SPICE仿真实例1
开关电源P-SPICE仿真
天津职业技术师范大学Tianjin University of Technology and Education毕业设计专业：电子科学与技术班级学号： 26学生姓名：二○一一年六月天津职业技术师范大学本科生毕业设计开关电源P-SPICE仿真Switch-Mode Power Supplies SPICESimulations专业班级：电科0703班2011年6月摘要变压器的使用在升压和降压电源中很常见，开关电源根据不同的输出要求采用不同的变压器拓扑电路，同样的电源也采用不同的变压器拓扑实现。
在所有拓扑中反激式变压器构成的升压式开关电源具有电路简单、元器件最少的优点，在小功率开关电源中经常采用。
而变压器的设计需要技术人员根据一些经验参数来进行变压器的设计和绕制。
会出现经验设计多于准确的参数设计，而且在高频条件下变压器的设计和制作不同于普通的变压器，更加需要实际经验和理论设计两者相互结合。
本文将针对反激式开关电源变压器漏感较大，易击穿开关器件的特点，通过Pspice仿真来检验在电路中增加RL模或RCD模块的方式对漏感能量的耗散效果，从而达到保护开关器件、稳定电路的目的。
关键词：开关电源；Pspice仿真；反激式变换器；吸收电路ABSTRACTConverter is widely used in boost and buck power. Switch-Mode Power will take different circuits of converter topology depends on different conditions in outputs. And sometimes the same power will choose different converter topologies to achieve the same result.In all kinds of topologies, boost switching power supplier based on the fly-back converter characterized as simple circuit, less components that is the reason to explain why it is commonly used in low power switching power supply. In the process of designing converter , technical staffs usually make the converter with some self-verified parameters .The phenomenon will lead to such a result ,the amount of experience design are more than accurate parameter design. However ,in the area of high-frequency converters ,the design and production of them are different from general converter, we need to combine more practical experiences with theoretical design.For the larger leakage and easy breakdown in switching device of fly-backSwitch-Mode Power Supplies converters, this article will use SPICE Simulations to test the effectiveness of RL and RCD module circuit in dissipating the energy of leakage，so as to meet the purpose of protecting Switching devices and stabling the circuit.Key Words：Switch-Mode Power; SPICE Simulations; Fly-back Converter;Snubber circuit;目录第1章引言 (1)第2章PSPICE软件仿真概述2.1仿真软件的选择 (2)2.2 PSPICE的发展历程和现状 (3)2.3 PSPICE的组成 (3)2.4 PSPICE的特点和模拟功能 (4)第3章开关电源的概述3.1开关电源的分类 (6)3.2开关电源的选用 (7)3.3开关电源的发展动向 (8)第4章五种经典开关电源的拓扑结构4.1开关电源拓扑综述 (9)4.2开关电源的5种拓扑结构 (9)4.2.1非隔离式拓扑结构 (10)4.2.2隔离式拓扑结构 (20)第5章反激式变换器电路5.1 反激式变换器的基本原理 (27)5.2无寄生元件条件下的反激式变换器的电路仿真与分析 (28)结论 (35)参考文献 (36)致谢 (37)天津职业技术师范大学2011届本科生毕业设计第一章引言随着电力电子技术的高速发展，电力电子设备与人们的工作、生活的关系日益密切，而电子设备都离不开可靠的电源，进入80年代计算机电源全面实现了开关电源化，率先完成计算机的电源换代，进入90年代开关电源相继进入各种电子、电器设备领域，程控交换机、通讯、电子检测设备电源、控制设备电源等都已广泛地使用了开关电源，更促进了开关电源技术的迅速发展。
03-PSPICE仿真 (1)
23
模型参数
24
加元器件库(Place/Part命令)
在画电路图之前，首先要为将要画的电路选择元器件库。执行 Place/Part命令，，在Place/Part对话框中点击“Add”按钮，出现 Browse File对话框，将所需库点中，点击“打开”按钮，则选中的 库文件增至“Labrarise”框 中。反之，从“Labrarise”框，选中一 个库文件，点击Remove按钮，即将该库文件框剔除。
1/TSTOP
VAMPL
FREP TD DF PHASE
振幅
频率 延迟时间 阻尼系数 相位延迟
V
Hz s 1/s 度
FREQ=1kHz，TD=0，DF=0，
PHASE=0。可得如图所示的 正弦波形。
33
PSpice A/D中的有关规定
比例因子
PSpice A/D中不区分大小写 要特别注意M与MEG的差别 M——10-3 MEG —— 106
6
（2）OrCAD/PSpice9软件覆盖了 电子设计的4项核心任务
OrCAD/Capture CIS （电路原理图设计软件）
电路仿真
OrCAD/PSpice A/D （数/模混合模拟软件） Optimizer （电路优化设计）
OrCAD/Express Plus (CPLD/FGPA设计软件)
OrCAD/Layout Plus （PCB设计软件）
例如要表示100兆赫兹的频率时，必须写成100MEG，而不能 是100M。否则PSpice A/D将其理解为100毫赫兹。
34
PSpice A/D中的有关规定
单位
PSpice A/D仿真运行的结果都是以A、V、、Hz、W（瓦） 等标准单位的形式确定，且省略了单位。
(完整版)HSPICE与CADENCE仿真规范与实例..
电路模拟实验专题实验文档一、简介本实验专题基于SPICE（Simulation Program With Integrated Circuit）仿真模拟，讲授电路模拟的方法和spice仿真工具的使用。
SPICE仿真器有很多版本，比如商用的PSPICE、HSPICE、SPECTRE、ELDO，免费版本的WinSPICE，Spice OPUS等等，其中HSPICE和SPECTRE功能更为强大，在集成电路设计中使用得更为广泛。
因此本实验专题以HSPICE和SPECTRE作为主要的仿真工具，进行电路模拟方法和技巧的训练。
参加本实验专题的人员应具备集成电路设计基础、器件模型等相关知识。
二、Spice基本知识(2)无论哪种spice仿真器，使用的spice语法或语句是一致的或相似的，差别只是在于形式上的不同而已，基本的原理和框架是一致的。
因此这里简单介绍一下spice的基本框架，详细的spice语法可参照相关的spice教材或相应仿真器的说明文档。
首先看一个简单的例子，采用spice模拟MOS管的输出特性，对一个NMOS管进行输入输出特性直流扫描。
V GS从1V变化到3V，步长为0.5V；V DS从0V变化到5V，步长为0.2V；输出以V GS为参量、I D与V DS之间关系波形图。
*Output Characteristics for NMOSM1 2 1 0 0 MNMOS w=5u l=1.0uVGS 1 0 1.0VDS 2 0 5.op.dc vds 0 5 .2 Vgs 1 3 0.5.plot dc -I(vds).probe*model.MODEL MNMOS NMOS VTO=0.7 KP=110U+LAMBDA=0.04 GAMMA=0.4 PHI=0.7.end描述的仿真电路如下图，图2-1 MOS管输入输入特性仿真电路图得到的仿真波形图如下图。
从这个简单的spice程序中可以知道spice电路描述的主要组成部分。
orcad pspice 仿真教程 1
ORCAD PSPICE
机辅分析的优点
•提高了设计质量 提高了设计质量 •设计效率高 设计周期短 设计效率高,设计周期短 设计效率高 •降低设计成本 降低设计成本 •充分发挥了设计人员的创造性 充分发挥了设计人员的创造性
常用电路仿真工具 常用电路仿真工具: PSPICE 仿真工具 SPICE:
100M的频率（10 Hz） 100M的频率（10－3 Hz）算术运算符Fra bibliotek逻辑运算符
~ | ^ &
+ - * / **
Pspice 的 运算表达式
关系运算符
== >= != > < <=
Pspice的函数 的函数
ABS(x) LOG(x) DB(x) SIN(x) TAN(x) |x| ln x 20lg|x| sin x tg x EXP(x) ex LOG10(x) log x PWR(x,y) |x|y COS(x) cos x ATAN(x) arctg x
*.max—电路板文件 *.tch—技术档文件 *.gbt—光绘文件 *.mnl—网络表文件 *.log *.lis—记录说明文件 *.tpl—板框文件 *.sf—策略档文件
Pspice 的库
1、*.olb-Capture专用的图形符号库。库内存放元器件 的几何图形。
2、*.lib-PSpice仿真库，利用Spice语言对Capture中的 图形符号进行功能定义与描述，可以编辑。
注意千(kilometer) 注意千(kilometer) 与兆(mega)的区别 与兆(mega)的区别
MEG=1E+6
MIL=25.4E-6
M=1E-3
Spice仿真
仿真功能简介
返回
四、 Pspice的基本电路特性分析
1 . 静态工作点分析
静态工作点分析就是将电路中的电容开路，电 感短路，对各个信号源取其直流电平值，计算电路 的直流偏置量。
例：求基本放大电路 的静态工作点。步骤 如下： （1）用Capture软 件画好电路图
返回
（2） 建立模拟类型分组。
仿真步骤
（1）新建仿真设计项目；
（2）输入电路结构；
（3）编辑修改电路元器件标号和参数值，包括直流电源 和信号源参数； （4）创建仿真简要表（Simulation Profile），设置分 析功能； （5）执行仿真； （6）仿真结果分析及输出。
返回
新建设计项目(File/New/Project)
5.0mV 0V SEL>> -5.0mV 1.0V V(Vs:+) 0V
-1.0V
返回
0s V(Out)
0.4ms
0.8ms Time
1.2ms
1.6ms
2.0ms
频域分析
幅频特性dB(V(Vo)/V(i)) 输入阻抗V(i)/ I(i) 输出阻抗
返回
求解输出阻抗
修改电路： 令Vs=0，信号源短路，取掉负载RL，外加 一个信号源VSIN(400mv) 其他步骤与“输入电阻的频率响应”分析相同 Ro =V(Vo)/I(Vs)
返回
连线与设置节点名
（1）连线。①启动Place/Wire命令。 ②按对应的绘图 快捷键 （2）设置节点名。例如，想把输出端的节点起名为Out。 步骤如下：
①启动Place/Net Alias命令，或按对应的绘图快捷键 ，屏幕 上出现设置框。在设置框中键入节点名（例Out）。 ② 按OK键，则光标处 附着一个小方框，将光标移至设置节点 名的位置，按鼠标左键，新节点名即出现在该位置。
半加器spice仿真
集成电路课程设计学院：机械与电子工程学院专业：电子科学与技术班级：学号：姓名：指导老师：一、实验目的1.使用HSPICE的元件描述语句，分析语句，输出语句，模型语句等，熟练掌握各种电路元件的编写规则。
2.能够根据电路的具体要求灵活的使用HSPICE软件。
3.练习使用HSPICE软件，特别是其中的标准HSPICE分析功能，并能够进行所需要的仿真及分析。
二、实验内容1.HSPICE软件的操作基础1）. SP文件格式•注释行第一行或以*开始的行•电路网表器件名称,节点,参数•分析语句和参数 .语句,如.TRAN 参数:步长仿真时间•控制语句.END2）. 常用器件定义用首字母区分R: 电阻 C : 电容 L: 电感 V: 独立电压源I: 独立电流源 Q: 双极型晶体管 M: MOS管D: 二极管 X:子电路3）. 常用分析语句.TRAN 瞬态分析.DC 直流扫描分析.AC 频率特性分析.OP 工作点分析4）. HSPICE的直流扫描分析•语句.DC•单参数扫描基本格式:.DC 变量起始值结束值步长例1: MOS管的转移特性MOS管的描述方法•格式MX ND NG NS NB 模型名 W=W1 L=L1 2.半加器1）半加器的真值表及模型2）半加器的HSPICE网表* banjianqi.sp.param SUPPLY=5********* SPICE Models **************.include 'C:\synopsys\Hspice_Y-2006.09-SP1\hua05.sp'tt *****************************************.global vdd gndVDD vdd 0 5v1 a gnd pulse 0 5 0 0.01p 0.01p 10n 20nv2 b gnd pulse 0 5 0 0.01p 0.01p 20n 40nMp1 vdd a 1 vdd pmos W=10u L=0.7uMn1 1 a gnd gnd nmos W=5u L=0.6uMp2 vdd 1 2 vdd pmos W=10u L=0.7uMp3 vdd b 2 vdd pmos W=10u L=0.7uMn2 2 b 8 gnd nmos W=5u L=0.6uMn3 8 1 gnd gnd nmos W=5u L=0.6uMp4 vdd 2 3 vdd pmos W=10u L=0.7uMn4 3 2 gnd gnd nmos W=5u L=0.6uMp11 vdd b 7 vdd pmos W=10u L=0.7u Mn11 7 b gnd gnd nmos W=5u L=0.6uMp9 vdd a 6 vdd pmos W=10u L=0.7u Mp10 vdd 7 6 vdd pmos W=10u L=0.7u Mn9 6 a 9 gnd nmos W=5u L=0.6uMn10 9 7 gnd gnd nmos W=5u L=0.6uMp8 vdd 6 5 vdd pmos W=10u L=0.7u Mn8 5 6 gnd gnd nmos W=5u L=0.6uMp5 vdd 3 10 vdd pmos W=10u L=0.7u Mp6 10 5 4 vdd pmos W=10u L=0.7uMn5 4 3 gnd gnd nmos W=5u L=0.6uMn6 4 5 gnd gnd nmos W=5u L=0.6uMp7 vdd 4 f vdd pmos W=10u L=0.7u Mn7 f 4 gnd gnd nmos W=5u L=0.6uMp12 vdd a 15 vdd pmos W=10u L=0.7u Mp13 vdd b 15 vdd pmos W=10u L=0.7u Mn12 15 b 12 gnd nmos W=5u L=0.6uMn13 12 a gnd gnd nmos W=5u L=0.6u Mp14 vdd 15 c vdd pmos W=10u L=0.7u Mn14 c 15 gnd gnd nmos W=5u L=0.6u .OP.tran 0.1ns 80ns.probe.print v(in).end3.实验步骤1）用以.sp为后缀的文件写好网表程序2）打开HSPICE软件，并打开.sp的文件3）点击Simulate，检查程序是否出错，无错则点击Avanwaves4）选择所需结点，生成波形如图所示，当输入a、b同时为1是，进位输出c=1，其他都=0当输入a、b不同为1是，输出f=1，其他为0当输入a、b同时为0时，输出c、f都为0至此，实验达到预期，完美完成。
PSPICE电路仿真与应用1
Optimizer （电路优化程 序）
元器件模型库（LIB）
图形编辑程序-Schematics
Schematics是PSpice软件包的主程序项 创建或编辑电路原理图。 可以对元件进行修改和编辑。 设置仿真分析方式和参数。 运行仿真分析。 仿真结束后，调用Probe程序显示仿真 波形
瞬态特性分析 （Vin：振幅0.1V 频率５MHz)
( 时间：1ns---100ns)
1.4 Orcad PSpice软件的组成模 块
Schematics（图形编辑 程序）
PSpice A/D（仿真分析程 序）
Probe（图形后处理程序）
Stimulus Editor（信号源 编辑程序）
1.1 EDA技术简介
电子线路的设计方法
基于数理方程手工计算
电子线路 理论基础
基于CAA&CAD的EDA技术
电子产品
基于实验台和仪器实调实测
什么是EDA技术
EDA（Electronic Design Automation）技术 即电子设计自动化技术，以计算机辅助分析 和设计为基础的电路开发技术。
PSPICE电路仿真与应用
PSPICE电路仿真与应用
参考书: 《PSpice电路仿真程序设计》李永平主编，
国防工业出版社。 《通用电路的计算机分析与设计：PSpice应
用教程》罗飞 水利水电出版社。
教师联系信息
EMAIL：chenyanhu@
Tell: 13854121690
仿真分析程序-PSpice A/D－仿 真引擎
PSpice A/D是PSpice软件包中的分析程序
完成对模拟或数字电路的仿真分析
SPICE模型的导入及仿真【范本模板】
ADS SPICE模型的导入及仿真一、SPICE模型的导入1、打开一个新的原理图编辑视窗，暂时不用保存也不要为原理图命名.2、导入SPICE模型：1233、新建一个原理图，命名为“BFP640_all ”，利用刚导入的SPICE 文件并对照下载的SPICE 文件附带的原理图进行连接：导入完成！ 已经导入了： bfp640.dsn chip_bfp640.dsn sot343_bfp640.dsn 等文件。
附带的原理图选择要导入的SPICE 模型文件 4连接好后的BFP640_all原理图如下：4、为SPICE模型创建一个新的电路符号ADS原理图系统默认的电路符号如下：这里我们为BFP640创建一个新的NPN电路符号。
1、在原理图设计窗口中的菜单栏中选择【View】→【Create/Edit Schematic Symbol】命令中,出现“Symbol Generator"对话框后，单击【OK】按钮，出现如上图所示的默认符号;2、在菜单栏中选项【Select】→【Select All】命令,并单击【Delete】按钮删除默认符号；3、在菜单栏中选择【View】→【Create/Edit Schematic Symbol】命令回到原理图设计窗口；4、在原理图设计窗口中选择【File】→【Design Parameters】,打开“Design Parameters"对话框；5、按照下图所示，设置对话框中的参数文件描述元件名称Q在下拉菜单中选择ADS内建模型SYM_BJT_NPN选择元件封装单击【OK】按钮，保存新的设置并自动关闭对话框；6、最后，单击【Save】按钮保存原理图,电路符号就创建完成。
二、直流仿真1、在ADS主视窗下单击【File】→【New design】,在弹出的对话框中输入新原理图名称“BFP640_DC1",并选择“BJT_curve_tracer”设计模版，如下图所示：单击【OK】按钮后，将弹出已经带有DC仿真控件的原理图。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
．ｐｒｉｎｔ ｉ（Ｍｎ１，１） ．ｅｎｄ
集成电路专业
黑龙江大学
《CMOS模拟集成电路设计》
4
实验１
• ＩＤ与ＶＧＳ关系
单管仿真
MOS1
Ｖｄｓ＝１Ｖ
i(Mn1,1)
150
100
Current (uA)
50
阈值电压 ０．６Ｖ
0 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0
Vg (V)
集成电路专业
集成电路专业 黑龙江大学
《CMOS模拟集成电路设计》
23
x1=563.52
40
x2=20.18M
dx=20.18M
Amp2
vdb(out) 36.65
30
Voltage Magnitude (dB)
20
10
0
-10
-20
增益36.6db, 单位增益频率20MegHz
-30
-40
1
10
100
1k
10k
集成电路专业 黑龙江大学
《CMOS模拟集成电路设计》
实验４
2.5
传输门的仿真
transgate2
v(in) v(out)
2.0
Voltage (V)
1.5
1.0
0.5
0.0 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5
Vin (V)
集成电路专业
黑龙江大学
《CMOS模拟集成电路设计》
13
实验５ 单管电流源仿真
写出该电路的网表，做电阻的参数扫描 Ｖｄｄ＝２．５Ｖ，Ｖｉｎ＝１Ｖ，ｒ＝５０ｋ
Ｖｄｄ
１
Ｖｉｎ
ｉｎ
２
Ｗ＝２ｕ， Ｌ＝１ｕ
０
＊Ｃｕｒｒｅｎｔ ｓｏｕｒｃｅ１ ．ｌｉｂ ＇ｍｉｘ０２５＿１．ｌ＇ ｔｔ ．ｐａｒａｍ ｒｅｓｖａｌｕｅ＝５０ｋ Ｖｄｄ １ ０ ２．５Ｖ Ｖｉｎ ｉｎ ０ １Ｖ Ｍ１ ２ ｉｎ ０ ０ ｎｃｈ Ｗ＝２ｕ Ｌ＝１ｕ ｒ１ １ ２ ｒｅｓｖａｌｕｅ ．ｄｃ ｒｅｓｖａｌｕｅ ２ｋ １００ｋ ２ｋ ．ｐｒｉｎｔ ｄｃ ｉ（Ｍ１，２） ｖ（２） ．ｅｎｄ
单管仿真
１ ２
Ｖｄ Ｖｇ
０ Ｇｍｏ（ｄｅｖｉｃｅ） 输出ＭＯＳ管跨导 Ｇｄｓｏ（ｄｅｖｉｃｅ）输出电导 Ｇｂｓｏ（ｄｅｖｉｃｅ）输出体－源ＰＮ结电导
．ｐｒｉｎｔ ｇｍｏ（ｍ１） ｇｄｓｏ（ｍ１） ｇｂｓｏ（ｍ１） ．ｅｎｄ
集成电路专业
黑龙江大学
《CMOS模拟集成电路设计》
7
实验２ 瞬态分析
＊ｔｒａｎｓｉｅｎｔ ａｎａｌｙｓｉｓ ２ Ｒ１ １ Ｃ１ ０ Ｖ１ ２ ０ ５ｖ ｒ１ ２ １ ５０ｋ ｃ１ １ ０ ５ｐ ０ ．ｉｃ ｖ（１）＝０ ．ｔｒａｎ １ｎ １ｕ ．ｐｒｉｎｔ ｖ（２） ｖ（１） ．ｅｎｄ
集成电路专业
*Active load Inverter AC .lib 'mix025_1.l' tt Vd vdd 0 2.5V Vin in 0 DC 0.75V AC 1V Mp1 out out vdd vdd pch W=1u L=1u Mn1 out in 0 0 nch W=2u L=1u C1 out 0 1pF .ac DEC 5 1 1G .print ac vdb(out) .end
黑龙江大学 《CMOS模拟集成电路设计》 14
集成电路专业
实验５ 单管电流源仿真
current_source1
v(2) 2.5
Vdd
1
Voltage (V)
2.0
1.5
1.0
2
0.5
Vin
in
W=2u, L=1u
Current (uA)
0.0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
resvalue (k)
Ｖｄｄ ＊Ａｃｔｉｖｅ ｌｏａｄ Ｉｎｖｅｒｔｅｒ ．ｌｉｂ ＇ｍｉｘ０２５＿１．ｌ＇ ｔｔ Ｖｄ ｖｄｄ ０ ２．５Ｖ Ｖｉｎ ｉｎ ０ ０Ｖ Ｍｐ１ ｏｕｔ ｏｕｔ ｖｄｄ ｖｄｄ ｐｃｈ Ｗ＝１ｕ Ｌ＝１ｕ Ｍｎ１ ｏｕｔ ｉｎ ０ ０ ｎｃｈ Ｗ＝２ｕ Ｌ＝１ｕ Ｃ１ ｏｕｔ ０ １ｐＦ ．ｄｃ Ｖｉｎ ０Ｖ ２．５Ｖ ０．０１ ．ｐｒｉｎｔ ｄｃ ｖ（ｏｕｔ） ．ｅｎｄ 输出复杂的表达式 ．ｐｒｉｎｔ ‘表达式’
随漏压变化 输出ＭＯＳ管的漏 电流
集成电路专业
黑龙江大学
《CMOS模拟集成电路设计》
2
实验１
单管仿真
ＩＤ与ＶＤＳ关系
MOS1
i(Mn1,1)
15
饱和区
10
Current (uA)
线性区
5
0
Ｖｇｓ＝１Ｖ
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0
Voltage (V)
集成电路专业
黑龙江大学
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
电压上升，电容被充电
0.5
0.0
-0.5 0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0
Time (us)
集成电路专业
黑龙江大学
《CMOS模拟集成电路设计》
9
实验３
ＭＯＳ开关的仿真
写出该电路的网表， 仿真其Ｖｏｕｔ－Ｖｉｎ的直流特性
０ Ｖｃ＝２．５Ｖ， Ｖｉｎ从０Ｖ扫描到２．５Ｖ，步长为０．０１Ｖ
集成电路专业 黑龙江大学
《CMOS模拟集成电பைடு நூலகம்设计》
10
实验３
2.5
ＭＯＳ开关的仿真
mosgate1
v(in) v(out)
2.0
Voltage (V)
1.5
1.0
阈值损失
0.5
0.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
Vin (V)
ＳＰＩＣＥ 仿真实例
实验１
• ＩＤ与ＶＤＳ关系
１ ２
单管仿真
在我们使用的 库中，ＮＭＯＳ管 的模型名为 ｎｃｈ
＊ＮＭＯＳ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ ．ｌｉｂ ＇ｍｉｘ０２５＿１．ｌ＇ ｔｔ Ｖｄ １ ０ １Ｖ Ｖｇ ２ ０ １Ｖ
Ｖｄ Ｖｇ
０
Ｍｎ１ １ ２ ０ ０ ｎｃｈ Ｗ＝１ｕ Ｌ＝２ｕ ．ｄｃ Ｖｄ ０Ｖ ３Ｖ ０．０１ ．ｐｒｉｎｔ ｉ（Ｍｎ１，１） ．ｅｎｄ
集成电路专业 黑龙江大学
Vdd Vg
W=2u, L=1u
gate in Vin
W=2u, L=1u 0
out
C1=1pF
《CMOS模拟集成电路设计》
21
Amp2
x1=777.27m x2=2.55 dx=1.77
v(out) 0.00
2.5
2.0
Voltage (V)
1.5
静态工作点0.77V
1.0
100k
1M
10M
100M
1G
Frequency (Hz)
集成电路专业
黑龙江大学
《CMOS模拟集成电路设计》
黑龙江大学 《CMOS模拟集成电路设计》 16
Ｗ＝１ｕ Ｌ＝１ｕ
ｏｕｔ Ｖｄｄ ｉｎ Ｃ１＝１ｐＦ Ｖｉｎ
Ｗ＝２ｕ Ｌ＝１ｕ
０
集成电路专业
实验６．２ 有源负载反相器瞬态分析
在刚才的电路上，对Ｖｉｎ加上一个１ＭｅｇＨｚ， ０．７５Ｖ中心电压 ，０．０１Ｖ振幅 的信号 Ｖｉｎ ｎｏｄｅ１ ｎｏｄｅ２ ｓｉｎ ０．７５ ０．０１ １ｍｅｇ 做 ｔｒａｎ分析，到 １０ｕ，步长为１ｎ．
电流源反相器仿真
２． 仿真其ＡＣ特性，找到增益及单位增益带宽
Vdd Vg
W=2u, L=1u
gate in Vin
W=2u, L=1u 0
out
C1=1pF
Ｍｐ１ ｏｕｔ ｇａｔｅ ｖｄｄ ｖｄｄ ｐｃｈ Ｗ＝２ｕ Ｌ＝１ｕ Ｍｎ１ ｏｕｔ ｉｎ ０ ０ ｎｃｈ Ｗ＝２ｕ Ｌ＝１ｕ Ｃ１ ｏｕｔ ０ １ｐＦ ．ａｃ ＤＥＣ ５ １ １Ｇ ．ｐｒｉｎｔ ａｃ ｖｄｂ（ｏｕｔ） ．ｅｎｄ
黑龙江大学
《CMOS模拟集成电路设计》
19
10.29 0
增益10.29dB 单位增益带宽16.23MHz
16.23MHz
20
集成电路专业
黑龙江大学
《CMOS模拟集成电路设计》
实验７．１ 电流源反相器仿真
１．仿真其ＤＣ特性，找到静态工作点
＊Ｃｕｒｒｅｎｔ ｓｏｕｒｃｅ Ｉｎｖｅｒｔｅｒ ．ｌｉｂ ＇ｍｉｘ０２５＿１．ｌ＇ ｔｔ Ｖｄ ｖｄｄ ０ ２．５Ｖ Ｖｇ ｇａｔｅ ０ １．２５Ｖ Ｖｉｎ ｉｎ ０ Ｍｐ１ ｏｕｔ ｇａｔｅ ｖｄｄ ｖｄｄ ｐｃｈ Ｗ＝２ｕ Ｌ＝１ｕ Ｍｎ１ ｏｕｔ ｉｎ ０ ０ ｎｃｈ Ｗ＝２ｕ Ｌ＝１ｕ Ｃ１ ｏｕｔ ０ １ｐＦ ．ｄｃ Ｖｉｎ ０Ｖ ２．５Ｖ ０．０１ ．ｐｒｉｎｔ ｄｃ ｖ（ｏｕｔ） ．ｅｎｄ
《CMOS模拟集成电路设计》
3
实验１
• ＩＤ与ＶＧＳ关系
１ ２
单管仿真
＊ＮＭＯＳ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ ．ｌｉｂ ＇ｍｉｘ０２５＿１．ｌ＇ ｔｔ Ｖｄ １ ０ １Ｖ Ｖｇ ２ ０ １Ｖ Ｍｎ１ １ ２ ０ ０ ｎｃｈ Ｗ＝１ｕ Ｌ＝２ｕ ．ｄｃ Ｖｇ ０Ｖ ３Ｖ ０．０１
Ｖｄ Ｖｇ
０
随栅压变化
输出电流语法： ．ｐｒｉｎｔ ｉ（ｄｅｖｉｃｅ，ｐｏｒｔ）
0.5
0.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
Vin (V)
集成电路专业
黑龙江大学
《CMOS模拟集成电路设计》