半导体封装和质量术语
半导体厂务专业名词
半导体厂务专业名词1.引言1.1 概述概述部分的内容可以从以下几个方面进行展开：半导体技术是一门应用广泛且高度复杂的领域，其在现代科技和电子工业中扮演着至关重要的角色。
半导体是一种具有特殊导电性质的材料，它能够在特定条件下同时拥有导电和绝缘的特性，因此成为电子器件制造中不可或缺的材料。
半导体厂务专业名词是指半导体制造过程中所涉及的特定术语和专业名词。
这些名词在半导体产业中被广泛使用，对于从事半导体制造工作的专业人士和研究人员来说，是必须了解和熟悉的内容。
半导体厂务专业名词包括但不限于以下几个方面：材料与设备、加工工艺、测试与质量控制、产品标准等。
在半导体制造过程中，各种材料和设备被使用，例如：硅片、薄膜材料、光刻机、扫描电镜等。
同时，加工工艺是制造半导体器件的核心环节，其中包括沉积、腐蚀、刻蚀、离子注入等关键步骤。
此外，半导体制造过程中的测试与质量控制也是至关重要的环节。
为了确保产品的质量和性能，需要进行各种测试和检验，例如电特性测试、尺寸测量、可靠性测试等。
同时，制定和遵守产品标准也是必要的，这有助于确保产品在市场上的合规性和竞争力。
通过学习和了解半导体厂务专业名词，人们可以更好地理解和掌握半导体制造过程中的各个环节和要素，从而提高工作效率和生产质量。
同时，掌握这些专业名词还有助于加深对半导体技术的理解和认识，从而为半导体行业的发展和应用提供更好的支持。
综上所述，半导体厂务专业名词是半导体制造过程中必要的术语和概念，了解和熟悉这些名词对于从事半导体行业工作的人士来说至关重要。
通过深入学习和理解这些名词，我们可以更好地应用和推动半导体技术的发展，为社会和科技进步做出更大的贡献。
1.2 文章结构文章结构部分可以按照以下内容展开：文章结构部分旨在概述本文的组织方式和内容安排。
本文共分为引言、正文和结论三个部分。
首先，引言部分旨在引入文章的主题以及背景信息。
在本文中，引言部分将进行三个方面的介绍。
第一，概述部分将简要介绍半导体厂务专业名词的背景和重要性。
半导体制造专业英语术语
aluminum subtractive process铝刻蚀工艺
ambient环境
ammonia(NH3)氨气
ammonium fluoride(NH4F)氟化氨
ammonium hydroxide(NH4OH)氢氧化氨
amorphous非晶的，无定型
analog模拟信号
angstrom埃
BICMOS双极CMOS
bincode number分类代码号
bin map分类图
bipolar junction transistor(BJT)双极晶体管
bipolar technology双极技术（工艺）
bird’s beak effect鸟嘴效应
blanket deposition均厚淀积
blower增压泵
die matrix芯片阵列
die separation分片
diffraction衍射
diffraction-limited optics限制衍射镜片
diffusion扩散
diffusion controlled受控扩散
digital/analog数字/模拟
digital circuit
diluent
CERDIP陶瓷双列直插封装
Channel沟道
channel length沟道长度
channeling沟道效应
charge carrier载流子
chase技术夹层
chelating agent螯合剂
chemical amplification(CA)化学放大胶
chemical etch mechanism化学刻蚀机理
deep UV(DUV)深紫外光
default n.默认(值),缺省(值),食言,不履行责任, [律]缺席v.疏怠职责,缺席,拖欠,默认
电学半导体用语
Siliconingot 硅锭Wafer晶片Mirror wafer 镜面晶圆Patter 晶圆片FAB：fabrication 制造Fabrication Facility 制造wafer生产工厂Probe test 探针测试Probe card 探针板Contact 连接Probe Tip 探头端部ChipFunction 功能EPM：Electrical Parameter MonitoringSummary 总结R&D：Research and Development 研究和开发MCP：Multi Chip Package 多芯片封装POP：Package on Packagee-MMC：embedded Multi Media card 嵌入式多媒体卡WLP：Wafer Level Package 晶圆级封装SDP 一层DDP 两层QDP 四层ODP 八层Pad outBack Grind 背研磨Wafer Grind Back Grind 磨片Overview 概述TPM：Total Profit Management SKTPM Operation 操作Erase 消除Key Para. ：Key parameter 关键参数Cycling 写入次数、循环次数Retention 保留时间Non-V olatile memoryV olatile memoryRead 读Write 写Refresh 更新Speed 速度、速率、转速Restore 修复、恢复Electrical Signal 电信号WFBI：Wafer Burn-InPT1H：Probe Test 1 Hot TestPT1C：Probe Test 1 Cold TestL/Rep：Laser RepairPurpose 目的Substrate 基片Trend 趋势Small Size 小体积High Density 高集成High Speed 高速度Roadmap 路标TSOP：Thin small outline package 薄型小尺寸封装FBGA：（Fine Ball Grid Array）package 细间距球栅阵列（一种封装模式）Flip Chip Package：在wafer的chip上形成bump直接在substrate或PCB基板上填充形态，使I/O最高密度化的填充方式。
半导体专业术语
1.acceptance testing (WAT: wafer acceptance testing)2.acceptor: 受主，如B，掺入Si中需要接受电子3.Acid：酸4.Active device：有源器件，如MOS FET（非线性，可以对信号放大）5.Align mark(key)：对位标记6.Alloy：合金7.Aluminum：铝8.Ammonia：氨水9.Ammonium fluoride：NH4F10.Ammonium hydroxide：NH4OH11.Amorphous silicon：α-Si，非晶硅（不是多晶硅）12.Analog：模拟的13.Angstrom：A（1E-10m）埃14.Anisotropic：各向异性（如POLY ETCH）15.AQL(Acceptance Quality Level)：接受质量标准，在一定采样下，可以95%置信度通过质量标准（不同于可靠性，可靠性要求一定时间后的失效率）16.ARC(Antireflective coating)：抗反射层（用于METAL等层的光刻）17.Argon(Ar)氩18.Arsenic(As)砷19.Arsenic trioxide(As2O3)三氧化二砷20.Arsine(AsH3)21.Asher：去胶机22.Aspect ration：形貌比（ETCH中的深度、宽度比）23.Autodoping：自搀杂（外延时SUB的浓度高，导致有杂质蒸发到环境中后，又回掺到外延层）24.Back end：后段（CONTACT以后、PCM测试前）25.Baseline：标准流程26.Benchmark：基准27.Bipolar：双极28.Boat：扩散用（石英）舟29.CD：（Critical Dimension）临界（关键）尺寸。
在工艺上通常指条宽，例如POLY CD 为多晶条宽。
30.Character window：特征窗口。
半导体一些术语的中英文对照
半导体一些术语的中英文对照离子注入机 ion implanterLSS理论 Lindhand Scharff and Schiott theory 又称“林汉德-斯卡夫-斯高特理论”。
沟道效应 channeling effect射程分布 range distribution深度分布 depth distribution投影射程 projected range阻止距离 stopping distance阻止本领 stopping power标准阻止截面 standard stopping cross section退火 annealing激活能 activation energy等温退火 isothermal annealing激光退火 laser annealing应力感生缺陷 stress-induced defect择优取向 preferred orientation制版工艺 mask-making technology图形畸变 pattern distortion初缩 first minification精缩 final minification母版 master mask铬版 chromium plate干版 dry plate乳胶版 emulsion plate透明版 see-through plate高分辨率版 high resolution plate, HRP超微粒干版 plate for ultra-microminiaturization 掩模 mask掩模对准 mask alignment对准精度 alignment precision光刻胶 photoresist又称“光致抗蚀剂”。
负性光刻胶 negative photoresist正性光刻胶 positive photoresist无机光刻胶 inorganic resist多层光刻胶 multilevel resist电子束光刻胶 electron beam resistX射线光刻胶 X-ray resist刷洗 scrubbing甩胶 spinning涂胶 photoresist coating后烘 postbaking光刻 photolithographyX射线光刻 X-ray lithography电子束光刻 electron beam lithography离子束光刻 ion beam lithography深紫外光刻 deep-UV lithography光刻机 mask aligner投影光刻机 projection mask aligner曝光 exposure接触式曝光法 contact exposure method接近式曝光法 proximity exposure method光学投影曝光法 optical projection exposure method 电子束曝光系统 electron beam exposure system分步重复系统 step-and-repeat system显影 development线宽 linewidth去胶 stripping of photoresist氧化去胶 removing of photoresist by oxidation等离子［体］去胶 removing of photoresist by plasma 刻蚀 etching干法刻蚀 dry etching反应离子刻蚀 reactive ion etching, RIE各向同性刻蚀 isotropic etching各向异性刻蚀 anisotropic etching反应溅射刻蚀 reactive sputter etching离子铣 ion beam milling又称“离子磨削”。
半导体mfg生产制造中常用的英文单词
在半导体制造（Semiconductor Manufacturing）行业中，有许多专业术语和英文单词频繁出现，以下是一些常见的：1. Wafer - 晶圆，硅片2. Die - 芯片裸片3. Photolithography - 光刻技术4. Etching - 刻蚀5. Deposition - 沉积，包括物理气相沉积（PVD）、化学气相沉积（CVD）6. Ion Implantation - 离子注入7. Cleaning - 清洗8. Thermal Oxidation - 热氧化9. Diffusion - 扩散工艺10. Thin Film Transistor (TFT) - 薄膜晶体管11. Mask - 防护层、光罩12. Doping - 掺杂13. CMP (Chemical Mechanical Polishing) - 化学机械平坦化14. Sputtering - 溅射15. Bonding - 封装时的绑定过程16. Probe - 测试探针17. Final Test - 最终测试18. Packaging - 封装19. Silicon Wafer Fab - 晶圆厂20. Yield - 产出率，良率此外，还有许多与质量管理、设备维护、生产控制相关的词汇，例如：- Process Control - 工艺控制- Defect Inspection - 缺陷检测- Metrology - 测量科学- End-of-Line (EOL) Testing - 生产线末尾测试- Quality Assurance (QA) - 质量保证- Failure Analysis (FA) - 失效分析这些词汇共同构成了半导体制造行业的语言基础。
最全LED 半导体 电子行业术语
ASIC（专用集成电路）
28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49
ASP 原子轨道 AV 输入 后端 背光照明 频带 带隙 带通滤波器 光束发散度（与 PN 结平 行的 FWHM） BEF（增亮膜） BEOL（后端制程） 偏压 偏压控制 施加偏压 BIN（分选） 双极 双极晶体管 位 黑色封装 BLU（背光模组） 已键合晶圆
AEL（可接近放射限值）
9
AFS（高级前照明系统）
10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
AGC（自动增益控制） ALCVD ALE AlGaAs AllnGaP AllnGaP 芯片 (LED) 字母数字显示器 交流电 (AC) 电流计 非晶体 模拟显示器 模拟仪 阳极
键合 击穿电压 (VBR) 亮度 降压/升压调节器（转换 器） 旁路电容器 C 安装/cs 安装 坎德拉 电容 载波频率 载流子/电荷载流子 阴极 阴极发光 (CL) CBE CCD 传感器 CCFL（冷阴极荧光灯） CCT（相关色温） CCTV（闭路电视） CDM（带电器件模型） 质心波长 CFD（计算流体动力学）分 析 电荷载流子 电荷耦合器件 化学腐蚀加工 化学机械抛光 (CMP) 化学气相沉淀 (CVD) 芯片 芯片载体 板上芯片 (COB) 软膜覆晶接合技术 (COF) 晶玻接装 (COG)
(CMP) 化学机械抛光 涂层 COB（板载芯片）技术 CoD（按需选色） 集电极电流 (Ic) 集电极发射极饱和电压 集电极发射极电压 集电极浪涌电流 颜色坐标 色谱 彩色超扭曲向列 (CSTN) 型显示器 比较器 互补 化合物半导体 传导带 导体 连接器插入损耗 非接触式 (SMT) 传感器 对比度 对比率 控制器 x 位 转换技术 线芯 耦合 CPU（中央处理器） CRI（显色指数） CRT（阴极射线管） 晶体 CTE（热膨胀系数） 电流 电流传输比 (CTR) 定制集成电路 CW（模式/脉冲）
半导体专业术语.doc
1. acceptor: 受主，如 B，掺入 Si 中需要接受电子20. Asher ：去胶机2. Acid ：酸21. Aspect ration ：形貌比（ ETCH中的深度、宽度比）3. Active device ：有源器件，如MOS FET（非线性，可以对信号放大）22. Autodoping ：自搀杂（外延时 SUB的浓度高，导致有杂质蒸发到环境中后，又回掺到外延层）4. Align mark(key) ：对位标记23. Back end ：后段（ CONTACT以后、 PCM测试前）5. Alloy ：合金24. Baseline ：标准流程6. Aluminum：铝25. Benchmark：基准7. Ammonia：氨水26. Bipolar ：双极8. Ammonium fluoride ： NH4F 27. Boat ：扩散用（石英）舟9. Ammonium hydroxide ： NH4OH 28. CD：（Critical Dimension ）临界（关键）尺寸。
在工艺上通常指条宽，例如POLY CD 为10. Amorphous silicon ：α -Si ，非晶硅（不是多晶硅）多晶条宽。
11. Analog ：模拟的29. Character window ：特征窗口。
用文字或数字描述的包含工艺所有特性的一个方形区域。
12. Angstrom ：A（1E-10m）埃30. Chemical-mechanical polish （ CMP）：化学机械抛光法。
一种去掉圆片表面某种物质的方法。
13. Anisotropic ：各向异性（如POLY ETCH）31. Chemical vapor deposition（CVD）：化学汽相淀积。
一种通过化学反应生成一层薄膜的工14. AQL(Acceptance Quality Level) ：接受质量标准，在一定采样下，可以95%置信度通过质艺。
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封装和质量术语以下是 TI 常见封装组、系列和偏好代码的定义，此外还有在评估 TI 封装选项时可能十分有用的其他重要术语。
常见封装组定义BGA球栅阵列CFP同时包括定型和不定型 CFP = 陶瓷扁平封装LGA基板栅格阵列PFM塑料法兰安装封装QFP四方扁平封装SIP单列直插式封装OPTO＊光传感器封装 = 光学RFID射频识别设备CGA柱栅阵列COF薄膜覆晶COG玻璃覆晶DIP双列直插式封装DSBGA芯片尺寸球栅阵列（WCSP = 晶圆级芯片封装)LCC引线式芯片载体NFMCA-LID带盖的基体金属腔PGA针栅阵列POS基板封装QFN四方扁平封装无引线SO小外形SON小外形无引线TO晶体管外壳ZIP锯齿形直插式uCSP微型芯片级封装DLP数字光处理模块模块TAB载带自动键合封装封装系列定义CBGA陶瓷球栅阵列CDIP玻璃密封陶瓷双列直插式封装CDIP SB侧面钎焊陶瓷双列直插式封装CPGA陶瓷针栅阵列CZIP陶瓷锯齿形封装DFP双侧引脚扁平封装FC/CSP倒装芯片/芯片级封装HLQFP热增强型低厚度 QFPHQFP热增强型四方扁平封装HSOP热增强型小外形封装HTQFP热增强型薄型四方扁平封装HTSSOP热增强型薄型紧缩小外形封装HVQFP热增强型极薄四方扁平封装JLCC J 形引线式陶瓷或金属芯片载体LCCC无引线陶瓷芯片载体LQFP低厚度四方扁平封装PDIP塑料双列直插式封装SOJ J 形引线式小外形封装SOP小外形封装（日本）SSOP紧缩小外形封装TQFP薄型四方扁平封装TSSOP薄型紧缩小外形封装TVFLGA薄型极细基板栅格阵列TVSOP极薄小外形封装VQFP极薄四方扁平封装DIMM＊双列直插式内存模块HSSOP＊热增强型紧缩小外形封装LPCC*无引线塑料芯片载体MCM＊多芯片模块MQFP＊金属四方扁平封装PLCC＊塑料引线式芯片载体PPGA＊塑料针栅阵列SDIP＊紧缩双列直插式封装SIMM*单列直插式内存模块SODIMM*小外形双列直插式内存模块TSOP*薄型小外形封装VSOP＊极小外形封装XCEPT＊例外—可能不是实际封装产品偏好代码定义P首选封装. 封装合格并可订购.OK如果首选封装不可用，则使用此项。
A需要部门/业务单位批准.N不推荐在新型设计中采用。
X请勿使用。
不再支持. 未通过认证。
不再装备。
质量术语定义JEDEC适用于此封装类型的 JEDEC 标准。
长度器件长度(以毫米为单位）.最大高度板表面形状的最大高度(以毫米为单位）.封装TI 器件型号中使用的封装符号代码。
引脚数封装上的引脚或端子数。
封装类型 |引脚数TI 的器件封装符号/器件引脚数。
间距相邻引脚的中心之间的间距（以毫米为单位）.厚度封装主体的最大厚度（以毫米为单位）。
类型此封装类型的首字母缩写。
宽度器件宽度(以毫米为单位)。
ePOD 在线的增强型封装(通常包括封装外形、焊盘图案和丝印板设计）。
焊盘图案PCB 上的焊区图案，其中可能存在“无引线"封装。
覆盖面积“无引线”封装的外围引线和散热垫。
共面封装的底表面平行于 PCB 的焊盘表面。
隔热焊盘 = 裸露焊盘 = Powerpad 封装的焊盘表面上的中央垫,以电气和机械连接到电路板,从而实现 BLR 和热性能提升搜索器件型号在初始搜索页面上输入的 TI 或客户器件型号。
TI 器件型号下订单时使用的器件型号。
PN 类型指示该器件型号为无铅类型还是标准类型。
符合资格该器件可立即添加到 ESL 列表中。
供货该器件是延长保质期的器件.组装地点组装 TI 器件的工厂位置。
符合 RoHS 与高温要求（是/否）指示器件是否符合 TI 的“无铅”定义。
无铅TI 定义的“无铅”或“Pb-free"是指半导体产品符合针对所有6 种物质的现行 RoHS 要求，包括要求铅的重量不超过均质材料总重量的 0.1%。
因在设计时就考虑到了高温焊接要求，因此 TI 的无铅产品适用于指定的无铅作业。
RoHS 2003 年 1 月 27 日，欧盟通过了“电气与电子设备中限制使用有害物质”法规,简称为“RoHS"法规 2002/95/EC，该法规于2006 年 7 月 1 日生效。
无铅 (RoHS）转换日期特定器件封装、引脚数和组装地点的预计或实际转换日期. 如果显示了实际转换日期，则转换日期代码（DC yyww) 也将显示，从而帮助客户识别无铅（符合 RoHS 标准）器件。
为确定已经发货的器件是否为无铅（符合 RoHS 标准），请对比封装盒标签上的日期和组装地点与转换日期代码和相应的组装地点位置。
如果组装地点相符，则日期晚于转换日期代码的封装盒包含无铅器件。
客户也可在封装盒标签上查找由 2 个字符组成的环境类别（E-Cat）代码。
如果该代码的开头为“e”或“G”（e3、e4、G3、G4 等），则该封装盒包含无铅（符合 RoHS 标准)器件（从 2004 年 6 月 1 日开始在封装盒上添加 E—Cat 代码）.最后，如果封装盒标签具有 JEDEC 无铅徽标以及 250—260’C 的回流焊峰等级,则表示器件为无铅（符合 RoHS 标准）。
JEDEC 无铅徽标无铅（RoHS)可供应日期可采购器件的预计日期或实际日期。
当前铅/焊球涂层器件中铅或焊球的当前金属涂层。
预定铅/焊球涂层无铅器件中铅或焊球的预定金属涂层。
当前 MSL/回流焊等级湿度敏感级别等级和峰值焊接(回流焊）温度。
如果显示了 2 组MSL/回流焊等级，请使用与实际回流焊温度(该温度用于将器件贴装至印刷电路板）相关的 MSL 等级.符合绿色环保（是/否)指示器件是否符合 TI 的“绿色环保”定义。
绿色环保TI 定义的“绿色环保"表示无铅(符合 RoHS 标准）、无溴（Br）和锑（Sb）系阻燃剂（均质材料中溴或锑的质量不超过总质量的 0.1％）。
绿色环保转换特定器件封装、引脚数和组装地点的预计或实际转换日期。
如果日期显示了实际转换日期，则转换日期代码（DC yyww) 也将显示，从而帮助客户识别可进行绿色环保转换的器件. 为确定已经发货的器件是否为绿色环保,请对比封装盒标签上的日期和组装地点与绿色环保转换日期代码和相应的组装地点位置. 如果组装地点相符，则日期晚于绿色环保转换日期代码的封装盒包含绿色环保器件。
客户也可在封装盒标签上查找由 2 个字符组成的环境类别（E—Cat）代码. 如果该代码的开头为“G”（G3、G4 等），则该封装盒包含可进行绿色环保转换的器件（从 2004 年 6 月 1日开始在封装盒上添加 E-Cat 代码）。
绿色环保可供应日期可采购器件的预计日期或实际日期。
RoHS 限用物质 - ppm 按均质材料级别进行 ppm 计算，所得结果为每种 RoHS 物质在最差情况下的 ppm.示例：ppm= 1000000 X 组件中铅的总质量 (mg）引线框架电镀总质量（mg)RoHS 限用物质—合计质量 (mg)组件中每种 RoHS 物质的合计总质量绿色环保公布物质— ppm 按均质材料级别进行 ppm 计算,所得结果为每种绿色环保物质在最差情况下的 ppm.示例：ppm= 1000000 X 组件中锑的总质量（mg）成型材料总质量（mg）绿色环保公布物质—合计质量 (mg）组件中每种绿色环保物质的合计总质量。
可回收金属— ppm WEEE 指令(报废电子电气设备）带来了可回收金属利益。
在组件级进行 ppm 计算.示例：ppm= 1000000 X 组件中金的总质量（mg）组件总质量 (mg)可回收金属 -合计质量(mg）组件中每种可回收金属的合计总质量.器件总重(mg）组件质量(毫克）。
JIG 等级如果器件的材料成分低于联合产业指南 (JIG) A 级和 B 级物质表中的阈值，则显示“A 级和 B 级”. 其他选项为“仅限于 A级”或“无"。
JIG A 级联合产业指南 (JIG) A 级物质为：石棉、偶氮颜料、镉/镉化合物、六价铬/六价铬化合物、铅/铅化合物、汞/汞化合物、臭氧消耗物质、聚溴联苯 (PBB）、聚溴二苯醚（PBDE）、聚氯联苯（PCB）、聚氯化萘(CL 原子数 3 个以上）、放射性物质、短链氯化石蜡、三丁基锡（TBT) 和三苯基锡（TPT）以及三丁基锡氧化物（TBTO)。
JIG B 级联合产业指南 (JIG） B 级物质为：锑/锑化合物、砷/砷化合物、铍/铍化合物、铋/铋化合物、溴化阻燃剂（不包括 PBB 或 PBDE)、镍(仅限外部应用）、某些磷苯二甲酸盐（117—81—7、84-74—2 和 117-82—8）、硒/硒化合物以及聚氯乙烯（PVC).延长保质期TI提供延长保质期的某些产品，使长达五年的总保质期的时间将产品制造它由TI或TI交付时间授权经销商。
JIG B 级联合产业指南（JIG) B 级物质为: 锑/锑化合物、砷/砷化合物、铍/铍化合物、铋/铋化合物、溴化阻燃剂(不包括 PBB 或 PBDE）、镍(仅限外部应用）、某些磷苯二甲酸盐（117—81—7、84-74-2 和117—82—8）、硒/硒化合物以及聚氯乙烯 (PVC）。
延长保质期TI提供延长保质期的某些产品，使长达五年的总保质期的时间将产品制造它由TI或TI交付时间授权经销商。
质量（mg ) 在毫克代表装置的重量(每件）。