第十四结 异质结
异质结形成的条件
异质结形成的条件1. 异质结的定义和基本概念异质结是指由两种或两种以上材料组成的结构，其中每种材料的特性和性质不同。
在异质结中，由于材料之间的界面形成了能带偏移和电场分布等不均匀性，导致了一系列特殊的物理现象和电学性质。
2. 异质结形成的条件2.1 材料选择形成异质结的第一个条件是选择不同特性和性质的材料。
这些材料可以是金属、半导体或绝缘体。
在选择材料时，需要考虑它们的晶体结构、能带结构、禁带宽度以及材料的化学稳定性等因素。
2.2 温度和压力控制在形成异质结的过程中，温度和压力的控制非常重要。
温度控制可以影响材料的晶体生长和结晶度，从而影响异质结的质量和性能。
压力控制可以改变材料的晶格常数和晶体结构，进而影响异质结的能带偏移和界面形貌。
2.3 表面处理和界面设计在形成异质结之前，需要对材料的表面进行处理，以去除表面的氧化物、杂质和缺陷等。
表面处理可以通过机械抛光、化学腐蚀或离子束刻蚀等方法实现。
此外，还需要设计合适的界面结构和界面能级，以实现能带对齐和电荷传输等特殊的电学性质。
2.4 生长技术和工艺条件形成异质结的常用方法包括分子束外延（MBE）、金属有机化学气相沉积（MOCVD）、物理气相沉积（PVD）和化学气相沉积（CVD）等。
在选择生长技术时，需要考虑材料的熔点、挥发性和反应性等因素。
此外，还需要控制生长的温度、气氛、压力和生长速率等工艺条件，以实现异质结的质量和性能要求。
3. 异质结的应用异质结由于其特殊的电学性质和物理现象，在电子器件中得到广泛应用。
以下是一些常见的异质结应用：•二极管：异质结二极管是最简单的异质结器件，利用材料之间的能带偏移和电场分布来实现电流的单向传输。
它广泛应用于电源管理、通信、光电子和太阳能电池等领域。
•太阳能电池：太阳能电池利用异质结的光电效应将太阳能转换为电能。
其中最常见的是硅异质结太阳能电池，由p型硅和n型硅组成的异质结可以将光子能量转化为电子能量。
•激光器：激光器利用异质结的能带偏移和电子-空穴复合效应来实现光放大和激光发射。
异质结
N AND pn n ≈ k BT ln 1 2 = k BT ln 2 ni2 n1 p1 n1
即内建电势取决于两种半导体载流子浓度的比值。具体到pN结，取 决于N型半导体中的多子（电子）与p型中的少子（电子）浓度比。
§2.3 半导体异质结
根据《半导体物理》的结论，p区和N区各自的内建电势分别是 2 eN A x 2 eN N x N p , VDN = VDp = 2ε p 2ε N 若近似认为，正负电荷在耗尽层是均匀分布的，则电中性条件为
Space charge region
Vo
(f)
x
nno ni
npo
(c)
PE(x) eVo Hole PE(x)
pno
ρnet
x=0 M x
x Electron PE(x)
(g)
eNd
W 杴p Wn
x
(d)
eV 杴o
-eNa
Properties of the junction. pn
§2.3 半导体异质结
由两种性质带隙宽度不同的半导体材料通过一定的生长方法所形成一突变异质结pn1pn结的形成与能带图窄带隙的p型半导体与宽带隙的n型半导体生长一起时界面处出现了载流子的浓度差于是n中的电子向p中扩散相反p中的空穴也会向n中扩散在界面形成空间电荷内建电场e扩散迁移23半导体异质结1960年anderson用能带论分析了pn结的形成与有关问题直观而深刻并得到一些十分有用的结论称为anderson模型
3、载流子的输运 Anderson模型：零偏压时，由N向p越过势垒VDN的电子流应与从p到 N越过势垒∆Ec-VDp的电子流相等，即
∆E − eVDp eV = B2 exp − DN B1 exp − c k T k BT B D N D N B1 = e ⋅ n 2 10 , B2 = e ⋅ n1 20 Ln 2 Ln1 Ln1 = Dn1τ e1 , Ln 2 = Dn 2τ e 2
半导体光电子学 §2.1 异质结及其能带图
p
n
+
-+
-
-+
势扩中 垒散性
区区区
一.pN异型异质结
由电子型半导体中电离施主和空穴型半 导体受主组成。
Ec x1 x2
Ev
(E g2
x2 ) (Eg1
x1 )
Eg x Eg Ec
二.突变同型异质结
❖ nN , pP
1.同型异质结由多数载流子相互扩散形成空间电荷区
2.同型异质结性质 → 扩散
4. Eg: X: Φ:
不同， 能带不同
F:
x1
Ec1
Ev1
1
Ec Eg1
Ev
-+
x1 x2 1 2 x1 Eg1 x2 Eg 2
1
2 Ec2
-+
F
+
Ev
Ev 2
形成结后能带
三.缓变异质结
1.能带不连续性小时，尖峰、尖谷淡化
2.在外加电场作用下，缓变结与突变结有相同的性
第二章 异质结
§2 – 1 异质结及其能带图
①异质结:两种禁带宽度不同的半导体材料，通过一定 的生长方法所形成的结。
②分 类
按电荷分布 按掺杂类型
突变结
缓变结 同型异质结 p-P,n-N
异型异质结 p-N,n-P
③ 能带图 界面上静电场是不连续的；功函数Φ；电子
亲和势X 电子势能增加方向
真空能级
质，Ec
、Ev
和
E
有一定的关系
g
加正向偏压 v f 时，外加电场与内建电场方
向相反，空间电荷相应减少，势垒区宽度减少， 扩散运动超过了漂移运动 qvD q(vD v f ) ， 载流子扩散运动超过了漂移运动→成为正向电流。
异质结
异质结百科名片异质结，两种不同的半导体相接触所形成的界面区域。
按照两种材料的导电类型不同，异质结可分为同型异质结（P-p结或N-n结）和异型异质(P-n 或p-N)结，多层异质结称为异质结构。
通常形成异质结的条件是：两种半导体有相似的晶体结构、相近的原子间距和热膨胀系数。
利用界面合金、外延生长、真空淀积等技术，都可以制造异质结。
异质结常具有两种半导体各自的PN结都不能达到的优良的光电特性，使它适宜于制作超高速开关器件、太阳能电池以及半导体激光器等。
目录[隐藏][编辑本段]基本特性所谓半导体异质结构，就是将不同材料的半导体薄膜，依先后异质结次序沉积在同一基座上。
例如图2所描述的就是利用半导体异质结构所作成的雷射之基本架构。
半导体异质结构的基本特性有以下几个方面。
(1) 量子效应：因中间层的能阶较低，电子很容易掉落下来被局限在中间层，而中间层可以只有几十埃（1埃＝10-10米）的厚度，因此在如此小的空间内，电子的特性会受到量子效应的影响而改变。
例如：能阶量子化、基态能量增加、能态密度改变等，其中能态密度与能阶位置，是决定电子特性很重要的因素。
(2) 迁移率(Mobility)变大：半导体的自由电子主要是由于外加杂质的贡献，因此在一般的半导体材料中，自由电子会受到杂质的碰撞而减低其行动能力。
然而在异质结构中，可将杂质加在两边的夹层中，该杂质所贡献的电子会掉到中间层，因其有较低的能量（如图3所示）。
因此在空间上，电子与杂质是分开的，所以电子的行动就不会因杂质的碰撞而受到限制，因此其迁移率就可以大大增加，这是高速组件的基本要素。
(3)奇异的二度空间特性：因为电子被局限在中间层内，其沿夹层的方向是不能自由运动的，因此该电子只剩下二个自由度的空间，半导体异质结构因而提供了一个非常好的物理系统可用于研究低维度的物理特性。
低维度的电子特性相当不同于三维者，如电子束缚能的增加、电子与电洞复合率变大，量子霍尔效应，分数霍尔效应[1]等。
材料科学中的异质结研究
材料科学中的异质结研究异质结是材料科学中经常研究的一个重要领域。
随着现代科技的发展，我们对于异质结材料的研究和应用也变得越来越深入。
本文将简要介绍异质结的概念、分类、制备方法和应用领域。
一、异质结的概念异质结是由两种或两种以上不同的材料组成的结构，在这些材料的交界面上形成的一种特殊结构。
异质结具有独特的物理、化学和电学特性，具有广泛的应用领域，包括太阳能电池、LED、激光器、高速晶体管等。
二、异质结的分类根据材料的性质和结构，异质结可以分为以下几种：1. 纵向异质结：由两种或两种以上材料按照垂直于器件面的方向交替堆积而成。
2. 横向异质结：由两种或两种以上材料在器件面方向交替堆积而成。
3. 膜层异质结：将多种材料按照一定顺序或周期性地沉积在基板上，形成的多层结构。
4. 核－壳异质结：以一种纳米颗粒为“核”，另一种材料在其表面上沉积，形成核－壳结构。
5. 点阵异质结：两种或两种以上材料按照一定的顺序和空间排列方式交替排布而成。
三、异质结的制备方法现代材料科学中，制备异质结有各种不同的方法，包括物理方法、化学方法和生物方法等。
1. 物理方法物理方法主要包括物理沉积、分子束外延、熔冷法、物理气相沉积等方法。
这些方法具有制备高质量异质结的优点，但是成本较高，需要相对复杂的设备和条件。
2. 化学方法化学方法包括化学气相沉积、溶胶－凝胶法、溶液沉积等方法。
这些方法相对简单、灵活，成本较低，适用范围也更广。
3. 生物方法生物方法主要是利用生物学特性来制备异质结材料，包括生物矿化、生物还原和生物合成等。
这些方法能够在常温下在生物环境中制备高质量的异质结，具有很高的应用潜力。
四、异质结的应用领域异质结的应用领域非常广泛，包括能源、信息、生物医学等方面。
1. 能源随着全球对于清洁能源需求的增加，太阳能电池和LED等器件的发展越来越受到重视。
异质结材料具有很好的光、电、热性质，非常适合制备高效太阳能电池和LED等设备。
异质结形成的条件
异质结形成的条件引言：异质结是指由两种或更多种不同材料组成的结构，在材料界面上形成的交界面。
异质结的形成对于材料性能的改善和应用具有重要意义。
本文将从几个方面介绍异质结形成的条件。
一、晶格匹配性晶格匹配是指异质结中各种材料晶格的匹配程度。
晶格匹配性是异质结形成的基本条件之一。
当两种材料的晶格参数相近、晶格结构相似时，易形成晶格匹配的异质结。
晶格匹配性较好的异质结可以提高材料的机械性能和热导率等性能。
二、界面能量界面能量是指异质结界面上的能量状态。
异质结的形成需要考虑两种材料之间的界面能量，使得界面能量尽可能低。
当两种材料的界面能量相近时，易形成稳定的异质结。
界面能量低的异质结具有较好的结构稳定性和界面结合强度。
三、原子间相互作用异质结的形成需要考虑原子间的相互作用。
原子间相互作用包括吸引力和排斥力两种。
当两种材料的原子间相互作用相近时，易形成稳定的异质结。
原子间相互作用较强的异质结具有较好的结构稳定性和界面结合强度。
四、晶体生长条件异质结的形成需要考虑晶体生长条件。
晶体生长条件包括温度、压力、溶液浓度等因素。
当两种材料的晶体生长条件相近时，易形成稳定的异质结。
晶体生长条件适宜的异质结具有较好的结晶质量和晶体形态。
五、外界应力外界应力是指外界对异质结施加的力或应力。
外界应力可以通过应力的作用改变材料的晶体结构和性能。
当两种材料的外界应力相近或相互补充时，易形成稳定的异质结。
外界应力合适的异质结具有较好的力学性能和耐久性。
六、界面反应界面反应是指异质结界面上的化学反应。
界面反应可以改变材料的化学组成和界面结构。
当两种材料之间存在适当的界面反应时，易形成稳定的异质结。
界面反应适宜的异质结具有较好的化学稳定性和界面结合强度。
七、材料选择材料选择是指选取适合形成异质结的材料。
材料选择需要考虑材料的物理性质、化学性质和应用要求等因素。
选择合适的材料可以提高异质结的形成率和性能优势。
结论：异质结形成的条件是晶格匹配性、界面能量、原子间相互作用、晶体生长条件、外界应力、界面反应和材料选择等因素的综合影响。
异质结发展现状及原理
异质结发展现状及原理pn结是组成集成电路的主要细胞。
50年代pn结晶体管的发明和其后的发展奠定了这一划时代的技术革命的基础。
pn结是在一块半导体单晶中用掺杂的办法做成两个导电类型不同的部分。
一般pn结的两边是用同一种材料做成的(例如锗、硅及砷化镓等)，所以称之为“同质结”。
如果把两种不同的半导体材料做成一块单晶，就称之为“异质结“。
结两边的导电类型由掺杂来控制，掺杂类型相同的为“同型异质结”。
掺杂类型不同的称为“异型异质结”。
另外,异质结又可分为突变型异质结和缓变型异质结,当前人们研究较多的是突变型异质结。
1 异质结器件的发展过程pn结是组成集成电路的主要细胞,50年代pn结晶体管的发明及其后的发展奠定了现代电子技术和信息革命的基础。
1947年12月,肖克莱、巴丁和布拉顿三人发明点接触晶体管。
1956年三人因为发明晶体管对科学所做的杰出贡献,共同获得了科学技术界的最高荣誉——诺贝尔物理学奖。
1949年肖克莱提出pn结理论,以此研究pn结的物理性质和晶体管的放大作用,这就是著名的晶体管放大效应。
由于技术条件的限制,当时未能制成pn结型晶体管,直到1950年才试制出第一个pn结型晶体管。
这种晶体管成功地克服了点接触型晶体管不稳定、噪声大、信号放大倍数小的缺点。
1957年,克罗默指出有导电类型相反的两种半导体材料制成异质结,比同质结具有更高的注入效率。
1962年,Anderson提出了异质结的理论模型,他理想的假定两种半导体材料具有相同的晶体结构,晶格常数和热膨胀系数,基本说明了电流输运过程。
1968年美国的贝尔实验室和苏联的约飞研究所都宣布做成了双异质结激光器。
1968年美国的贝尔实验室和RCA公司以及苏联的约飞研究所都宣布做成了GaAs—AlxGal—。
As双异质结激光器l；人5)．他们选择了晶格失配很小的多元合金区溶体做异质结对．在70年代里，异质结的生长工艺技术取得了十分巨大的进展．液相夕随(LPE)、气相外延(VPE)、金属有机化学气相沉积(MO—CVD)和分子束外延(MBE)等先进的材料生长方法相继出现，因而使异质结的生长日趋完善。
异质结 science 光催化-概述说明以及解释
异质结science 光催化-概述说明以及解释1.引言1.1 概述概述随着社会的发展和环境问题的日益突出，寻找一种高效、可持续的能源和环境治理手段成为了科学家们的共同关注。
在这方面，光催化技术作为一种有巨大潜力的技术，逐渐引起了广泛的关注和研究。
光催化技术借助于光能的转化和利用，通过光生电子-空穴对的产生和利用，实现了一系列的能源转化和环境治理过程。
其中，异质结在光催化中具有重要作用。
异质结由两种或多种不同材料的界面组成，通过在界面上形成能带偏差，从而实现光生电子-空穴对的高效分离。
这种异质结的能带偏差使得光生电子和空穴有利于在异质结界面上进行化学反应，达到了光催化技术的高效转化。
光催化技术在环境治理领域的应用广泛，如水污染治理、VOCs处理、二氧化碳减排等。
而异质结在其中的作用是不可忽视的。
通过合理设计和调控异质结的结构和组分，可以实现对特定污染物的高效降解和转化，从而达到环境净化的目的。
此外，对于能源转化领域而言，光催化技术也具备巨大的潜力。
通过利用太阳能等清洁能源，光催化技术可以实现水分解产氢、太阳能电池等能源转化过程。
而异质结的引入，可以进一步提高光催化材料的光吸收和电子传输效率，实现光催化过程的可持续和高效转化。
综上所述，异质结在光催化中具有重要作用，通过其独特的能带结构和界面特性，实现了光生电子-空穴对的高效分离和利用。
因此，深入研究异质结在光催化中的应用以及其调控机制，将为环境治理和能源转化领域的发展提供新的思路和解决方案。
在本文接下来的部分，将介绍光催化技术的原理和异质结的相关研究进展，以期为读者带来全面而深入的了解。
文章结构部分的内容可以编写如下：1.2 文章结构本文主要分为三个部分，包括引言、正文和结论。
引言部分主要介绍本文研究的背景和意义，首先概述了异质结科学和光催化技术的研究现状以及其在环境治理、能源转化等领域的重要性。
接着，简要说明了本文的结构，即分别介绍异质结的基本概念和光催化的原理，然后探讨异质结在光催化中的应用，并对未来的发展进行展望。
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从而求得电子扩散电流密度
qDn1n10 d n1 x n1 J n qDn1 dx Ln1 x x1 qV exp k T 1 0
(9-62)
上式为由n型区注入p型区的电子扩散电流密度，以下计算
由p型区注入n型区的空穴电流密度。从p区价带顶的空穴
考虑表面能级的作用时的能级图
施主 作用 (p型)
表面态在界面是普遍存在的， 界面能级弯曲由a较小的一方决定； 界面形成积累层、耗尽层；
考虑表面能级的作用时的能级图
受主 作用 (n型)
内容
半导体异质结的简介 异质结的能带结构
异质结的特性 异质结的应用简介
突变异质结的势垒高度和
第十四节 半导体异质结
内容
半导体异质结的简介 异质结的能带结构
异质结的特性 异质结的应用简介
半导体异质结？
由两种不同的半导体材料组成的结，则称为异质结。 本章主要讨论半导体异质结的能带结构、异质pn结的电流 电压特性与注入特性及各种半导体量子阱结构及其电子能 态，并简单介绍一些应用。
以突变pn异质结为例 设p型和n型半导体中的杂质都是均匀分布的，则交界面两 边的势垒区中的电荷密度可以写成
x1 x x0 , 1 ( x) qNA1 x0 x x2 , 2 ( x) qND 2
势垒区总宽度为
X D x2 x0 x0 x1 d2 d1
界面态形成的主要原因：晶格失
配
两种半导体晶格常数a1，a2（ a1<a2），定义晶格失配为： 2(a2-a1)/(a2+a1)
异质结界面，晶格常数较小的半导体存在一部分的不饱和 键，称为悬挂键；悬挂键产生了界面态；
悬挂键密度为界面两端键密度之差：
N s N s1 N s 2
晶格失配引入悬挂键
势垒区内的正负电荷总量相等，即
(9-12)
qNA1 ( x0 x1 ) qND 2 ( x2 x0 ) Q
式（9-13）可以化简为
(9-13)
x0 x1 N D 2
x2 x0 N A1
面两边的泊松方程分别为：
(9-14)
设 V(x) 代表势垒区中 x电的电势，则突变反型异质结交界
(9-60)
在稳定情况下， p 型半导体中注入少数载流子运动的连续
性方程为
d n1 x n1 x n1 Dn 0 2 dx n
2
(9-61)
其通解为
x x n1 x n1 A exp L B exp L n1 n1
qV DEc n1 n2 exp k T 0
(9-59)
取交界面x=0，当异质结加正 向偏压V时
qVD V Ec qV n1 x1 n20 exp n10 exp k0T k0T
势垒高度为
qVD1 qVD2 EV qV EV
在热平衡时n型半导体中少数载流子空穴的浓度与p型半导 体中的空穴浓度关系
qVD EV p20 p10 exp k T 0
(9-63)
正向电压V时在n区x=x2处的空穴浓度增加为
qVD V EV qV p20 p10 exp p20 exp k T k T 0 0
半导体异质结的分类
根据两种半导体单晶材料的导电类型，异质 结又分为以下两类： 反型异质结，指有导电类型相反的两种不 同的半导体单晶材料所形成的异质结 同型异质结，指有导电类型相同的两种不 同的半导体单晶材料所形成的异质结。 异质结也可以分为突变型异质结（过渡区~ 几个原子层）和缓变形异质结（过渡区~几 个扩散长度）。
则能带总的弯曲量就是真空电子能级的弯 曲量即
qVD qVD1 qVD2 EF 2 EF1
显然
VD VD1 VD 2
(9-4)
两种半导体的导带底在交界面的处突变 为（导带阶） Ec 1 2 而且 Ec Ev Eg 2 Eg 2
而价带顶的突变（价带阶）Ev Eg 2 Eg1 外加电压的情况下，突变反型异质结处于热
平衡状态时得到的一些公式。若在异质结上施加外加电压
V。可以得到异质结处于非平衡状态时的一系列公式：
2 q N D2 X D N A1 X D VD V 2 2 N A1 N N 1 N D 2 N N D2 D 2 1 2 A1 A1
Al0.3Ga0.7 As 和窄禁带p型GaAs组成的pn结 为例，其禁带宽度之差 E 0.37 eV ，设p区掺杂浓度 为 2 1019 cm3 ，n区掺杂浓度为 5 1017 cm3 由上式可
得
E J n N D2 4 exp 4 10 k T Jp N A1 0
(9-42)
21 2 N A1 N D 2 2 VD V XD qNA1 N D 2 1 N A1 2 N D 2
1 2
(9-43)
半导体异质pn结的电流电压特性及注入 特性
如图半导体异质pn结界面导带 连接处存在一势垒尖峰，根据 尖峰高低的不同有两种情况。
(9-6)
(9-5)
式 (9-4) 、式 (9-5) 和式 (9-6) 对所有突变异
质结普遍适用。
p-n-Ge-GaAs异质结的能带图
突变np异质结的能带图
突变nn异质结
对于反型异质结，两种半导体材料的交界面两边都成了 耗尽层；而在同型异质结中，一般必有一边成为积累层。
突变pp异质结
界面态的影响
同质pn结：
内容
半导体异质结的简介 异质结的能带结构
异质结的特性 异质结的应用简介
异质结的一些特性和应用
注入特性：
高注入比； 超注入现象；
界面二维电子气；
共振隧穿效应；
超晶格结构；
qDn1 q(VD EC ) qV Jn n20 exp[ ]exp 1 Ln1 k0T k0T Jp qDp 2 Lp 2 q(VD EV ) qV p10 exp[ ]exp 1 k0T k0T
与面原子密度差别？
表面能级的作用
根据表面能级理论计算求得，当 金刚石结构的晶体表面能级密度 在1013cm-2以上时，在表面处的费 米能级位于禁带宽度的1/3处（巴 丁极限） 对于n型半导体，悬挂键起受主作 用，因此表面能级向上弯曲。
对于p型半导体悬挂键起施主作用
，因此表面能级向下弯曲。
内容
半导体异质结的简介 异质结的能带结构
异质结的特性 异质结的应用简介
突变型异质结的能带结构
忽略界面态影响； 如图表示两种不同的半导体材料没有形成异质结前的热平 衡能带图。有下标“1”者为禁带宽度小的半导体材料的 物理参数，有下标“2”者为禁带宽度大的半导体材料的 物理参数。
平衡时，两块半导体有统一的费米能级
异质pn结电子电流与空穴电流的注入比为
E J n Dn1nD 2 L p 2 exp J p D p 2 n A1 Ln1 k T 0
E J n Dn1n20 L p 2 exp k T J p D p 2 n10 Ln1 0
以宽禁带n型
(9-33)
(9-34)
(9-35)
从而算得势垒区宽度XD为
21 2 N A1 N D 2 2VD XD qNA1 N D 2 2 N D 2 1 N A1
1 2
(9-36)
交VD1与VD2之比为
VD1 2 N D 2 VD 2 1 N A1
由式（9-12）（9-14）得
N D2 X D （x0 x1 ) N A1 N D 2 N A1 X D （x2 x0 ) N A1 N D 2
将上述两式代入（9-30）得
2 2 q N D2 X D N A1 X D VD 2 2 N A1 N N 1 N D 2 N N D2 D2 1 2 A1 A1
金刚石/纤锌矿结构：Si，Ge， GaN，AlN，GaAs，ZnO等
金刚石结构界面悬键密度：
2 a2 a12 N s 4 2 2 a1 a2 2 4 a2 a12 N s 2 2 2 a1 a2
（100）
（110）
2 4 a2 a12 N s （111） 2 2 3 a1 a2
EF EF1 EF 2
因而异质结处于热平衡状态。两块半导 体材料交界面的两端形成了空间电荷区 。n型半导体一边为正空间电荷区，p型 半导体一边为负空间电荷区。正负空间 电荷间产生电场，也称为内建电场，因 为电场存在，电子在空间电荷区中各点 有附加电势能， 1.能带发生了弯曲。 2.能带在交界面处不连续，有一个突变
图a表示势垒尖峰低于p区导带
底的情况，称为低势垒尖峰情 况，图b表示势垒尖峰高于p区 导带底的情况，称为高势垒尖 峰情况（热发射）。
根据上述，低尖峰势垒情形是异质结的电子流主要由扩散
机制决定，可用扩散模型处理，如图9.11中图a和图b分别 表示其零偏压时和正偏压时的能带图。 p型半导体中少数 载流子浓度n10与n型半导体中多数载流子浓度的关系为：