磁控溅射镀膜的简介及其实际操作
磁控溅射的原理及应用
磁控溅射的原理及应用1. 什么是磁控溅射磁控溅射是一种常用的薄膜沉积技术，通过利用磁场将材料原子或离子从靶材表面释放出来，形成一个薄膜层，沉积在基底表面上的一种方法。
这种方法可以在真空环境中进行，可以用于各种材料包括金属、合金、氧化物等。
2. 磁控溅射的原理磁控溅射的原理基于带电粒子在磁场中的运动规律。
溅射系统通常由一个靶材和一个基底组成，它们被放置在真空室中。
磁控溅射的过程包括以下几个步骤：1.靶材表面被离子轰击，其中的原子或离子被释放出来。
2.磁场控制离子在真空室中的运动轨迹。
3.基底表面上的原子或离子吸附并形成一个薄膜层。
这个过程中，磁场是十分重要的。
磁场会引导离子沿着特定的轨迹运动，使得离子沉积在基底的特定位置上。
磁场还可以控制离子的能量和方向，从而影响薄膜的性质和微结构。
3. 磁控溅射的应用磁控溅射是一种多功能的薄膜沉积技术，广泛应用于各种领域。
3.1 表面涂层磁控溅射可以用于向基底表面沉积各种薄膜层。
这些薄膜层可以具有不同的功能，如防腐、耐磨、导电等。
它们可以用于改善材料的性能和外观。
3.2 光学薄膜磁控溅射可以制备高质量的光学薄膜。
这些薄膜可以应用于光学器件，如镜片、滤光片、反射镜等。
因为磁控溅射是在真空环境中进行的，所以这些光学薄膜可以具有良好的光学性能。
3.3 金属薄膜磁控溅射可以制备金属薄膜。
这些薄膜可以具有高导电性和优良的机械性能，可用于电子器件、导电材料等领域。
3.4 磁性材料磁控溅射还可以制备磁性材料薄膜。
这些薄膜可以具有特定的磁性性能，如高矫顽力、高饱和磁感应强度等。
它们可以应用于磁存储器件、传感器等领域。
4. 总结磁控溅射是一种重要的薄膜沉积技术，通过利用磁场控制离子运动和沉积位置，可以制备各种功能薄膜。
它在表面涂层、光学薄膜、金属薄膜和磁性材料等领域有着广泛的应用。
磁控溅射技术的发展，为材料科学和工程领域提供了新的可能性，为各种应用提供了高性能的薄膜材料。
磁控溅射镀膜机的使用流程
磁控溅射镀膜机的使用流程1. 准备工作在操作磁控溅射镀膜机之前，需要进行一些准备工作，确保操作环境的安全和设备的正常运行。
•确认设备的电源线是否连接正常，并检查设备是否接地稳定。
•检查溅射镀膜机的压力表、温度计、流量计等仪表是否正常工作。
•检查溅射镀膜机的气源、电源等供应是否稳定。
2. 打开溅射镀膜机首先，需要打开磁控溅射镀膜机。
1.将溅射镀膜机的总电源开关置于开启状态。
2.检查控制面板是否正常亮起。
3.按下溅射镀膜机操作面板上的电子锁开关，解锁镀膜机的控制功能。
3. 调试设备参数在使用溅射镀膜机之前，需要根据工艺要求对设备参数进行调试。
1.调整辅助气体流量：根据工艺要求，通过操作面板上的流量调节阀，调整辅助气体的流量。
2.调整溅射镀膜机室内的真空度：根据工艺要求，使用溅射镀膜机上的真空度调节阀，调整室内的真空度。
3.设置溅射材料和靶材的参数：根据工艺要求，使用面板上的参数调节器，设置溅射材料和靶材的参数，如功率、速度等。
4. 加载靶材和标的物在进行溅射镀膜之前，需要先加载靶材和标的物。
1.打开磁控溅射镀膜机的前装门，将待镀膜的标的物放置在标的物台上。
2.打开磁控溅射镀膜机的靶材舱门，将靶材装入靶材托盘中，然后将靶材托盘放入靶材舱。
3.使用磁控溅射镀膜机的操作面板，将坐标定位到标的物的位置上。
5. 开始溅射镀膜一切准备就绪后，可以开始进行溅射镀膜操作了。
1.检查一遍设备的参数和操作流程是否设定正确。
2.按下溅射镀膜机操作面板上的“启动”按钮，启动溅射镀膜过程。
3.监控溅射镀膜过程中的参数变化，并根据需要进行相应的调整。
4.在镀膜时间达到要求后，按下操作面板上的“停止”按钮，停止溅射镀膜过程。
6. 完成操作完成溅射镀膜后，需要进行一些收尾工作。
1.关闭磁控溅射镀膜机的电源开关。
2.清理溅射镀膜机内的靶材残留物和镀膜沉积物。
3.维护设备，保持设备的清洁和正常运行。
4.将操作面板上的电子锁开关设置为锁定状态，以防止设备误操作。
《磁控溅射镀膜技术》课件
基本步骤和流程
沉积过程的影响。
3
溅射沉积
4
开启磁控溅射系统，控制溅射功率、 溅射时间和沉积速率。
准备工作
清洗基板，装载靶材和目标材料。
预处理
通过表面处理方法优化基板表面，提 高沉积质量。
优势和特点
1 高沉积速率
2 良好的附着力
磁控溅射镀膜技术
磁控溅射镀膜技术是一种高效、精确的薄膜沉积技术，利用磁场和离子束将 材料蒸发并沉积到基板上。
定义和原理
磁控溅射镀膜利用磁场产生的影响力将靶材表面的原子或分子击出，并通过离子束进行沉积。它基于磁 控电子密云的原理。
1 磁场作用
通过磁场控制离子束的 运动，实现靶材表面原 子的击出。
2 离子束沉积
提高沉积效率、减少材料浪费和能耗。
总结和展望
磁控溅射镀膜技术是一项极为重要的薄膜制备技术，具有广泛的应用前景和发展空间。持续的科技创新 将进一步推动其发展。
基板
用于接收沉积的薄膜，可以是 玻璃、硅基片等。
发展现状和趋势
磁控溅射镀膜技术在各个领域得到广泛应用，随着纳米科技的发展，其在导电膜、光学薄膜等方 面仍有进一步发展的潜力。
1 纳米制备
应用纳米材料和纳米结构进行高性能薄膜制备。
2 多功能薄膜
开发具备多种功能的复合薄膜，如防反射、传感等。
3 绿色环保
离子束具有高速度和高 能量，可实现高效的薄 膜沉积。
3 磁控电子密云
通过磁场调节电子密云， 优化离子束的特性和运 动。
应用领域
光学薄膜
用于制备反射镜、透镜等光学元件，提高光 学系统性能。
防护涂层
用于制备防腐、抗磨损等涂层，延长材料寿 命。
玻璃磁控溅射镀膜
玻璃磁控溅射镀膜是一种在玻璃表面形成一层或多层金属、金属化合物或其它化合物薄膜的工艺技术。
以下是该工艺的简要介绍：
1. 溅射原理：在磁控溅射镀膜过程中，电子在电场的作用下加速飞向基片，与氩原子发生碰撞，电离出大量的氩离子和电子。
氩离子在电场的作用下加速轰击靶材，溅射出大量的靶材原子，呈中性的靶材原子（或分子）沉积在基片上成膜。
2. 磁控技术：二次电子在加速飞向基片的过程中受到磁场洛仑磁力的影响，被束缚在靠近靶面的等离子体区域内。
该区域内等离子体密度很高，二次电子在磁场的作用下围绕靶面作圆周运动，该电子的运动路径很长，在运动过程中不断地与氩原子发生碰撞电离出大量的氩离子轰击靶材。
经过多次碰撞后电子的能量逐渐降低，摆脱磁力线的束缚，远离靶材，最终沉积在基片上。
3. 镀膜种类：根据不同的应用需求，可以溅射不同的材料，形成各种不同的镀膜。
例如，热反射镀膜可以使玻璃具有遮蔽太阳光的功能；低辐射镀膜可以使玻璃具有保温作用，具有节能效果。
4. 工业应用：玻璃磁控溅射镀膜工艺在建筑、汽车、家居、电子等多个行业都有广泛的应用。
如LOW-E玻璃就是一种典型的磁控溅射镀膜玻璃，它具有保温、隔热、节能等效果。
总的来说，玻璃磁控溅射镀膜工艺通过精确控制薄膜的成分和厚度，赋予了玻璃一系列特殊的性能，极大地拓展了玻璃的应用范围。
如需更多信息，建议查阅磁控溅射镀膜相关论文获取。
磁控溅射镀膜机原理
磁控溅射镀膜机原理磁控溅射技术是一种用于镀膜的先进技术。
磁控溅射镀膜机是利用电子束的动能将固体材料从靶层中剥离并沉积在基板上的一种镀膜设备。
本文将为您介绍磁控溅射镀膜机的原理及其应用。
一、磁控溅射镀膜机的原理磁控溅射镀膜机又称磁控离子镀膜机，是一种利用外部电场和磁场激发离子束并蒸发靶材料形成镀层的设备。
这种技术源于20世纪60年代初期的物理研究。
它的基本原理是利用电子束加速器向金属靶材料表面注入精细定位的、高能单元电子束，从而促使靶材料发生电子冲击下物质的剥离，形成离子束，进而被磁场聚拢并加速击打在待镀基材料表面，从而沉积成膜。
这种技术对材料的选择范围较广，可使用的原材料包括各种无机材料和合金，如氧化物、硅、合金、氟化物等。
而磁控溅射技术也因此被广泛应用于各种领域，如电子、计算机、晶体管、固态照明、太阳能电池、生物医学、汽车、航空航天、建筑室内装修等领域。
二、磁控溅射镀膜机的类型及分类根据靶材料种类和制备过程条件的不同，磁控溅射镀膜机可以分为多种类型。
下面我们介绍一下主要的几种类型。
1、平板离子源平板离子源是最基本的离子源类型，通常由一个平板放电电极和一个屏蔽靶组成。
它的靶材料为物质的块状，可将注入的能量转换成游离原子形成高能离子束，使其透过向靶和基板之间发射的离子束，再到达基板表面。
由于靶和基板之间的角度限制，使该装置产生较低的折射率，从而制造较低的细节图案。
因此，平板离子源多用于制造器件外壳全面涂层。
2、圆柱形偏心离子源圆柱形偏心离子源由两极电源和一个圆柱形靶台制成。
表面不平整的靶材料块在高速离子束的作用下被剥离，形成离子束并沉积在基板上。
该离子源的形状和设计使得离子束方向发散，从而可以与表面平面的材料相交，产生均匀的涂层。
此外，偏心离子源具有抗污染能力强、精度高和效率高等特点，适用于工业和商业应用。
3、环柱形偏心离子源环柱形偏心离子源由一个圆筒形壳体、一个中央靶、四组电极和一个基板组成。
中央靶材料在离子束的作用下形成薄膜，并沉积在基板上。
磁控溅射的使用流程
磁控溅射的使用流程1. 简介磁控溅射是一种常用于薄膜制备的物理气相沉积技术，通过在真空环境中使用外加磁场来控制离子在固体表面的击穿行为，从而实现材料沉积。
本文档将介绍磁控溅射的使用流程。
2. 实验准备在进行磁控溅射实验前，需要进行以下准备工作：•准备目标材料：选择适合溅射的材料目标，并确保其表面质量良好。
•真空室准备：检查真空室的密封性，确保真空度符合要求。
•溅射设备：检查溅射设备的机械结构和电气系统是否正常工作。
3. 开始实验以下是磁控溅射的基本使用流程：3.1 设置工艺参数在开始实验之前，需要设置以下工艺参数：1.气体流量：根据实验需求设置工艺气体的流量，通常使用氩气作为惰性气体。
2.溅射功率：控制溅射功率调节器，根据目标材料和膜层要求设置溅射功率值。
3.前驱体材料：如有需要，设置前驱体材料的流量和温度。
3.2 准备目标材料1.首先，将目标材料固定在溅射装置的靶架上，并确保目标材料与靶架之间的接触良好。
3.3 抽真空1.打开真空泵，将气体抽出真空室，直到达到所需真空度。
2.检查真空度指示器的读数，确保真空度稳定在所需范围内。
3.4 开始溅射1.打开溅射控制器的电源开关。
2.选择合适的溅射参数，并在控制界面上设置相应的数值。
3.打开氩气罩上的气体流量调节阀，调节气体流量。
4.打开氩气阀门，使气体进入溅射室。
5.打开溅射源的开关，开始溅射过程。
3.5 结束实验1.当达到所需的膜层厚度后，关闭溅射源和气体流量。
2.关闭溅射控制器的电源开关。
3.关闭氩气阀门，停止气体流入溅射室。
4.关闭真空泵，打开气阀，将气体重新充入真空室。
5.等待真空室恢复常压后，打开真空室，取下目标材料。
4. 实验注意事项在进行磁控溅射实验时，需要注意以下事项：•操作人员需要戴好防护眼镜和手套，确保安全。
•在操作溅射源和气体阀门时，需轻拧。
•在实验过程中，注意监控溅射功率和气体流量的稳定性，及时调整工艺参数。
5. 结论磁控溅射是一种重要的材料制备技术，在薄膜制备、材料研究等领域有广泛应用。
磁控溅射工艺简介PPT演示文稿
2014.6.6
1
一、名词解释
尖端放电：
通常情况下空气是不导电的，但是如果电场特别强，空气分子中的正负 电荷受到方向相反的强电场力，有可能被“撕”开，这个现象叫做空气的电 离。由于电离后的空气中有了可以自由移动的电荷，空气就可以导电了。空 气电离后产生的负电荷就是电子，失去电子的原子带正电，叫做正离子。 由于同种电荷相互排斥, 导体上的静电荷总是分布在表面上，而且一般说来 分布是不均匀的(图2)，导体尖端的电荷特别密集, 所以尖端附近空气中的电 场特别强, 使得空气中残存的少量离子加速运动。这些高速运动的离子撞击 空气分子，使更多的分子电离。这时空气成为导体，于是产生了尖端放电现 象.
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一、名词解释
• Sputter溅镀定义： • 在一相对稳定真空状态下，阴阳极间产生辉光放电，极间气体分子被离子化而产生带电电荷，其中
正离子受阴极之负电位加速运动而撞击阴极上之靶材，将其原子等粒子溅出，此溅出之原子则沉积 于阳极之基板上而形成薄膜，此物理现象即称溅镀。而透过激发、解离、离子化……等反应面产生 的分子、原子、受激态物质、电子、正负离子、自由基、UV光（紫外光）、可见光……等物质， 而这些物质混合在一起的状态就称之为电浆（Plasma）。下图为Sputter溅镀模型（类似打台球模 型）：
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二、溅射原理解释
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二、溅射原理解释
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二、溅射原理解释
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二、溅射原理解释
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三、磁控溅射原理解释
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三、磁控溅射原理解释
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三、磁控溅射原理解释
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三、磁控溅射原理解释
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三、磁控溅射原理解释
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三、磁控溅射原理解释
磁控溅射技术简介
磁控溅射技术简介
磁控溅射技术是一种应用广泛的薄膜制备技术，它通过高速粒子的轰击和溅射的方式，在靶材表面形成薄膜。
与其他薄膜制备技术相比，磁控溅射技术可制备高质量的薄膜，具有良好的精度和重复性。
它在半导体、光电子、材料科学等领域得到了广泛应用。
磁控溅射技术的实现需要高真空环境和较强的磁场，同时需要选用合适的靶材和工艺参数，以获得满意的薄膜性能。
虽然磁控溅射技术存在一些制约因素，如靶材与薄膜成分差异等，但在近年来的研究中，其应用领域和技术水平都在不断拓展和提高。
- 1 -。
磁控溅射
磁控溅射镀膜基本知识
• 4,真空的测量——真空计 真空计的一般分类： 压差式真空计、绝对真空计、 分压真空计、相对真空计 全压真空计、
磁控溅射镀膜基本知识
• 一些真空计的压力测量范围
真空计名称 水银U型管 油U型管 光干涉油微压计 压缩式真空计(一般型) 压缩式真空计(特殊型) 弹性变形真空计 薄膜真空计 振膜真空计 热传导真空计(一般型) 热传导真空计(对流型)
第一是改善磁场均匀性；（困难） 第二是改善靶材材质;（成本高） 第三是改变溅射气体的分布。（成本低，容易实现）
磁控溅射镀膜基本知识
溅射气体管道分布：
主道供气与5段分道供气相结合
解决了膜厚不均的问题
磁控溅射镀膜基本知识
平面阴极（靶材）
磁控溅射镀膜基本知识
旋转阴极（孪生靶）
磁控溅射镀膜基本知识
实物图
自然真空：气压随海拔高度增加而减小，存在于宇 宙空间。
人为真空：用真空泵抽掉容器中的气体。
磁控溅射镀膜基本知识
2,真空的度量单位
常用单位: 帕（Pa）、托（Torr）、毫巴（mbar）、 毫米汞柱（mmHg）、标准大气（atm）
换算关系: 1标准大气压=760mmHg=760Torr 1标准大气压=1.013×105Pa
测量范围(Pa) 105～10 104～1 1～10-2 101～10-3 101～10-5 105～102 105～10-2 105～10-2 102～10-1 105～10-1
真空计名称 高真空电离真空计 高压力电离真空计
B-A计 宽量程电离真空计 放射性电离真空计 冷阴极磁放电真空计 磁控管型电离真空计
例：
Ti ＋ O2
TiO2
Sn ＋ O2
磁控溅射镀膜原理
磁控溅射镀膜原理磁控溅射镀膜是一种常用的薄膜制备技术，其原理是利用磁场和电场的作用，将固体靶材溅射成离子，然后沉积在基底表面形成薄膜。
这种技术在光学薄膜、电子器件、光电子器件等领域有着广泛的应用。
下面将详细介绍磁控溅射镀膜的原理。
1. 溅射过程。
在磁控溅射镀膜中，首先将固体靶材置于真空室内，然后通过加热或者其他方式使靶材表面产生蒸汽，同时加入惰性气体，如氩气。
随后，通过加高压力或者磁场的作用，使得靶材表面的原子或分子被击出，形成离子流。
这些离子流在电场的作用下被加速，并沉积在基底表面，形成薄膜。
2. 磁场的作用。
磁场在磁控溅射镀膜中起着至关重要的作用。
磁场可以使得离子流在靶材表面形成环形轨道，从而增加了离子的平均自由程，提高了溅射效率。
此外，磁场还可以调控离子的能量和方向，使得薄膜的成分和结构得以控制。
3. 电场的作用。
电场同样对磁控溅射镀膜有着重要的影响。
电场可以加速离子流，提高溅射速率，同时还可以调控离子的能量和方向，从而影响薄膜的成分和结构。
此外，电场还可以在基底表面引入静电吸附力，促进薄膜的成核和生长。
4. 薄膜的性能。
通过磁控溅射镀膜制备的薄膜具有优良的性能。
由于溅射过程中离子能量较高，因此薄膜的致密性和结晶度较高，具有较好的机械性能和化学稳定性。
同时，磁控溅射还可以制备多层膜和合金膜，从而实现多种功能的薄膜材料。
总结。
磁控溅射镀膜是一种重要的薄膜制备技术，其原理是利用磁场和电场的作用，将固体靶材溅射成离子，然后沉积在基底表面形成薄膜。
磁场和电场在溅射过程中起着至关重要的作用，影响着薄膜的成分和结构。
通过磁控溅射制备的薄膜具有优良的性能，具有着广泛的应用前景。
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磁控溅射镀膜的简介及其实际操作
作者：徐超群
作者单位：乐山师范学院物理与电子工程系
【摘要】溅射技术的最新成就之一是磁控溅射。对于二级溅射、偏压溅射、三级或四级溅射和射频溅射而
言。它们的缺点是沉积速率较低，特别是阴极溅射。因为它们在放电过程中只有大约0.3~0.5%的
气体分子被电离。为了在低气压下进行高速溅射，必须有效的提高气体的离化率。由于在磁控溅
射中引入了正交电磁场使离化率提高到5~6%。于是溅射速率比三级溅射提高10倍左右，对许多
材料，溅射速率达到了电子束蒸发的水平。
【关键字】溅射 电子 电场 磁场 高速
1.磁控溅射的工作原理：
电子e在电厂E的作用下在飞向基板的过程中与Ar原子发生碰撞使其电离Ar+和一个新
的电子e，电子飞向基片，Ar+在电场的作用下加速飞向阴极靶，并以高能能量轰击靶表面使
靶材发生溅射，在溅射粒子中，中性的靶原子或分子则由于不显电性而直接沉积在基片上形
成薄膜。二次电子e一旦离开了靶面，就会同时受到电场和磁场的作用，产生E（电场）×
B（磁场）所指的方向漂移，简称E×B漂移，其运动轨迹近似于一条摆线。若为环形磁场，
则电子就以近似摆线形式在靶表面做圆周运动，它们的运动路径不仅很长，而且被束缚在靠
近靶表面的等离子体区域内，并且在该区域中电离出大量的Ar 来轰击靶材，从而实现了高
的沉积速率。随着碰撞次数的增加，二次电子的能量消耗殆尽，逐渐远离靶表面，并在电场
E的作用下最终沉积在基片上。由于该电子的能量很低，传递给基片的能量很小，致使基片
温升较低。
综上所述： 磁控溅射是入射粒子和靶的碰撞过程。入射粒子在靶中经历复杂的散射过
程，和靶原子碰撞，把部分动量传给靶原子，此靶原子又和其他靶原子碰撞，形成级联过程。
在这种级联过程中某些表面附近的靶原子获得向外运动的足够动量，离开靶被溅射出来。
2.磁控溅射具有“低温”、“高速”两大特点
产生这两大特点的原理为：磁控溅射是以磁场来改变电子的运动方向，并束缚和延长
电子的运动轨迹，从而提高电子对工作气体的电离几率和有效的利用了电子的能量。因此，
是正离子对靶材轰击所引起的靶材溅射更加有效。同时受正交电磁场的束缚电子，又只能在
其能量要耗尽时才沉积在基片上。所以磁控溅射具有“低温”“高速”这两大特点。
3.磁控溅射设备的主要用途
● 各种功能性薄膜：如具有吸收、透射、反射、折射、偏光等作用的薄膜。例如，低
温沉积氮化硅减反射膜，以提高太阳能电池的光电转换效率。
● 时沿装饰领域的应用，如各种全反射膜及半透明膜等，如手机外壳，鼠标等。
● 在微电子领域作为一种非热式镀膜技术,主要应用在化学气相沉积(CVD)或金属有机
化学气相沉积(MOCVD)生长困难及不适用的材料薄膜沉积,而且可以获得大面积非常
均匀的薄膜。
● 在光学领域：中频闭合场非平衡磁控溅射技术也已在光学薄膜(如增透膜)、低辐射玻
璃和透明导电玻璃等方面得到应用。特别是透明导电玻璃目前广泛应用于平板显示
器件、太阳能电池、微波与射频屏蔽装置与器件、传感器等。
● 在机械加工行业中,表面功能膜、超硬膜,自润滑薄膜的表面沉积技术自问世以来得到
长足发展,能有效的提高表面硬度、复合韧性、耐磨损性和抗高温化学稳定性能,从
而大幅度地提高涂层产品的使用寿命。
磁控溅射除上述已被大量应用的领域,还在高温超导薄膜、铁电体薄膜、巨磁阻薄膜、
薄膜发光材料、太阳能电池、记忆合金薄膜研究方面
发挥重要作用。
4.磁控溅射的设备结构
总体结构共分六个部分，见下图
气路单元（4）
水冷系统（5） 安全及报警系统
真空系统（1）
电气控制（2） 计算机控制系统（3）
5． 操作规程
5.1 开机准备工作
5.1.1 机械泵旋转方向检验：接上电源后，首先确认机械泵旋转方向，如果发现反转，则应
调相（厂家现场调试时已做好）。
5.1.2 冷却水检测：将设备接上水冷机，检测出水端是否出水，在确认水路系统正常工作后
即可进行下一步。
5.1.3 电气检查：检查总供电电源配线是否完好，地线是否接好，所有仪表电源开关全部处
于关闭状态。
5.1.4 真空系统检测：检查分子泵、机械泵油是否达到标线处。检查所有手动阀门是否处在
关闭状态（注意，本设备中所使用的手动阀门，顺时针方向为关闭方向，逆时针为打开方向）。
确定真空室已经处在抽真空的准备状态。
5.1.5 靶材的更换：开机前，应根据本次实验的需要相应的靶材。
5.1.6 基片安装：先将样品（待镀基片）清洗干净进行预处理后，放到基片托盘上，用夹子
压紧，然后将装有基片的基片托盘放到基片架上。
5.2 开机
5.2.1 打开水冷机电源及泵的开关，打开冷却水阀门，接通冷却水，启动二个控制柜的总电
源，相关电源的仪表盘点亮，表示设备供电正常。
5.2.2 启动机械泵: 见真空系统原理图，按下控制软件界面的机械泵启动按纽，指示灯亮，
此时机械泵工作。机械泵工作后，打开溅射室的旁抽阀及电磁阀开关，机械泵对真空室及分
子泵泵腔（若上次实验后分子泵泵腔保持真空状态，可在真空室内压强下降到10Pa以下再
打开电磁阀）进行抽气。打开复合真空计进行测量。真空计使用方法详见（《NYGF-II复合
真空计使用说明书》）。
5.2.3 启动分子泵：先打开分子泵控制电源开关（本设备总电源打开后分子泵控制电源已带
电），当真空计读数小于10Pa时，按下分子泵电源面板上绿色的“运行”按纽，其电源控制
面板上显示“速率追踪中”，分子泵开始工作。约4-8分钟后，分子泵电源面板上的转速为
24000R/Min，实际频率为400HZ时，分子泵进入正常工作状态。这时先关闭旁抽阀，再打开
超高真空插板阀对真空室抽气。此时参考复合真空计使用说明书，可测量高真空。在分子泵
连续抽气，并经12小时以上连续抽气后，溅射室的真空度可达极限真空约为4.0×10-5Pa
的指标。
5.3 镀膜
用分子泵+机械泵对真空室连续抽真空，利用复合真空计监测真空室内的真空度。待真
空室内本底真空度达到本次实验所预期要求后，即可准备镀膜工作。
5.3.1 通入气体
打开进气阀，将管道中的气体抽掉（若设备长时间不用，当机械泵对真空腔体预抽时，
即要打开进气阀，同时对管道进行预抽），打开流量控制器前级的截止阀（前面板上的三个
阀门），接通流量控制器与溅射室，此时，打开流量显示仪电源，在面板上调节设定好进入
气体的流量，相应气体通入溅射室，同时溅射室的真空度会相应下降，压力上升，此时通过
调节溅射室插板阀的开口大小进而来调节溅射室的压力，以达到实验所要求的压力，
5.3.2 直流溅射
本系统共有三只靶，其中二只靶接的是直流电源，进行直流溅射；溅射室压力达到放
电要求后，选好靶位，打开相应的电源，缓慢调节直流溅射电源面板上的功率调节按纽，同
时观察电流与电压的变化，调整到所需功率后既可。
5.3.3 射频溅射
本系统共有三只靶，其中一只靶接的是射频电源，射频电源的详细使用见附件：《SY
型射频功率源使用说明》。
5.4 关机
溅射完成后，可按反向依次关闭相关电源及阀门，进行关机操作了。
5.4.1 停止镀膜
镀膜完成后，先关溅射电源，然后关闭气路（按照从气瓶到真室室的顺序将气路上所有
的阀门都关上），停止基片转动，停止加热及偏压等，再关闭相关控制电源。
5.4.2 关闭系统
关闭射频电源及相关气路阀门后，利用分子泵对真空室进行再次抽气，使系统进入高真
空状态。关闭和真空室连接的所有阀门，使真空室保持真空状态。
关闭分子泵：先按分子泵“停止”按钮，待分子泵实际频率降到“0”，转速降到0即可。
待分子泵停稳后，依次关闭电磁阀、机械泵、复合真空计电源，最后关闭设备的总控制电源，
关闭冷却水阀门。