黄光制程剖析

触控面板黄光制程工艺全解

触控面板制造工艺之黄光工艺流程全解发布时间：2014-8-22 作为目前电容式触摸屏最为主流的制造工艺，黄光制程一直备受关注。技术发展到今天，已经拥有非常完善的工艺。本文将从黄光制程的步骤入手，全面介绍制程中每个步骤及所需注意的事项。 1. PR前清洗 A.清洗：指清除吸附在玻璃表面的各种有害杂质或油污。清洗方法是利用各种化学浓剂（KOH）和有机浓剂与吸附在玻璃表面上的杂质及油污发生化学反应和浓解作用，或以磨刷喷洗等物理措施，使杂质从玻璃表面脱落，然后用大量的去离子水（DI水）冲洗，从而获得洁净的玻璃表面。（风切是关键） B.干燥：因经过清洗后的玻璃，表面沾有水或有机浓剂等清洗液。这样会对后续工序造成不良影响，特别是对后续光刻工艺会产生浮胶、钻蚀、图形不清晰等不良现象。因此，清洗后的玻璃必须经过干燥处理。目前常采用的方法是烘干法，而是利用高温烘烤，使玻璃表面的水分气化变为水蒸气而除去的过程，此方法省时又省力。但是如果水的纯度不变，空气净化等不多或干燥机温度不够，玻璃表面残存的水分虽经气化为蒸气，但在玻璃表面还会留下水珠，这种水珠将直接影响后

续工序的产品质量。 word 编辑版．清洗机制程参数设定十槽清洗机PRC. ℃，浸泡时间为5，温度为60±1---3槽KOH溶液为0.4~0.7N温 1.0N~1.6N,n. KOH溶度为／槽纯水溢流量为0.5±0.2㎡／2~3min磨刷传动速度为3.0~4.5m/min,喷洗压为0.2~1.0kgf/c㎡,5度为40±℃,℃，干燥5±0.2~1.0kg/c㎡，纯水温度为40转速为85~95rpm,压力为℃。110℃±10机1.2.3段温度为溶KOH注：玻璃清洗洁净度不够之改改善对策，适当加入少许，溶液，经常擦拭风切口，喷洗等处，亦可调态清洗KOH液，改变速度，将传速度减慢。机传动2.PR涂佈光刻是一种图像复印和化学腐蚀相结合的，综合性的精密表面加工技术。光刻的目的就是按照产品的设计要求，在导电玻璃上覆盖感光胶。A.光刻胶的配制光刻胶的性能与光刻胶的配比有关。配比的选择原则是即要光刻胶是有良好的抗蚀能力，又要有较高的分辨率。但两者往往是相互矛盾的，不能同时达到。因此，必须根据不同的光刻对象和要求，选取不同的配比。光刻胶的配制应在暗室（洁净度较高的房间）中进行。用量筒按配方比例将原胶及溶剂分别量好，再将溶剂倒入原胶，用玻璃棒充分搅拌使之均匀混合，通常刚配制好的光刻胶中必然还存在少word 编辑版．为把这部分未能溶解的固态物质微粒量因态物质微粒未能完全溶解，滤除，我们一般采用自然沉淀法进行过滤。 B.涂层清洗后的玻璃

芯片工艺流程图及说明

李经理: 请查看附件.环评要求你们的工艺流程及说明也要像附件中我们的芯片流程这样描述详细.(流程右边的代号是表示废水或废气,你可以用文字表述. 另外你们的原材料中有一种含氰的化学品,请你们说明其无害特点.如确实有害,则要说明处理方案. 上面的事很急,请你帮忙这两天就给出来. 芯片工艺流程图及说明工艺流程图红黄光芯片生产工艺流程及产污环节点见图4-2、

W 废水产出点注：G 废气产出点 S 固废产出点氢氟酸、S2-9、S2-7 、G 2-9 硫酸红、黄光外延片金钛铝图4－2 红黄光芯片生产工艺流程及产污环节点

工艺流程说明（1）外延片检测：用荧光测试仪快速测量外延片的光电参数。（2）清洗：将外延生长好的外延片依次放入硫酸与双氧水的混合溶液、氨水与双氧水的混合溶液、异丙醇中对外延片表面进行清洗，每次清洗后使用纯水进行冲洗。此过程在通风柜里密闭进行，冲洗使用通风柜内的专用清洗槽，使用纯水进行漂洗直至槽中纯水达到工艺要求的较低离子浓度。（3）蒸镀：清洗后的外延片放入密封蒸镀设备中，根据产品品种要求，蒸发上钛金或钛铝电极薄膜。（4）光刻：将镀好金属的外延片在涂胶机上涂上光刻胶后，在曝光机上曝光，将光刻版上的图形转移到光刻胶上，再放入显影液中，溶解去曝过光的光刻胶，未经曝光的光刻胶保留下来，得到所需的电极图形。（5）腐蚀：将光刻后的外延片依次采用磷酸、氢氟酸与硝酸的混合液来腐蚀钛、金和铝等金属，腐蚀后用纯水冲洗外延片携带的酸液、再用去胶液去除光刻胶，得到所需的金属电极。用纯水冲去外延片携带的去胶液。（6）高温合金：腐蚀后的外延片放在合金炉中进行热处理，使金属层与外延层形成良好的欧姆接触，减低芯片正向电压。（7）研磨：通过蜡将外延片粘接在研磨盘上，放入研磨机内，采用三氧化二铝研磨粉，通过机械研磨的方式，减薄衬底，使外延片易于切割，并降低芯片的热阻，提高器件的可靠性。（8）研磨后清洗：研磨后的外延片先用去蜡液、丙酮和异丙醇去除蜡，再依次放入硫酸与双氧水的混合溶液、氨水与双氧水的混合溶液进行清洗、去蜡以及每次清洗后使用纯水进行冲洗。（9）清洗干净后的外延片，放入密闭的蒸镀机内，根据产品需要蒸发上金、镍。（10）高温合金：蒸镀后的外延片放在合金炉中再次进行热处理，使金属层与衬底形成良好的欧姆接触，减低芯片正向电压。（11）半切：用切割机将制作好电极的外延片切至衬底，但不把整个衬底切穿。（12）点测：将半切好的外延片放在芯片测试机上，测试每个芯片的光电参数，并对不符合要求的芯片点墨水做出标记。（13）切穿：用切割机将测试过的外延片切穿，切成一个个芯片。（14）目检：在显微镜下用真空吸笔将外观不合格和点墨水的芯片剔除掉。废芯片统一保存并交由固体废物处置公司处置。（15）包装入库：将目检过的芯片用包装膜包装后，计数并贴上有光电参数、产品规格等的标签，再交由生管成品库入库。

黄光PHOTO制程问答

黄光PHOTO制程问答 2009-11-27 17:11 PHOTO 流程? 答：上光阻→曝光→显影→显影后检查→CD量测→Overlay量测何为光阻？其功能为何？其分为哪两种？答：Photoresist(光阻).是一种感光的物质，其作用是将Pattern从光罩(Reticle)上传递到Wafer上的一种介质。其分为正光阻和负光阻。何为正光阻? 答：正光阻，是光阻的一种，这种光阻的特性是将其曝光之后，感光部分的性质会改变，并在之后的显影过程中被曝光的部分被去除。何为负光阻? 答：负光阻也是光阻的一种类型，将其曝光之后，感光部分的性质被改变，但是这种光阻的特性与正光阻的特性刚好相反，其感光部分在将来的显影过程中会被留下，而没有被感光的部分则被显影过程去除。什幺是曝光？什幺是显影？答：曝光就是通过光照射光阻，使其感光；显影就是将曝光完成后的图形处理，以将图形清晰的显现出来的过程。何谓 Photo? 答：Photo=Photolithgraphy,光刻，将图形从光罩上成象到光阻上的过程。Photo主要流程为何? 答：Photo的流程分为前处理，上光阻，Soft Bake, 曝光，PEB，显影，Hard Bake 等。何谓PHOTO区之前处理? 答：在Wafer上涂布光阻之前，需要先对Wafer表面进行一系列的处理工作，以使光阻能在后面的涂布过程中能够被更可靠的涂布。前处理主要包括Bake，HDMS 等过程。其中通过Bake将Wafer表面吸收的水分去除，然后进行HDMS工作，以使Wafer表面更容易与光阻结合。何谓上光阻? 答：上光阻是为了在Wafer表面得到厚度均匀的光阻薄膜。光阻通过喷嘴（Nozzle）被喷涂在高速旋转的Wafer表面，并在离心力的作用下被均匀的涂布在Wafer的表面。何谓Soft Bake? 答：上完光阻之后，要进行Soft Bake，其主要目的是通过Soft Bake将光阻中的溶剂蒸发，并控制光阻的敏感度和将来的线宽，同时也将光阻中的残余内应力释放。何谓曝光? 答：曝光是将涂布在Wafer表面的光阻感光的过程，同时将光罩上的图形传递到Wafer上的过程。何谓PEB(Post Exposure Bake)? 答：PEB是在曝光结束后对光阻进行控制精密的Bake的过程。其目的在于使被曝光的光阻进行充分的化学反应，以使被曝光的图形均匀化。何谓显影? 答：显影类似于洗照片，是将曝光完成的Wafer进行成象的过程，通过这个过程，成象在光阻上的图形被显现出来。

黄光制程废水处理工程

XXX有限公司黄光制程废水处理工程技术方案招标人：XXX有限公司投标人：深圳市*****水处理技术有限公司二〇一三年三月十二日

XXX有限公司黄光废水处理工程方案审定：何琼审核：邹峰设计负责人：邹峰参加编制人：邹峰、彭件华资质证书号深圳市环境保护工程技术资格证书：

目录一、项目概况 (4) 二、设计依据及设计原则 (4) 2.1、设计依据 (4) 2.2、设计原则 (5) 三、废水的水质、水量 (5) 四、废水的排放标准 (6) 五、废水处理工艺 (6) 5.1、废水处理工艺流程选择 (13) 5.2、废水处理流程图及平面布置图 (13) 5.3、工艺流程说明 (13) 六、废水处理系统主要构筑物及设备 (14) 6.1、主要构筑物 (20) 6.2、主要设备 (21) 七、工程布局 (24) 八、处理系统水、电及总装机容量 (24) 九、管路设计 (24) 十、电气控制系统设计 (25) 十一、劳动定员 (25) 十二、运行费用估算(仅供参考) (25) 十三、工程工期 (26) 附图：工艺流程图平面布置图

*****有限公司黄光废水处理工程方案一、项目概况 *****有限公司，是一家新型的高科技企业。该企业在生产过程中每天需排放一定量的污染废水。针对生产产生废水情况的预计，并考虑到生产废水如不达标处理而直接排入水体给环境带来的严重危害，*****有限公司准备新建一套日废水排放总量为500吨的黄光废水处理系统。由于该项目为新建项目，为保护好环境，按照国家环保法规，必须实行“三同时”制度，落实好环保措施，针对此情况，*****有限公司委托深圳市*****水处理技术有限公司对该工程进行整体规划与设计。二、设计依据及设计原则 2.1、设计依据 1．生产厂家的生产工艺废水种类、数量及浓度范围等资料； 2．废水设计处理能力为：500m3/d，设计每小时处理25m3； 3．废水中需要处理的污染物为：PH、COD、酸碱、重金属以及悬浮物等； 4．废水经处理后达到《污水综合排放标准》（GB8978-1996）一级标准； 5．给水排水工程建设有关规范； 6．根据我们所完成的同类型废水工程实际参数和经验； 7．《给排水设计手册》；

黄光PHOTO制程问答.

黄光PHOTO制程问答 PHOTO 流程? 答：上光阻→曝光→顯影→顯影後檢查→CD量測→Overlay量測何为光阻？其功能为何？其分为哪两种？答：Photoresist(光阻).是一种感光的物质，其作用是将Pattern从光罩(Reticle)上传递到Wafer上的一种介质。其分为正光阻和负光阻。何为正光阻? 答：正光阻，是光阻的一种，这种光阻的特性是将其曝光之后，感光部分的性质会改变，并在之后的显影过程中被曝光的部分被去除。何为负光阻? 答：负光阻也是光阻的一种类型，将其曝光之后，感光部分的性质被改变，但是这种光阻的特性与正光阻的特性刚好相反，其感光部分在将来的显影过程中会被留下，而没有被感光的部分则被显影过程去除。什幺是曝光？什幺是显影？答：曝光就是通过光照射光阻，使其感光；显影就是将曝光完成后的图形处理，以将图形清晰的显现出来的过程。何谓 Photo? 答：Photo=Photolithgraphy,光刻，将图形从光罩上成象到光阻上的过程。Photo主要流程为何? 答：Photo的流程分为前处理，上光阻，Soft Bake, 曝光，PEB，显影，Hard Bake 等。何谓PHOTO区之前处理? 答：在Wafer上涂布光阻之前，需要先对Wafer表面进行一系列的处理工作，以使光阻能在后面的涂布过程中能够被更可靠的涂布。前处理主要包括Bake，HDMS 等过程。其中通过Bake将Wafer表面吸收的水分去除，然后进行HDMS工作，以使Wafer表面更容易与光阻结合。何谓上光阻? 答：上光阻是为了在Wafer表面得到厚度均匀的光阻薄膜。光阻通过喷嘴（Nozzle）被喷涂在高速旋转的Wafer表面，并在离心力的作用下被均匀的涂布在Wafer的表面。何谓Soft Bake? 答：上完光阻之后，要进行Soft Bake，其主要目的是通过Soft Bake将光阻中的溶剂蒸发，并控制光阻的敏感度和将来的线宽，同时也将光阻中的残余内应力释放。何谓曝光? 答：曝光是将涂布在Wafer表面的光阻感光的过程，同时将光罩上的图形传递到Wafer上的过程。何谓PEB(Post Exposure Bake)? 答：PEB是在曝光结束后对光阻进行控制精密的Bake的过程。其目的在于使被曝光的光阻进行充分的化学反应，以使被曝光的图形均匀化。何谓显影? 答：显影类似于洗照片，是将曝光完成的Wafer进行成象的过程，通过这个过程，

黄光制程工艺流程

1、PR前清洗ITOGLASS清洗指用物理的方法（磨刷喷洗）和化学的方法（去离子水DI 水和KOH）将玻璃表面的脏污和油污、杂质除去并干燥的过程 2、PR涂佈指在玻璃的导电层表面均匀涂上一层光刻胶 3. 前烘指在一定温度下将涂有光刻胶的玻璃烘一段时间、使光刻胶的溶剂挥发，形行成固体的PR层 4. 曝光指用紫外线通过预先设置好的菲林垂直照射光刻胶表面，使被照射部分的光刻胶发生反应 5、显影指用弱KOH溶液去离玻璃表面将径光照射部分的光刻胶除去，保留未照射部分的光刻胶 6、坚膜指将玻璃在径一次高温处理，使光刻胶膜更加坚固。 7、蚀刻指用适当的酸液将无光刻胶覆盖的ITO层除去，这样就得到了我们所需要的ITO 电极图形。 8、脱膜指用较强的KOH剥膜液将残留光刻胶除去，将玻璃表面清洗干燥 1. PR前清洗 A.清洗：指清除吸附在玻璃表面的各种有害杂质或油污。清洗方法是利用各种化学浓剂（KOH）和有机浓剂与吸附在玻璃表面上的杂质及油污发生化学反应和浓解作用，或以磨刷喷洗等物理措施，使杂质从玻璃表面脱落，然后用大量的去离子水（DI水）冲洗，从而获得洁净的玻璃表面。（风切是关键） B.干燥：因经过清洗后的玻璃，表面沾有水或有机浓剂等清洗液。这样会对后续工序造成不良影响，特别是对后续光刻工艺会产生浮胶、钻蚀、图形不清晰等不良现象。因此，清洗后的玻璃必须经过干燥处理。目前常采用的方法是烘干法，而是利用高温烘烤，使玻璃表面的水分气化变为水蒸气而除去的过程，此方法省时又省力。但是如果水的纯度不变，空气净化等不多或干燥机温度不够，玻璃表面残存的水分虽经气化为蒸气，但在玻璃表面还会留下水珠，这种水珠将直接影响后续工序的产品质量 C. 十槽清洗机PR清洗机制程参数设定 1---3槽KOH溶液为0.4~0.7N，温度为60±5℃，浸泡时间为2~3min／槽纯水溢流量为0.5±0.2㎡／n. KOH溶度为1.0N~1.6N,温度为40±5℃,喷洗压为0.2~1.0kgf/c㎡,传动速度为3.0~4.5m/min,磨刷转速为85~95rpm,压力为0.2~1.0kg/c㎡，纯水温度为40±5℃，干燥机1.2.3段温度为110℃±10℃。注：玻璃清洗洁净度不够之改改善对策，适当加入少许KOH溶液，改变KOH，溶液，经常擦拭风切口，喷洗等处，亦可调态清洗机传动速度，将传速度减慢 2.PR涂佈光刻是一种图像复印和化学腐蚀相结合的，综合性的精密表面加工技术。光刻的目的就是按照产品的设计要求，在导电玻璃上覆盖感光胶。 A.光刻胶的配制光刻胶的性能与光刻胶的配比有关。配比的选择原则是即要光刻胶是有良好的抗蚀能力，又要有较高的分辨率。但两者往往是相互矛盾的，不能同时达到。因此，必须根据不同的光刻对象和要求，选取不同的配比。光刻胶的配制应在暗室（洁净度较高的房间）中进行。用量筒按配方比例将原胶及溶剂分别量好，再将溶剂倒入原胶，用玻璃棒充分搅拌使之均匀混合，通常刚配制好的光刻胶中必然还存在少量因态物质微粒未能完全溶解，为把这部分未能

电容屏ITO黄光制程工艺

电容屏ITO黄光制程工艺流程第一步：ITO GLASS 参数规格：长宽：14*16 厚度：0.55，0.7，1.1 规格：普通，钢化等，特性：AR(抗反射)，AG（防眩光），AS（防水防污），AF（防指纹）等电容玻璃：安可，冠华，正达，正太等。第二步：素玻璃参数规格：素玻璃：康宁，旭硝子等。500*500规格第三步：清洗参数规格： 1.将GLASS 表面的脏污，油污，杂质等去除并干燥。 2.将素玻璃表面的脏污，油污，杂质等去除并干燥，然后过镀膜线镀ITO 层形成GLASS。第四步：背保丝印参数规格：膜厚：10-20μM，250-420 目聚酯网，此背保要求高，不能有一点脏污，油污，杂质等，要不回影响到在这面处理ITO 图案和银浆走线的附着力等。日本朝日，丰阳等，热固型。第五步：光刻胶整版丝印参数规格：膜厚：5-10μM，300-420 目聚酯网.需在温度20 度-25 度的范围和黄灯的环境下进行。光刻胶：田菱THC-29（耐酸曝光显影型光刻胶）等。第六步：前烘参数规格：让印有光刻胶的材料在一定的温度，时间下固化。温度：80-90 度。时间15-20 分钟。第七步：曝光参数规格：通过紫外线和菲林的垂直照射，让光刻胶形成反应。光能量： 60-120MJ/C ㎡，时间：6-9s

参数规格：用弱KOH 溶解液去除材料上被曝光过的光刻胶，留下没有曝光的光刻胶。弱碱：0.05-0.2 MOL. 温度：20±3 度，压力：0.02-0.05KG，速度：5.5±2.5M/MIN。第九步：坚膜参数规格：让显影留下的光刻胶经高温处理，让光刻胶完全固化。温度：120-150度，时间：20-30. 第十步：蚀刻参数规格：酸度：3.5-6.5MOL，温度：45±5 度，压力：1-2KG，速度：0.8-1.5M/MIN。碱度：0.5-0.8MOL，温度：35±5 度，压力：1-2KG，速度：1.5-3.5M/MIN。经纯水清洗，干燥。第十一步：银浆线丝印参数规格：膜厚：5-15μM，400-500 目钢丝网，18-16 线径，乳剂膜厚：6-12μM，银浆：日本朝日，丰阳等，热固型。感光胶：田菱H-815，（具有高解像性，高精密等特性。）第十二步：镀钼铝钼银浆线参数规格：需有镀膜线厂家才可以完成，如：南玻，新济达等用工艺。先镀一层钼，（起保护，绝缘作用。）再度一层铝，（起导电作用。）最后再镀一层钼，（两层钼作用一样。）第十三步：反面处理参数规格：因考虑到ITO GLASS 厚度等问题等，需在反面在同上处理一次或以其他方式处理。第十四步：组合参数规格：上下线组合胶：口字胶：透光率底。 OCA 光学胶：汽包多，但透光率高。液态光学胶：技术要求高。第十四步：切割参数规格大片半成品切割处理成小片半成品。