《模拟电子技术基础》典型习题解答
半导体器件的基础知识1.1 电路如图P1.1所示，已知u i＝5sinωt (V)，二极管导通电压U D＝0.7V。
试画出u与u O的波形，并标出幅值。
i图P1.1 解图P1.1 解：波形如解图P1.1所示。
1.2 电路如图P1.2（a）所示，其输入电压u I1和u I2的波形如图（b）所示，二极管导通电压U D＝0.7V。
试画出输出电压u O的波形，并标出幅值。
图P1.2解：u O的波形如解图P1.2所示。
解图P1.21.3 已知稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，稳定电流的最小值I Zmin ＝5mA ，最大功耗P ZM ＝150mW 。
试求图P1.3所示电路中电阻R 的取值围。
图P1.3解：稳压管的最大稳定电流 I ZM ＝P ZM /U Z ＝25mA电阻R 的电流为I ZM ～I Zmin ，所以其取值围为Ω=-=k 8.136.0ZZ I ～I U U R1.4 已知图P1.4所示电路中稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，最小稳定电流I Zmin ＝5mA ，最大稳定电流I Zmax ＝25mA 。
（1） 别计算U I 为10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压U O 的值； （2） 若U I ＝35V 时负载开路，则会出现什么现象?为什么？图P1.4解：（1）当U I ＝10V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。
故V33.3I LLO ≈⋅+=U R R R U当U I ＝15V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。
故LO I L 5VR U U R R =⋅≈+当U I ＝35V 时，稳压管中的电流大于最小稳定电流I Zmin ，所以U O ＝U Z ＝6V 。
（2）=-=R U U I )(Z I D Z 29mA ＞I ZM ＝25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。
1.5 电路如图P1.5（a ）、（b ）所示，稳压管的稳定电压U Z ＝3V ，R 的取值合适，u I 的波形如图（c ）所示。
试分别画出u O1和u O2的波形。
图P1.5解图P1.5解：波形如解图P 1.5所示1.6测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图P1.6所示。
在圆圈中画出管子，并分别说明它们是硅管还是锗管。
图P1.6解：晶体管三个极分别为上、中、下管脚，答案如解表P1.6所示。
管号T1T2T3T4T5T6 上 e c e b c b中 b b b e e e下 c e c c b c管型PNP NPN NPN PNP PNP NPN材料Si Si Si Ge Ge Ge 1.7电路如图P1.7所示，试问β大于多少时晶体管饱和？图P1.7解：取U CES＝U BE，若管子饱和，则CbCBECCbBECCRRRUVRUVββ=-=-⋅所以，100Cb=≥RRβ时，管子饱和。
1.8 分别判断图P1.8所示的各电路中晶体管是否有可能工作在放大状态。
图P1.8解：（a）可能（b）可能（c）不能（d）不能，T的发射结会因电流过大而损坏。
（e）可能第二章基本放大电路2.1分别改正图P2.1所示各电路中的错误，使它们有可能放大正弦波信号。
要求保留电路原来的共射接法和耦合方式。
图P2.1解：（a）将－V CC改为＋V CC。
（b）在＋V CC与基极之间加R b。
（c）将V BB反接，且在输入端串联一个电阻。
（d）在V BB支路加R b，在－V CC与集电极之间加R c。
2.2 电路如图P2.2（a）所示，图（b）是晶体管的输出特性，静态时U BEQ＝0.7V。
利用图解法分别求出R L＝∞和R L＝3kΩ时的静态工作点和最大不失真输出电压U om（有效值）。
图P2.2解：空载时：I BQ＝20μA，I CQ＝2mA，U CEQ＝6V；最大不失真输出电压峰值约为5.3V，有效值约为3.75V。
带载时：I BQ＝20μA，I CQ＝2mA，U CEQ＝3V；最大不失真输出电压峰值约为2.3V，有效值约为1.63V。
如解图P2.2所示。
解图P2.22.3电路如图P2.3所示，晶体管的b＝80，'bb r=100Ω。
分别计算R L＝∞和R L＝3k Ω时的Q点、u A、R i和R o。
图P2.3解：在空载和带负载情况下，电路的静态电流、r be均相等，它们分别为Ω≈++=≈=≈--=k3.1mV26)1(mA76.1Aμ22EQbb'beBQCQBEQbBEQCCBQIrrIIRURUVIββ空载时，静态管压降、电压放大倍数、输入电阻和输出电阻分别为Ω==-≈⋅+≈Ω≈≈=-≈-=≈-=k 593k 3.1308V 2.6 c o bes bebe be b i becc CQ CC CEQ R R A r R r A r r R R r R A R I V U uusu∥βR L ＝5k Ω时，静态管压降、电压放大倍数分别为47115V3.2)(bes bebe'LL c CQ Lc LCEQ -≈⋅+≈-≈-=≈-+=uusu A r R r A r R A R R I R R R U β∥Ω==Ω≈≈=k 5k 3.1c o be be b i R R r r R R ∥2.4 电路如图P2.4所示，晶体管的b ＝100，'bb r=100Ω。
（1）求电路的Q 点、u A、R i 和R o ；（2） 若电容C e 开路，则将引起电路的哪些动态参数发生变化？如何变化？图P2.4解：（1）静态分析：V 7.5)( A μ 101mA1V 2e f c EQ CEQEQBQ e f BEQBQ EQ CC b2b1b1BQ =++-≈≈+=≈+-==⋅+≈R R R I V U I I R R U U I V R R R U CC β动态分析：Ω==Ω≈++=-≈++-=Ω≈++=k5k7.3])1([7.7)1()(k73.2mV26)1(cofbeb2b1ifbeLcEQbb'beRRRrRRRRrRRAIrruββββ∥∥∥（3）R i增大，R i≈4.1kΩ；uA减小，ef'LRRRAu+-≈≈－1.92。
2.5 设图P2.5所示电路所加输入电压为正弦波。
试问：（1）1u A=o1U /iU ≈?2u A =o2U /iU ≈?（2）画出输入电压和输出电压u i、u o1、u o2的波形。
图P2.5解：（1）因为通常β＞＞1，所以电压放大倍数分别应为1)1()1(1)1(ee2ecebec1+≈+++=-=≈++-=RrRARRRrRAbeuuββββ－（2）两个电压放大倍数说明u o1≈－u i，u o2≈u i。
波形如解图P1.5所示。
解图P1.52.6 电路如图P2.6所示，晶体管的b ＝80，r be =1k Ω。
（1）求出Q 点；（2）分别求出R L＝∞和R L＝3k Ω时电路的u A、R i、R o。
图P2.6解：（1）求解Q 点：V 17.7mA61.2)1(Aμ3.32)1(e EQ CC CEQ BQ EQ eb BEQ CC BQ ≈-=≈+=≈++-=R I V U I I R R U V I ββ （2）求解输入电阻和电压放大倍数： R L ＝∞时996.0)1()1(k 110])1([ebe ee be b i ≈+++=Ω≈++=R r R A R r R R uβββ ∥R L ＝3k Ω时992.0))(1())(1(k76)])(1([LebeLeLebebi≈+++=Ω≈++=RRrRRARRrRRu∥∥∥∥βββΩ≈++=371bebseoβrRRRR∥∥2.7 电路如图P2.7所示，晶体管的b＝60，'bb r=100Ω。
（1）求解Q点、u A、R i和R o；（2）设s U＝10mV（有效值），问i U＝？oU＝？若C3开路，则i U＝？oU＝？图P2.7解：（1）Q点：V56.4)(mA86.1Aμ31)1(ecEQCCCEQBQCQebBEQCCBQ=+-≈≈=≈++-=RRIVUIIRRUVIββuA 、Ri和R o的分析：Ω==-≈-=Ω≈=Ω≈++=k395)(952952mV26)1(cobeLcbebiEQbb'beRRrRRArRRIrru∥∥ββ（2）设sU＝10mV（有效值），则mV304mV2.3iosisii≈=≈⋅+=UAUURRRUu若C3开路，则mV4.14mV 6.95.1k 3.51])1([i o is ii e L c e be b i ≈=≈⋅+=-=-≈Ω≈++=U A U U R R R U R R R A R r R R u s u∥∥β2.8 已知图P2.8（a ）所示电路中场效应管的转移特性如图（b ）所示。
求解电路的Q点和u A。
图P2.8解：（1）求Q 点：根据电路图可知， U GSQ ＝V GG ＝3V 。
从转移特性查得，当U GSQ ＝3V 时的漏极电流 I DQ ＝1mA因此管压降 U DSQ ＝V DD －I DQ R D ＝5V 。
（2）求电压放大倍数：20VmA 22D m DO DQ GS(th)m -=-===R g A I I U g u2.9 图P2.9中的哪些接法可以构成复合管？标出它们等效管的类型（如NPN 型、PNP 型、N 沟道结型……）及管脚（b 、e 、c 、d 、g 、s ）图P2.9解：（a）不能。
（b）不能。
（c）构成NPN型管，上端为集电极，中端为基极，下端为发射极。
（d）不能。
（e）不能。
（f）PNP型管，上端为发射极，中端为基极，下端为集电极。
（g）构成NPN型管，上端为集电极，中端为基极，下端为发射极。
2.10设图P2.10所示各电路的静态工作点均合适，分别画出它们的交流等效电路，并写出u A、R i和R o的表达式。
图P2.10解：（1）图示各电路的交流等效电路如解图P2.10所示。
（2）各电路u A、R i和R o的表达式分别为图（a）{}22be23obe11i32be232be1132be2211)1()1(])1([βββββ++=+=+++⋅+++-=RrRRrRRRrRrRRrRA u∥∥图（b）4obe2321be11ibe242be2321be1be2321)])(1([)())(1())(1(RRrRRrRRrRrRRrrRRAu=++=-⋅+++=∥∥∥∥∥∥∥ββββ图（c）{}3obe11id2be232be11d2be221])1([])1([RRrRRrrRrRrrRAu=+=++-⋅+++-=ββββ∥图（d）8o213i2be82be2764m)()]([RRRRRRrRrRRRgA u=+=-⋅-=∥∥∥∥β解图P2.102.11 已知某基本共射电路的波特图如图P2.11所示，试写出u A的表达式。
模拟电子技术基础习题及答案
第一章 半导体器件1-1 当T=300K 时，锗和硅二极管的反向饱和电流I S 分别为1A μ和pA 。
如将此两个二极管串联起来，有1μA 的正向电流流过，试问它们的结电压各为多少？ 解：二极管正偏时，TD U U S eI I ≈ ， ST D I I lnU U ≈ 对于硅管：mV 6.179A1mA1ln mV 26U D =μ≈ 对于锗管：mV 8.556pA5.0mA1ln mV 26U D =≈1-2 室温27C 时，某硅二极管的反向饱和电流I S =。
（1）当二极管正偏压为时，二极管的正向电流为多少？（2）当温度升至67C 或降至10C -时，分别计算二极管的反向饱和电流。
此时，如保持（1）中的正向电流不变，则二极管的正偏压应为多少？ 解：（1）mA 2.7e 101.0eI I mA26mA 65012U U S TD =⨯⨯=≈-（2）当温度每上升10℃时，S I 增加1倍，则pA107.72101.02)27(I )10(I pA6.12101.02)27(I )67(I 37.312102710SS 412102767S S -------⨯=⨯⨯=⨯=-=⨯⨯=⨯=T=300k(即27℃)，30026q K mA 26300qKq KT )27(U T ==⨯==即则67℃时，mA7.716pA 107.7mA2.7ln 8.22U ,C 10mA7.655pA6.1mA 2.7ln 5.29U ,C 67mV8.2226330026)10(U mV 5.2934030026)67(U 3D D T T =⨯=-===⨯=-=⨯=-时时1-3 二极管电路如图P1-3（a ）所示，二极管伏安特性如图P1-3（b ）所示。
已知电源电压为6V ，二极管压降为伏。
试求： （1）流过二极管的直流电流；（2）二极管的直流电阻D R 和交流电阻D r 。
解：（1）mA 53100V7.06I D =Ω-=（2）Ω===Ω==49.0mA 53mA 26I mA 26r 2.13mA53V7.0R D D D1-4 当T=300K 时，硅二极管的正向电压为，正向电流为1mA ，试计算正向电压加至时正向电流为多少？ 解：mA26mA 800SmA26mA 700SU U S e II e I 1mA eI I TD ⨯=⨯=≈则 mA 35.1e I TU 100=≈1-5 双极型晶体管可以等效为二只背靠背的二极管，如图P1-5所示。
《模拟电子技术基础》(童诗白)课后习题答案
模拟电子技术基础第 1 章常用半导体器件1.1选择合适答案填入空内。
(l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体，加入( C )元素可形成P 型半导体。
A.五价B. 四价C. 三价(2)当温度升高时，二极管的反向饱和电流将(A) 。
A.增大B.不变C.减小(3)工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12 uA 增大到22 uA 时，I C 从l mA 变为2mA ，那么它的β约为( C ) 。
A.83B.91C.100(4)当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时,它的低频跨导g m 将( A ) 。
A.增大；B.不变；C.减小1.2电路如图P1.2 所示，已知u i = 10sinωt (V)，试画出u i 与u o 的波形。
设二极管导通电压可忽略不计。
图P1.2 解图P1.2解：u i 与u o 的波形如解图Pl.2 所示。
1.3电路如图P1.3 所示，已知u i =5sinωt(V)，二极管导通电压U D=0.7V。
试画出u i 与u o 的波形图，并标出幅值。
图P1.3 解图P1.31.4电路如图P1.4 所示, 二极管导通电压U D=0.7V,常温下U T≈ 26mV ，电容C 对交流信号可视为短路；u i 为正弦波，有效值为10mV。
试问二极管中流过的交流电流的有效值为多少？解：二极管的直流电流I D = (V −U D ) / R = 2.6mA其动态电阻:r D ≈U T / I D =10Ω图 P1.4故动态电流的有效值： I d = U i / r D ≈1mA1.5 现有两只稳压管，稳压值分别是 6V 和 8V ，正向导通电压为 0.7V 。
试问： (1)若将它们串联相接，则可得到几种稳压值？各为多少？ (2)若将它们并联相接，则又可得到几种稳压值？各为多少？解：(1)串联相接可得 4 种：1.4V ；14V ；6.7V ；8.7V 。
(2)并联相接可得 2 种：0.7V ；6V 。
《模拟电子技术基础》习题答案
模拟电子技术基础答案 第1章习题及答案1.1．在图题1.1所示的各电路图中E ＝5V ，t u i ωsin 10=V ，二极管的正向压降可忽略不计，试分别画出输出电压o u 的波形。
oo(a)(b)(c)(d)图题1.1解：（a ）图：当i u > E 时，o u = E ，当i u < E 时，i o u u =。
（b ）图：当i u < E 时，o i u u =；当i u > E 时，E u o =。
（c ）图：当i u < E 时，E u o =；当i u > E 时，i o u u =。
（d ）图：当i u > E 时，i o u u =；当i u < E 时，E u o =。
画出o u 波形如图所示。
Vu i /u o /u o /u o /u o /1.2．有两个稳压管D Z1和D Z2，其稳定电压分别为5.5V 和8.5V ，正向压降都是0.5V 。
如果要得到0.5V ，3V ，6V ，9V 和14V 几种稳定电压，问这两个稳压管（还有限流电阻）应如何连接？画出各个电路。
解：各电路图如图所示。
(a)0.5V ；(b)3V ；(c)6V ；(d)9V ；(e)14V。
R LR L(a)(b)R LR LR L(c) (d) (e)1.3．在如图题1.3所示的发光二极管的应用电路中若输入电压为1.0V 试问发光二极管是否发光，为什么？U图题1.3解：若输入电压U I =1.0V ，发光二极管不发光，因为发光二极管正向工作电压为2～2.5V 。
1.4．光电二极管在电路中使用时，是正向连接还是反向连接？解：光电二极管在电路中使用时，是反向连接，因为光电二极管工作在反偏状态，它的反向电流随光照强度的增加而上升，用于实现光电转换功能。
1.5．某二极管的管壳标有电路符号，如图所示，已知该二极管是好的，万用表的欧姆档示意图如图题1.5所示，（1）在测二极管的正向电阻时，两根表笔如何连接？（2）在测二极管的反向电阻时，两根表笔又如何连接？（3）两次测量中哪一次指针偏转角度大？偏转角度大的一次的阻值小还是阻值大？图题1.5解：（1）在测二极管的正向电阻时，黑表笔接正极，红表笔接负极。
《模拟电子技术基础》习题答案
( RC // RL ) u i 0.76V rbe (1 ) RE
(1 )( RE // RL ) ui 0.994V rbe (1 ) RE
u o 2 Auo 2 u i
2. 6 如图题 2.6 所示的偏置电路中，热敏电阻 Rt 具有负温度系数、问能否起到稳定工作点的作用？
第 1 章习题及答案 1.1．在图题 1.1 所示的各电路图中 E＝5V，ui 10 sin t V，二极管的正向压降可忽略不计，试分别画出输出电 压 u o 的波形。
+
R
+ D E + -
+
Байду номын сангаас
D
+ R E + -
ui
(a) + R
uo
-
ui
(b)
uo
-
+ D E + -
+
ui
(c)
uo
-
D
+ R E + -
I B IC /
U CB U CC I C RC U CC Rb 2 U CC ( Rb1 Rb 2 )
Rb 2 RC Rb 2 U CC U CC ( Rb1 Rb 2 ) Re ( Rb1 Rb 2 )
7
第 3 章习题及答案 3.1 电路如图题 3.1 所示。 T1 和 T2 参数一致且 足够大。 （1） T1 、 T2 和电阻 R1 组成什么电路，起什么作用？ （2） 写出 I c 2 的表达式。
Re
uo
-
(a)
(b)
图解 2.7 2. 8 如图题 2.8 所示 RS、Re、Rb1、Rb2、Rc、RL、UCC 均已知；求静态工作点 IC、IB、UCB。
《模拟电子技术基础》(童诗白、华成英第四版)习题解答
模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答山东大学物理与微电子学院目录第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14 第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31 第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41 第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50 第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60 第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74 第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90 第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114 第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
( ×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证R大的特点。
( √)其GSU大于零，则其输入电阻会明显变小。
( ×) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=0.7V。
模拟电子技术基础习题答案
解：二极管 D1 截止，D2 导通，UO=-2.3V 1.3.2 电路如图 P1.3.2 所示，已知 ui＝10sinω t(v)，试画出 ui 与 uO 的波形。设二极管正向导 通电压可忽略不计。
图 P1.3.2
解：当 ui>0V 时，D 导通，uo =ui；当 ui≤0V 时，D 截止，uo=0V。ui 和 uo 的波形如解图 1.3.2 所示。
解图 1.3.6 模型电路 （a）恒压降模型电路（b）交流小信号模型电路
（1）静态分析。二极管采用恒压降模型，等效电路如解图 1.3.6（a）所示。此电路中 只有直流分量，称为直流通路，它反映电路的静态工作情况。根据直流通路可知
ID
10 - 0.7 0.93 （mA） 10 10 3
（2）小信号工作情况分析。二极管采用交流小信号模型，等效电路如解图 1.3.6（b） 所示。此电路中只有交流分量，称为交流通路，它反映电路的动态工作情况。 二极管的交流等效电阻 rd 为：
2
图 P1.3.4
解：对输入电压 uI1 和 uI2 的进行分情况讨论，共有四种组合，分别进行讨论： （1）ui1=0.3V，ui2=0.3V，将两个二极管从电路中断开，可知 D1、D2 承受的正向电压 不足以导通，所以均截止。此时 uO=0V； （2）ui1=5V，ui2=0.3V，将两个二极管从电路中断开，可知 D1 承受正向电压导通，导 通压降 0.7V，此时 uO=4.3V，且使 D2 管阳极（0.3V）比阴极（4.3V）电位低，D2 承受反向 电压而截止，结果是 uO=4.3V； （3）ui1=0.3V，ui2=5V，将两个二极管从电路中断开，可知 D2 承受正向电压导通，导 通压降 0.7V，此时 uO=4.3V，且使 D1 管阳极（0.3V）比阴极（4.3V）电位低，D1 承受反向 电压而截止，结果是 uO=4.3V； （4）ui1=5V，ui2=5V，将两个二极管从电路中断开，可知 D1、D2 承受相同的正向电压， 均处于导通状态，导通压降 0.7V，此时 uO=4.3V。 uO 的波形如解图 1.3.4 所示。
清华大学《模拟电子技术基础》习题解答与答案
第一章 半导体基础知识自测题一、（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）×二、（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C三、U O1≈1.3V U O2＝0 U O3≈－1.3V U O4≈2V U O5≈2.3V U O6≈－2V 四、U O1＝6V U O2＝5V五、根据P CM ＝200mW 可得：U CE ＝40V 时I C ＝5mA ，U CE ＝30V 时I C ≈6.67mA ，U CE＝20V 时I C ＝10mA ，U CE ＝10V 时I C ＝20mA ，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线。
图略。
六、1、V2V mA6.2 A μ26V C C CC CE B C bBEBB B =-====-=R I U I I R U I βU O ＝U CE ＝2V 。
2、临界饱和时U CES ＝U BE ＝0.7V ，所以Ω≈-====-=k 4.45V μA6.28mA86.2V BBEBB b CB c CESCC C I U R I I R U I β七、T 1：恒流区；T 2：夹断区；T 3：可变电阻区。
习题1.1（1）A C （2）A （3）C （4）A1.2不能。
因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为 1.3V 时管子会因电流过大而烧坏。
1.3 u i 和u o 的波形如图所示。
tt1.4 u i 和u o 的波形如图所示。
1.5 u o 的波形如图所示。
1.6 I D ＝（V －U D ）/R ＝2.6mA ，r D ≈U T /I D ＝10Ω，I d ＝U i /r D ≈1mA 。
1.7 （1）两只稳压管串联时可得1.4V 、6.7V 、8.7V 和14V 等四种稳压值。
（2）两只稳压管并联时可得0.7V 和6V 等两种稳压值。
1.8 I ZM ＝P ZM /U Z ＝25mA ，R ＝U Z /I DZ ＝0.24～1.2k Ω。
模拟电子技术基础部分练习题含答案
模拟电子技术基础部分练习题含答案一、单选题（共50题，每题1分，共50分）1、二极管在电路板上用( )表示。
A、CB、DC、RD、L正确答案：B2、根据作业指导书或样板之要求，不该断开的地方断开叫( )。
A、焊反B、短路C、开路D、连焊正确答案：C3、电感线圈磁芯调节后它的什么参数改变了？ ( )A、电流B、电压C、电阻D、电感正确答案：D4、三段固定集成稳压器CW7906的一脚是( )A、输入端B、公共端C、调整端D、输出端正确答案：B5、乙类推挽功率放大电路的静态工作点在三极管的( )边缘。
A、截止区B、放大区C、截止区与饱和区D、饱和区正确答案：A6、多级放大电路各级的电压增益分别是：10dB、20 dB、30 dB，则电压总增益是( )。
A、0 dBB、30 dBC、60 dBD、6000 dB正确答案：C7、下列关于变压器表述不正确的是 ( )。
A、变压器的效率越高，各种损耗越小B、变压器在高频段和低频段的频率特性较中频段好C、变压器温升值越小，变压器工作越安全D、升压变压器的变比n<1正确答案：C8、在三极管放大电路中，三极管各极电位最高的是( )A、NPN管基极B、NPN管发射极C、PNP管集电极D、PNP管发射极正确答案：D9、衡量一个差动放大电路抑制零漂能力的最有效的指标是( )A、差模电压放大倍数B、共模电压放大倍数C、共模抑制比D、电路的对称性正确答案：C10、某三极管,测得其发射结反偏，集电结反偏，则该三极管处于( )。
A、放大状态B、截止状态C、饱和状态D、失真状态正确答案：B11、把电动势是 1.5伏的干电池以正向接法直接接到一个硅二极管的两端，则该管( )A、被烧坏B、电流基本正常C、击穿D、电流为零正确答案：B12、某多级放大电路的各级电压放大倍数分别为：1、100、-100，则总的电压放大倍数( )。
A、10000倍B、-10000倍C、1倍D、100倍正确答案：B13、共发射极放大器的输出电压和输人电压在相位上的关系是( )A、同相位B、相位差360°C、相位差90°D、相位差180°正确答案：D14、在基本放大电路中，集电极电阻Rc的作用是( )A、放大电流B、调节偏置电流IBQC、把放大的电流转换成电压D、防止输入信号被短正确答案：C15、在P型半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度。
《模拟电子技术基础》典型习题解答
《模拟电子技术基础》典型习题解答第一章半导体器件的基础知识1.1 电路如图P1.1所示，已知u i＝5sinωt (V)，二极管导通电压U D＝0.7V。
试画出u i 与u O的波形，并标出幅值。
图P1.1 解图P1.1 解：波形如解图P1.1所示。
1.2 电路如图P1.2（a）所示，其输入电压u I1和u I2的波形如图（b）所示，二极管导通电压U D＝0.7V。
试画出输出电压u O的波形，并标出幅值。
图P1.2解：u O的波形如解图P1.2所示。
解图P1.21.3 已知稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，稳定电流的最小值I Zmin ＝5mA ，最大功耗P ZM ＝150mW 。
试求图P1.3所示电路中电阻R 的取值范围。
图P1.3解：稳压管的最大稳定电流 I ZM ＝P ZM /U Z ＝25mA电阻R 的电流为I ZM ～I Zmin ，所以其取值范围为Ω=-=k 8.136.0ZZ I ～I U U R1.4 已知图P1.4所示电路中稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，最小稳定电流I Zmin ＝5mA ，最大稳定电流I Zmax ＝25mA 。
（1） 别计算U I 为10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压U O 的值； （2） 若U I ＝35V 时负载开路，则会出现什么现象?为什么？图P1.4解：（1）当U I ＝10V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。
故V33.3I L LO ≈⋅+=U R R R U当U I ＝15V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。
故LO I L5VR U U R R =⋅≈+ 当U I ＝35V 时，稳压管中的电流大于最小稳定电流I Zmin ，所以U O ＝U Z ＝6V 。
（2）=-=R U U I )(Z I D Z 29mA ＞I ZM＝25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。
模拟电子技术基础,课后习题答案
[标签:标题]篇一：模拟电子技术基础,课后习题答案模拟电子技术基础第一章1.1 电路如题图1.1所示，已知ui?5sin?t?V?，二极管导通电压降UD?0.7V。
试画出ui和uo的波形，并标出幅值。
解：通过分析可知：(1) 当ui?3.7V时，uo?3.7V (2) 当?3.7V?ui?3.7V时，uo?ui (3) 当ui??3.7V时，uo??3.7V 总结分析，画出部分波形图如下所示：1.2 二极管电路如题图1.2所示。
（1）判断图中的二极管是导通还是截止？（2）分别用理想模型和横压降模型计算AO两端的电压UAO。
解：对于（a）来说，二极管是导通的。
采用理想模型来说，UAO??6V 采用恒压降模型来说，UAO??6.7V对于（c）来说，二极管D1是导通的，二极管D2是截止的。
采用理想模型来说，UAO?0 采用恒压降模型来说，UAO??0.7V1.3 判断题图1.3电路中的二极管D是导通还是截止？用二极管的理想模型计算流过二极管的电流ID??解：（b）先将二极管断开，由KVL定律，二极管左右两端电压可求出：25?15?＝1.5V 18?225?510U右＝15?＝1V140?10U左＝?10?故此二极管截止，流过的电流值为ID＝0（c）先将二极管断开，由KVL定律，二极管左右两端电压可求出：52＝2.5V，U左＝2.5?20?＝0.5V 25?518?210U右＝15?＝1V140?10U左1＝15?由于U右?U左?0.5V，故二极管导通。
运用戴维宁定理，电路可简化为ID?0.5?32.7μA 15.31.6 测得放大电路中六只晶体管的电位如题图1.6所示，在图中标出三个电极，并说明它们是硅管还是锗管。
解：T1: 硅管，PNP，11.3V对应b, 12V对应e, 0V对应cT2: 硅管，NPN，3.7V对应b, 3V对应e, 12V对应c T3: 硅管，NPN，12.7V对应b, 12V 对应e,15V对应c T4: 锗管，PNP，12V对应b, 12.2V对应e, 0V对应c T5: 锗管，PNP，14.8V 对应b, 15V对应e, 12V对应c T6: 锗管，NPN，12V对应b, 11.8V对应e, 15V对应c模拟电子技术基础第二章2.2 当负载电阻RL?1k?时，电压放大电路输出电压比负载开路（RL??）时输出电压减少20%，求该放大电路的输出电阻ro。