和形状，这六 个量亦称为点阵常数。
晶系
晶系——按点阵常数的特征对晶体的分类，可分为7大 晶系。
晶向与晶面指数
晶向——空间点阵中阵点列的方向。空间中任两阵点
的连线的方向，代表了晶体中原子列的方向。 晶向指数——表示晶向方位符号。
晶向与晶面指数
晶面：空间中不在一直线任三个阵点的构成的平面，
代表了晶体中原子列的方向。 晶面指数：表示晶面方位的符号。
立方系典型晶面
晶向与晶面指数
晶面指数与晶向指数关系：（hkl）⊥［hkl］
c
(111) [111]
c (110)
b a
a
b [110]
晶面间距
晶面间距：指相邻两个平行晶面之间的距离。 晶面间的距离越大，晶面上的原子排列越密集。 同一晶面族的原子排列方式相同，它们的晶面间的间
晶体学基础知识
晶格与晶胞
晶格
为了表达空间原子排列的几何规律，把粒子(原子或分 子)在空间的平衡位置作为阵点，人为地将阵点用一系 列相互平行的直线连接起来形成的空间格架称为晶格。
Байду номын сангаас 晶格与晶胞
晶胞——构成晶格的最基本单元，在三维空间 重复堆砌可构成整个空间点阵，通常为小的平 行六面体。
晶格与晶胞
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石英晶体基本常识
一、基础概念
1、石英晶体谐振器:利用石英晶体的逆电压效应制造具有选择频率和稳定频率的无线电元件。
电介质由于外界的机械作用，(如压缩‧伸拉)而在其內部产生变化，产生表面电荷的现象，叫压电效应，如果将具有压电效应的介质至于外电场中，由于电场的作用，会引起介质內部正负电荷中心位移，而这一位移产生效应为逆压电效应
2、晶片的主要成分SiO2（二氧化硅）密度：2.65g/cm3分子量：60.06
3、振动模式晶体分为以下两类：
AT
基频：BT 在振动模式最低阶次的振动频率
CT
DT
3次
泛音：5次晶体振动的机械谐波，泛音频率与基频频率之比，
7次接近整倍数，又不是整倍数。
9次
AT与BT如何区分
1)通过测量晶片厚度
AT厚度t=1670/F0 F0-晶体标称频率
BT厚度t=2560/F0
2)通过温选根据晶片的拟合曲线来确定
3)通过测量晶体的C0、C1、TS、L、T来确定
4、按规格分为：HC-49S，HC-49U，HC-49S/SMD，表晶(3*8、2*6)，UM系列等
HC-49S HC-49U HC-49S/SMD 表晶
陶瓷SMD 钟振UM系列
5、标称频率：晶体技术条件中所给定的频率，如4.000MHz，12.000MHz，25.000MHz等
6、调整频差：在规定条件下，基准温度时，工作频率相对于标称频率所允许的偏离值(如：
±30ppm、±25ppm)
7、串联谐振频率(FR)：晶体本身固有的频率
8、负载谐振频率(FL)：在规定条件下，晶体与一负载电容相并联或相串联，其组合阻抗呈现
出来的谐振频率。
9、负载电容：在振荡电路中晶体两脚之间所有的等效电容量之和.在通常情况下IC厂家在规格书中都会给出推荐的晶体匹配电容.
说明：负载电容CL是组成振荡电路时的必备条件。
在通常的振荡电路中，石英晶体谐振器作为感抗，而振荡电路作为一个容抗被使用。
也就是说，当晶体两端均接入谐振回路中，振荡电路的负阻抗-R和电容CL即被测出，这时，这一电容称为负载电容。
负载电容和谐振频率之间的关系不是线性的，负载电容小时，频率偏差量大，当负载电容提高时，频率偏差量减小。
当振荡电路中的负载电容减少时，谐振频率发生较大的偏差，甚至当电路中发生一个小变化时，频率的稳定性就受到巨大影响。
负载电容可以是任意值，但10-30PF会更佳。
10、温度频差(F/T)：在规定条件下，工作温度范围内，相对于基准温度时工作频率允许的偏离
值
11、基准温度：25±2℃，湿度：50%±10%
12、谐振电阻(RR)：在规定条件下，晶振在谐振频率时的等效电阻
13石英晶体谐振器等效电路
石英晶体谐振器的振动实质上是一种机械振动。
实际上，石英晶体谐振器可以被一个具有电子转换性能的两端网络测出。
这个回路包括L1、C1，同时C0作为一个石英晶体的绝缘体的电容被并入回路，与弹性振动有关的阻抗R1是在谐振频率时石英晶体谐振器的谐振阻抗。
(见图1)
14石英晶体谐振器频率-温度特性
石英晶体作为谐振器在使用时，要求其谐振频率在温度发生变化时保持稳定。
温频特性与切割角有关，每个石英晶体具有结晶轴，晶体切割是按其振动模式沿垂直于结晶轴的角度切割的。
典型的晶体切割和温频特性。
(见图2)
15、AT型切片的温频特性
AT型石英晶体谐振器的温度特性目前大多用三次曲线表示(见图3)。
一个石英晶片在所需要的频率范围已满足的情况下在某一角度被切割，以达到要求的工作温度范围。
当然，实际上，即使在成功的操作中，也会有一些由于切割和磨光精确性不够而造成的角度散布，由此，操作的精确度需要提高。
在图4中可以看到频率公差和生产难度等级的关系。
16、晶体振荡电路中的等效电路
在振荡电路中，石英晶体谐振器作为感抗被使用。
石英晶体谐振器和振荡电路的关系如图5所示，为提高振荡电路中的起振条件，须提高振荡电路中的负阻抗，而电路中没有足够的负
阻抗偏差，则较难起振。
在振荡电路中负阻抗的值应达到谐振阻抗的5-10倍。
在振荡电路中，负载电容的中心值（其决定谐振频率的绝对值）和其变化范围（谐振频率的良好调整范围）应保持在最佳值。
17激励功率依赖性
石英振荡器的机械振动的振幅会随着电流的振幅成正比例地上升. 高激励功率会导致共振的破坏或蒸镀电极的蒸发,最高允许的功率不应超过10mW.
随着晶体泛音次数的增加, 对于激励功率的依赖性更加显著.上图显示了典型的结果, 但是精确的预期结果还是要受到包括晶体设计和加工,机械性晶片参数,电极大小,点胶情况等的影响.
可以看出, 激励功率必须被谨慎地确定,以使晶体在生产中和使用中保持良好的关系.
当今,一个半导体振荡回路的激励功率一般为0.1mW,故在生产晶体时也一般按0.1mW进行.
一个品质良好的晶体可以容易地起振,其频率在自1цW逐步增加时均能保持稳定.现在, 晶体两端的功率很低的半导体回路也可以在很低的功率的情况下工作良好.
上图显示了一个对激励功率有或无依赖性的晶体的工作曲线的比较.
晶体存在蒸镀电极不良,晶片表面洁净度不足, 都会存在如图所示的在低功率时出现高阻抗的情况, 这一影响称为激励功率依赖性(DLD). 通常生产中测试DLD是用0.01~100цW测试后再用100цW测试, 发生的阻抗变化可作为测试的标准. 很显然, 在增加测试内容会相当大的提高晶体生产的成本.
利用适当的测试仪器可以很快地进行DLD极限值的测定,但是只能进行合格/不合格的测试.IEC草案248覆盖了根据(DIV)IEC444-6制定的激励功率的依赖性的测量方法.
提供具有充分的反馈和良好脉冲的最优化的振荡回路,可以极大的消除振荡的内部问题.
18、石英晶体谐振器使用的注意点
(1)与HC-49/U相比,小的石英晶体谐振器(如HC-49U/S, HC-49USM, UM-1, 49T) 都是低激励功率(100uW或以下). 在使用之前,须在一个实际的安装电路中检验晶体电流(见图5).
(2)须检查电路的负阻抗,负阻抗的认可见图8.
负阻抗应是谐振阻抗的5倍左右.
(3)当使用C-MOS振荡器时(见图7)线路图中的Rd是必要的. 如果Rd达到要求, 激励功率会保持在规定值内,那么谐振频率也就稳定了.
(4)在10-30PF内,可以用Cg和Cd, 如果Cg和Cd<10PF或>30PF, 振荡会被电路现象轻易的影响, 激励功率会升高,或负阻抗会减小, 最终导致振荡的不稳定.
(5)晶体振荡电路的设计应尽量简短.
(6)电路和线路板间的杂散电容应尽量被减少.
(7)尽量避免晶体振荡电路穿过其他电路.
(8)如果电路用IC方式,而且IC制造各不相同,那么频率, 激励功率, 负阻抗须被确认.
(9)泛音振荡电路还需要附加的参考.
19、定货注意点
有特殊要求时,须提供具体规格,如果有更多的实验要求,我们会介绍最适合的产品.当石英晶体谐振器的负载等不清楚时,可以提供给我们实物以作参考.
我们生产具有多种型号, 频率, 温度特性, 工作条件等的产品.
如有不清楚之处, 可向我公司提出, 我们将给您充分答复.
二、常用问题解答:
1、什么是PPM? ppm与Hz之间转换
PPM 是百万分之一，是实际频率与标称频率的比值，
1ppm=10-6Hz
1MHz=1000KHz=1000000Hz
转换公式：MHz=ppm值*F0*10-6++F0F0-标称频率（MHz）
ppm=(F-F0)/F0*106 F0-标称频率
例1：如4M 测试频率：10ppm 如何转换为以MHz为单位的频率显示值计算：MHz=10*4*10-6 +4
=4.00004
故所测晶体为4.00004MHz
例2：如4M 测试频率：4.004MHz 如何转换为以ppm为单位的频率显示值计算：ppm=(4.004-4.000)/4.000*106
=1000
故所测晶体为1000ppm
2、在谐振电路里面如何计算实际使用的负载电容是多少?
如上图中可以采用以下公式近似地来计算所需的电容值:
CL=((C1 x C2) / (C1 + C2)) + Cs
Cs 是电路的杂散电容,一般是1~5pF,当CL是20pF时,C1和C2的值大概是30~39pF
3.什么是负性阻抗( Negative Resistance)?如何测试判定?
负性阻抗是来判断振荡电路稳定性的一个参数,如果负性阻抗太小,那么当振荡器随着老化,温度,电压的变化将受到很大的影响.
负性阻抗的测试电路和步骤如下:
测试电路:
测试步骤：
将可调电阻与石英晶体串联接入回路
Vr使回路起振或停振
Vr
得到负性阻抗值│-R│= R1+Vr?
R1: 晶体的阻抗值
Vr: 可变电阻
推荐负性阻抗值│-R│> 10*R1?
4、什么是晶体振荡器的三态?
振荡器的输出被一个三态控制端所控制,当控制端是低电平时输出端将呈现高阻,当三态端是高电平时输出端才会有频率和波形输出.
5、什么是XO, VCXO , TCXO,OCXO?
XO 是普通的晶体振荡器,没有温度补偿或电压控制来微调输出频率,温频特性主要是晶体本身造成的.
VCXO 压控晶体振荡器是有一个脚可以外接电压来微调输出频率的振荡器.
TCXO 是一种内部具有温度补偿电路的晶体振荡器,当工作温度发生变化时输出频率具有很好的稳定性。