材料科学基础B晶体缺陷之一A.

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材料科学基础习题参考答案 第一章材料结构的基本知识8.计算下列晶体的离于键与共价键的相对比例。

(1) NaF (2) CaO (3) ZnS解:(1)查表得:X Na =0.93,X F =3.98--(0.93-3.98)2根据鲍林公式可得NaF 中离子键比例为:[1-e 4 ]x 100% = 90.2%共价键比例为:1-90.2%=9.8%--(1.00-3.44 )2(2) 同理,CaO 中离子键比例为:[1-e 4 ]x 100% = 77.4%共价键比例为:1-77.4%=22.6%(3) ZnS 中离子键比例为:Z“S 中离子键含量=[1 -£-1/4'2-58-165)2]x 100% = 19.44% 共价键比例为:1-19.44%=80.56%10说明结构转变的热力学条件与动力学条件的意义.说明稳态结构与亚稳态结构之间的关 系。

答:结构转变的热力学条件决定转变是否可行,是结构转变的推动力,是转变的必要条件; 动力学条件决定转变速度的大小,反映转变过程中阻力的大小。

稳态结构与亚稳态结构之间的关系:两种状态都是物质存在的状态,材料得到的结构是 稳态或亚稳态,取决于转变过程的推动力和阻力(即热力学条件和动力学条件),阻力小时得 到稳态结构,阻力很大时则得到亚稳态结构。

稳态结构能量最低,热力学上最稳定;亚稳态 结构能量高,热力学上不稳定,但向稳定结构转变速度慢,能保持相对稳定甚至长期存在。

但在一定条件下,亚稳态结构向稳态结构转变。

1.第二章九材料中的騒須勾)与[2廊1)与[112], (110)与[111], (132)与[123], (322)与[236]指数。

题: 系的 (21 在立方晶系的一个晶胞虫画出(111丄和丄112、日面.才晶系的画出同M1)、■'朋两晶面交钱亠 1]晶向。

112) d2. 有一正交点阵的a=b, c=a/2o 某晶面在三个晶轴上的截距分别为6个、2个和4个原子 间距,求该晶面的密勒指数。

材料科学基础试题及答案

材料科学基础试题及答案

材料科学基础试题及答案一、名词解释(每题5分,共25分)1. 晶体缺陷2. 扩散3. 塑性变形4. 应力5. 比热容二、选择题(每题2分,共20分)1. 下列哪种材料属于金属材料?A. 玻璃B. 塑料C. 陶瓷D. 铜2. 下列哪种材料属于陶瓷材料?A. 铁B. 铝C. 硅酸盐D. 聚合物3. 下列哪种材料属于高分子材料?A. 玻璃B. 钢铁C. 聚乙烯D. 陶瓷4. 下列哪种材料属于半导体材料?A. 铜B. 铝C. 硅D. 铁5. 下列哪种材料属于绝缘体?A. 铜B. 铝C. 硅D. 玻璃三、简答题(每题10分,共30分)1. 请简述晶体结构的基本类型及其特点。

2. 请简述塑性变形与弹性变形的区别。

3. 请简述材料的热传导原理。

四、计算题(每题15分,共30分)1. 计算一个碳化硅晶体的体积。

已知碳化硅的晶胞参数:a=4.05 Å,b=4.05 Å,c=8.85 Å,α=β=γ=90°。

2. 计算在恒定温度下,将一个100 cm³的铜块加热100℃所需的热量。

已知铜的比热容为0.39J/(g·℃),铜的密度为8.96 g/cm³。

五、论述题(每题20分,共40分)1. 论述材料科学在现代科技发展中的重要性。

2. 论述材料制备方法及其对材料性能的影响。

答案:一、名词解释(每题5分,共25分)1. 晶体缺陷:晶体在生长过程中,由于外界环境的影响,导致其内部结构出现不完整或不符合理想周期性排列的现象。

2. 扩散:物质由高浓度区域向低浓度区域自发地移动的过程。

3. 塑性变形:材料在受到外力作用下,能够产生永久变形而不恢复原状的性质。

4. 应力:单位面积上作用于材料上的力。

5. 比热容:单位质量的物质温度升高1℃所吸收的热量。

二、选择题(每题2分,共20分)1. D2. C3. C4. C5. D三、简答题(每题10分,共30分)1. 晶体结构的基本类型及其特点:晶体结构的基本类型有立方晶系、四方晶系、六方晶系和单斜晶系。

上海交通大学 材料科学基础第三章 晶体缺陷ppt课件

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ppt课件 23
混合位错
混合位错:滑移矢量既不平行业不垂直于位错线, 而是与位 错线相交成任意角度。 一般混合位错为曲线形式, 故每一点的滑移矢量 式相同的, 但其与位错线的交角却不同。 ppt课件
24
各种位错的柏氏矢量
ppt课件
25
柏氏矢量的物理意义
1。反映位错周围点阵畸变的总积累(包括强度 和取向) 2。 该矢量的方向表示位错运动导致晶体滑移 的方向, 而该矢量的模表示畸变的程度称为位 错的强度。 (strength of dislocation)
ppt课件
G tm 0.1G 2
13
t m 0.01 0.1G
计算中的假设
• 1。完整晶体,没有缺陷 • 2。整体滑动 • 3。正弦曲线(0.01-0.1G)
问题出在假设1和2上!应是局部滑移!
日常生活和大自然的启示=〉
ppt课件 14
有缺陷晶体的局部滑动
小宝移大毯!
毛毛虫的蠕动
面缺陷 (plane defect) 在一个方向上尺寸很小
ppt课件 二维缺陷 (two-dimensional defect) 3
课程安排
点缺陷 课 程 安 排 (第1周)
位错几何 (第1、2周)
位错力学
(第2周)
位错运动、实际晶体中的位错(第3、4周) 表面与界面 (第4、5周) 课堂讨论 (第5周)
Ee e W
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《材料科学基础》 第03章 晶体缺陷

《材料科学基础》 第03章 晶体缺陷

第三节 位错的基本概念
三、位错的运动
刃位错的攀移运动:刃型位错在垂直于滑移面方向上的运动。 刃位错发生攀移运动时相当于半原子面的伸长或缩短,通常把 半原子面缩短称为正攀移,反之为负攀移。 滑移时不涉及单个原子迁移,即扩散。刃型位错发生正攀 移将有原子多余,大部分是由于晶体中空位运动到位错线上的 结果,从而会造成空位的消失;而负攀移则需要外来原子,无 外来原子将在晶体中产生新的空位。空位的迁移速度随温度的 升高而加快,因此刃型位错的攀移一般发生在温度较高时;另 外,温度的变化将引起晶体的平衡空位浓度的变化,这种空位 的变化往往和刃位错的攀移相关。切应力对刃位错的攀移是无 效的,正应力的存在有助于攀移(压应力有助正攀移,拉应力 有助负攀移),但对攀移的总体作用甚小。
第一节 材料的实际晶体结构
二、晶体中的缺陷概论
晶体缺陷按范围分类:
1. 点缺陷 在三维空间各方向上尺寸都很小,在原 子尺寸大小的晶体缺陷。
2. 线缺陷 在三维空间的一个方向上的尺寸很大(晶 粒数量级),另外两个方向上的尺寸很小(原子尺 寸大小)的晶体缺陷。其具体形式就是晶体中的 位错Dislocation 。
说明:这是一个并不十分准确的定义方法。柏氏矢量的方向与位错线方向的定义有关,应该首 先定义位错线的方向,再依据位错线的方向来定柏氏回路的方向,再确定柏氏矢量的方 向。在专门的位错理论中还会纠正。
第三节 位错的基本概念
二、柏氏矢量
柏氏矢量与位错类型的关系:
刃型位错 柏氏矢量与位错线相互垂直。(依方向关系可 分正刃和负刃型位错) 螺型位错 柏氏矢量与位错线相互平行。(依方向关系可 分左螺和右螺型位错) 混合位错 柏氏矢量与位错线的夹角非0或90度。
过饱和空位 晶体中含点缺陷的数目明显超过平衡 值。如高温下停留平衡时晶体中存在一平衡空位, 快速冷却到一较低的温度,晶体中的空位来不及移 出晶体,就会造成晶体中的空位浓度超过这时的平 衡值。过饱和空位的存在是一非平衡状态,有恢复 到平衡态的热力学趋势,在动力学上要到达平衡态 还要一时间过程。

潘金生《材料科学基础》(修订版)(名校考研真题 晶体中的缺陷)【圣才出品】

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第4章 晶体中的缺陷一、选择题1.在非化学计量化合物Cd1+x O中存在的非化学计量结构缺陷类型是()。

[南京工业大学2008研]A.阴离子空位B.阳离子空位C.阴离子填隙D.阳离子填隙【答案】D【解析】非化学计量化合物Cd1+x O中Cd离子为正二价,在此比例中Cd离子过剩,于是产生阳离子填隙。

2.某元素加入到合金后,使该合金的扩展位错的宽度增加,说明该元素是()。

[上海交通大学2006研]A.增加层错能B.降低层错能C.增加孪晶能【答案】B二、填空题1.强化金属材料的方法有______强化、______强化、______强化、______强化。

[北京工业大学2009研]【答案】固溶;位错;细晶;弥散(或沉淀相颗粒)【解析】固溶强化是合金元素固溶于基体金属中造成一定程度的晶格畸变从而使合金强度提高;位错强化是指由于第二相与位错的交互作用,从而阻碍了位错运动,提高了合金的变形抗力;细晶强化是指通过细化晶粒而使金属材料力学性能提高;弥散强化是通过在均匀材料中加入硬质颗粒的强化手段。

2.由于______的结果,必然会在晶体结构中产生“组分缺陷”,组分缺陷的浓度主要取决于:______和______。

[南京工业大学2008研]【答案】不等价离子的掺杂;掺杂量;固溶度【解析】组分缺陷是指在不等价置换的固溶体中,为保持晶体的电中性,在原来结构的结点位置产生空位,也可能在原来没有结点的位置嵌入新的质点而产生的缺陷。

三、判断题1.螺位错的位错线平行于滑移方向。

()[南京工业大学2008研]【答案】√【解析】螺位错的位错线平行于滑移方向;刃位错的位错线垂直于滑移方向。

2.点缺陷是热稳定缺陷,在一定的温度时晶体中的点缺陷具有一定的平衡浓度。

()[合肥工业大学2006研]【答案】√3.刃型位错的柏氏矢量与其位错线垂直,螺型位错的析氏矢量与其位错线平行,而混合位错的柏氏矢量与其位错线既不平行也不垂直。

()[合肥工业大学2006研]【答案】√4.晶体中的点缺陷是一种热力学平衡缺陷,而位错不是热力学平衡缺陷。

材料科学基础晶体结构缺陷课后答案

材料科学基础晶体结构缺陷课后答案

3-1纯金属晶体中主要点缺陷类型有肖脱基空位和弗兰克空位,还有和弗兰克空位等量的间隙原子。

点缺陷附近金属晶格发生畸变,由此会引起金属的电阻增加,体积膨胀,密度减小;同时可以加速扩散,过饱和点缺陷还可以提高金属的屈服强度。

3-2答:在一定的温度下总是存在一定浓度的空位,这是热力学平衡条件所要求的,这种空位浓度为空位平衡浓度。

影响空位浓度的主要因素有空位形成能和温度。

3-3解:由exp(/)E V C A E kT =-138502201exp(/)111051000exp[()] 6.9510exp(/)29311238.31E V E V C A E kT C A E kT -⨯==-⨯=⨯- 3-4解:6002300112exp(/)11exp[()]exp(/)E V V E V C A E kT E C A E kT kT kT -==-⨯- 56600300121111ln/()8.61710(ln10)/() 1.98573873E V E C E eV C kT kT -=-=⨯⨯-=或190kJ/mol 3-5解:exp(/)e V C A E kT =-exp(/)i i C A E kT '=-由题设,A A '=,0.76, 3.0v i E eV E eV ==, 所以当T=293K 时538exp(/)exp()/exp[(3.00.76)/(8.61710293)] 3.3910exp(/)e V i V i i C A E kT E E kT C A E kT --==-=-⨯⨯=⨯'-当T=773K 时514exp(/)exp()/exp[(3.00.76)/(8.61710773)] 4.0210exp(/)e V i V i i C A E kT E E kT C A E kT --==-=-⨯⨯=⨯'-3-6答:1为左螺旋位错,2为负刃型位错,3为右螺旋位错,4为正刃型位错。

材料科学基础第三章 晶体缺陷


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化学与材料科学学院
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二、点缺陷的产生 1. 平衡点缺陷及其浓度 虽然点缺陷的存在使晶体的内能增高,但 同时也使熵增加,从而使晶体的能量下降。因 此,点缺陷是晶体中热力学平衡的缺陷。 等温等容条件下,点缺陷使晶体的亥姆霍 A U T S 兹自由能变化为:
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三、点缺陷与材料行为 1. 点缺陷的运动 1)空位的运动
2)间隙原子的运动 3)空位片的形成
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第三章 晶体缺陷
CRYSTAL DEFECTS
点缺陷 位错的基本概念 位错的弹性性质 作用在位错线上的力 实际晶体结构中的位错 晶体中的界面
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一、点缺陷的类型
点缺陷的类型: (a) Schottky 空位; (b) Frenkel 缺陷; (c) 异类间隙原子; (d) 小置换原子; (e) 大置换原子
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材科基考点精讲(第4讲 晶体缺陷)

主讲人:王准网学天地概述网学天地()版权所有网学天地( )版权所有存在于晶体结构中的缺陷,按几何特征可分为:•零维—点缺陷:空位、间隙原子、置换原子、复杂离子。

•一维—线缺陷:各类位错。

•二维—面缺陷:各类晶界,表面及层错等。

实际晶体中常存在各种偏离理想结构的区域,即晶体缺陷。

晶体缺陷对晶体的性质起着重要作用。

一、分类网学天地( )版权所有1. 点缺陷。

在三维空间各方向上尺寸都很小,在原子尺寸大小的晶体缺陷。

2. 线缺陷。

在三维空间的一个方向上的尺寸很大(晶粒数量级),另外两个方向上的尺寸很小(原子尺寸大小)的晶体缺陷。

其具体形式就是晶体中的位错Dislocation 。

3. 面缺陷。

在三维空间的两个方向上的尺寸很大(晶粒数量级),另外一个方向上的尺寸很小(原子尺寸大小)的晶体缺陷。

网学天地( )版权所有1. 根据缺陷相对于晶体尺寸或其影响范围的大小,缺陷可以分为几类?简述这几类缺陷的特征。

(03年)2. 叙述常见的晶体缺陷。

(09年)答:点缺陷。

在三维空间各方向上尺寸都很小,在原子尺寸大小的晶体缺陷。

空位、间隙原子、置换原子线缺陷。

在三维空间的一个方向上的尺寸很大(晶粒数量级),另外两个方向上的尺寸很小(原子尺寸大小)的晶体缺陷。

其具体形式就是晶体中的位错。

面缺陷。

在三维空间的两个方向上的尺寸很大(晶粒数量级),另外一个方向上的尺寸很小(原子尺寸大小)的晶体缺陷。

各类晶界,表面及层错等。

真题网学天地( )版权所有点缺陷:在三维空间各方向上尺寸都很小,在原子尺寸大小的晶体缺陷。

1. 点缺陷的类型(1)空位。

在晶格结点位置应有原子的地方空缺,这种缺陷称为“空位”。

(2)间隙原子。

在晶格非结点位置,往往是晶格的间隙,出现了多余的原子。

它们可能是同类原子,也可能是异类原子。

(3)异类原子。

在一种类型的原子组成的晶格中,不同种类的原子替换原有的原子占有其应有的位置。

二、点缺陷网学天地()版权所有网学天地()版权所有网学天地( )版权所有平衡空位浓度:体系的自由能最低时,晶体处于平衡稳定状态,晶体中存在的空位浓度。

材料科学基础 晶体缺陷


二元离子晶体——不等径刚球密堆理论
.
12
2. 共价晶体结构(原子晶体)
典型共价晶体结构
金刚石型(单质型) ZnS型(AB型) SiO2型(AB2型)
.
13
第三节 原子的不规则排列
晶体中的缺陷——原子排列偏离完整性的区域
点缺陷——在三个方向上尺寸都很小 线缺陷——在二个方向上尺寸很小 面缺陷——在一个方向上尺寸很小
24
(1) 包含位错线做一封闭回路——柏氏回路 (2) 将同样的回路置于完整晶体中——不能闭合 (3) 补一矢量(终点指向起点)使回路闭合——柏氏矢量
43 21
1
2
2
1
1
3
1
1 23 4
b
43
2
1 2
1
1 23 4
.
25
2)柏氏矢量特性
(1) 满足右螺旋规则时,柏氏矢量与柏氏回路路径无关
二、金属晶体结构及几何特征
1. 常见的三种晶体结构
面心立方 体心立方
既是晶体结构,又是点阵
密排六方 —— 仅是晶体结构,不是点阵 — 简单六方
.
1
1) 面心立方(fcc 或 A1)
点 阵 常 数: R 2 a
4
最近原子间距:d 2 a 2
<110> 方向 晶胞原子数: 1/8×8 +1/2 ×6 = 4
1a 1b 0c a[11 ] 0
22
2
例:b 5a 2[11 0]、 b 6a 2[01] 1
b 5b 6a 2[11 0]a 2[01 ]1 a 2[11 ] 0
1) 刃位错


多出(或少了) 称为
半排原子面

材料科学基础——晶体缺陷1

2.2 位错(dislocations) 位错概念引入及位错观察
z 30年代,在研究晶体滑移时,发现理论屈 服强度和实际强度间有巨大差异,为了解 释这种差异,人们设想晶体中存在某种缺 陷。形变就在这局部缺陷处发生。
z 晶体结构——规则的完整排列是主要的, 非完整的是次要的。
z 晶体力学性能——晶体的非完整性是主要 的,完整性处于次要地位。
z 混合位错的滑移矢量不平行也不垂直位 错线,而是与位错线成任意角度。
螺型位错示意图
(a) 螺位错
(b) 位错线周围原子螺型排列
混合位错
螺型位错的特征
9螺型位错没有额外的半原子面,原子错排是轴 对称的。 9位错线与滑移矢量平行,是直线,位错线的移 动方向与晶体滑移方向垂直。 9滑移面不唯一。 9只有平行于位错线的切应变,无正应变。 9是几个原子宽度的线缺陷。
点缺陷的浓度
C=Aexp(-NoEo/KN0T) =Aexp(-Qf/RT)
z Qf=N0E0——形成空位的激活能,即形成1mol空位 所需要的功,单位为J/mol
z R=kN0——气体常数 ,为8.31J/mol.K z A=exp(S0/k)由振动熵决定的系数,1~10
点缺陷周围的畸变:
往晶体中引入一个空位或一个间隙原子,它们周 围原子离开它们的平衡位置,造成晶格畸变,使 晶体总自由能降低。在无表面应力的均匀的各向 同性弹性体中引入一个强度为C的膨胀中心时, 体积变化△υ为
而螺型位错线与柏氏矢量平行。 3. 刃型位错线不一定是直线,可以是折线或曲线;而
螺型位错线一定是直线。 4. 刃位错的滑移面只有一个,而螺位错的滑移面不是
唯一的。 5. 刃位错周围的点阵发生弹性畸变,既有切应变,又
有正应变;而螺位错只有切应变而无正应变。 相同点:二者都是线缺陷。
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3.1 点缺陷

点缺陷是最简单的晶体缺陷,它是在结点上 或邻近的微观区域内偏离晶体结构的正常排 列的一种缺陷。晶体点缺陷包括空位、间隙 原子、杂质或溶质原子,以及由它们组成的 复杂点缺陷,如空位对、空位团和空位-溶 质原子对等。
一 点缺陷的形成
空位----当某一原子具有足够大的振动能而使振幅增大到一定限度时, 就可能克服周围原子对它的制约作用,跳离其原来的位置,使点阵中 形成空结点,称为空位。 离位原子的三个去处: 一.迁移到晶体表面或内表面的正常结点位置上,而使晶体内部留下空位, 称为肖脱基(Schottky)空位; 二.挤人点阵的间隙位置,而在晶体中同时形成数目相等的空位和间隙原 子,则称为弗兰克尔(Frenkel)缺陷; 三.跑到其他空位中,使空位消失或使空位移位。 间隙原子的形成: 在一定条件下,晶体表面上的原子也可能跑到晶体内部的间隙位置形 成间隙原子。

S f
EV kT
Ee Qe Ce Ae exp Ae exp kT RT
Ee EV Ee EV Emove
离子晶体中点缺陷的特点
缺陷成对出现,形成能相当大,浓度很低 Schottky缺陷: 设负离子空位浓度为Cva,正离子空位浓度 为Cvc,则其浓度为:
3. 晶体缺陷
在实际晶体中,由于原子(或离子、分子) 的热运动,以及晶体的形成条件、冷热加工过程 和其他辐射、杂质等因素的影响,实际晶体中原 子的排列不可能那样规则、完整,常存在各种偏 离理想结构的情况,即晶体缺陷。晶体缺陷对晶 体的性能,特别是对那些结构敏感的性能,如屈 服强度、断裂强度、塑性、电阻率、磁导率等有 很大的影响。另外晶体缺陷还与扩散、相变、塑 性变形、再结晶、氧化、烧结等有着密切关系。 因此,研究晶体缺陷具有重要的理论与实际意义。
F U TS
空位平衡浓度公式的推导过程
1.
设N个原子组成的体系中有n个空位,每个空 位的形成能为EV;n个空位引起的组态熵变化 为SC,振动熵变化为Sf; 则恒温恒容条件下的自由能变化为: 组态熵的变化:
F nEV T SC nS f
2.
SC k[(N n) ln(N n) N ln N n ln n
点缺陷的形成
二 点缺陷的平衡浓度
晶体中点缺陷的存在一方面造成点阵畸变,使晶 体的内能升高,降低了晶体的热力学稳定性,另 一方面由于增大了原子排列的混乱程度,并改变 了其周围原子的振动频率,引起组态熵和振动熵 的改变,使晶体熵值增大,增加了晶体的热力学 稳定性。这两个相互矛盾的因素使得晶体中的点 缺陷在一定的温度下有一定的平衡浓度。
3. 自由能的变化: F n(EV TS f ) kTN n lnN n N ln N n ln n
4.
上式对n求导,并令导数为零,可求得平衡时 的空位浓度:
n EV QV T CV e e AV exp AV exp N kT RT 同理可得平衡时间隙原子nkel缺陷: 设间隙正离子浓度为Cic,间隙正离子空位 浓度为Cvc,则其浓度为:
CS Cvc Cic
离子晶体中的点缺陷
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