器件 重要术语
集成电路专业术语
集成电路专业术语一、集成电路设计集成电路设计（IC Design），是指根据功能要求和性能指标，将电路系统设计成一定工艺条件下集成电路的过程。
这个过程涉及到电子学、计算机科学、物理等多个学科的知识。
集成电路设计主要包括电路系统设计、版图设计、仿真验证等步骤。
二、芯片制造工艺芯片制造工艺（IC Manufacturing Process），是指将设计好的集成电路通过一系列复杂的物理和化学过程，在半导体材料上制造出来的过程。
这个过程包括晶圆制备、薄膜制备、掺杂、刻蚀、金属化等多个环节，每个环节都需要精确控制。
三、元件集成元件集成（Device Integration），是指将各种电子元件（如晶体管、电阻、电容等）集成在一块芯片上的过程。
这个过程需要考虑到元件之间的相互影响和相互作用，以保证整个电路的性能和稳定性。
四、电路封装电路封装（Package），是指将制造好的芯片进行封装的过程。
这个过程需要考虑到芯片的机械保护、信号传输、散热等多个方面，以保证整个集成电路的性能和可靠性。
五、芯片测试与可靠性芯片测试与可靠性（IC Testing and Reliability），是指对制造好的芯片进行测试和评估的过程。
这个过程需要用到各种测试设备和测试软件，以保证芯片的性能和可靠性。
六、集成电路应用领域集成电路应用领域（IC Application Fields），是指集成电路应用的各个领域，如通信、计算机、消费电子、汽车电子等。
随着科技的不断发展，集成电路的应用领域越来越广泛，已经成为现代科技的重要组成部分。
七、微电子技术发展微电子技术发展（Microelectronics Technology Development），是指微电子技术的不断发展和进步。
这个领域涉及到半导体材料、器件结构、工艺技术等方面的研究和开发，是集成电路发展的重要推动力。
八、集成电路产业生态集成电路产业生态（IC Industry Ecosystem），是指集成电路产业的上下游关系和生态系统。
半导体行业英文术语
半导体行业英文术语English:Some common terms in the semiconductor industry include:1. Integrated Circuit (IC): A small electronic device made out of a semiconductor material that can perform an extensive range of functions.2. Semiconductor manufacturing: The process of creating integrated circuits and semiconductor devices, including design, fabrication, and packaging.3. Wafer: A thin slice of semiconductor material used as the substrate for the fabrication of integrated circuits.4. Photolithography: A process used to transfer circuit patterns onto the wafer surface using light and photoresist materials.5. Die: A single piece of an integrated circuit, typically cut from a wafer after fabrication and packaging.6. Yield: The percentage of functional and operational semiconductor devices produced during the manufacturing process.7. Moore's Law: The observation that the number of transistors in a dense integrated circuit doubles approximately every two years, leading to exponential growth in processing power.8. Quantum tunneling: A phenomenon in which electrons penetrate through a potential barrier they classically shouldn't be able to cross, crucial for the operation of semiconductor devices.中文翻译:半导体行业的一些常见术语包括：1. 集成电路（IC）：由半导体材料制成的小型电子器件，可执行广泛的功能。
半导体专业术语培训内容总结报告
半导体专业术语培训内容总结报告半导体作为当今高科技产业的基础，已经成为了现代社会的重要组成部分，对人们的生活和经济发展起到了重大的促进作用。
在这样的大背景下，对半导体专业人士的培训和专业术语的掌握显得尤为重要。
以下是半导体专业术语培训内容总结报告：一、半导体基本概念1. 半导体：半导体是一类介于导体和绝缘体之间的材料，它的导电性介于导体和绝缘体之间，可以进行控制电子流动的状态。
2. 晶体：晶体是一种具有空间有序性的固体，具有特定的结构和性能，晶体的结构是一定的重复单元构成。
3. 常见材料：硅材料、氮化硅、氮化镓、氮化铝等。
二、半导体器件1. PN结：PN结是PN电池中特殊的半导体器件，它是由N型半导体和P型半导体连接而成的。
2. 二极管：二极管是一种只能允许电流向一个方向流动的器件。
3. 三极管：三极管是一种电子管，是现代电子中最重要的半导体器件之一。
4. 场效应晶体管：场效应晶体管是一种半导体器件，是半导体器件中使用最广泛的器件。
5. 金属氧化物半导体场效应晶体管：MOSFET是一种常用的半导体器件，是今天数字电子技术的基础。
6. 双极性型晶体管：BJT是一种晶体管，除了放大电子信号之外，还能够正向和反向控制电路中的电流。
三、半导体制造工艺1. 晶圆制造过程包括：晶圆的锯齿切割、切割污染去除、研磨和激光切割等。
2. 电镀过程：电镀是通过将金属置于溶液中电解的方法将金属沉积到半导体表面上，起着增强金属与半导体附着强度的作用。
3. 氧化工艺：氧化工艺是通过加热将半导体浸入氧气环境中产生氧化层，起着保护半导体和增加附着力的作用。
4. 掩模制作工艺：半导体制造中的掩模制作工艺是通过控制光的透过与反射来制定掩膜，起到保护和刻蚀半导体的作用。
以上就是半导体专业术语培训的内容总结报告，希望对您有所帮助。
半导体术语
FIB：将一些net引到最高层metal，测试时做一些断开和连接；Probe：将一些net引到最高层metal，测试时用针扎在这些metal上获得电压数据成品率（Yield）: 指完成全部制造工艺后，合格芯片数占总芯片数的百分比。
成品率也称良率，是衡量芯片制造工艺的重要指标。
扫描电子显微镜（Scanning Electron Microscope，SEM）:扫描电镜是用聚焦电子束在试样表面逐点扫描成像。
试样为块状或粉末颗粒，成像信号可以是二次电子、背散射电子或吸收电子。
其中二次电子是最主要的成像信号。
在线参数测试（Wafer Electrical T est，WET）:WET是对硅片上的测试图形结构进行的电学测试。
因为它是把直流电压加在器件的物理结构上进行测试，因此也被看成是一种直流测试。
原子力显微镜（Atomic Force Microscope AFM）：是利用原子、分子间的相互作用力来观察物体表面微观形貌的实验技术。
根据扫描样品时探针偏离量或其它反馈建立三维图像，就能获得样品表面的形貌。
探针卡（Probing Card）：即自动测试仪与待测器件（DUT）之间的接口。
典型的探针卡是一个带有很多细针的印刷电路板，这些细针和待测器件进行物理和电学接触，传递进出测试结构压焊点的电流。
DC测试：即连续性、开路/短路和漏电流测试。
DC测试时为了确保探针和压焊点之间良好电学接触的连接性检查。
.EMMI（emission microscope）：中文叫光发射显微镜，通过发光点定位缺陷失效地方。
一般在不透光的盒子中进行。
红外发光显微技术利用了IC器件中大多数缺陷都呈现微弱的红外发光现象，能够迅速准确地定位失效点，使得它成为现今对IC进行失效缺陷定位的有力工具。
CMP：化学机械平坦化On resistance: 导通电阻。
PCB专业用语中英文对照
PCB专业用语中英文对照PCB，全称是Printed Circuit Board，即印制电路板，是电子器件中不可缺少的一部分。
在PCB的生产和使用过程中，有许多特定的专业术语，以下将列出一些常见的PCB专业用语的中英文对照，以帮助PCB行业的从业人员更好地了解和使用这些术语。
1. Pad - 表面贴装元件引脚焊盘2. Via - 通孔3. Trace - 线路走线4. Solder mask - 焊盘阻焊5. Silkscreen - 字体绘制6. Substrate - 基板7. RoHS - 过度有害物质限制指令8. PCB Assembly - PCB组装9. Panel - 夹板10. Gerber file - Gerber文件（PCB板图文件的一种）11. Copper weight - 铜箔厚度12. SMD - 表面贴装元件13. Through-hole - 贯通孔除此之外，还有一些专业用语需要注意：1. Blind via - 盲孔2. Buried via - 埋孔3. Soldering - 焊接4. Copper pour - 铜泡5. Annular ring - 环形垫片6. Plated through-hole - 化学镀铜孔7. Gold finger - 金手指（PCB板边部的带触点金属部件）8. OSP - 有机锡防护（一种PCB表面处理方法）以上仅列举了部分PCB专业用语的中英文对照，如需更全面的了解，需要从事相关行业或有专业经验的人士掌握更多知识。
在PCB制造和使用过程中，正确使用这些专业用语是非常重要的，它们不仅可以帮助我们更好地了解PCB的生产过程和使用方法，还可以提高工作效率和避免出现误解和错误。
ic封装术语
ic封装术语IC封装术语IC（集成电路）封装是将芯片封装成实际可应用的器件的过程。
在IC封装过程中，使用了许多术语来描述不同的封装类型、尺寸和特性。
本文将介绍一些常见的IC封装术语，以帮助读者更好地理解和选择合适的封装。
1. DIP封装（Dual In-line Package）DIP封装是最早也是最常见的IC封装类型之一。
它采用两排引脚，引脚以直线排列，适用于手工插入和焊接。
DIP封装通常用于较大的芯片，如微控制器和存储器芯片。
2. SOP封装（Small Outline Package）SOP封装是一种比DIP封装更小型的封装类型。
它采用表面贴装技术，引脚以直线或弯曲排列。
SOP封装适用于对空间要求较高的应用，如移动设备和计算机外围设备。
3. QFP封装（Quad Flat Package）QFP封装是一种较大的表面贴装封装类型。
它采用四个方向平均分布的引脚，具有较高的引脚密度和良好的散热性能。
QFP封装适用于需要处理大量信号的芯片，如通信芯片和图形处理器。
4. BGA封装（Ball Grid Array）BGA封装是一种先进的表面贴装封装类型。
它采用小球形引脚，以网格状排列在芯片底部。
BGA封装具有更高的引脚密度和更好的散热性能，适用于高性能处理器和FPGA芯片。
5. LGA封装（Land Grid Array）LGA封装是一种类似于BGA封装的表面贴装封装类型。
它采用金属焊盘而不是小球形引脚，以更好地支持高频率和高速信号传输。
LGA封装适用于需要较高信号完整性的应用，如服务器和网络设备。
6. CSP封装（Chip Scale Package）CSP封装是一种尺寸更小的封装类型，接近芯片的尺寸。
它采用直接焊接或粘贴技术将芯片封装成器件。
CSP封装适用于对尺寸和重量要求极高的应用，如智能卡和便携式设备。
7. QFN封装（Quad Flat No-leads）QFN封装是一种无引脚的封装类型，引脚隐藏在芯片的底部。
BGA、TAB、零件、封装及Bonding制程术语解析
BGA、TAB、零件、封装及Bonding制程术语解析1. BGA （Ball Grid Array）BGA是一种封装技术，其芯片引脚以球形焊盘的形式存在于封装底部，通过这些焊盘进行焊接连接。
BGA本质上是一种高密度的封装方式，适用于高速计算机芯片等高性能应用场合。
BGA封装具有相当优秀的热、电性能，能够快速散热，并可实现高精度的排线布局，大大提升了集成度和处理效率。
2. TAB （Tape Automated Bonding）TAB作为另一种常见的封装技术，通过将IC芯片与PCB电路板上的锡基底通过一根胶带连接起来，实现封装连接。
TAB制程通过高精度的生产和测试设备及工艺，实现了芯片和PCB连接的高可靠性，适用于细小的晶片等高集成度的应用场合。
在电子产品封装中，TAB已经成为了一种必备基本封装技术。
3. 零件电子产品的零件一般分为两大类：主要零件和辅助零件。
主要零件包括CPU芯片、内存芯片、芯片组、显示器、硬盘等，是电子产品实现其功能和性能要求不可或缺的核心部件。
而辅助零件包括一些可能看似不太重要的小部件，如电源开关、LED指示灯等。
4. 封装封装是指将电子元器件或器件组进行物理封装以防外部环境对其造成影响的技术。
封装可以将这些器件或元器件放置在一起，除了防止外部影响，还可以简化电路布局和连接，尽可能地减小产品体积和重量。
电子产品中的各种元器件一般都会通过封装的方式呈现出来，例如各种芯片、电阻、电容、线圈等等。
5. BondingBonding是指通过用一种特殊方法将两种不同的材料或组件连接在一起的方法。
bonding也可以叫做粘合、连接等等，是电子产品制造和维修中常见的一种工艺。
Bonding主要有两种方法，一种是焊接，即通过高温使两种需连接的物体产生化学反应，形成一种连接方式；另一种是点胶，即通过将胶水涂在两种需连接的物体上并用力使其贴合。
这两种Bonding方法既可以同时使用，也可以单独使用，根据具体情况来选择。
SMT与PCB术语汇总
SMT与PCB术语汇总（10）• PCE全氯乙烯（也称作四氯乙烯）• PCDFPolychlorinated dibenzofurans --多氯化氧芴• PCIPeripheral Component Interconnect --周边元件扩展接口• PCMCIAPersonal Computer Memory Card International Association --个人计算机存储卡国际协会• PCN1) Product Chan g e Notification --产品更改通知通知用户工艺更改的文件2) Parametric Causal Networks --参数因果网络3) Personal Communications Network --个人通信网• PCPPentachlorophenol --五氯苯酚• PCSProject Control System --计划控制系统TPA、CMG、MPG和DSG使用该系统控制它们的研发计划，它与Table System和PRIS连接。
• PCTPhysical-Chemical Treatment --物理－化学处理用来表示任何废水或废物处理方法的一般术语，后者属于物理分离方法（比如过滤、沉淀、撇去浮沫、浮选）和化学转换（比如转换成可溶解的盐、中和、氧化、还原）。
• PCWGPersonal Conferencing Working Group --个人会议工作组• PD1) Policy Development --政策制定2) Peak Detection --峰值检波3) Pulse Detector --脉冲检波器• PDAPersonal Digital Assistant --个人数字助理• PDCAPlan, Do, Check, Act --计划、执行、检查、采取行动Deming或Kaizen周期• PDCA CYCLE --PDCA周期采用Deming周期的PDCA周期。
扩散器 光学术语 定义-概述说明以及解释
扩散器光学术语定义-概述说明以及解释1.引言1.1 概述概述扩散器是光学器件中的一种，其主要作用是使光束在通过该器件时呈现出特定的扩散效果。
通过扩散器，我们可以将光束从一个较小的角度扩散到一个较大的角度范围内，从而实现对光的控制和调节。
在光学领域中，扩散器在很多应用中起着至关重要的作用。
例如，在投影仪中，扩散器被用来将来自光源的光束扩散，使其能够均匀地照射到投影屏幕上，从而呈现出清晰、亮度均匀的图像。
此外，在照明系统中，扩散器也被广泛应用，用于将点光源发出的光束扩散成一个较大的角度，从而获得更均匀、柔和的光照效果。
扩散器的设计和制造需要考虑多种因素，如光束的扩散角度、扩散效果的均匀性、透射率等。
目前，常见的扩散器包括微结构扩散器和棱镜扩散器两种类型。
微结构扩散器通过微小的结构改变光波的相位和振幅分布，实现光束的扩散；棱镜扩散器则通过改变光线的传播方向，使光束扩散。
不同类型的扩散器在不同的应用场景中有其各自的优缺点。
本文将重点讨论扩散器的原理、分类、性能参数以及相关的光学术语。
通过对扩散器的深入了解，我们可以更好地应用和设计扩散器，从而满足不同实际应用中对光束扩散的需求。
接下来，本文将按照以下结构展开对扩散器的讨论。
1.2文章结构文章结构部分:本文主要分为三个部分进行讨论，即引言、正文和结论。
每个部分都包含多个小节，用于详细分析和探讨光学术语中的扩散器的定义和相关概念。
在引言部分，我们将首先对扩散器进行一个概述，介绍它的基本特点和应用领域。
随后，我们将讨论本文的结构和目的，以便读者更好地理解和阅读本文的内容。
接下来是正文部分，我们将深入研究扩散器的相关知识。
第一个要点将介绍扩散器的原理和工作原理，探讨它是如何实现光束扩散和光波散射的。
第二个要点将讨论扩散器在光学器件中的应用，包括在相机镜头、激光器等领域的使用。
第三个要点将探讨扩散器的性能参数和评价方法，以及如何选择适合的扩散器来满足特定需求。
最后是结论部分，我们将总结前文的要点，强调扩散器在光学领域的重要性和应用前景。
常用术语解释
常用术语解释§显示面积：显示屏有效发光显示的面积，不包括边框。
§屏幕面积：指整个显示屏的面积，包括边框。
§发光器件：显示屏的发光部件，室内屏一般采用Ф3.7mm, Ф5mm, Ф3mm模块; 室外屏一般采用方形或圆形像素管。
§LED： Light Emitting Diode的缩写，即发光二极管，属于半导体材料。
§管芯: LED的发光芯片。
§光点间距：是指两个相邻发光像素中心的距离。
§光点：是指一个基本发光单位。
§发光像素：是指由一个或多个光点构成的，可以显示单色(单色屏), 双色(双基色屏)或三色(全彩色屏)的发光单位。
§密度: 每平方米的发光像素数量,例如:1600/m2,表示每平方米1600个发光像素。
§发光强度：发光器件的性能指标，是指单支发光二极管的发光能力。
单位:cd或mcd,分别读作坎特拉和毫坎。
§亮度：显示屏的一项重要性能指标，是指显示屏单位面积内所有发光像素的发光强度总和。
亮度单位：cd/m2，读做：坎特拉每平方米。
§灰度：指LED亮度的变化级别，一般为16，64，256或1024级，灰度为显示视频图像的前提，灰度越高，颜色层次越多，显示效果越好。
§视距：显示屏的可视距离，一般指最佳观看距离。
§视角：显示屏的亮度会根据观看位置与屏幕法线的上下左右角度增大而逐渐减小，当显示屏亮度衰减至最高亮度的一半时所处的方位与屏幕观测点法线的夹角即视角。
§可视角度：能观看到显示屏显示内容的最大角度。
§功耗：显示屏的耗电量，有峰值与平均值两个概念。
峰值即屏幕最大耗电值，也就是显示屏所有像素全部点亮时的耗电值。
平均值即在一般情况下的平均耗电量。
§盲点率：整个屏幕所不亮的像素与正常像素之比，一般要小于 2/10000。
§驱动方式：即像素的点亮方式。
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本征载流子：平衡时本征半导体内的载流子。 掺杂：为了有效改变电学特性，往半导体中加入特定类型的原子的工艺。 迁移率：反应载流子在半导体材料中的运动难以程度。 非平衡载流子：超出平衡态浓度的那一部分载流子。 漂移电流：在电场作用下，载流子运动形成的电流。 小注入：过剩载流子浓度远小于热平衡多子浓度的情况。 耗尽层、势垒区、空间电荷区：pn结两侧由于n区内施主电离和p区内受主电离而形成的带净正电与负电的区域。 接触电势差：pn结两边中性区之间的单位差。 单边突变结：冶金结一侧的掺杂浓度远大于另一侧的掺杂浓度的pn结。 势垒电容：反向偏置下，随外加电压变化，载流子在势垒区中存入和取出等效为电容。 扩散电容：对于正偏pn结，扩散区中的电荷随外加偏压变化而变化产生的电荷存储效应等效为电容。 雪崩击穿：电子或空穴穿越空间电荷区时，与空间电荷区内原子的电子发生碰撞产生电子-空穴对，在pn结内形成一股很大的反偏电流，此过程称为雪崩击穿。 隧道击穿：对重掺杂pn结，当结上反偏电压增大到一定程度，将使得隧道电流急剧增加，呈击穿现象。 异质结：两种不同的半导体材料接触形成的结。 欧姆接触：金属半导体接触电阻很低，且在结两边都能形成电流的接触。 基区输运系数：体现中性基区中载流子复合的一股系数。 基区宽边效应：基区宽度随集电结反偏电压的变化而变化的现象。 厄利电压：晶体管I-V特性曲线反向延长线与电压坐标轴的交点的绝对值电压。 大注入：非平衡少子浓度超过平衡多数载流子浓度的情况。 基区电导调制：大注入情况下，为保持电中性基区多子随少子同时增加，使基区等效方块电阻减小的现象。 膝点电流：大注入是B0开始下降所对应的电流。 注入效率：描述载流子从基区向发射区注入的一个系数。 电流集边效应：由于基区横向压降的影响，是发射结电流集中于里基极附近的发射结边缘处的现象。 基区穿通：有效基区宽度趋于零使电流急剧增大的现象。 渡越时间：载流子通过某区域所用的时间。 小信号：信号幅度很小，满足条件V<<(kt/q)=26mV 截止频率：电流增益下降为低频值的1/(sqrt(2))倍时的频率。 特征频率：共射极电流增益下降为1时的频率。 阈值电压：开始形成沟道时在栅极上所加的电压。 夹断：当Vds增加到时漏端沟道截面积减小到零时成为沟道夹断电压。 平带电压：由于栅极材料和衬底材料间的功能函数差以及栅氧化层中固定正电荷的影响而引起的电压偏移。 强反型：反型电荷密度大于掺杂浓度时的情况。 跨导：漏电流的改变量与对应的栅压改变量之比。 闩锁：如在CMOS电路中那样，可能发生在四层pnpn结构中的高电流低电压现象。 基区Gummel数：与单位结面积对应的基区中掺杂总数。 基区自偏压：基区电流水平流过基区，在有源区上产生压降，使靠近基极处的电势与远离基极处的电势不等，而发射区掺杂浓度较高，电势相等，从而使eb结压降不等。 亚阈电流：Vgs低于阈值电压时的沟道电流。 沟道长度调制效应：当MOSFET进入饱和区时有效沟道长度随漏源电压改变。 窄沟效应：沟道宽度变窄后阈值电压偏移。 短沟效应：沟道长度变短引起的阈值电压偏移 阈值调整：通过离子注入改变半导体掺杂浓度从而改变Vt。 源漏穿通：由于漏源电压引起的源极和衬底之间的势垒高度降低，从而导致漏电流迅速增大。 有受主杂质因为得到电子而带负电的情况。 简并半导体：电子或空穴的浓度大于有效状态密度，费米能级位于导带中，或价带中的半导体。 施主原子：为了形成n型半导体而加入半导体内的杂质原子。 有效状态密度：即在导带能量范围内对量子态密度函数gc(E)与费米函数f(E)的乘积进行积分得到的参数Nc；在价带能量范围内对量子态密度函数gv(E)与[1-f(E)]的乘积进行积分得到的参数Nv。 非本征半导体：进行了定量施主或受主掺杂，从而使电子浓度或空穴浓度偏离本征载流子浓度产生多数载流子电子或多数载流子空穴的半导体。 束缚态：低温下半导体内的施主与受主呈现中性的状态。此时，半导体内的电子浓度与空穴浓度非常小。 本证载流子浓度ni：本征半导体内导带电子的浓度和价带空穴的浓度。 本征费米能级Efi：本征半导体内的费米能级位置。 本征半导体：没有杂质原子且晶体中无晶格缺陷的纯净半导体材料。 非简并半导体：掺入相对少量的施主和（或）受主杂质，使得施主和（或）受主能级分立、无相互作用的半导体。 第五章： 电导率：关于载流子漂移的材料参数；可量化为漂移电流密度和电场强度之比。 第六章： 双极扩散系数：过剩载流子的有效扩散系数。 双极迁移率：过剩载流子的有效迁移率。 双极输运：具有相同扩散系数、迁移率和寿命的过剩电子和空穴的扩散、迁移和复合过程。 双极输运方程：用时间和空间变量描述过剩载流子状态函数的方程。 载流子的产生：电子从价带跃入导带，形成电子-空穴对的过程。 载流子的复合：电子落入价带中的空能带导致电子-空穴对消灭的过程。 过剩载流子：过剩电子和空穴的总称。 过剩电子：导带中超出热平衡状态密度的电子浓度。 过剩空穴：价带中超出热平衡状态密度的空穴浓度。 过剩少子寿命：过剩少子在复合前存在的平均时间。 产生率：电子-空穴对产生的速率。 小注入：过剩载流子浓度远小于热平衡多子浓度的情况。 少子扩散长度：少子在复合前的平均扩散距离：数学表达式为sqrt（Dt），其中D和t分别为少子的扩散系数和寿命。 准费米能级：电子和空穴的准费米能级分别将电子和空穴的非平衡状态浓度与本征载流子浓度已经本征费米能级联系起来。 复合率：电子-空穴对复合的速率。 表面态：半导体表面禁带中存在的电子能态。 第七章： 突变结近似：认为从中性半导体区到空间电荷区的空间电荷密度有一个突然的不连续。 内建电势差：热平衡状态下pn结内p区与n区的静电电势差。 耗尽层电容：势垒电容的另一种表达。 耗尽区：空间电荷区的另一种表达。 超突变结：一种为了实现特殊电容-电压特性而进行冶金结处高掺杂的pn结，其特点是pn结一侧的掺杂浓度由冶金结处开始下降。 势垒电容（结电容）：反向偏置下pn结的电容。 线性缓变结：冶金结两侧的掺杂浓度可以由线性分布近似的pn结。 冶金结：pn结内p型掺杂与n型掺杂的分界面。 单边突变结：冶金结一侧的掺杂浓度远大于另一侧的掺杂浓度的pn结。 反偏：pn结的n区相对于p区加正电压，从而使p区与n区之间势垒的大小超过热平衡状态时势垒的大小。 空间电荷区：冶金结两侧由于n区内施主电离和p区内受主电离而形成的带净正电与负电的区域。 空间电荷区宽度：空间电荷区延伸到p区与n区内的距离，它是掺杂浓度与外加电压的函数。 变容二极管：电容随着外加电压的改变而改变的二极管。：两元素化合物半导体，如GaAs。 共价键：共享价电子的原子间键合。 金刚石晶格：硅的原子晶体结构，亦即每个原子有四个紧邻原子，形成一个四面体组态。 掺杂：为了有效改变电化学特性，往半导体中加入特定类型的原子的工艺。 元素半导体：单一元素构成的半导体，比如硅、锗。 外延层：在衬底表面形成的一薄层单晶材料。 离子注入：一种半导体掺杂工艺。 晶格：晶体中原子的周期性排列。 密勒指数：用于描述晶面的一组整数。 原胞：可复制以得到整个晶格的最小单元。 衬底：用于更多半导体工艺比如外延或扩散的基础材料，半导体硅片或其他原材料。 三元半导体：三元素化合物半导体，如AlGaAs。 晶胞：可以重构出整个晶体的一小部分晶体。 铅锌矿晶格：与金刚石晶格相同的一种晶格，但它有两种类型的原子二非一种。 第二章： 德布罗意波长：普朗克常数与粒子动量的比值所得的波长。 海森堡不确定原理：我们无法精确确定成组的共轭变量值，从而描述粒子的状态，如动量和坐标。 泡利不相容原理：任意两个电子都不会处在同一个量子态。 光子：电磁能量的粒子形态。 量子：热辐射的粒子形态。 量子化能量：束缚态粒子所处的分立能级。 量子数：描述粒子状态的一组数，例如原子中的电子。 量子态：可以通过量子数描述的粒子状态。 隧道效应：粒子穿透薄层势垒的量子力学现象。 波粒二象性：电磁波有时表现为粒子状态，二粒子有时表现为波动状态的特性。 第三章： 允带：在量子力学理论中，晶体中可以容纳电子的一系列能级。 状态密度函数：有效量子态密度。它是能量的函数，表示为单位体积单位能量中的量子态数量。 电子的有效质量：该参数将晶体导带中电子的加速度与外加作用力联系起来，该参数包含了晶格中的内力。 费米狄拉克函数：该函数描述了电子在有效能级中的分布，代表了一个允许能量状态被电子占据的概率。 费米能级：该能量在T=0K时高于所有被电子填充的状态的能量，二低于所有空状态的能量。 禁带：在量子力学理论中晶体中不可以容纳电子的一系列能级。 空穴：与价带顶部的空状态相关的带正电的粒子。 空穴的有效质量：该参数同样将晶体价带中空穴的加速度与外加的力联系起来，而且包含了晶体中的内力。 k空间能带图：以k为坐标的能量曲线，其中k为与运动常量有关的动量，该运动常量结合了晶体内部的相互作用。 克龙尼克潘纳模型：由一系列周期性阶跃函数组成，是代表一维单晶晶格周期性势函数的数学模型。 麦克斯韦波尔兹曼近似：为了用简单的指数函数近似费米-狄拉克函数，从而规定满足费米能级上下若干kT的约束条件。 泡利不相容原理：任意两个电子都不会处在同一量子态。 第四章： 受主原子：为了形成p型材料而加入半导体内的杂质原子。 载流子电荷：在半导体内运动并形成电流的电子和（或）空穴。 杂质补偿半导体：同一半导体区域内既含有施主杂质有含有受主杂质的半导体。 完全电离：所有施主杂质原子因为失去电子而带正电，所有受主杂质因为得到电子而带负电的情况。 简并半导体：电子或空穴的浓度大于有效状态密度，费米能级位于导带中，或价带中的半导体。 施主原子：为了形成n型半导体而加入半导体内的杂质原子。 有效状态密度：即在导带能量范围内对量子态密度函数gc(E)与费米函数f(E)的乘积进行积分得到的参数Nc；在价带能量范围内对量子态密度函数gv(E)与[1-f(E)]的乘积进行积分得到的参数Nv。 非本征半导体：进行了定量施主或受主掺杂，从而使电子浓度或空穴浓度偏离本征载流子浓度产生多数载流子电子或多数载流子空穴的半导体。 束缚态：低温下半导体内的施主与受主呈现中性的状态。此时，半导体内的电子浓度与空穴浓度非常小。 本证载流子浓度ni：本征半导体内导带电子的浓度和价带空穴的浓度。 本征费米能级Efi：本征半导体内的费米能级位置。 本征半导体：没有杂质原子且晶体中无晶格缺陷的纯净半导体材料。 非简并半导体：掺入相对少量的施主和（或）受主杂质，使得施主和（或）受主能级分立、无相互作用的半导体。 第五章： 电导率：关于载流子漂移的材料参数；可量化为漂移电流密度和电场强度之比。 扩散：粒子从高浓度向低浓度区运动的过程。 扩散系数：关于粒子流动与粒子浓度梯度之间的参数。 扩散电流：载流子扩散形成的电流。 漂移：在电场作用下，载流子的运动过程。 漂移电流：载流子漂移形成的电流。 漂移速度：电场中载流子的平均漂移速度。 爱因斯坦关系：扩散系数和迁移率的关系。 霍尔电压：在霍尔效应测量中，半导体上产生的横向压降。 电离杂质散射：载流子和电离杂质原子之间的相互作用。 晶格散射：载流子和热振动晶格原子之间的相互作用。 迁移率：关于载流子漂移和电场强度的参数。 电阻率：电导率的倒数，计算电阻的材料参数。 饱和速度：电场强度增加时，载流子漂移速度的饱和值。 第六章： 双极扩散系数：过剩载流子的有效扩散系数。 双极迁移率：过剩载流子的有效迁移率。 双极输运：具有相同扩散系数、迁移率和寿命的过剩电子和空穴的扩散、迁移和复合过程。 双极输运方程：用时间和空间变量描述过剩载流子状态函数的方程。 载流子的产生：电子从价带跃入导带，形成电子-空穴对的过程。 载流子的复合：电子落入价带中的空能带导致电子-空穴对消灭的过程。 过剩载流子：过剩电子和空穴的总称。 过剩电子：导带中超出热平衡状态密度的电子浓度。 过剩空穴：价带中超出热平衡状态密度的空穴浓度。 过剩少子寿命：过剩少子在复合前存在的平均时间。 产生率：电子-空穴对产生的速率。 小注入：过剩载流子浓度远小于热平衡多子浓度的情况。 少子扩散长度：少子在复合前的平均扩散距离：数学表达式为sqrt（Dt），其中D和t分别为少子的扩散系数和寿命。 准费米能级：电子和空穴的准费米能级分别将电子和空穴的非平衡状态浓度与本征载流子浓度已经本征费米能级联系起来。 复合率：电子-空穴对复合的速率。 表面态：半导体表面禁带中存在的电子能态。 第七章： 突变结近似：认为从中性半导体区到空间电荷区的空间电荷密度有一个突然的不连续。 内建电势差：热平衡状态下pn结内p区与n区的静电电势差。 耗尽层电容：势垒电容的另一种表达。 耗尽区：空间电荷区的另一种表达。 超突变结：一种为了实现特殊电容-电压特性而进行冶金结处高掺杂的pn结，其特点是pn结一侧的掺杂浓度由冶金结处开始下降。 势垒电容（结电容）：反向偏置下pn结的电容。 线性缓变结：冶金结两侧的掺杂浓度可以由线性分布近似的pn结。 冶金结：pn结内p型掺杂与n型掺杂的分界面。 单边突变结：冶金结一侧的掺杂浓度远大于另一侧的掺杂浓度的pn结。 反偏：pn结的n区相对于p区加正电压，从而使p区与n区之间势垒的大小超过热平衡状态时势垒的大小。 空间电荷区：冶金结两侧由于n区内施主电离和p区内受主电离而形成的带净正电与负电的区域。 空间电荷区宽度：空间电荷区延伸到p区与n区内的距离，它是掺杂浓度与外加电压的函数。 变容二极管：电容随着外加电压的改变而改变的二极管。