NaCu双掺杂对Ca3Co4O9热电材料性能的影响
Ca掺杂双钙钛矿锰氧化物La2NiMnO6的物性研究

不大,但会导致系统的反相边界增加,反铁磁耦合增强;磁 化 率 倒 数 随 温 度 变 化 曲 线χ-1GT 向 上 背 离 CGW 定 律,
掺 Ca后向上背离更明显,说明 Ca掺杂增强了长程铁磁有序;最后我们讨论了系统 磁 熵 和 电 性 变 化,同 时 阐 述 了
Ca的 掺 杂 使 系 统 经 历 了 弱 一 级 相 变 .
(1.包头师范学院 物理科学与技术学院,内蒙古 包头 014030; 2.包头师范学院 磁学与磁性材料内蒙古自治区高校重点实验室,内蒙古 包头 014030)
摘 要: 通过磁化强度随温度变化曲线(MGT)和等温磁化曲线(MGH )可判定随着 Ca的掺杂,系统的铁磁性减
弱、反铁磁性增强;两样品的磁滞回线和2K 下磁滞回线的放大图可以说明 Ca的掺 杂 对 系 统 反 位 无 序 度 的 影 响
的薄片.利用 X 射线 衍 射 仪 研 究 样 品 的 晶 体 结 构,通 过 PPMS测试材料的物性.
2 结 果 与 讨 论
图1为 La2NiMnO6 和 La1.9Ca0.1NiMnO6 的 X 射 线 衍 射 谱 (XRD).
图1 La2-xCaxNiMnO6(x=0,0.1)样 品 的 XRD 衍 射图谱
t= rA +rO 2(rB +rO)
其中,rA、rB 和rO 是 A 位、B 位 阳 离 子 和 氧 离 子
∗ 基金项目:国家自然科学基金资助项目(11164019,51562032,61565013);内 蒙 古 自 治 区 科 学 基 金 资 助 项 目 (2015MS0109);内
蒙高校科学研究 基 金 资 助 项 目 (NJZZ11166,NJZY12202,NJZY16237);包 头 市 科 学 技 术 局 产 学 研 合 作 资 助 项 目
掺杂对高纯氧化铝陶瓷介电损耗的影响

掺杂对高纯氧化铝陶瓷介电损耗的影响
司文捷;刘人淼
【期刊名称】《稀有金属材料与工程》
【年(卷),期】2007(36)A01
【摘要】综述了不同杂质及掺杂对氧化铝陶瓷介电损耗影响的研究进展。
原料中的杂质会增加氧化铝陶瓷的介电损耗,但可以通过掺杂来提高氧化铝陶瓷的介电损耗。
MgO的加入在低频下会增加氧化铝陶瓷的介电损耗;但在微波频段,当MgO 的加入量大于Mg在氧化铝中的固溶极限时,通过优化烧结工艺,可以得到1×10-5量级的介电损耗。
加入适量的TiO2可以降低氧化铝在微波频段的损耗,但其作用机理还有待进一步研究。
【总页数】4页(P445-448)
【关键词】氧化铝陶瓷;介电损耗;杂质;掺杂
【作者】司文捷;刘人淼
【作者单位】清华大学材料科学与工程系新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室【正文语种】中文
【中图分类】TG146.4
【相关文献】
1.Ca2+掺杂对SrTiO3压敏陶瓷介电损耗的影响 [J], 宁吉;王宁章;高雅;李建业
2.BMN,BZN掺杂工业用BaTiO3基陶瓷的介电损耗 [J], 连芳;牛雅芳;徐利华;李文超
3.Nb2O5掺杂对SrTiO3陶瓷显微结构和微波介电损耗的影响 [J], 韩蕊;李蔚;汪霖;严嵩
4.低介电损耗高耐压强度BST介电陶瓷的研究 [J], 董桂霞;王磊;刘伟;杜军;毛昌辉;崔建东
5.低介电损耗微晶氧化铝陶瓷研究 [J], 张巨先
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《La-N、Gd-N掺杂量对ZnO电子结构及吸收光谱影响的研究》

《La-N、Gd-N掺杂量对ZnO电子结构及吸收光谱影响的研究》一、引言随着科技的发展,半导体材料的研究与应用越来越受到人们的关注。
氧化锌(ZnO)作为一种宽禁带半导体材料,具有优异的物理和化学性质,其应用领域涵盖了光电子器件、太阳能电池等。
近年来,通过掺杂不同的元素来调控ZnO的电子结构和光学性能成为研究热点。
本文着重研究La-N、Gd-N掺杂量对ZnO电子结构及吸收光谱的影响。
二、La-N、Gd-N掺杂ZnO的制备与实验方法本实验采用溶胶凝胶法,通过控制掺杂元素的含量,制备了不同La-N、Gd-N掺杂量的ZnO样品。
在实验过程中,通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外可见光谱等手段对样品进行表征和性能分析。
三、La-N、Gd-N掺杂对ZnO电子结构的影响1. 能带结构变化La-N、Gd-N掺杂ZnO后,由于掺杂元素的引入,使得ZnO 的能带结构发生改变。
随着掺杂量的增加,ZnO的禁带宽度可能发生变化,导致其电子结构发生调整。
通过计算分析,我们发现La-N、Gd-N的掺入使得ZnO的能带结构变得更加复杂,出现了新的能级。
2. 载流子浓度变化La-N、Gd-N的掺入会改变ZnO中的载流子浓度。
随着掺杂量的增加,载流子浓度呈现先增加后减小的趋势。
这主要是由于掺杂元素在ZnO中的替代作用和杂质能级的形成所导致的。
四、La-N、Gd-N掺杂对ZnO吸收光谱的影响1. 吸收边移动La-N、Gd-N掺杂ZnO后,其吸收光谱发生明显变化。
随着掺杂量的增加,吸收边出现红移或蓝移现象。
这主要是由于掺杂元素引入的杂质能级与ZnO的能级之间的相互作用所导致的。
2. 吸收峰变化除了吸收边的移动,La-N、Gd-N掺杂还会在ZnO的吸收光谱中引入新的吸收峰。
这些新峰的出现与掺杂元素在ZnO中的能级分布和电子跃迁有关。
通过分析这些新峰的位置和强度,可以进一步了解掺杂元素对ZnO光学性能的影响。
五、结论本文通过研究La-N、Gd-N掺杂量对ZnO电子结构及吸收光谱的影响,发现掺杂元素的引入可以改变ZnO的能带结构和载流子浓度,同时还会导致其吸收光谱发生明显变化。
V2O5/MoO3掺杂对NiCuZn铁氧体结构和性能的影响

A bsr c : C Z ert aeil s rp rdb o i—tt to sn ihp rt w tra. h fe t t a t Ni u nfri m tra e ae ys l s emeh du ighg ui r maei1T eefc e wa p d a y a
V2 / O3 杂 对 Ni u n铁 氧 体 结 构 和 性 能 的影 响 O5Mo 掺 CZ
成 军 平 ,徐 全 吉 ,杨 许 文 ,张 怀 武
( 电子 科技 大 学 电子薄膜 与集成 器件 国家重 点 实验 室 ,四 川成 都 60 5 104)
摘 要 :采 用 固相 反 应 法 制 备 了 Niu n铁 氧 体 ,研 究 了 V O5Mo 3 同掺 杂 量对 材 料 电磁 性 能 的 影 响 以 CZ 2 / O不
o 2 dMo 3 d iv s nte cot c r a dman t rp re f C Z r tma r l sn et ae d f 0 O dt e rs u t e n g e c o e is Niu nf re t i vsg t a V a i o h mi r u ip t o e i e a wa i i dn
teii a eme b lyo 05 o 一d e Cu n fri n r ae rta dte e ra e, t e kp r a ii h nt l r a it f i p i V2 / 03a d dNi Z er eice ssf s n h n d ce s s wi p a eme bl M t i h y t
ZrO2和结合剂对烧成镁钙砖烧结性能的影响

l udp rf na dec feetoa tz e naa dmo o l ez c nacnp o t itrn fna n — i i aaf a ho l rcs i o i n n ci i o i a rmo es eigo lg e q i n c r n r n
d t adu —hdo y r i dl u aaf )o e i ei fi dmans —clibi e o ̄ r kn n yrx le na q i prfn nt n r go r g ei a a r ka s n i d i h st n fe a c c r
收稿 日期 :0 6—0 —2 20 7 4 王来稳(9 8 ) 硕士生 ;70 9 河南省洛阳市。 17  ̄ , 4 13
1 1 原料 的选 择 .
原料采用辽宁海城生产的合成镁钙砂 ,化学 组成 见表 l 。 12 试样的制备 . 将合成 镁钙 砂 过筛分为 5 m ~l m、< l m m 两种 粒度 ,并 将 部 分 粒 度 < l mm 的 合成 镁 钙 砂 与 添加 剂 混 合 磨 成 <00 4 m 细 粉 。按 照一 定 .7r a
发现成型强度较低。本文 以 ZO 为添加剂,以 rz 无水无羟基树脂和液体石蜡作结合剂 ,研究了其 对烧成高钙镁钙砖烧结性能的影响。
1 试 验
是高钙镁钙砖的生产、使用受到限制。因此,需 要采取有效措施来促进镁钙砖的烧结 ,提高制品
La—Na—Co—Mn—O系钙钛矿型催化剂同时去除柴油机碳颗粒和NOx性能的研究

0 钙钛 矿型 复合 氧化 物催 化剂 。 3
12 催化剂 表征 .
X射 线衍射 分析 ( D) 用 日本 X D一7 0 XR 采 R 00 型 X射线衍 射仪 对 各样 品进 行 X射 线 衍 射 分 析 , 以确 定 AB 结构 的形 成 , 验条 件 为 : O3 实 CuKa辐 射 , 压 4 V, 电流 3 管 0k 管 0 mA, 描 角 度 1 。 扫 0 ~
Na的硝 酸盐 溶于适 量 的 去离 子水 中 , 与一 定 量 并
的柠檬 酸络合 剂水 溶 液 混合 , 热 混合 液 , 其 沸 加 使
腾 、 缩 、 至爆 炸 分 解 得 到 催 化 剂 的前 驱 体 , 浓 直 然 后 , 80 焙 烧 2 在 0℃ h进 行 固 相 反 应 , 到 L 得 a一
Na. M n  ̄ Co 0
.
引起 了人 们 的关 注。Teak ro a等[ 评 价 了多 种 2 ] 催化 剂 的综合性 能 , 果表 明钙钛矿 型催化 剂性能 结 较好 。 文献 [ 还详 细研究 了 I —Mn 2 ] , a —O钙 钛矿型 催化 剂 的性能 , 进一步 证 明该 类催化 剂可 以有效地 同时去 除柴油 机排放 的 N 和 P M。. 本文 用 低 温 燃 烧 法 r 合 成 了 Na 分 取 代 6 ] +部
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环境 保护 科学
第3 3卷
第4 期
20 0 7年 8月
L —N —C —Mn a a o —O系钙钛矿型催化剂同时去除 柴油机碳颗粒和 N z O 性能的研究
Iv sia in o t lt t i f a N — CO Mn O e o s i - n e t t f g o Ca ay i Ac i t o — a c vy L — — P r v kt e- t p ie o mut n o s R mo a f e e o tP riua e n y e Oxd sf rSi l e u e v l s l o a t lt s a d NO a o Di S c
添加ZrO2-SiC复合粉体对Al2O3-C质耐火材料抗热震性能的影响
e u t h w t a t e p a e t o r st o te a p e r s ls s o h t h a p n p o iy f h s m l wih 4% r t
Zr - C c mp st wa t e O2 SI o o ie s h mi i n n mu
c mp st o d ro ti e y c r o h r lrd  ̄i n a a tr l.T e e fc f h d i o u n i f o o i p w e ban d b ab t e ma e u o sr w mae as h f t e a d t n q a t y o e i e ot i t t e Z O2S C c mp s e p w e n t et e ma h c e itn e o e A103C rfa tr swa t d e Th h r - I o o i d ro h h r l s o k r ssa c f h 2 - e r co i ssu id t o t e e
明 :添加质 量分数为 4 的 ZO 一i % r SC复合粉体试样 的显气孔率最低 为 1. % ;添加 6 r SC复 88 %ZO 一i
合粉体 的试样 ,在 1 0 0℃的温度下热震次数达到 1 2 O次后 ,其 表面并未 出现 明显裂纹 ,且其残余耐 压强度为 1. 1 a 67 ,耐压强度保持率 为 4 . % ,具有 良好的抗热震性能. MP 09 关键词 :ZO .i r SC复合粉 体 ;A ,C耐火材料 ;抗热震性 ;耐压强度 I 一 0 中图分类号 :a 0 5 1 T 6 . 1 文献标识 码 :A 文章编号 :17 - 2 (07 0 -100 6 16 0 2 0 ) 20 3 -4 6
掺杂对PZT压电陶瓷的影响及研究进展
张静,江平,王安玖,张元松,官瑶,褚涛(贵州振华红云电子有限公司,贵州贵阳550025)PZT压电陶瓷材料制备的基础上,总结出生产掺杂PZT材料的最佳掺杂条件,以及配方对压电陶瓷性能的影响,只要工艺合适,性能完全能再提高,对压电陶瓷材料的发展趋势进行了展望。
压电陶瓷;掺杂改性;取代1引言压电陶瓷作为功能陶瓷的重要组成部分,在19世纪80年代,居里兄弟发现压电效应后,得到了踊跃的研究及迅速的发展。
目前具有压电效应的研究主要在三个方面:压电陶瓷、压电高分子、压电晶体,压电性能最好的是压电陶瓷。
压电陶瓷作为一种重要的力-电敏感性强的功能材料,已经在传感器、超声换能器、微位移器和其它电子元器件等方面得到了广泛的应用。
并且因其低成本、高压电转换的优点,随着加工工艺的进步及优化,它在航空航天、电子、信息等高科技方面有着很高的研究及应用价值[1]。
空位浓度对压电陶瓷的制备工艺及性能均有较大的影响。
上个世纪50年代,PZT压电陶瓷的诞生伊始,研究人员通过各种改性方法对其性能进行提高,其中离子掺杂是最直接和最有效的提高手段。
本文针对掺杂PZT及PZT基多元系陶瓷的研究现状及进展进行详细的概述,并对其研究及发展趋势进行大胆的预测。
2二元系PZT压电陶瓷掺杂改性研究PZT压电陶瓷是典型的多晶体,换句话说,当陶瓷未被极化时,陶瓷内部存在许多方向各异的电畴。
在极化过程中,外加电场作用下,晶体内各个电畴均要发生转向,但电畴的转向会使陶瓷内部产生内应力,所以从张静(1990),女,硕士研究生,从事功能材料与智能材料的。
贵州省科技计划项目(20192159018423206)。
热力学角度考虑,陶瓷内部电畴转向相当困难。
图1为钙钛矿型晶体的结构。
许多研究都是通过取代改性、加入多组元使晶格发生畸变,从而晶粒容易转向。
通常掺杂根据位置的不同可分为A 位、B 位掺杂[2]。
Pb 在加热的过程中在900℃会挥发。
众所周知,重金属铅及其化合物可由蒸气或粉尘进入呼吸道,对人体及其各个组织带来不良的影响。
功能陶瓷复习题解答
欢迎共阅1、举出3种以上的典型的超导陶瓷(氧化物超导体),定义及其应用。
LaBaCuo、SrBaCuo、NbBaCuo;2、说明Ⅰ、Ⅱ和Ⅲ电容器陶瓷的典型材料、性能特点和用途。
I类陶瓷主要用于高频电路中使用的陶瓷电容器。
性能特点a:一般具有负温度系数,有时为正温度系数;b:介电常数较高为飞铁电电容陶瓷;c:温度系数值稳定且高频下及高温时具有低的介质损耗。
典型材料:MgTiO3瓷。
II类陶瓷主要用于制造低频电路中使用的陶瓷电容器。
性能特点:a:介电常数值高(4000-8000)b:温度稳定性好;c:居里点在工作温度范围内且能方便的调整。
典型材料:BaTiO3系、反铁电系。
III类陶瓷介质的半导体主要用于制造汽车、电子计算机等电路中要求体积非常小的电容器,性能特点a:介电常数非常大7000-几十万以上b:主要用于低频下典型材料:半导化BaTiO33、何为铁电陶瓷? BaTiO3铁电陶瓷老化的含义是什么?是一类在某一温度范围内具有自发极化且极化强度随电场反向而反向,具有与铁磁回线相仿的电滞回线的陶瓷材料老化意义:铁电陶瓷烧成后其介电常数和介电损耗随时间的推移而逐渐减少4、BaTiO3陶瓷有哪几种晶型相变?画出BaTiO3陶瓷的介电常数-温度特性曲线示意图。
立方相、四方相、斜方相和三方相;5、何谓移峰效应和压峰效应?改性加入物可以有效的移动居里温度,即移动介电常数的居里峰,但对介电常数的陡度一般不呈现明显的压抑作用,这时所引起的效应为移峰效应;有的改性加入物可使介电常数的居里峰受到压抑并展宽所引起的效应为压峰效应。
6、为什么BaTiO3陶瓷最适合做低频电容器介质?由于频率f升高,ε降低,Tanδ升高性能恶化,所以要在低频下使用由于新畴的成核与生长需要一定的时间内,所以ε和f有关。
损耗产生的原因是:1、电畴运动:畴壁运动是克服杂质、气孔、晶界的摩擦阻力;2、自发极化反转时。
伴随着集合形变的换向,必须克服晶胞间与晶粒间应力作用的反复过程。
硅掺杂对不同衬底的氮化铝薄膜的影响研究
硅掺杂对不同衬底的氮化铝薄膜的影响研究第一篇范文硅掺杂对不同衬底的氮化铝薄膜的影响研究摘要:氮化铝(AlN)因其卓越的物理和化学性能,在高温、高频、大功率电子器件领域具有广泛应用前景。
然而,AlN薄膜的电导率和热导率较低,限制了其应用范围。
本文研究了硅掺杂对不同衬底的AlN薄膜的电导率、热导率和结构性能的影响,以期为优化AlN薄膜性能提供理论依据。
1. 引言氮化铝薄膜作为一种新型的半导体材料,具有优异的耐磨性、耐高温性和高硬度等优点,被广泛应用于电子器件、光学器件等领域。
然而,AlN薄膜的电导率和热导率较低,限制了其在一些高性能电子器件中的应用。
硅掺杂是一种常用的手段来提高AlN薄膜的电导率,但关于硅掺杂对不同衬底的AlN薄膜的影响研究尚不充分。
本文通过研究硅掺杂对不同衬底的AlN薄膜的电导率、热导率和结构性能的影响,探讨了硅掺杂的优化机制,为实际应用中AlN薄膜性能的提高提供理论依据。
2. 实验方法采用磁控溅射技术在不同衬底(Si、SiO2和Al2O3)上制备硅掺杂的AlN薄膜。
溅射过程中,AlN靶和Si靶分别作为主靶和掺杂靶,氮气作为工作气体。
通过改变Si靶的功率,调控硅掺杂浓度。
制备的AlN薄膜样品经过清洗和干燥后,进行电导率、热导率和结构性能的测试。
3. 结果与讨论3.1 电导率硅掺杂对不同衬底的AlN薄膜的电导率影响明显。
随着硅掺杂浓度的增加,AlN薄膜的电导率呈现先升高后降低的趋势。
硅掺杂可以有效地提高AlN薄膜的电导率,主要原因是硅掺杂引入了自由载流子,增加了载流子的浓度,从而提高了电导率。
然而,过高的硅掺杂浓度会导致电导率下降,可能是由于硅掺杂过多导致薄膜内部缺陷增多,影响了载流子的传输。
3.2 热导率硅掺杂对不同衬底的AlN薄膜的热导率影响较小。
硅掺杂的引入对AlN薄膜的热导率影响不大,可能是由于硅掺杂主要影响薄膜的电导率,而对热导率的影响相对较小。
此外,不同衬底材料的热导率差异对AlN薄膜的热导率也有一定的影响。
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· 179 ·第 37 卷 第 2 期Journal of Ceramics
Vol.37 No.2Apr. 2016第 37 卷 第 2 期2016 年 4 月
Na/Cu双掺杂对Ca3Co4O9热电材料性能的影响李佳书,胡志强,郝洪顺,秦艺颖,李亚玮(大连工业大学 纺织与材料工程学院,新能源材料实验室,辽宁 大连 116034)
摘 要:利用溶胶-凝胶法制备掺Na/Cu的Ca3CO4O9热电材料,通过XRD、SEM、气孔率对样品进行表征,研究Na/Cu的掺量
对试样的电阻率、塞贝克系数和功率因子的影响。结果表明,双掺之后的XRD图谱与标准JCPDS图谱保持一致,没有引进新的杂质;通过双掺样品的致密性提高,电阻率大幅降低;随着温度增加,电阻率随之降低,Seebeck系数增大,功率因子增大,热电性能得到提高,在1050 K时,(Na0.1Ca0.9)3(Co0.9Cu0.1)4O9试样的功率因子最高达到448 μW/mK2。
关键词:Na-Cu双掺;Ca3Co4O9;热电材料;电阻率;Seebeck系数
中图分类号:TQ174.75 文献标志码:A 文章编号:1000-2278(2016)02-0179-05
Effect of Na/Cu Double Doping on the Thermoelectric Properties of Ca3Co4O9 Thermoelectric Material
LI Jiashu, HU Zhiqiang, HAO Hongshun, QIN Yiying, LI Yawei(School of Textile and Materials Engineering, Dalian Polytechnic University, Dalian 116034, Liaoning, China)
Abstract:Ca
3Co4O9
thermoelectric material doped with Na/Cu were prepared by the sol-gel method. The samples were characterized by
XRD, SEM and porosity measurement. The effects of Na/Cu dosage on the resistivity, Seebeck coefficient and power factor of samples were explored. The results showed that the XRD patterns of double-doped samples were consistent with the standard JCPDS pattern, and no impurities were found. The density of the double doped samples was improved, and their resistivity was greatly reduced. With the temperature increasing, the resistivity decreased, Seebeck coefficient and the power factor increased, and the thermoelectric performance improved; at 1050 K, the power factor of the (Na0.1Ca0.9)3(Co0.9Cu0.1)4O9
sample reached 448 μW/mK
2.
Key words:Na-Cu double doped; Ca
3Co4O9
; thermoelectric material; resistivity; Seebeck coefficient
0 引 言 热电材料是一种能将热能与电能相互转化的新型半导体材料,在航天,太阳能等领域有着广泛的应用。钴酸钙是热电材料中的一种,由于其抗氧化性能好,热稳定性好,无毒性,性能优越而受到很多人的广泛关注[1]。钴酸钙为单斜晶系,为层状结
构,由绝缘层Ca2CoO3和导电层CoO2沿着c轴交替
排列而成[2],在Ca2CoO3中,Ca-O与Co-O都是以离
子键的形式排列而成的,不能提供导电电子,只作为绝缘层以降低材料的热导率,CoO2层为八面体
结构,CoO2层作为导电层提供空穴。热电效应是
由电流引起的可逆热效应和温差引起的电效应的总称,包括Seebeck效应,Peltier效应,Thomoson效应[3]。衡量热电材料性能的一个重要指标是Z(热电
优值)=S2σ/λ[4],式中S热电材料为塞贝克系数,σ为
材料的电导率,λ为热导率,S2
σ为材料的功率因子
P,功率因子可以用来衡量热电材料性能的好坏,功率因子越大,热电性能越好。 目前钴酸钙热电材料的热电性能还很低,通过Ca位和Co位的掺杂[5-12],可改变载流子浓度,改进
电输运性能,从而提高材料热电性能。目前对掺杂提高材料热电性能的研究的较多,Ca位的掺杂主要是掺入Na,Bi,Ba,Ag等元素,Constantinescu G[13]等对掺杂Ba元素进行了研究,发现其电阻率随
温度的升高而降低,塞贝克系数随温度的升高而增大,认为和载流子浓度有关,掺杂之后热电性能得到提升。Co位的掺杂主要是掺入Ni,Fe,Cu,Mn,Ga等元素,Prasoetsopha N[14]等对Co位掺杂Ga
进行了研究,研究发现Ga取代了绝缘层Ca2CO3的
收稿日期:2015-09-01。 修订日期:2015-09-18。
通信联系人:胡志强(1956-),男,教授。
Received date: 2015-09-01. Revised date: 2015-09-18.Correspondent author:HU Zhiqiang(1965-), male, Professor.
E-mail:hzq@dlpu.edu.cn
DOI:10.13957/j.cnki.tcxb.2016.02.013· 180 ·2016 年 4 月
Co位,热电性能得到了提高。本文主要研究双掺杂元素是否可以提高热电性能。目前钴酸钙大部分是通过固相法合成,固相法由于机械混合的不确定性使得反应不均匀,因此固相法不适合用于掺杂元素。本实验采用溶胶凝胶法[15, 16],溶胶凝胶法容易
获得均匀的材料,而且适合元素掺杂,通过在钴酸钙Ca位掺杂不同含量的Na,在Co位掺杂不同含量的Cu元素,研究双掺杂元素以及掺杂元素的含量对其热电性能的影响。
1 实 验1.1 实验原料 硝酸钙(分析纯,99%,天津市光复精细化工研究所),硝酸钴(分析纯,99%,天津市科密欧化学试剂有限公司),硝酸铜(分析纯,99%,天津市光复精细化工研究所),硝酸钠(分析纯,99%,天津市光复精细化工研究所),柠檬酸(分析纯,99.5%,天津市科密欧化学试剂有限公司),去离子水。1.2 样品制备与表征 根据化学计量式(NaxCa1-x)3(Co1-yCuy)4O9按
照(x=0.1 y=0.05,x=0.1 y=0.1,x=0.15 y=0.05,x=0.15 y=0.1)比例将硝酸锂,硝酸钴,硝酸钙,硝酸铜溶液混合均匀后,加入一定量的柠檬酸(柠檬酸用量为金属阳离子的4倍),将得到的混合溶液在80 ℃的水浴锅内搅拌均匀于130 ℃烘干获得干凝胶,将其研磨成粉末,在800 ℃下煅烧2 h,获得黑色粉体,将粉体在15 Mpa下压片5 min,片径15 mm,900 ℃下常压烧结12 h得到固体样品。采用X射线衍射仪(XRD,D/Max-3B)对样品进行物相分析和扫描电子显微镜(SEM,JEOL JSM-6460LV)对样品断面形貌进行分析,用自制仪器测量样品的塞贝克系数和电阻率,以测量样品的热电性能。
2 结果与讨论2.1 XRD分析 图1为(NaxCa1-x)3(Co1-yCuy)4O9的前驱体在800 ℃
煅烧后的XRD图谱,从图1可以看出,不同试样的物相均为Ca3Co4O9,Na和Cu的双掺没有引入杂峰,
Na,Cu的掺杂并没有改变晶体结构,衍射峰与标准主峰符合的很好,说明Na,Cu元素已经成功掺杂进去,形成单一的化合物(NaxCa1-x)3(Co1-yCuy)4O9。
2.2 SEM分析 图2为各组份样品的断面形貌,由图可以看
出,双掺的样品的晶粒尺寸比无掺样品尺寸有所增加,说明掺杂有利于晶粒的尺寸的增加,可见 Na和Cu的双掺杂对晶粒的生长有一定的促进作用,可以看出掺杂对微观结构的影响很大,但是晶粒尺寸并不是随着掺杂量的增加而一直增加,掺杂元素的含量不同,对晶粒大小的促进效果也不同。样品片与片之间存在着气孔,通过掺杂小晶粒趋向于与小晶粒结合生长成较大晶粒有利于气孔排出,掺杂的含量不同对于孔隙的减少有所不同,c样品的孔隙最小,晶粒之间最为紧密,致密度最好,随着掺杂量的进一步提高,孔隙又逐渐增大,孔隙过大可能会导致电阻率增加。2.3 气孔率分析 表1为(NaxCa1-x)3(Co1-xCux)4O9试样的气孔率分
析,由表可以看出掺杂的样品体积密度和视密度都比无掺杂的样品大,随着Na,Cu掺杂量的提高,干重/湿重先增大后减少,气孔率和吸水率则先减少后又小幅增加,c样品出现了最大的干重/湿重,最小的气孔率和吸水率, c样品的孔隙相对比别的样品较小,随着Na,Cu掺杂量的进一步提高,导致挥发程度增大,气孔量回升,但仍比纯样要小,从另一个角度再一次认证了掺杂可以降低样品的气孔率,适量的Na,Cu双掺杂可以提高样品的致密度,优化样品的微观结构,和SEM分析出的结果一致,气孔率的大小可能会对样品电阻率有影响。2.4 电阻率 图3为掺杂量不同的(NaxCa1-x)3(Co1-yCuy)4O9试样
电阻率-温度关系,从图中可以看出掺杂样品的电阻率都比纯样要小,掺杂的样品的电阻率都是随温度的变化先升高随后降低 ,(Na0.1Ca0.9)3(Co0.9Cu0.1)4O9
的电阻率最低。半导体材料电阻率与载流子浓度
图1 (NaxCa1-x)3(Co1-yCuy)4O9试样的XRD图谱 Fig.1 XRD patterns of (NaxCa1-x)3(Co1-yCuy)4O9 samples
10 20 30 40 50 60 702θ/(°)
Intensity /a.u.Na0.15Cu0.1
Na0.15Cu0.05
Na0.1Cu0.1
Na0.1Cu0.05
无掺(002)(003)(004)
(201)(203)