封装流程
第二章 封装工艺流程
封装工艺的基本流程：
硅片减薄 芯片切割 硅片贴装 芯片互连
打码
上焊锡 切筋成形
成型技术即 （塑料封装） 去飞边毛刺
尹小田
硅片的尺寸越来越大，为了方便制 造、测试和运送过程，厚度增加。
硅片减薄 芯片切割 硅片贴装 芯片互连
成型技术即
打码 上焊锡 切筋成形
（塑料封装） 去飞边毛刺
背面减薄技术有： 磨削、研磨、干式抛光(Dry Polishing)、 化学机械抛光(chemical mechanicai polishing,CMP)、 电化学腐蚀(Electrochemical Etching)、 湿法腐蚀(Wet Etching,WE)、 等离子增强化学腐蚀(Plasma-Enhanced Chemical Etching，PECE) 常压等离子腐蚀(Atmosphere Downstream Plasma
尹小田
（4）玻璃胶粘贴法
方法：用高分子材料聚合物玻璃胶进行芯片粘贴。 工艺：先以盖印、网印、点胶的技术把胶原料涂布在基
板的芯片座中，再把芯片置于玻璃胶上粘贴。
1、多用于陶瓷封装中 2、冷却过程谨慎控制降温的速度以免造成应力破 裂
优3、点增：加可热以、得点到传无导空性隙能、，热可稳以定加性金优属良如的：、箔低、结银合应力、 低湿气含量的芯片粘贴；
尹小田
4、芯片互连
硅片减薄 芯片切割 硅片贴装 芯 切筋成形
（塑料封装） 去飞边毛刺
定义：把电子外壳的I/O引线或基板上的金线焊区与芯片的 焊区相连。
涂布合适的厚度和轮廓的芯片焊盘上进行固化。
1、各向同性材料。
不精确会怎样？
2、导电硅橡胶。
3、各向异性导电聚合物。 导电胶的缺点：热稳定性不好、高温时容易劣化和引发导 目电用的胶于导是中高电：有可胶改机靠中善物度填胶气要充的体求银导充的颗热分封粒性泄装或，漏。银增而薄强降片散低，热产因能品此力的都。 可是靠是度导，电因的此。不
4.封装流程介绍
入出料主要是将导线架 （ Lead Frame）由物料 盘 ） （Magazine）送上输送架 ） （Bar or Bridge）进入模具 ） 内做冲切；在机台中， 内做冲切；在机台中，入出 料机构的夹具动作大多以气 压作动。 压作动 magazine
F/S入料机构和D/T的入料机构大致相同，均以 F/S入料机构和D/T的入料机构大致相同， 入料机构和D/T的入料机构大致相同 magazine作为入料盒 至于出料方式，D/T为 作为入料盒， magazine作为入料盒，至于出料方式，D/T为 magazine， F/S工作行程最后均将IC从导线架 工作行程最后均将IC magazine，而F/S工作行程最后均将IC从导线架 上取出所以，出料机构总共分为二个部份： 上取出所以，出料机构总共分为二个部份： 1.Tray盘 2.Tube管 1.Tray盘 2.Tube管
固化后取出。 固化后取出。
Epoxy Molding Compound
IC塑胶封装材料为热固性环氧树脂 塑胶封装材料为热固性环氧树脂 塑胶封装材料为 (EMC)其作用为填充模穴 其作用为填充模穴(Cavity) 其作用为填充模穴 将导线架(L/F)完全包覆，使銲线好 完全包覆， 将导线架 完全包覆 的芯片有所保护。 的芯片有所保护。
Tie Bar
4.成型（Forming） 4.成型（Forming） 成型 的目的： 的目的：
将已去框（ 将已去框（Singulation） ） Package之Out Lead以连 之 以连 续冲模的方式， 续冲模的方式，将产品脚 弯曲成所要求之形状。 弯曲成所要求之形状。
海 鸥 型 引 脚 插 入 型
Heat Slug Attach
Molding
MD(封胶 封胶) 封胶 (Molding)
封装工艺流程简介 (3)
设备:
封装工艺流程简介
Tape and reel 编带
设备:
描述:
使用卷带包装设备，将单 颗产品用编带材料（卷带+盖 带）进行打卷包装。
封装工艺流程简介
Packing 包装
描述:
通过捆绑/包装以确 保产品在操作,运输的过 程中不受湿气, ESD的侵 袭,同时也确保产品在运 输过程中不受损伤。
封装工艺流程简介
2016-Jan-1
封装工艺流程简介
FOL
IQA SMT Pre-bake
基板收取Βιβλιοθήκη 来料检验IQA表面贴装* 可选 基板烘烤
Taping BG W/M
De-tape
D/S
2/O Fail
QA Pass
DA
DAC
Plasma
圆片收取 来料检验 贴保护膜 背部研磨 圆片装载 去掉保护膜
芯片切割 第二次光学检查
封装工艺流程简介
Baking 烘烤
描述:
PCB需要在做DA之 前做一下烘烤，以去 除PCB中的水分，提高 产品的可靠性能。
设备:
N2以防止PCB氧化
N2 inlet
Carrier Carrier
Outlet
125oC
封装工艺流程简介
Die Attach 装片
描述:
利用银浆或Film的 粘性将切割好的好的 晶粒吸取并粘贴于基 板上,以便于后制程作 业。
等离子清洗示意图
封装工艺流程简介
MD 包封
描述:
将前道完成后的产品 ，使用塑封料把芯片 塑封起来,免受外力损 坏。同时加强器件的 物理特性便于使用。
设备:
封装工艺流程简介
PMC 包封后烘
封装基本流程简介
秦天恒 王柳斌
粘晶(Die Attach)操作过程
1):使用高倍显微镜全面检查芯片，并确认粘晶方向。 2）:①.使用涂抹棒均匀涂抹EPOXY。
②.再次确认芯片方向后，使用EFD吸取并将芯片放置到管壳中心。 ③.使用拨动棒调整位置到管壳正中心。
3):Epoxy
Curce Range:20-40） ③.十字线校正，High/Low高低倍各做两次。
④.点下Bond Heat Relearn.重新认识键合高度。
二>.根据方案要求制作程序。
①.创建Die : Teach new ref sys → Teach Die Ref →Add New Operator Points → Add Die Eye Points → Add New Bond Sites . ②. 创建Lead: Teach new ref sys → Teach Lead Ref →Add New Operator Points → Add Lead Eye Points → Add New Lead locates . ③.若方案有接地线，则需Teach Down Ref.
焊线(Wire Bond)操作过程
三>.根据芯片适应性编辑基本参数。 ①.load Bond 参数。 ②.编辑Ball参数,设置金线直径。 ③.编辑Loop参数,设置Loop类型。 四>.开始金线焊接。 ①.穿入金线，并去除线尾，烧球。 ②.按下键盘上的RUN开始生产一根线后，确认焊接情况。 ③.生产完成一颗后确认是否和方案相同。 ④.生产完成后，生产人员确认所有产品是否存在缺陷。 ⑤.更换另一名工程师确认所有产品是否存在缺陷。 ⑥.Double Confirm后，进行塑封/盖玻璃盖子/盖管壳/打包。
IC芯片封装流程
IC芯片封装流程
IC芯片封装是指将制造好的芯片封装到封装材料中，以保护芯片的外部环境，提供电气连接，同时方便印刷线路板上插装既提供电气连接，又一定程度上可以增强集成块的可靠性和寿命。
IC芯片封装流程通常包括以下几个步骤：
1.芯片背面处理：首先对芯片背面进行处理，用特殊的涂覆剂或胶水将芯片与封装物质粘接在一起，同时提供固定和导电的功能。
2.粘接芯片：将芯片放置在封装模具的基座上，使芯片与基座的位置对齐，并使用紫外线或热处理适当加热固化。
3.排列焊点：将封装胶水涂覆到芯片的金属焊盘，然后使用针或其他工具将焊线排布在合适的位置。
4.环氧封装：将芯片放置在环氧树脂中，用压力和热量实现芯片与封装物质之间的完全粘结，并确保芯片不会受到机械或温度应力的影响。
5.外观检验：对封装后的IC芯片进行外观检验，确保芯片没有明显的损坏或缺陷。
6.电性能测试：将封装好的芯片连接到测试设备，测试其电气性能，如电流、电压、频率等，以确保芯片的功能正常。
7.标识和包装：根据芯片的型号和要求，在芯片或封装材料上进行标识，然后将芯片放入适当的包装盒或袋中，并进行密封，以防止芯片受到外界环境的影响。
8.成品检验：对已封装的IC芯片进行仔细的检查和测试，确保芯片的质量符合标准，并记录相关数据。
9.存储和出货：妥善存储已封装好的IC芯片，根据客户需求，安排发货。
10.售后服务：对于客户反馈的问题进行处理，提供售后服务和技术支持。
封装流程中的每个步骤都是非常重要的，任何一个环节的失误都可能导致芯片封装质量不合格，影响芯片的可靠性和性能。
因此，封装工艺的完善和精确执行对于芯片制造厂商来说至关重要。
IC封装测试工艺流程
IC封装测试工艺流程1.芯片准备：在IC封装测试工艺流程开始之前，需要对待封装的芯片进行准备工作。
这包括将芯片切割成单个的小尺寸芯片，然后对其进行清洗、去除尘埃等净化处理。
2.焊接：在将芯片封装前，需要在芯片上焊接金线。
这些金线用于将芯片内部的各个功能单元与外界的引线相连。
这个过程需要使用特殊的焊接设备，确保焊接质量。
3.封装：接下来，将芯片放置在封装材料中。
封装材料可以是塑料、陶瓷等，不同的材料可以提供不同的保护性能。
芯片与封装材料之间还需要使用金线或焊膏进行连接。
封装过程可以是手工操作，也可以是自动化机器进行。
4.封装测试：在完成封装后，需要对封装好的芯片进行测试以确保其质量和性能。
这些测试可以包括外观检查、尺寸测量、电气性能测试等。
测试过程需要使用专业的测试设备和工艺流程。
5.校准：如果芯片测试结果不符合要求，可能需要对测试设备进行校准，以确保测试的准确性和一致性。
校准可以通过标准器件或其他校准设备进行。
6.封装精调：如果芯片测试结果仍然不达标，可能需要对封装工艺进行精细调整。
这意味着需要调整封装材料的配方、焊接参数、封装温度等。
精细调整可以通过试验和实验确定最佳的封装工艺参数。
7.标识与包装：在完成封装测试后，需要对封装好的芯片进行标识和包装。
标识可以包括芯片型号、生产日期、批次号等信息。
包装可以是常规的芯片包装方式，如管装、带装等。
包装后的芯片可以进行存储或运输。
8.品质管理：在整个封装测试工艺流程中，需要对每个步骤进行严格的品质管理。
这包括设立合理的工艺流程、制定工艺参数标准、对工艺设备和材料进行检验等。
品质管理可以通过ISO9001等质量管理体系认证。
总结：IC封装测试工艺流程是将芯片封装为成品集成电路的关键过程。
通过逐步进行焊接、封装、测试、校准、精细调整、标识和包装等步骤，可以确保封装好的芯片的品质和性能。
并且通过切合实际的品质管理措施，可以提高封装工艺的稳定性和一致性。
半导体封装流程完整
半导体封装流程完整1.前期准备在半导体封装工艺开始之前，需要进行一系列的前期准备工作。
首先，需要制作封装所需的基板，如陶瓷基板或有机基板。
同时，还需要准备封装所需的材料，如导线、金属线、导热胶等。
此外，还需要准备一些工具和设备，如焊接机、裁切机、自动枪等。
2.芯片粘贴在封装流程的第一步，需要将芯片粘贴到基板上。
通常，芯片是通过焊接或粘合的方式固定到基板上。
这一步需要非常仔细和准确，确保芯片的正确定位，以保证后续工艺的顺利进行。
3.电连接芯片粘贴完成后，需要进行电连接的步骤。
这一步是将芯片和基板上的引脚通过金属导线互相连接起来。
一般而言，使用导线焊接或者球焊接的方式进行电连接。
同时，为了保证连接的质量和可靠性，还需要进行涂覆保护层，防止金属导线氧化和受到机械损坏。
4.导热为了防止芯片在工作过程中过热，需要进行导热的处理。
这一步是为芯片安装散热材料，如导热胶。
导热胶可以提高芯片的散热效果，保证芯片在高负载工作下的稳定性。
5.封装固化完成导热处理后，需要对封装进行固化。
这一步是为了保护芯片和连接导线，防止封装在使用过程中受到外界环境的影响。
固化一般使用高温烘烤或者紫外线处理的方式进行。
6.封装测试封装固化完成后，需要对封装进行测试。
这一步是为了确保封装后的器件可以正常工作。
测试包括外观检查、电性能测试、可靠性测试等。
通过测试，可以排除制造过程中的缺陷，保证封装产品的质量和性能。
7.成品包装总结半导体封装是将芯片封装成功能器件的关键过程。
它涉及到多个步骤，包括芯片粘贴、电连接、导热、封装固化、测试和成品包装。
每一步都需要严格控制和操作，以保证封装产品的质量和性能。
只有在完整的半导体封装流程下，才能生产出高可靠性、高性能的封装产品。
集成电路封装的主要流程
集成电路封装的主要流程一、集成电路封装的概述集成电路封装是指将芯片通过一系列工艺步骤，将其封装在塑料、陶瓷或金属外壳中，以保护芯片并方便使用。
封装后的芯片可以直接安装在电路板上，从而实现电子产品的制造。
二、集成电路封装的主要流程1. 芯片切割首先需要将晶圆切割成单个芯片。
这一步骤需要使用专业设备进行操作，以确保切割精度。
2. 焊盘制作接下来需要在芯片上添加焊盘。
焊盘是连接芯片和电路板的重要部分。
通常使用化学蚀刻或光刻技术制作。
3. 封装材料准备根据产品需求选择合适的封装材料，如塑料、陶瓷或金属等。
同时需要准备好其他辅助材料，如导线、引脚等。
4. 芯片安放和连接将焊盘与导线连接，并将芯片安放在封装材料中。
这一步骤通常需要借助自动化设备进行操作。
5. 封装材料固化对于塑料封装，需要进行固化处理。
通常采用高温烘烤或紫外线照射等方式，以确保封装材料的稳定性和可靠性。
6. 引脚整形对于某些封装方式，如QFN、BGA等，需要对引脚进行整形。
这一步骤需要使用专业设备进行操作。
7. 测试和质检完成封装后，需要进行测试和质检。
测试包括功能测试、可靠性测试等，以确保芯片的性能符合要求。
质检则包括外观检查、尺寸测量等，以确保产品符合标准。
8. 包装和出货最后将芯片包装，并出货给客户。
包装方式通常有盘式、管式、卡式等多种选择。
三、集成电路封装的常见类型1. DIP（双列直插式）DIP是一种常见的集成电路封装方式，具有双列引脚，可以直接插入电路板上的孔中。
2. QFP（方形扁平式）QFP是一种较为流行的表面贴装型封装方式，具有方形外观和扁平引脚。
该种封装方式通常用于中小功率芯片。
3. BGA（球形网格阵列式）BGA是一种高密度表面贴装型封装方式，具有球形引脚和网格状排列。
该种封装方式可以实现更高的芯片密度和更好的散热效果。
4. CSP（芯片级封装）CSP是一种新型的封装方式，将芯片直接封装在塑料或陶瓷基板上，无需添加导线和引脚。
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一导电胶、导电银胶
导电胶是IED生产封装中不可或缺的一种胶水，其对导电银浆的要求是导电、导热性能要号，剪切强度要大，并且粘结力要强。
UNINWELL国际的导电胶和导电银胶导电性好、剪切力强、流变性也很好、并且吸潮性低。
特别适合大功率高高亮度LED的封装。
特别是UNINWELL的6886系列导电银胶，其导热系数为：25.8 剪切强度为：14.7，堪称行业之最。
二封装工艺
1. LED的封装的任务
LED的封装的任务是将外引线连接到LED芯片的电极上，同时保护好LED芯片，并且起到提高光取出效率的作用。
关键工序有装架、压焊、封装。
2. LED封装形式
LED封装形式可以说是五花八门，主要根据不同的应用场合采用相应的外形尺寸，散热对策和出光效果。
LED按封装形式分类有Lamp-LED、TOP-LED、Side-LED、SMD-LED、High-Power-LED等。
3. LED封装工艺流程
4．封装工艺说明
1.芯片检验
镜检：材料表面是否有机械损伤及麻点麻坑（lockhill）
芯片尺寸及电极大小是否符合工艺要求电极图案是否完整
2.扩片
由于LED芯片在划片后依然排列紧密间距很小（约0.1mm），不利于后工序的操作。
我们采用扩片机对黏结芯片的膜进行扩张，是LED芯片的间距拉伸到约0.6mm。
也可以采用手工扩张，但很容易造成芯片掉落浪费等不良问题。
3.点胶
在LED支架的相应位置点上银胶或绝缘胶。
（对于GaAs、SiC导电衬底，具有背面电极的红光、黄光、黄绿芯片，采用银胶。
对于蓝宝石绝缘衬底的蓝光、绿光LED芯片，采用绝缘胶来固定芯片。
）
工艺难点在于点胶量的控制，在胶体高度、点胶位置均有详细的工艺要求。
由于银胶和绝缘胶在贮存和使用均有严格的要求，银胶的醒料、搅拌、使用时间都是工艺上必须注意的事项。
4.备胶和点胶相反，备胶是用备胶机先把银胶涂在LED背面电极上，然后把背部带银胶的LED安装在LED支架上。
备胶的效率远高于点胶，但不是所有产品均适用备胶工艺。
5.手工刺片
将扩张后LED芯片（备胶或未备胶）安置在刺片台的夹具上，LED支架放在夹具底下，在显微镜下用针将LED芯片一个一个刺到相应的位置上。
手工刺片和自动装架相比有一个好处，便于随时更换不同的芯片，适用于需要安装多种芯片的产品.
6.自动装架
自动装架其实是结合了沾胶（点胶）和安装芯片两大步骤，先在LED支架上点上银胶（绝缘胶），然后用真空吸嘴将LED芯片吸起移动位置，再安置在相应的支架位置上。
自动装架在工艺上主要要熟悉设备操作编程，同时对设备的沾胶及安装精度进行调整。
在吸嘴的选用上尽量选用胶木吸嘴，防止对LED芯片表面的损伤，特别是兰、绿色芯片必须用胶木的。
因为钢嘴会划伤芯片表面的电流扩散层。
7.烧结
烧结的目的是使银胶固化，烧结要求对温度进行监控，防止批次性不良。
银胶烧结的温度一般控制在150℃，烧结时间2小时。
根据实际情况可以调整到170℃，1小时。
绝缘胶一般150℃，1小时。
银胶烧结烘箱的必须按工艺要求隔2小时（或1小时）打开更换烧结的产品，中间不得随意打开。
烧结烘箱不得再其他用途，防止污染。
8.压焊
压焊的目的将电极引到LED芯片上，完成产品内外引线的连接工作。
LED的压焊工艺有金丝球焊和铝丝压焊两种。
右图是铝丝压焊的过程，先在LED芯片电极上压上第一点，再将铝丝拉到相应的支架上方，压上第二点后扯断铝丝。
金丝球焊过程则在压第一点前先烧个球，其余过程类似。
压焊是LED封装技术中的关键环节，工艺上主要需要监控的是压焊金丝（铝丝）拱丝形状，焊点形状，拉力。
对压焊工艺的深入研究涉及到多方面的问题，如金（铝）丝材料、超声功率、压焊压力、劈刀（钢嘴）选用、劈刀（钢嘴）运动轨迹等等。
（下图是同等条件下，两种不同的劈刀压出的焊点微观照片，两者在微观结构上存在差别，从而影响着产品质量。
）我们在这里不再累述。
9.点胶封装
LED的封装主要有点胶、灌封、模压三种。
基本上工艺控制的难点是气泡、多缺料、黑点。
设计上主要是对材料的选型，选用结合良好的环氧和支架。
（一般的LED无法通过气密性试验）如右图所示的TOP-LED和Side-LED适用点胶封装。
手动点胶封装对操作水平要求很高（特别是白光LED），主要难点是对点胶量的控制，因为环氧在使用过程中会变稠。
白光LED的点胶还存在荧光粉沉淀导致出光色差的问题。
10.灌胶封装
Lamp-LED的封装采用灌封的形式。
灌封的过程是先在LED成型模腔内注入液态环氧，然后插入压焊好的LED支架，放入烘箱让环氧固化后，将LED从模腔中脱出即成型。
11.模压封装
将压焊好的LED支架放入模具中，将上下两副模具用液压机合模并抽真空，将固态环氧放入注胶道的入口加热用液压顶杆压入模具胶道中，环氧顺着胶道进入各个LED成型槽中并固化。
12.固化与后固化
固化是指封装环氧的固化，一般环氧固化条件在135℃，1小时。
模压封装一般在150℃，4分钟。
13.后固化
后固化是为了让环氧充分固化，同时对LED进行热老化。
后固化对于提高环氧与支架（PCB）的粘接强度非常重要。
一般条件为120℃，4小时。
14.切筋和划片
由于LED在生产中是连在一起的（不是单个），Lamp封装LED采用切筋切断LED支架的连筋。
SMD-LED则是在一片PCB板上，需要划片机来完成分离工作。
15.测试
测试LED的光电参数、检验外形尺寸，同时根据客户要求对LED产品进行分选。
16.包装
将成品进行计数包装。
超高亮LED需要防静电包装。