微电子封装技术-课后习题答案

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微电子工艺习题答案(整理供参考)

微电子工艺习题答案(整理供参考)

第一章1.集成电路:通过一系列特定的加工工艺,将晶体管、二极管等有源器件和电阻、电容等无源器件,按照一定的电路互连,“集成”在一块半导体单晶片(如Si、GaAs)上,封装在一个外壳内,执行特定电路或系统功能。

集成电路发展的五个时代及晶体管数目:小规模集成电路(小于100个)、中规模集成电路(100~999)、大规模集成电路(1000~99999)、超大规模集成电路(超过10万)、甚大规模集成电路(1000万左右)。

2、硅片制备(Wafer preparation)、硅片制造(Wafer fabrication)硅片测试/拣选(Wafer test/sort)、装配与封装(Assembly and packaging)、终测(Final test)。

3、半导体发展方向:提高性能、提高可靠性、降低价格。

摩尔定律:硅集成电路按照4年为一代,每代的芯片集成度要翻两番、工艺线宽约缩小30%,IC工作速度提高1.5倍等发展规律发展。

4、特征尺寸也叫关键尺寸,集成电路中半导体器件能够加工的最小尺寸。

5、more moore定律:芯片特征尺寸的不断缩小。

从几何学角度指的是为了提高密度、性能和可靠性在晶圆水平和垂直方向上的特征尺寸的继续缩小,more than moore定律:指的是用各种方法给最终用户提供附加价值,不一定要缩小特征尺寸,如从系统组件级向3D集成或精确的封装级(SiP)或芯片级(SoC)转移。

6、High-K:高介电系数;low-K:低介电系数;Fabless:无晶圆厂;Fablite:轻晶片厂;IDM:Integrated Device Manufactory集成器件制造商;Foundry:专业代工厂;Chipless:无晶片1、原因:更大直径硅片,更多的芯片,单个芯片成本减少;更大直径硅片,硅片边缘芯片减小,成品率提高;提高设备的重复利用率。

硅片尺寸变化:2寸(50mm)-4寸(100mm)-5寸(125mm)-6寸(150mm)-8寸(200mm)-12寸(300mm)-18寸(450mm).2、物理尺寸、平整度、微粗糙度、氧含量、晶体缺陷、颗粒、体电阻率。

微电子封装技术知到章节答案智慧树2023年潍坊学院

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微电子封装技术知到章节测试答案智慧树2023年最新潍坊学院第一章测试1.封装会使芯片包裹的更加紧实,因此提供散热途径不是芯片封装要实现的功能。

()参考答案:错2.按照封装中组合使用的集成电路芯片的数目,芯片封装可以分为单芯片封装和多芯片封装两类。

()参考答案:对3.按照针脚排列方式的不同,针栅排列可以提供较高的封装密度,其引脚形式为()。

参考答案:底部引脚形态4.针栅阵列式封装的引脚分布形态属于()。

参考答案:底部引脚5.集成电路的零级封装,主要是实现()。

参考答案:芯片内部器件的互连;芯片内部不同功能电路的连接第二章测试1.硅晶圆可以直接用来制造IC芯片而无需经过减薄处理工艺。

()参考答案:错2.当金-硅的质量分数为69%和31%时能够实现共熔,且共熔温度最低。

()参考答案:对3.玻璃胶粘贴法仅适用于()。

参考答案:陶瓷封装4.以下芯片互连方式,具有最小的封装引线电容的是()。

参考答案:FC焊接5.集成电路芯片封装的工序一般可分为()。

参考答案:前道工序;后道工序第三章测试1.轴向喷洒涂胶工艺的缺点为成品易受到水气侵袭。

()参考答案:对2.碳化硅是半导体,因此它不能作为陶瓷封装的材料。

()参考答案:错3.陶瓷封装工艺首要的步骤是浆料的制备,浆料成分包含了无机材料和()。

参考答案:有机材料4.金属封装所使用的的材料除了可达到良好的密封性之外,还可提供良好的热传导及()。

参考答案:电屏蔽5.降低密封腔体内部水分的主要途径有以下几种()。

参考答案:采取合理的预烘工艺;尽量降低保护气体的湿度;避免烘烤后管壳重新接触室内大气环境第四章测试1.双列直插封装的引脚数可达1000以上。

()参考答案:错2.球栅阵列封装形式的芯片无法返修。

()参考答案:错3.以下封装方式中,具有工业自动化程度高、工艺简单、容易实现量产的封装形式为()。

参考答案:塑料双列直插式封装4.载带球栅阵列封装所用的焊球,其成分为()。

参考答案:90%Pb-10%Sn5.陶瓷熔封双列直插式封装结构简单,其三个基本零部件为()。

微电子技术基础 全册习题解答

微电子技术基础 全册习题解答

微电子技术基础全册习题解答第1章习题解答1.微电子学主要以半导体材料的研究为基础,以实现电路和系统的集成为目的,构建各类复杂的微小化的芯片,其涵盖范围非常广泛,包括各类集成电路(Integrated Circuit,IC)、微型传感器、光电器件及特殊的分离器件等。

2.数字集成电路、模拟集成电路、数模混合集成电路。

3.设计、制造、封装、测试。

4.微机电系统是指集微型传感器、微型执行器、信号处理和控制电路、接口电路、通信系统及电源于一体的系统。

典型应用包括微加速度计、微磁力计、微陀螺仪等。

第2章习题解答1.(100)平面:4.83Å,(110)平面:6.83Å2.略。

3.略。

4.硅的原子密度约为5×1022/cm3,硅外层有四个价电子,故价电子密度为2×1023/cm3 5.N型掺杂杂质:P、As、Sb,P型掺杂杂质:B、Al、Ga、In6.As有5个价电子,为施主杂质,形成N型半导体7.当半导体中同时存在施主和受主杂质时,会发生杂杂质补偿作用,在实际工艺中杂质补偿作用使用的非常广泛,例如在P阱结构中制备NMOS管8.理想半导体假设晶格原子严格按周期性排列并静止在格点位置上,实际半导体中原子不是静止的,而是在其平衡位置附近振动。

理想半导体是纯净不含杂质的,实际半导体含有若干杂质。

理想半导体的晶格结构是完整的,实际半导体中存在点缺陷,线缺陷和面缺陷等。

9.费米能级用于衡量一定温度下,电子在各个量子态上的统计分布。

数值上费米能级是温度为绝对零度时固体能带中充满电子的最高能级。

10.状态密度函数表示能带中能量E附近每单位能量间隔内的量子态数。

11.费米-狄拉克概率函数表示热平衡状态下电子(服从泡利不相容原理的费米子)在不同能量的量子态上统计分布概率。

12.1.5k0T:费米函数0.182,玻尔兹曼函数0.2334k0T:费米函数0.018,玻尔兹曼函数0.018310k0T:费米函数4.54×10-5,玻尔兹曼函数4.54×10-513.所以假设硅的本征费米能级位于禁带中央是合理的14.假设杂质全部由强电离区的E FN D=1019/cm3;E F=E c-0.027eV15.未电离杂质占的百分比为得出:T=37.1K16.本征载流子浓度:1013/cm 3,多子浓度: 1.62×1013/cm 3,少子浓度:6.17×1012/cm 3,E F -E i =0.017eV17.*pC V 0i F *n 3ln 24m E E k T E E m +==+,当温度较小时,第二项整体数值较小,本征费米能级可近似认为处于禁带中央。

电子封装技术基础知识单选题100道及答案解析

电子封装技术基础知识单选题100道及答案解析

电子封装技术基础知识单选题100道及答案解析1. 电子封装的主要作用不包括()A. 保护芯片B. 提供电气连接C. 提高芯片性能D. 增加芯片尺寸答案:D解析:电子封装的主要作用是保护芯片、提供电气连接以及在一定程度上优化芯片性能,而不是增加芯片尺寸。

2. 以下哪种材料常用于电子封装的基板()A. 玻璃B. 陶瓷C. 木材D. 塑料答案:B解析:陶瓷具有良好的热性能和电性能,常用于电子封装的基板。

3. 电子封装中的引线键合技术常用的材料是()A. 铝B. 铜C. 铁D. 锌答案:A解析:在电子封装中,铝是引线键合技术常用的材料。

4. 下列哪种封装形式具有较高的集成度()A. DIPB. BGAC. SOPD. QFP答案:B解析:BGA(球栅阵列封装)具有较高的集成度。

5. 电子封装中用于散热的材料通常是()A. 橡胶B. 金属C. 纸D. 布答案:B解析:金属具有良好的导热性能,常用于电子封装中的散热。

6. 以下哪种封装技术适用于高频应用()A. CSPB. PGAC. LGAD. MCM答案:D解析:MCM(多芯片模块)适用于高频应用。

7. 电子封装中,阻焊层的主要作用是()A. 增加电阻B. 防止短路C. 提高电容D. 增强磁场答案:B解析:阻焊层可以防止线路之间的短路。

8. 以下哪种封装的引脚间距较小()A. QFPB. TSSOPC. PLCCD. DIP答案:B解析:TSSOP 的引脚间距相对较小。

9. 在电子封装中,模塑料的主要成分是()A. 金属B. 陶瓷C. 聚合物D. 玻璃答案:C解析:模塑料的主要成分是聚合物。

10. 哪种封装形式常用于手机等小型电子产品()A. CPGAB. BGAC. SPGAD. DPGA答案:B解析:BGA 由于其尺寸小、集成度高等特点,常用于手机等小型电子产品。

11. 电子封装中,芯片粘结材料常用的是()A. 硅胶B. 水泥C. 胶水D. 沥青答案:A解析:硅胶是芯片粘结材料常用的一种。

微电子封装技术作业(一)

微电子封装技术作业(一)

第一次作业1 写出下列缩写的英文全称和中文名称DIP: Double In-line Package, 双列直插式组装BGA: ball grid array, 球状矩阵排列QFP: Quad flat Pack, 四方扁平排列WLP: Wafer Level Package, 晶圆级封装CSP: Chip Scale Package, 芯片级封装LGA: Land grid array, 焊盘网格阵列PLCC: Plastic Leaded Chip Carrier, 塑料芯片载体SOP: Standard Operation Procedure, 标准操作程序PGA: pin grid array, 引脚阵列封装MCM: multiple chip module, 多片模块SIP: System in a Package, 系统封装COB: Chip on Board, 板上芯片DCA: Direct Chip Attach, 芯片直接贴装,同COBMEMS: Micro-electromechanical Systems, 微电子机械系统2 简述芯片封装实现的四种主要功能,除此之外LED封装功能。

芯片功能(1)信号分配;(2)电源分配;(3)热耗散:使结温处于控制范围之内;(4)防护:对器件的芯片和互连进行机械、电磁、化学等方面的防护LED器件(2)LED器件:光转化、取光和一次配光。

3 微电子封装技术的划分层次和各层次得到的相应封装产品类别。

微电子封装技术的技术层次第一层次:零级封装-芯片互连级(CLP)第二层次:一级封装SCM 与MCM(Single/Multi Chip Module)第三层次:二级封装组装成SubsystemCOB(Chip on Board)和元器件安装在基板上第三层次:三级微电子封装,电子整机系统构建相对应的产品如图(1)所示:图1 各个封装层次对应的产品4 从芯片和系统角度简述微电子技术发展对封装的要求(1)对于单一的芯片,片上集成的功能比较少时,对封装技术要求不太高,但是在芯片上集成系统时(SOC),随着尺寸的减小,将模拟、射频和数字功能整合到一起的难度随之增大,这样在封装工艺上难度会加大,比如,SOC芯片上包含有MEMS或者其他新型的器件,即使解决了在芯片上制作的工艺兼容问题,还将面临封装的难题。

微电子技术基础知识单选题100道及答案解析

微电子技术基础知识单选题100道及答案解析

微电子技术基础知识单选题100道及答案解析1. 微电子技术的核心是()A. 集成电路B. 晶体管C. 电子管D. 激光技术答案:A解析:集成电路是微电子技术的核心。

2. 以下哪种材料常用于微电子器件的制造()A. 钢铁B. 塑料C. 硅D. 木材答案:C解析:硅是微电子器件制造中常用的半导体材料。

3. 微电子技术中,芯片制造工艺的精度通常用()来衡量。

A. 纳米B. 微米C. 毫米D. 厘米答案:A解析:芯片制造工艺精度通常用纳米来衡量。

4. 集成电路中,基本的逻辑门包括()A. 与门、或门、非门B. 加法门、减法门C. 乘法门、除法门D. 以上都不对答案:A解析:与门、或门、非门是集成电路中的基本逻辑门。

5. 微电子技术的发展使得计算机的体积越来越()A. 大B. 小C. 不变D. 随机答案:B解析:微电子技术进步使计算机体积逐渐变小。

6. 以下哪个不是微电子技术的应用领域()A. 航空航天B. 农业种植C. 通信D. 医疗答案:B解析:农业种植通常较少直接应用微电子技术。

7. 在微电子制造中,光刻技术的作用是()A. 刻蚀电路B. 沉积材料C. 图案转移D. 检测缺陷答案:C解析:光刻技术主要用于图案转移。

8. 微电子封装技术的主要目的是()A. 保护芯片B. 提高性能C. 便于连接D. 以上都是答案:D解析:微电子封装技术能保护芯片、提高性能并便于连接。

9. 摩尔定律指出,集成电路上可容纳的晶体管数目约每隔()翻一番。

A. 18 个月B. 2 年C. 5 年D. 10 年答案:A解析:摩尔定律表明约每隔18 个月集成电路上晶体管数目翻番。

10. 微电子技术中的掺杂工艺是为了改变半导体的()A. 电阻B. 电容C. 电导D. 电感答案:C解析:掺杂改变半导体的电导特性。

11. 以下哪种设备常用于微电子制造中的检测()A. 显微镜B. 示波器C. 扫描仪D. 电子显微镜答案:D解析:电子显微镜常用于微电子制造中的检测。

【2024版】微电子封装技术课程重点内容(English)

【2024版】微电子封装技术课程重点内容(English)

Microelectronics packaging technology(R eview contents)Chapter 1:Introduction1.The development characteristics and trends of microelectronics packaging.2.The functions of microelectronics packaging.3.The levels of microelectronics packaging technology.4.The methods for chip bonding.Chapter 2:Chip interconnection technologyIt is one of the key chapters1.The Three kinds of chip interconnection, and their characteristics and applications.2.The types of wire bonding (WB) technology, their characteristics and working principles.3.The working principle and main process of the wire ball bonding.4.The major materials for wire bonding.5.Tape automated bonding (TAB) technology:1)The characteristic and application of TAB technology.2)The key materials and technologies of TAB technology.3)The internal lead and outer lead welding technology of TAB technology.6. Flip Chip Bonding (FCB) Technology1)The characteristic and application of flip chip bonding technology2)UBM and multilayer metallization under chip bump;UBM’s structure and material, and the roles ofeach layer.3)The main fabrication method of chip bumps.4)FCB technology and its reliability.5)C4 soldering technology and its advantages.6)The role of underfill in FCB.7)The interconnection principles for Isotropic and anisotropic conductive adhesive respectively. Chapter 3: Packaging technology of Through-Hole components1.The classification of Through-Hole components.2.Focused on:DIP packaging technology, including its process flow.3.The characteristics of PGA.Chapter 4:Packaging technology of surface mounted device (SMD)1.The advantages and disadvantages of SMD.2.The types of SMD.3.The main SMD packaging technologies, focused on:SOP、PLCC、LCCC、QFP.4.The packaging process flow of QFP.5.The risk of moisture absorption in plastic packages, the mechanism of the cracking caused by moistureabsorption, and solutions to prevent for such failure.Chapter 5:Packaging technology of BGA and CSP1.The characteristics of BGA and CSP.2.The packaging technology for PBGA,and its process flow.3.The characteristics of packaging technology for CSP.4.The reliability problems of BGA and CSP.Chapter 6:Multi-Chip Module(MCM)1.The classification and characteristics of MCM2. The assembly technology of MCM.Chapter 7:Electronic packaging materials and substrate technology1. The classification of the materials for electronic packaging, the main requirements for packagingmaterials.2. The types of metals in electronic packaging, and their main applications.3. The main requirements for polymer materials in electronic packaging.4.Classification of main substrate materials, and the major requirements for substrate materials.Chapter 8:Microelectronics packaging reliability1.The basic concepts of electronic packaging reliability.2.The basic concepts for failure mode and failure mechanism in electronic packaging.3.Main failure (defect) modes (types) of electronic packaging.4.The purpose and procedure of failure analysis (FA) ;Common FA techniques (such as cross section, dyeand pry, SEM, CSAM ...).5 The purpose and key factors (such as stress level, stress type …) to design accelerated reliability test. Chapter 9:Advanced packaging technologies1.The concept of wafer level packaging (WLP) technology.2.The key processes of WL-CSP.3.The concept and types of the 3D packaging technologies.Specified Subject 1:LED packaging technology1. Describe briefly the four ways to achieve LED white light, and how they are packaged?2. Describe briefly the difference and similar aspects (similarity) between LED packaging andmicroelectronics packaging.3. And also describe briefly the development trend for LED package technology and the whole LED industryrespectively.Specified Subject 2:MEMS packaging technology1.The differences between micro-electro-mechanical system (MEMS) packaging technology and theconventional microelectronics packaging technologies.2.The function requirements of MEMS packaging.Extra requirement:The common used terms (Abbreviation) for electronic packaging.。

微电子封装技术-模拟题1及答案

微电子封装技术-模拟题1及答案
(6)性能价格比将更高,降低成本,达到物美价廉。
5、
(1)确认有缺陷的BGA器件,做好标记
(2)预热电路板及有缺陷的BGA器件
(3)拆除BGA器件
(4)清洁焊区Βιβλιοθήκη 去掉残余物,休整焊区(5)涂覆焊膏或阻焊剂
(6)安装新器件
(7)再流焊
(8)焊接质量检查
四、综合题
1、
IC芯片粘接、固化→WB或TAB→装模具→预热塑料→塑料加热加压→固化后开模→切筋、打弯、去溢、引线电镀→老化筛选→测试、分选→打印包装
微电子封装技术习题练习1及答案
一.填空题
1、常用的芯片互联技术有、和。
2、在电子产品电路中常见的无源元件有、和等,有源器件有、和等。
3、常用的封装材料有、和。
4、常用铅-锡焊丝作为焊料,其含铅量越高,焊丝的熔点温度也就越,片式元器件最常用的焊接方法是。
5、未来微电子封装将由有封装向和发展。
6、BGA的焊球分布有和两种方法。
1、画出PQFP封装工艺流程(7分)
2、根据器件外形写出其相应封装类型
3、根据所学知识请简单描述元器件封装的发展史。
习题答案
一、填空题
标准答案:
1、WB、FCB、TAB。
2.电阻、电感、电容、二极管、三极管、场效应管。
3.金属、陶瓷、塑料。
4.高、再流焊接。
5.少封装、无封装
6.全阵列、部分阵列
7.L,J,。
(4)空洞;原因:沾污及焊膏问题造成空洞。
(5)浸润性差;原因:焊区或焊球的浸润性差,造成连接断开。
(6)形成焊料小球;原因:小的焊料球由再流焊接时溅出的焊料形成,是潜在短路缺陷的隐患。
(7)误对准;原因:焊球重心不在焊区中心。
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3.1简述包封技术的特点。
答:
包封通过将有源器件和环境隔离来实现保护元器件的功能,同时芯片和封装材料形成一体,以达到机械保护的目的。包封一般采用有机材料,成本相对较低,在民用集成电路封装中占主导地位。但其耐湿性不佳,影响了产品可靠性。
3.2简述包封技术常用的材料。
答:
从基质材料的综合特性来看,最常用的包封材料分为四种类型:环氧类、氰酸酯类、聚硅酮类和氨基甲酸乙酯类,目前IC封装使用邻甲酚甲醛型环氧树脂体系的较多。具有耐湿、耐燃、易保存、流动充填性好、电绝缘性高、应力低、强度大和可靠性好等特点。
硅片的背面减薄技术主要有磨削、研磨、干式抛光(Dry Polishing)、化学机械平坦工艺(CMP)、电化学腐蚀(Electrochemical Etching)、湿法腐蚀(Wet Etching)、等离子增强化学腐蚀Plasma Enhanced Chemical Etching,PECE)、常压等离子腐蚀(Atmosphere Downstream Plasma Etching,ADPE)等。
3.5简述模注成形技术的常见问题。
答:
有塑封产品无论是采用先进的传递模注封装还是采用传统的单注塑模封装,塑封成形缺陷总是普遍存在的,而且无法完全消除。1.未填充;2.冲丝;3.气泡或气孔;4.麻点;5.开裂;6.溢料;7.其他缺陷,在塑封中还有粘污、偏芯等缺陷。
3.6简述模注成形技术常见问题的解决对策。
2.4简述芯片贴装的常用工艺技术。
答:
贴装的方式主要共晶粘贴法、焊接粘贴法、导电胶粘贴法和玻璃胶粘贴法。共晶粘贴法是利用金-硅合金(一般是69%的金和31%的Si),在363℃时的共晶熔合反应使IC芯片粘贴固定。焊接粘贴法是将芯片背面淀积一定厚度的Au或Ni,同时在焊盘上淀积Au-Pd-Ag和Cu的金属层。这样就可以使用Pb-Sn合金制作的合金焊料将芯片焊接在焊盘上。导电胶进行芯片贴装的工艺用针筒或注射器将黏着剂涂布在芯片焊盘上,然后将芯片精确地放置到焊盘的黏着剂上面。玻璃胶粘贴芯片先以盖印、网印、点胶等技术将玻璃胶原料涂布在基板的芯片座上,将IC芯片放置在玻璃胶上后,再将封装基板加热至玻璃熔融温度以上即可完成粘贴。
1.3简述微电子封装的主要功能。
答:
微电子封装通常有四种功能:传递电能、信号传输、散热通道、机械支撑。1.传递电能,主要是指电源电压的分配和导通。2.信号传输,主要是将电信号的延迟尽可能地减小,在布线时应尽可能使信号线与芯片的互连路径及通过封装I/O引出的路径达到最短。3.散热通道,主要是指各种微电子封装都要考虑器件、部件长期工作时如何将聚集的热量散出的问题。4.机械支撑,主要是指微电子封装可以为芯片和其他部件提供牢固可靠的机械支撑,并能适应各种工作环境和条件的变化。
2.5简述打线键合的常用工艺技术。
答:
主要的打线键合方式有热压键合(Thermocompression Bonding,也称为T/C Bonding)、超声波键合(Ultrasonic Bonding,也称为U/S Bonding)和热超声波键合(Thermosonic Bonding,也称为T/S Bonding)三种。热压键合技术是利用加热和加压力,使金属丝与Al或Au的金属焊区压焊在一起。超声波键合又称超声焊,它是利用超声波发生器产生的能量,通过磁致伸缩换能器,在超高频磁场感应下,迅速伸缩而产生弹性振动,经变幅杆传给劈刀,使劈刀相应振动;同时,在劈刀上施加一定压力。于是,劈刀就在这两种力的共同作用下,带动金属丝在被焊区的金属化层表面迅速摩擦,使金属丝和金属表面产生塑性形变。热超声波键合技术为热压键合技术与超声波键合技术的混合技术。热超声波键合必须首先在金属线末端成球,再使用超声波脉冲进行金属线与金属焊区的键合。
2.9简述微电子封装中常用的成形技术。
答:
常见的成形技术主要有金属封装、塑料封装、陶瓷封装等。塑料封装是最常用的封装方式,塑料封装的成形技术有多种,主要包括转移成形技术(Transfer Molding)、喷射成形技术(Inject Molding)和预成形技术(Premolding)等。
2.10简述常用的去飞边毛刺技术及其主要特点。
3.3简述包封技术的工艺过程。
答:
常用的包封封装法,一般是将树脂覆盖在半导体芯片上,使其与外界环境隔绝。覆盖树脂的方法有以下五种。1.涂布法,用笔或毛刷等蘸取树脂,在半导体芯片上涂布,然后加热固化完成封装。涂布法要求树脂黏度适中略低。2.浸渍法,将芯片浸入装满环氧树脂或酚树脂液体的浴槽中,浸渍一定时间后向上提拉,然后加热固化完成封装。3.滴灌法,又叫滴下法,用注射器及布液器将液态树脂滴灌在半导体芯片上,然后加热固化完成封装。4.流动浸渍法,又叫粉体涂装法。将芯片置于预加热的状态,浸入装满环氧树脂与氧化硅粉末的混合粉体,并置于流动状态的流动浴槽中,浸渍一定时间,待粉体附着达到一定厚度后,经加热固化完成封装。5.模注法,将芯片放入比其尺寸略大的模具或树脂盒中,构成模块,向模块间隙中注入液体树脂,然后加热固化完成封装,这是最常见的一种包封形式。
TAB三层带的Cu箔与PI粘结性好,可制作高精度图形,可卷绕,适于批量生产,能筛选和测试芯片,制作工艺较复杂,成本较高。
2.8简述倒装焊技术中的凸点的制作技术。
答:
制作凸点的工艺技术多种多样,归结起来,主要有蒸发/溅射法、电镀法、化学镀法、机械打球法、激光法、置球和模板印刷法、移植法、叠层制作法和柔性凸点制作法等。
1.4简述微电子封装技术的主要类型。
答:
按照封装中所组合的集成电路芯片的数目区分,芯片封装可分为单芯片封装(Single Chip Packages,SCP)和多芯片封装(Multichip Packages,MCP)两大类,多芯片封装也包括多芯片组件(模块)封装(Multichip Module,MCM)。通常MCP指层次较低的多芯片封装,而MCM指层次较高的多芯片封装。
3.4简述传递模注封装技术的优点和缺点。
答:
传递模注具有以下优点:①制品废边少,可减少后加工量;②能加工带有精细或易碎嵌件和穿孔的制品,并能保持嵌件和孔眼位置的正确;③制品性能均匀,尺寸准确,质量高;④模具的磨损较小。
传递模注具有以下缺点:①模具的制造成本较高;②塑料损耗大;③纤维增强塑料因纤维定向而产生各向异性;④围绕在嵌件四周的塑料,有时会因熔按不牢而使制品的强度降低。
第一层次又称为芯片层次的封装即用封装外壳将芯片封装成单芯片组件singlechipmodulescm和多芯片组件的一级封装是指把集成电路芯片与封装基板或引脚架之间的粘贴固定电路连线与封装保护的工艺使之成为易于取放输送并可与下一层次组装进行连接的模块元器件

1.1简述微电子封装技术的主要特点。
答:
①微电子封装向高密度和高I/O引脚数发展,引脚由四边引出向面阵排列发展。②微电子封装向表面安装式封装(SMP)发展,以适合表面安装技术(SMT)。③从陶瓷封装向塑料封装发展。④从注重发展IC芯片向先发展后道封装再发展芯片转移。
1.2简述微电子封装的四个技术层次。
答:
从由硅圆片制作出各类芯片开始,微电子封装可以分为四个层次:①第一层次,又称为芯片层次的封装,即用封装外壳将芯片封装成单芯片组件(Single Chip Module,SCM)和多芯片组件的一级封装,是指把集成电路芯片与封装基板或引脚架之间的粘贴固定、电路连线与封装保护的工艺,使之成为易于取放输送,并可与下一层次组装进行连接的模块元器件;②第二层次,将数个第一层次完成的封装与其他电子元器件组合成一个电路卡的工艺;③第三层次,将数个第二层次完成的封装组装成的电路卡组装在一个主电路板上,使之成为一个部件或子系统的工艺;④第四层次,将数个第三层次组装好的子系统再组装成一个完整电子产品的工艺过程。
答:
去除飞边毛刺的工艺主要有:介质去飞边毛刺、溶剂去飞边毛刺和水去飞边毛刺等。另外,当溢出塑封料发生在引线架堤坝背后时,可用所谓的切除工艺。
用介质去飞边毛刺时,是将研磨料如粒状塑料球和高压空气一起冲洗模块。在去飞边毛刺的过程中,介质会将引线架引脚的表面轻微擦磨,这将有助于焊料和金属引线架的连接。
用水去飞边毛刺工艺是利用高压的水流来冲击模块,有时也会将研磨料和高压水流一起使用。用溶剂去飞边毛刺通常只适用于很薄的毛刺。溶剂包括N-甲基吡咯烷酮(NMP)或双甲基呋喃(DMF)。
按照器件与电路板互连方式区分,封装可以分为引脚插入型(Pin-Through-Hole,PTH)和表面贴装型(Surface Mount Technology,SMT)两大类。PTH器件的引脚为细针状或薄板状金属,以供插入底座或电路板的导孔中进行焊接固定。SMT器件则先粘贴于电路板上再进行焊接,它具有海鸥翅型、钩型、直柄型的金属引脚或电极凸块引脚。
2.7简述载带自动焊技术的类别。
答:
TAB按其结构和形状可以分为Cu箔单层带、PI双层带、Cu-粘接剂-PI三层带和Cu-PI-Cu双金属带四种,以三层带和双层带使用居多。
TAB单层带成本低,制作工艺简单,耐热性能好,但是不可以进行老化筛选和测试芯片。
TAB双层带可弯曲,成本较低,设计自由灵活,可制作高精度图形,能筛选和测试芯片,带宽为35mm时尺寸稳定性差。
2.3简述芯片切割的常用工艺技术。
答:
切割的方式可以分为刀片切割和激光切割两个大类。刀片切割是较为传统的切割方式,通过采用金刚石磨轮刀片高速转动来实现切割。激光切割工艺就是利用激光聚焦产生的能量来完成切割,可以分为激光半切割方式和激光全切割方式。激光半切割方式既需要进行激光切割又需要进行刀片切割,而激光全切割方式则完全用激光来进行切割。
6)TAB采用Cu箔引线,导热和导电性能好,机械强度高;
7)一般的WB键合拉力为0.05~0.1N/点,而TAB比WB可高3~10倍,达到0.3~0.5N/点,从而可提高芯片互连的可靠性;
8)TAB使用标准化的卷轴长带(长100m),对芯片实行自动化多点一次焊接;同时,安装及外引线焊接可以实现自动化,可进行工业化规模生产,从而提高电子产品的生产效率,降低产品成本。
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