磁控溅射实验有关步骤和操作流程
实用实验磁控溅射操作规程
磁控溅射操作规程1、开电闸开关D（磁控溅射总电源和空调），E（电风扇和射频电源），F（循环水）。
打开程序控制器，按下“放气”阀，充入N2气。
当指示灯从真空跳到大气时，关闭N2气，把充气罐移走。
2、按按钮“升”，升起腔盖，放时样品和靶材。
一个直流靶位，二个射频靶位。
直流靶只能溅射导体。
（Ar+溅射在绝缘体不中和形成高压）3、按按钮“降”，降腔盖（注意：如果控制失灵，应立即关闭控制器开关）。
盖好的判断是：盖上盖后，能摇动升降柱（送皮带送到头，然后再拉回一个皮带，再试升降柱，如果不行，再试一次）。
4、按按钮“低抽”，机械泵进行抽真空，程序控制器面板上显示从“大气”到“真空”。
当压强小于1.0×10Pa时（一般为8.7Pa左右），打开循环水进出阀（共四个阀门），再打开循环水总开关F，启动隔壁房间内的循环水。
循环水进出阀横是开、纵是关。
5、在程序控制器中打开“高抽”阀。
再启动分子泵电源：先按下启动总开关，到显示屏幕显示450HZ时，再按“启动”键，可以看到转速在上升，直至450HZ。
6、当离子规小于1.0×10－2Pa时，打开程序真空计电源。
7、当程控真空计显示达到1.5×10－3Pa时，打开照明（旋钮打到最大），相当于除气（使腔体内壁上分子脱离），可以看到气压求数变大（真空计）。
同时打开流量显示仪预热和打开射频电源预热，然后关闭照明（旋钮打到最小）。
8、如果要加热样品，则把开关由“照明”切换到“加热”，打开温度显示屏底下的加热开关，并通过旋动温度显示屏下方的小旋钮调节设置温度。
9、到达预计压强8.4×10－4Pa左右时，关闭程控真空计。
打开“充气”阀，关闭“高抽”阀，打开Ar气罐总阀，再打开减压阀（不要超过一小格），控制Ar流量。
真空计打到“contr”档，打开流量计“阀控”，先将真空计拨到0.5，流量计也拨到0.5，当流量计求数开始变动时，再将真空计拨到3.0，同时拨动流量计示数（约在87左右），目的是让求数打到3Pa。
磁控溅射操作步骤及注意事项
磁控溅射设备操作步骤1. 开电源箱三个空气开关，从左到右依次为循环水机，磁控溅射，各分接插座的空开。
2. 压缩空气泵开始工作，已设定气压上限0.8MPa （8个大气压），待抽至0.4MPa （各气动阀门工作的最低压强）即可开循环水机，接着开磁控溅射设备电源控制柜的总开关。
3. 若上次实验结束时对腔室气压抽得较低（<0.2Pa ），此时复合真空计（左边一个）会显示电离规测得的高真空，按下“自动/手动”将电离关掉。
开放气阀，向腔室通大气至复合真空计显示1E5（0.1MPa ，1个大气压）即可打开腔室顶盖。
4. 靶及基片安装好后，用万用表检查靶与屏蔽罩，基片台与腔室是否短接，开始抽真空。
磁控溅射设备操作前级阀主阀旁路阀节流阀充气阀1 预抽：开机械泵，前级阀，先抽分子泵管道内至<5.0Pa 。
√××√×2 抽腔室：关前级阀，开旁路阀，充气阀，抽反应腔室至<5.0Pa 。
××√√√3 抽腔室：关旁路阀，开前级阀，主阀，开分子泵，将腔体抽至E-4Pa 数量级，开加热器升温，升温时真空度会上升，抽至E-4Pa 。
√√×√√4 实验：关电离规，关节流阀，通氩气，将气体流量计（右边的）开到阀控（中间位置），先进行靶清洗5min 。
再用双极脉冲电源或射频电源进行基片清洗，清洗15min 。
打开靶挡板和基片挡板开始实验。
√√××√5 镀膜结束：停氩气，开节流阀，继续抽腔室，等待降温。
√√×√×6 取基片：降温至80以下，关主阀，关分子泵，分子泵由450降到0，等待2min ，关前级阀，开放气阀慢慢放气使腔室达到外界大气压。
×××√×5. 将腔室抽到10Pa 以下，以保护腔室内部器件。
关机械泵及控制柜总开关。
关冷却水，将三个空开全部关掉。
射频磁控溅射详细操作流程与真空系统
磁控溅射操作流程1、开循环水（总阀、分子泵），放气（两个小金属片打开；旁抽阀；V6）放完气后关闭；2、开总电源，开腔装样品，开机械泵，抽到10pa以下；3、开电磁阀，抽到10pa以下，开分子泵（按下绿色start按钮，分子泵加速，显示为400）时，关旁抽阀，再打开高阀；开溅射室烘烤，将电压调节至75V，烘烤时间为1h；4、抽到1·10-4pa后，抽管道（缓慢打开V1截止阀，V2阀）；打开质量流量计电源，待示数稳定后，将阀开关拨至“阀控”位置，再将设定旋钮向右调节至最大，待示数变为“0”时，将阀门开关拨至“关闭”，同时将设定旋钮设定为0；5、开气瓶（一定要确定阀开关处于“关闭”位置，调节分压阀数值约为0.1mp；待质量流量计示数稳定后，将阀开关拨至“阀控”位置，调节到所需设定值，如20sccm；6、开A靶、水冷盘、其他靶的循环水；7、慢慢讲高阀回调，调节气压至1~3pa，起辉（开总控制电源、A靶射频电源、A靶），调节功率至60w，（A靶处的tune、load先处于WN状态，要进行调节时，应调节至Auto），调节tune为50%，Load值为10%~20之间（调节后需调回WN状态）；再按R.F起辉；8、将高阀门调至最外，待气压稳定之后预溅射15分钟，在此期间要对齿轮挡板进行定位（先将小刚圈上提右转放下，然后向外旋转“马达”旁边的齿轮，直到听到“啪”的一声，最后左转上提小刚圈）；9、打开电脑后面右边的三个电源开关，开电脑；10、实验。
调节好实验所需压强、功率、气体等，设置“样品位置”，“样品编号”，“挡板位置”（样品位置以A靶为标准，样品编号即为此时位于A靶上方样品的编号，挡靶位置在装挡板时就已位于B靶处，所以挡板默认为B靶所在位置，所有参数、位置设定好后即可开始镀膜；11、每次镀膜完，要对其参数进行设定—应用—运行，待齿轮旋转不动时，用机械手推动挡板至B靶所在位置（上中下三孔对齐），—确定—两个360°—样品放在E靶—挡板放在B靶—开始。
磁控溅射的使用流程
磁控溅射的使用流程1. 简介磁控溅射是一种常用于薄膜制备的物理气相沉积技术，通过在真空环境中使用外加磁场来控制离子在固体表面的击穿行为，从而实现材料沉积。
本文档将介绍磁控溅射的使用流程。
2. 实验准备在进行磁控溅射实验前，需要进行以下准备工作：•准备目标材料：选择适合溅射的材料目标，并确保其表面质量良好。
•真空室准备：检查真空室的密封性，确保真空度符合要求。
•溅射设备：检查溅射设备的机械结构和电气系统是否正常工作。
3. 开始实验以下是磁控溅射的基本使用流程：3.1 设置工艺参数在开始实验之前，需要设置以下工艺参数：1.气体流量：根据实验需求设置工艺气体的流量，通常使用氩气作为惰性气体。
2.溅射功率：控制溅射功率调节器，根据目标材料和膜层要求设置溅射功率值。
3.前驱体材料：如有需要，设置前驱体材料的流量和温度。
3.2 准备目标材料1.首先，将目标材料固定在溅射装置的靶架上，并确保目标材料与靶架之间的接触良好。
3.3 抽真空1.打开真空泵，将气体抽出真空室，直到达到所需真空度。
2.检查真空度指示器的读数，确保真空度稳定在所需范围内。
3.4 开始溅射1.打开溅射控制器的电源开关。
2.选择合适的溅射参数，并在控制界面上设置相应的数值。
3.打开氩气罩上的气体流量调节阀，调节气体流量。
4.打开氩气阀门，使气体进入溅射室。
5.打开溅射源的开关，开始溅射过程。
3.5 结束实验1.当达到所需的膜层厚度后，关闭溅射源和气体流量。
2.关闭溅射控制器的电源开关。
3.关闭氩气阀门，停止气体流入溅射室。
4.关闭真空泵，打开气阀，将气体重新充入真空室。
5.等待真空室恢复常压后，打开真空室，取下目标材料。
4. 实验注意事项在进行磁控溅射实验时，需要注意以下事项：•操作人员需要戴好防护眼镜和手套，确保安全。
•在操作溅射源和气体阀门时，需轻拧。
•在实验过程中，注意监控溅射功率和气体流量的稳定性，及时调整工艺参数。
5. 结论磁控溅射是一种重要的材料制备技术，在薄膜制备、材料研究等领域有广泛应用。
磁控溅射操作规程
磁控溅射设备操作规程开机过程1.开电柜A水阀（注意有两水路，阀门上标签为电柜左(A)，电柜右(B)）.2.开电柜A总控制电源.3.开机械泵，打开旁抽角阀V1,开低真空计电源，用机械泵抽至机械泵抽压极限(或5Pa以下).4.开闸板阀G，开电磁阀（DF1），关闭旁抽角阀V1.5.观察低压真空计示数是否稳定(稳定时即为系统不漏气)，待稳定后开分子泵(KYKY)总电源.6.观察分子泵显示窗口为闪动的600Hz时，按下分子泵启动按钮，分子泵加速.7.当分子泵转速稳定，窗口显示为600Hz后，按下高真空计DL-7电源按钮，观察真空室真空度，等待达到溅射所需的本底真空度(一般为10-4Pa).溅射过程1.关闭高真空计DL-7 (!进气之前一定要关闭，否则高真空计会被损坏)，然后打开V2，再打开V5.2.开氩气瓶总阀，开减压阀，观察其指示小于1.5格(三个大气压)即可.3.开质量流量计电源，将MFC1打到阀控位4.关小闸板阀G，此调节过程配合旋动旋钮调节气体流量，使低压真空计示数（直流溅射一般为2~5Pa之间，射频一般在5-8Pa之间）.5.开电柜B水阀，开电柜B总控制电源.(1). 直流溅射：开电柜B中相对应靶位直流溅射电源，调节功率使使靶上方氩气电离启辉.旋转功率调节旋钮，使溅射功率达到所需要的数值. 待板压和板流稳定后，转动挡板和转盘，转动挡板和转盘到相应的靶上，开始溅射并计时.溅射完毕后，将功率调节旋钮逆时针调到最小，按下停止按钮. 然后关闭电柜B的总控制电源.(2). 射频溅射：按下电柜B中射频功率源的Uf按钮，电子管预热5-10分钟.按下Ua的开始按钮，通过Ua粗调和细调增大板压，使靶上方氩气电离启辉. 调节SP-II 型射频匹配器的C1,C2(调节一个时，另一个不动)，使反射功率最小，驻波比小于1.5. 增大Ua,调节匹配器的电容使反射功率始终最小，如此反复调节使溅射功率达到所需要的数值. 预溅射几分钟后，转动挡板和转盘到相应的靶上，即可开始溅射.(3). 溅射完毕后，将Ua调到最小，按下Ua的停止按钮.等待几分钟后按下Uf按钮.然后关闭电柜B的总控制电源.（如果需要给衬底加热，方法同退火过程的5，6步骤）.靶挡板和转盘的转动：可通过电脑上的控制软件或手动转动.注意转盘和样品挡板同时转动前一定要检查定位插销，不能使转盘被卡住；只对样品进行转动操作前，需要将样品挡板卡住；为了不使加热电缆缠绕，不能大角度转动转盘.6.溅射完毕后，关闭氩气的过程：先关气瓶总阀，后关减压阀，再将MFC1打到关闭，待流量计显示为0后关闭流量计电源. 先关V5后关V2，开大闸板阀G，让分子泵将真空室抽至高真空.退火过程1.开加热控温电源，调节设定退火温度，加热电流初始调至2A，过2分钟左右依次调至4A,6A,8A，注意不要使电流太大.2.温度显示为设定温度时开始计时(退火时间).关机过程1.待真空室抽到高真空（10-4帕），关闭闸板阀G.2.按下分子泵停止按钮，分子泵减速，当频率显示低于50Hz时，关闭电磁阀.3.按机械泵按钮，停止机械泵. 当分子泵停止频率显示为闪动的600Hz时,关闭分子泵总电源. 分子泵显示窗口显示P.OFF后关闭总控制电源.4.关闭水阀，放回排气管，关严窗户.更换样品过程1.打开放气阀(V4)，使真空室和外界压强相等后，关闭V4.2.打开电柜A水阀及电柜A总控制电源，确保拔出定位插销后，按下升按钮，升起真空室盖到适当高度..3.取下样品托，更换样品.4.将真空室顶盖小心推至真空室正上方，按下“降”按钮. 小心缓慢的将真空室顶盖降下，真空室顶盖降到不能自动再降电动机会自动停止.更换靶材过程（起始过程同上述1.2.）1．用螺丝刀拧开固定靶挡板的四个螺丝，将靶挡板小心取出. 旋起靶罩并将其取出，后用内六角螺丝刀将靶盖的固定螺丝拧松，取出靶罩和靶材. 将新的靶材放在铜靶托上，盖上靶盖，拧上螺丝. 重新旋上靶罩，使靶罩和靶盖间留有一定的间隙(1-3mm或稍大)，两者不能接触，因为在溅射电源开时，靶罩为阳极，靶和靶盖为阴极(对直流溅射而言)；对射频溅射电源来说，两极一直在交替. 靶罩和靶盖相接触的话，即为短路(这一步骤必须戴布手套操作，避免手汗及油脂对真空室引入污染).5.放入靶挡板，用螺丝刀拧紧固定螺丝.6.将真空室顶盖小心推至真空室正上方，按下“降”按钮. 小心缓慢的将真空室顶盖降下，真空室顶盖降到不能自动再降时电动机会自动停止.！！请各位实验操作人员严格按照此规程操作，如有失误造成损失自行负担责任.磁控溅射设备实验室2006.4.7。
磁控溅射操作步骤新
磁控溅射操作步骤（有下划线为着重注意）一、抽真空1.循环水开，总电源开2.检查所有阀门必须关闭3.总电源开4.开（2个）“镀膜室机械泵”，“样品室机械泵”5.打开（2个）35角阀，开到最大（35角阀是机械泵的开口）6.看真空显示表，开“热偶”，DL-70 镀膜室DL -90样品室7.当热偶真空计显示数（当压强﹤10pa时，关闭2个35角阀）（当压强长时间不减小时，可能是封闭不严）8.打开（2个）“镀膜室前级阀”，“样品室前级阀”9.分子泵显示，启动分子泵（2个），按绿色“运行”10.打开镀膜室和样品室闸板阀（2个）开到底（逆时针转）等到分子泵频率到稳定状态（镀膜室400Hz，样品室450HZ）11.打开真空显示窗中的“电离”（2个）两室工作时压强都要达到5.0×10-4pa，真空度最高可达：镀膜室6.0×10-6pa。
二、镀膜1.通气体前，关闭真空显示计“电离”开关2.打开射频匹配器开关，进行预热3.打开16进气阀，开一圈，看显示计示数变化，要求气体流入时，气压平衡增大，不能大于100pa4.打开蓝色Ar气的截止阀，开一圈5.打开流量控制电源“开关”，打开Ar流量的“阀控”，旋转调节旋钮，顺时针旋转，至示数20（30）6.打开Ar气瓶开关阀，控制输出气压0.1～0.2Pa之间7.调节镀膜室的真空度，关（镀膜室）闸板阀（顺时针转是关），转到最后时微调，看显示器热偶的数字达到要求（0.5～5Pa）（注意：气压显示会出现延迟，并且溅射开始时气压可能还会变化，故溅射时应注意气压的大小要与设定的数据一致）8.射频匹配器打开一段时间后，预热好则Ua的红灯亮9.再打开Ua的绿灯开关，调节“Ua粗调”至20，观察SWR仪表，调C2、C1旋钮，使REFLECTED指针到“0”，则可发生辉光放电。
先调C2使指针至最小值，再调C1使指针至最小值，如此反复至指针为“0”10.预溅射10分钟左右，打开样品台控制电源，按“启动”，样品台开始旋转。
薄膜磁控溅射实验报告(3篇)
第1篇一、实验目的本次实验旨在通过磁控溅射技术制备不同材料薄膜，研究其制备过程中的工艺参数对薄膜质量的影响，并对薄膜的表面形貌、晶体结构、成分及性能进行分析。
二、实验原理磁控溅射技术是一种物理气相沉积方法，通过将靶材加热至一定温度，使其表面产生自由电子，然后在电场的作用下，自由电子与气体分子发生碰撞，产生等离子体，等离子体中的离子和电子被加速并轰击靶材表面，使靶材表面原子蒸发并沉积在衬底上形成薄膜。
三、实验设备与材料1. 实验设备：- 磁控溅射系统- 扫描电子显微镜（SEM）- X射线衍射仪（XRD）- X射线光电子能谱仪（XPS）- 红外光谱仪（IR）- 薄膜厚度测量仪2. 实验材料：- 靶材：Al、TiO2、ZnO等- 衬底：玻璃、硅等- 氩气、氮气等惰性气体四、实验步骤1. 清洗衬底：使用丙酮、乙醇、蒸馏水等清洗剂对衬底进行清洗，并在烘箱中干燥。
2. 装置准备：将靶材安装在磁控溅射系统上，设置靶材与衬底的距离、溅射气压、溅射时间等参数。
3. 磁控溅射：启动磁控溅射系统，进行溅射实验，制备薄膜。
4. 薄膜性能测试：使用SEM、XRD、XPS、IR等设备对薄膜的表面形貌、晶体结构、成分及性能进行分析。
五、实验结果与分析1. 薄膜表面形貌：SEM结果表明，Al、TiO2、ZnO等薄膜表面均匀，无明显缺陷。
2. 晶体结构：XRD分析表明，薄膜具有良好的晶体结构，晶粒尺寸较小。
3. 成分分析：XPS结果表明，薄膜中各元素含量符合预期。
4. 薄膜性能：- 硬度：Al、TiO2、ZnO等薄膜的硬度较高，具有良好的耐磨性能。
- 导电性：Al薄膜具有良好的导电性，适用于电子器件。
- 介电性能：TiO2、ZnO等薄膜具有良好的介电性能，适用于电容器等器件。
六、实验讨论1. 溅射气压对薄膜质量的影响：溅射气压越高，薄膜密度越大，晶粒尺寸越小，但溅射气压过高会导致薄膜表面出现缺陷。
2. 溅射时间对薄膜质量的影响：溅射时间越长，薄膜厚度越大，但溅射时间过长会导致薄膜内部应力增大，影响薄膜性能。
磁控溅射操作流程及注意事项
磁控溅射操作流程及注意事项磁控溅射操作流程及注意事项一、打开冷却水箱电源（注：水箱电源是设备的总电源。
）检查水压是否足够大（0.1MPa），水压控制器是否起作用。
二、放气2.1 确认磁控溅射室内部温度已经冷却到室温；2.2 检查所有阀门是否全部处于关闭状态；2.3 磁控溅射室的放气阀是V2，放气时旋钮缓慢打开，这能够保证进入气流不会太大；2.4 放气完毕将气阀关紧。
三、装卸试样与靶材3.1 打开B柜总电源（在B9面板上），电源三相指示灯全亮为正常。
3.2 提升或降落（B4“升”或“降“）样品台要注意点动操作，不要连续操作。
3.3 装卸试样与靶材要戴一次性薄膜手套，避免油污、灰尘等污染。
3.4 磁控靶屏蔽罩与阴极间距为2-3毫米，屏蔽罩与阴极应该为断路状态。
3.5 装载试样要注意试验所用样品座位置与档板上溅射孔的对应，并记录样品座的编号及当前所对应的靶位。
3.6 降落样品台时要注意样品台与溅射室的吻合，并用工业酒精擦洗干净样品台与溅射室的配合面。
四、抽真空4.1 确认D面板“热电偶测量选择”指示“Ⅰ”时；4.2 确认闸板阀G2、G4已经关闭；4.3 打开B4上“机械泵Ⅰ”，再打开气阀V1，开始抽低真空。
4.4 打开B3面板的电源开关，同时关闭“复合”键。
能够从B3－1处观察低真空度。
(低真空测量下限为0.1Pa）。
当真空度小于5Pa能够开始抽高真空。
4.5 关闭气阀V1，打开B4上“电磁阀Ⅰ”（确认听到响声表示电磁阀已开）4.6 打开B8面板的磁控室分子泵电源，按下“START”键，按下FUNC/DATA键，数字开始逐步上升，等大于H100.0后打开闸板阀G1，随后分子泵速上升并稳定到H400.0。
4.7 磁控室的高真空度在B2面板显示，不要一直开着高真空的测量，也不要频繁开关, 一般每隔1-2小时可打开观察一次，等示数稳定后再关闭（一般不超过3分钟）。
五、充气5.1确认高真空度达到了-4、-5的数量级，在充气之前必须关闭高真空计；5.2 打开A1面板上MFC电源，预热3分钟；5.3 稍关闭闸板阀G1到一定程度，但不要完全关紧5.4 打开V4、V6（若是二路进气，V5应和V6同时打开）阀门5.5 将控制阀扳到“阀控“位置5.6 打开气瓶阀门，稍旋紧减压阀至压力示数为0.1MPa即可；5.7 调节MFC阀控的设定（一般在30左右），再进一步关紧闸板阀使得低真空（B3－1）读数接近所需的溅射压强，然后经过微调MFC阀控得到所需的溅射压强。
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磁控溅射实验有关步骤和操作流程
准备步骤：（本实验室为无尘实验室，要注意保持实验室的清洁）
1打扫实验室（为防止灰尘溅起，用湿拖把或吸尘器清扫实验室）。
2清洗基片。
3放气。
4插拔归位。
5关放气门。
开始试验：
1，开循环水系统。
2，开总开关。
3，开2号机柜总开关。
4，开照明，升起真空室。
5，戴上手套和口罩。
6，取相应的靶材装入相应靶位放基片（拆开装置，并清洗靶材罩，靶材盖）。
7，清洁真空室，后退齿轮盘孔位，降下真空室。
8，开真空计，开机械泵，开V1，粗抽至3Pa以下。
9，关V1,开电磁阀，开分子泵（先开分子泵总电源，闪“600“打启动，到达‘500’，开闸板阀）细抽至 1.5*10e-3Pa。
10，开氩气瓶，开V3，开V5，调流量计到指定的示数，开1号机柜总开关，（如果是射频溅射，打射频预热3~5min，如果是直流不需要加热。
）11，调压强3~4Pa，调节起辉，调好功率，调压到指定压强，拨齿轮盘进行溅射。
12，记录溅射时间。
关闭：1，关板压，关灯丝开关，关1号柜总电源。
2，关氩气，关V5，关V3，关闸板阀。
3，关分子泵（先‘停止’当转速达‘50’一下时关分子泵电源）。
4，关电磁阀，关机械泵，关2号机柜其他电源开关，关2号机柜总电源，关总开关，关循环水系统。
备注：如果需要对基片加热，启动机械泵后即可打开控温开关，根据实验要求设定控温程序程序。