HV高压厚膜电阻-SUPEROHM
Supertex生产的HV9912升压变换器控制器的集成电路是一个闭环与峰值电流控制
Supertex生产的HV9912升压变换器控制器的集成电路是一个闭环与峰值电流控制、开关模式变换器的LED驱动器。
HV9912的内置功能克服了变换器的缺点，特别地，它有一个“切断MOSFET”驱动的输出端。
当短路或输入过电压时，由这个输出驱动的外置MOSFET可以切断LED串。
这个“切断MOSFET”还可以极大地提高变换器的PWM调光响应速度。
可见HV9912升压变换器控制器的工作原理可以如下文所示：HV9912内部的高电压调节器可将9～9OV的输入电压调节到7.75V的VDD电压，作为芯片的供电电源。
这个电压范围适于大多数的升压应用。
当降压电路和SEPIC电路需要精准的电流控制时也可以使用此芯片。
在高压降压变换应用中，输入端可串联一个稳压二极管，以便承受更高的操作电压或减小芯片的功率损耗。
当外部电压源通过一个低压(>IOV)低电流二极管馈通时，芯片的VDD端可以过驱动。
当外部电压小于内部电压时，二极管可以防止HV9912损坏。
能加在HV9912的VDD引脚的最高稳态电压是l2V(瞬时额定电压为13.5V)。
考虑到二极管的正向压降，理想的电源电压应为l2V正负5%。
HV9912升压变换器控制器包含一个1.25V、精度为2%的带缓冲的参考电压。
通过REF、IREF和CLIM引脚间连接的分压器网络，电流参考等级和输入电流限制等级可由这个参考电压设定。
内部过压点也由这个参考电压确定。
HV9912的时钟可用外部电阻来设定。
如果电阻连接在引脚RT和GND间，变换器将工作在恒频模式；如果连接在RT和GATE引脚间，变换器工作在恒关断时间模式(在恒关断时间，不必通过斜坡补偿使变换器稳定)。
将所有芯片的引脚SYNC连接在一起，多个HV9912可以同步到同一开关频率。
有时同步是必须的，如在RGB照明系统中，或用EMI滤波来去除某一频率分量时。
将输出电流采样信号接至FDBK引脚，电流参考信号接至IREF引脚，可以实现闭环控制。
电容dianzu命名规则
华新（Walsin）LIZ丽智电阻宇阳风华高科UNIOHM厚生厚膜晶片电阻器Samaung 三星电容 :例子 CL 10 B 104 K A 8 NNNCCL 10 B 104 K A 8 N N N C系列尺寸材质容值精度耐压厚度端头材料包装方式Seriessize 03=0201(0603);01=0306(0816);05=0402(1005);14=0504(1410);12=0508(1220) ;10=0603(1608);21=0805(2012);31=1206(3216);32=1210(3225);42=1808(4520);43=1812(4532);55=2220(5750)dielectric I类：C=C0G=NPO,S=S2H,L=S2L,P=P2H,T=T2H,R=R2H ,U=U2J II类:A=X5R, F=Y5V ,B=X7R,X=X6S capacitancetolerance A=±0.05pf ; B=±0.1pf ；C=±0.25pf ；D=±0.5pf ；F=±1pf或±1% ；G=±2% ；J=±5% ；K=±10% ；M=±20% ；Z=+80/-20%voltage R=4V ;Q=6.3V ;P=10V ;O=16V ;A=25V ;L=35V ;B=50V ;C=100V ;D=200V ;E=2 50V;G=500V ;H=630V ; I=1000V ; J=2000V ;K=3000Vthickness 3=0.30；5=0.50；8=0.80；A=0.65;C=0.85;H=1.60;I=2.00;J=2.50;L=3.20termination A=Pd/Ag/Sn 100% ;N=NiCu/Sn 100% ;G=Cu/Cu/Sn 100%productsSpecislvariousPacking1mil毫英寸/密耳=0.0254mm毫米Termination 端头材料 sliver全银 nickel barrier三层电镀 no mark 无标记 bulk散装 tape & reel编带包装； bulk packaging袋式包装；packaging style包装方式A=常规产品钯/银/镍屏蔽/锡 100%N=常规产品镍/铜/镍屏蔽/锡 100%G=常规产品铜/铜/镍屏蔽/锡 100%L=低侧面产品镍/铜/镍屏蔽/锡 100%B=散装O=纸版箱料带,10英寸料盘E=压花纸版箱,7英寸料盘P=散装箱D=纸版箱料带,13英寸料盘(10000ea)F=压花纸版箱,13英寸料盘C=纸版箱料带,7英寸料盘L=纸版箱料带,13英寸料盘(15,000ea)S=压花纸版箱,10英寸料盘钽电容耐压用不同的字母来标注，如下：F 2.5 ,G 4 L 6.3 A 10 C 16 D 20 E 25 V 35 T 50钽电容一般分为A、B、C、D型，注意后缀是公制，比如B型，就是3.5mm*2.8mmA型3216B型3528C型6032D型7343E型7343供应TDK ，村田，太诱，风华，三星，国巨贴片电容CL=积层陶瓷电容:03=0201(0603) 21=0805(2012) 42=1808(4520)05=0402(1005) 31=1206(3216)43=1812(4532)10=0603(1608) 32=1210(3225) 55=2220(5750)14=0504(1410) 01=0306(0816) 12=0508(1220) I 类:C=C0G S=S2H L=S2LP=P2H T=T2HR=R2H U=U2J ;II 类:A=X5R F=Y5VB=X7R X=X6S R=4V O =16V B =50V E = 250V I = 1000V Q=6.3V A =25V C=100V G = 500VJ = 2000V P =10VL=35V D =200V H = 630V K= 3000V三星 NPO=CH=COG 风华 NPO=CG 电感器通常指空心线圈或磁芯线圈。
Vishay 小于0.01欧姆线性电阻器一览表
WSLP
WSLP2726
WSLP3921, WSLP5931
WSLP4026
WSLT3921, WSLT5931 WSMS2906 WSMS2908
功率金属条®电
阻、高功率、 1
表贴,4终端
Power Metal 0.125
Strip®
阻、低阻值(下 1
降到0.0005 )、
1005 2208 1206 1010 2010 2512
102 204 207 n/a n/a n/a
n/a 8518
2512
50
100 100 100
900 See datasheet 225 See datasheet See datasheet
Zero Ohm Zero Ohm
0.5 1 m
1 0.3 m 0.2 m
1 0.3 m
1m 0.5 1 m
0.5 m
1 2m 0.5 m 2m
1 1m 0.5 m 0.3 m
1 2m 0.5 m
1 0.5 m 0.3 m
5 0.3 m
5 50 µ
5m 0.2 0.2 0.5 0.5 0.1 0.2 0.2 0.5
40 m 5m
10 m
性mil -prf- 0.05 502 32159合 格,RCZ类型 0.07 603
0.1 505
705 0.15
1505
Zero Ohm Zero Ohm jumper jumper Zero Ohm Zero Ohm jumper jumper Zero Ohm Zero Ohm jumper jumper Zero Ohm Zero Ohm jumper jumper Zero Ohm Zero Ohm jumper jumper Zero Ohm Zero Ohm jumper jumper Zero Ohm Zero Ohm jumper jumper Zero Ohm Zero Ohm jumper jumper Zero Ohm Zero Ohm jumper jumper Zero Ohm Zero Ohm jumper jumper Zero Ohm Zero Ohm jumper jumper
大功率热敏电阻,大功率NTC热敏电阻
7
6
8
6
10
6
12
5
15
4
16
4
20
4
30
3.5
47
3
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2.5
120
1.8
2.5
8
1.3
10
1.5
10
2.5
9.5
3.0
9.0
5.0
8.0
6.0
7.0
7.0
7.0
8.0
7.0
10.0
7.0
12.0
6.0
15.0
6.0
16.0
6.0
20.0
6.0
30.0
5.0
47.0
4.0
120
2.5
0.7
16
1.0
NTC（负温度系数）热敏电阻是一种热敏性半导体电阻器，其电阻值随着温度的升高而下降，电阻温度系数 在-2%/k~-6%/k 范围内，约为金属电阻温度系数的 10 倍。NTC 热敏电阻器电阻值的变化可以由外部环境温度 的变化引起，也可以因有电流流过，自身发热而造成。他的各种用途都是基于这种特性。NTC 热敏电阻器由 混合氧化物的多晶陶瓷构成。这种材料的导电机理是相当复杂的。
13
≥ 13
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≥13
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≥ 13
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≥ 13
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≥13
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≥ 13
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≥ 21
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15
≥ 22
15
≥ 22
Vishay 高速电阻产品说明书
ASVMP• Storage Area Networks(SATA, SAS, Fiber Channel)• Passive Optical Networks (EPON, 10G-EPON, GPON, 10G-PON)• Ethernet (1G, 10GBASE-T,/KR/LR/SR, FCoE • PCI Express • Display port• Low Power Consumption for high speed communication • Exceptional Stability Over Temp. at -40 to +85°C, ±15ppm• Extended Automotive Grade Temp. stability at -55 to +125°C, ±25ppm • Available in 50kG Shock Resistance Configuration upon request • MIL-STD-883 shock and vibration compliant • Durable QFN Plastic Compact Packaging • Standby or Disable Tri-state function• Low jitter (Period jitter RMS and Phase jitter RMS)• High power supply noise reduction, -50dBcLow Jitter High Performance Moisture Sensitivity Level – MSL 1Common Key Electrical Specifications – CMOS, LVPECL, LVDS, and HCSL* For 2.3000MHz < F0 < 9.9999MHz, 6-8 weeks lead-time applies Key Electrical Specifications – CMOSFrequency RangeCMOS 2.3000* 170.0000 MHzCMOS3.3000* 170.0000 LVPECL 2.3000* 460.0000 Commercial, Industrial temp. rangeLVDS 2.3000* 460.0000 Commercial, Industrial temp rangeHCSL2.3000*460.0000Commercial, Industrial temp. rangeOperating Temperature -20 +70 °C See optionsC ° 051+ 55-e r u t a r e p m e T e g a r o t S Overall Frequency Stability -50 +50 ppm See options Supply Voltage (Vdd) +2.25 +3.6 Vs m 5 e m i T p u t r a t S Enable Time 20 ns STD (Tri-state)5 ms PD option (Power Down)s n 5 e m i T e l b a s i D Disable Current20 22 mA STD (Tri-state)0.095 PD option (Power Down)Tri-state Function (Standby/Disable) "1" (VIH 0.75*Vdd) or Open: Oscillation "0" (VIL<0.25*Vdd) : Hi ZV 40k pull-up resister embeddedr a e y t s r i F m p p0.5+ 0.5-g n i g A Supply Current (I dd ) 31 35 mA CL=15pF, 125MHz Output Logic Level V OH 0.9*V ddV I=±6mA V OL 0.1*V dd V Rise Time Tr 1.1 2.0 ns CL=15pF 20% to 80%Fall Time Tf1.32.0 ns% 55 54e l c y C y t u D Integrated Phase Jitter (J PH ) 0.30 2 ps 200kHz ~ 20MHz@125MHz 0.38 2 100kHz ~ 20MHz@125MHz 1.70 2 12kHz ~ 20MHz@125MHzPeriod Jitter RMS (J PERs p0.3)PbRoHS/RoHS II compliant7.0 x 5.0 x 0.85mm-20 ~ +70°C -40 ~ +85°C -40 ~ +105°C -55 ~ +125°CKey Electrical Specifications – LVPECLKey Electrical Specifications – LVDS NotesSupply Current (I dd)56.5 58 mA RL=50 Output Logic Level V OH V dd-1.08 V RL=50V OL V dd-1.55 VPeak to Peak Output Swing (V pp) 800 mV Single endedRise Time Tr 250ps RL=50 , CL=0pFFall Time Tf 250l a i t n e r e f f i D%2584e l c y Cy t u DIntegrated Phase Jitter (J PH) 0.25 2ps200kHz ~ 20MHz@156.25MHz0.38 2 100kHz ~ 20MHz@156.25MHz1.70 2 12kHz ~ 20MHz@156.25MHzPeriod Jitter RMS (J PER s p5.2)Notes Supply Current (I dd)29 32 mA RL=100Output Offset Voltage (V OS) 1.125 1.4 V RL=100 differential Delta Offset Voltage (V OS) 50 mVPeak to Peak Output Swing (V pp) 350 mV Single endedRise Time Tr 200ps RL=50 , CL=2pFFall Time Tf 200l a i t n e r e f f i D%2584e l c y Cy t u DIntegrated Phase Jitter (J PH) 0.28 2ps200kHz ~ 20MHz@156.25MHz0.40 2 100kHz ~ 20MHz@156.25MHz1.70 2 12kHz ~ 20MHz@156.25MHzPeriod Jitter RMS (J PER s p5.2)Key Electrical Specifications – HCSLNotes Supply Current (I dd)40 42 mA RL=50Output Logic Level V OH0.725 V RL=50V OL0.1 V Peak to Peak Output Swing (V pp) 750 mV Single endedRise Time Tr 200 400ps RL=50 , CL=2pFFall Time Tf 200 400l a i t n e r e f f i D%2584e l c y Cy t u DIntegrated Phase Jitter (J PH) 0.25 2ps200kHz ~ 20MHz@156.25MHz0.37 2 100kHz ~ 20MHz@156.25MHz1.70 2 12kHz ~ 20MHz@156.25MHzPeriod Jitter RMS (J PER s p5.2)20% to 80% 20% to 80% 20% to 80%Absolute Maximum RatingsSupply Voltage -0.3 +4.0 VInput Voltage -0.3 V dd+0.3 VJunction Temp. +150 °CStorage Temp. -55 +150 °CSoldering Temp. +260 °C 40sec maxESDHBM MM CDM 4,0004001,500VCMOS OUTPUTTest Circuit(Unless specified otherwise: T=25° C, VDD=3.3 V) LVPECL outputTest CircuitASVMPTest CircuitLVDS OUTPUTHCSL OUTPUTASVMPPbRoHS/RoHS II compliantTest Circuit7.0 x 5.0 x 0.85mmASVMPASVMPFunction Tri-state NC GND Output NC (CMOS)Output (LVPECL, LVDS, HCSL)VddNote: Recommend using an approximately 0.01uF bypass capacitor between PIN 6and 3.Center pad: NC / GNDRecommended Land Pattern for CMOSRecommended Land Pattern for LVPECL, LVDS, HCSLPbRoHS/RoHS II compliant7.0 x 5.0 x 0.85mm6413ASVMPTube: 50pcs/tubeUnit orientation in tube:Dimensions: mmPbRoHS/RoHS II compliant7.0 x 5.0 x 0.85mm。
旺诠电阻规格书
± 1000
19 ≦R＜25 mΩ
± 700
25 ≦R＜50 mΩ
± 400
50 ≦R＜100 mΩ
± 200
100 ≦R＜1000 mΩ
± 1500
10 ≦R＜19 mΩ
± 1200
19 ≦R＜25 mΩ
± 900
25 ≦R＜50 mΩ
± 500
50 ≦R＜100 mΩ
± 200
100 ≦R＜1000 mΩ
6
2nd 保護層
2nd Protective coating
2 背面內部電極 Bottom inner electrode 7
字碼
Marking
3 正面內部電極 Top inner electrode 8 側面內部電極 Terminal inner electrode
4
電阻層
Resistive layer
序號：60
RALEC
旺詮
4 尺寸:
5 結構圖:
厚膜晶片電阻器規格標準書
文件編號 版本日期 頁次
IE-SP-007 2009/06/08
4/20
Unit : mm
Dimensions
L
W
TYPE Size Code
H
L1 L2
RTT01
0201 0.60± 0.03 0.30± 0.03 0.23± 0.03 0.15± 0.05 0.15AX.
核准
審查
制定
備註 非 發 行 管 制 文 件
自行注意版本更新
發行管制章 DATA Center.
非 經 允 許 ，禁 止 自 行 影 印 文 件 。
序號：60
RALEC
宇波模块
电源 技术领 域应用
宇波模块 宇波模块 宇波模块
负载
AC输入
DC DC
AC电流测量 AC电压测量
整流
PMW转换
整流
DC电流测量 DC电压测量
典型应用：
-通信电源系统 -UPS电源 -铁路信号电源系统 -电力输变电监测系统 -激光电源系统 -工业控制系统电源 -高频加热电源 2006年底，我国合肥建成并投入试运 行的核聚变装置－全超导托卡马克EAST系 统，43台CHB-KA型3KA~20KA霍尔电流传感 器被应用于该装置的供电控制系统，监测 控制供给核聚变装置的能量。 托卡马克EAST装置是为了研究并有效 控制“氢弹爆炸”过程的核聚变反应实验 系统，科学家称其为“人造太阳”，因为 它可以像太阳一样，为人类提供无限、清 洁和安全的能源。
9 13-17
产品认证
宇波模块的设计、生产及 服务 过程通过ISO9001:2000 国际质量管理体系认证。
5A~3000A(AC) 50A~3000A(DC) 1A~300A(AC) 1A~300A(DC)
13 13 17 17 15-16
产品的质量保证
宇波模块 将严格按照ISO9001:2000国际 质量 认证标准 进行设计、生产及服务。我们承诺对由于设计、原材料 及生产工艺造成的产品早期失效负责，产品提供自购买 日期起5年的质量保证。
工作原理：
霍尔磁补偿原理—被测电流IN 流过导体产生的磁场，由通过霍尔元件 输 出信号控制的补偿电流IM 流过次级线圈产生的磁场补偿，当原边与副边 的磁场达到平衡时，其补偿电流IM即可精确反映原边电流IN值。
CHB-50SF CHB-50TF CHB-100A CHB-100P CHB-100S CHB-100T CHB-100SE CHB-100SF CHB-100TF
片式玻璃釉膜高压电阻(RI82)说明书
型号
RI820.125 RI820.125 RI820.25S RI82-0.25 RI82-0.25 RI82-0.5 RI82-0.5 RI82-1 RI82-1 RI82-1 RI82-1 RI82-2 RI82-2 RI82-3 RI82-3 RI82-3 RI82-5 RI82-10 RI82-20 RI82-30
应用:
X 激光/显像设备，冲击电压发生器。 电容消弧电路，高电压缓冲电路，电弧炉阻尼。 脉冲调制器，雷达脉冲网络，能源研究，和EMI /闪电抑制。 应用包括电源，变压器和要求在高压环境下使用的产品。
高压电阻 RI82 - 表面贴装
一般规格 (单位:mm)
L max H max
Silver Palladium Pole Resistent Film Insulation Coating 96%A1023 Ceramic Base
阻值公差
F(±1%) G(±2%) J(±5%) K(±10%) M(±20%)
备注: 额定持续工作电压 (RCWW) 应由公式计算 RCWW =
额定功率 × 电阻值 (Ω)
当 RCWW 大于规格的最大工作电压，RCWW = 规格的最大工作电压。
Version 2014
德键电子工业股份有限公司
03 of 04
机械规格 :
电阻元件：厚膜。 基底： 96 % 纯氧化铝。 封装：环氧基，保形涂料（C型）。 终端：银钯杆，镀锡铜引线。
Version 2014
德键电子工业股份有限公司
01 of 04
TOKEN
特性:
-
RI82 片状玻璃釉高压电阻器
额定功率从 0.1W 到 30W。 最大工作电压从 2KV 到 30KV。 可生产客户提供的原图设计。 坚固的环氧树脂涂层和高电压稳定性。 温度系数从 200 ppm/°C 到 300 ppm/°C。 高阻值范围从 10 Megohm 到 1KK Megohms (1 Gegaohms)。 阻值精度有 F(±1%), G(±2%), J(±5%), K(±10%), and M(±20%)。 稳定陶瓷电阻元件烧结高纯度氧化铝衬底。