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电力电子技术试卷及答案

电力电子技术试卷及答案

一、填空题(每空1分,34分)1、实现有源逆变的条件为和.2、在由两组反并联变流装置组成的直流电机的四象限运行系统中,两组变流装置分别工作在正组状态、状态、反组状态、状态。

3、在有环流反并联可逆系统中,环流指的是只流经而不流经的电流。

为了减小环流,一般采用αβ状态。

4、有源逆变指的是把能量转变成能量后送给装置.5、给晶闸管阳极加上一定的电压;在门极加上电压,并形成足够的电流,晶闸管才能导通.6、当负载为大电感负载,如不加续流二极管时,在电路中出现触发脉冲丢失时与电路会出现失控现象.7、三相半波可控整流电路,输出到负载的平均电压波形脉动频率为H Z;而三相全控桥整流电路,输出到负载的平均电压波形脉动频率为H Z;这说明电路的纹波系数比电路要小.8、造成逆变失败的原因有、、、等几种。

9、提高可控整流电路的功率因数的措施有、、、等四种。

10、晶闸管在触发开通过程中,当阳极电流小于电流之前,如去掉脉冲,晶闸管又会关断。

三、选择题(10分)1、在单相全控桥整流电路中,两对晶闸管的触发脉冲,应依次相差度。

A 、180度;B、60度;C、360度;D、120度;2、α= 度时,三相半波可控整流电路,在电阻性负载时,输出电压波形处于连续和断续的临界状态.A、0度;B、60度; C 、30度;D、120度;3、通常在晶闸管触发电路中,若改变的大小时,输出脉冲相位产生移动,达到移相控制的目的。

A、同步电压;B、控制电压;C、脉冲变压器变比;4、可实现有源逆变的电路为。

A、单相全控桥可控整流电路B、三相半控桥可控整流电路C、单相全控桥接续流二极管电路D、单相半控桥整流电路5、由晶闸管构成的可逆调速系统中,逆变角βmin选时系统工作才可靠。

A、300~350B、100~150C、00~100D、00四、问答题(每题9分,18分)1、什么是逆变失败?形成的原因是什么?2、为使晶闸管变流装置正常工作,触发电路必须满足什么要求?五、分析、计算题:(每题9分,18分)1、三相半波可控整流电路,整流变压器的联接组别是D/Y—5,锯齿波同步触发电路中的信号综合管是NPN型三极管。

电力电子技术试题20套及答案.docx

电力电子技术试题20套及答案.docx

精品文档考试试卷(1)卷一、填空题(本题共8 小题,每空 1 分,共 20 分)1、电子技术包括______________和电力电子技术两大分支,通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。

2、为减少自身损耗,提高效率,电力电子器件一般都工作在_________状态。

当器件的工作频率较高时,_________损耗会成为主要的损耗。

3、在 PWM 控制电路中,载波频率与调制信号频率之比称为_____________ ,当它为常数时的调制方式称为_________调制。

在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段,每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为___分段同步 _________调制。

4、面积等效原理指的是,___冲量 ______相等而 __形状 _____不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时,其效果基本相同。

5、在 GTR、GTO、IGBT 与 MOSFET 中,开关速度最快的是 __MOSFET_,单管输出功率最大的是 __GTO_,应用最为广泛的是 __IGBT___。

6、设三相电源的相电压为U2,三相半波可控整流电路接电阻负载时,晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值,即,其承受的最大正向电压为。

7、逆变电路的负载如果接到电源,则称为逆变,如果接到负载,则称为逆变。

8、如下图,指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用 V1,VD1,V2,VD2 表示 )。

(1)0~t1 时间段内,电流的通路为___VD1_____ ; (2) t1~t2 时间段内,电流的通路为 ___V1____ ;(3)t2~t3 时间段内,电流的通路为__VD2_____ ;(4) t3~t4 时间段内,电流的通路为 __V2_____ ;(5) t4~t5时间段内,电流的通路为___VD1____ ;.精品文档二、选择题(本题共10 小题,前 4 题每题 2 分,其余每题 1 分,共 14 分)1、单相桥式PWM 逆变电路如下图,单极性调制工作时,在电压的正半周是(B)A、V1 与 V4 导通, V2 与 V3 关断B、 V1 常通, V2 常断, V3 与 V4 交替通断C、V1 与 V4 关断, V2 与 V3 导通D、 V1 常断, V2 常通, V3 与 V4 交替通断2、对于单相交流调压电路,下面说法错误的是(C)A、晶闸管的触发角大于电路的功率因素角时,晶闸管的导通角小于 180 度B、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角时,必须加宽脉冲或脉冲列触发,电路才能正常工作C、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角正常工作并达到稳态时,晶闸管的导通角为180度D、晶闸管的触发角等于电路的功率因素角时,晶闸管的导通角不为180 度3、在三相三线交流调压电路中,输出电压的波形如下图所示,在t1~t2 时间段内,有()晶闸管导通。

电力电子技术试题及答案

电力电子技术试题及答案

电力电子技术试题及答案一、单项选择题(每题2分,共20分)1. 电力电子技术主要研究的是()。

A. 电力系统的运行与控制B. 电力系统的规划与设计C. 电力电子器件及其应用D. 电力系统的保护与自动化答案:C2. 下列哪个不是电力电子技术中常用的电力电子器件?()A. 晶闸管B. 绝缘栅双极晶体管C. 继电器D. 功率场效应晶体管答案:C3. 电力电子变换器的主要功能是()。

A. 功率放大B. 电压变换C. 电流变换D. 以上都是答案:D4. 电力电子技术在以下哪个领域应用最为广泛?()A. 通信技术B. 电力系统C. 计算机技术D. 机械制造答案:B5. 晶闸管的导通条件是()。

A. 阳极电压高于阴极电压B. 门极电压高于阳极电压C. 阳极电流大于阴极电流D. 门极电流大于零答案:D二、多项选择题(每题3分,共15分)1. 电力电子技术在以下哪些领域有应用?()A. 电力系统B. 交通系统C. 工业自动化D. 家用电器答案:ABCD2. 电力电子变换器可以实现以下哪些功能?()A. 交直流转换B. 直流电压变换C. 交流电压变换D. 功率因数校正答案:ABCD3. 下列哪些是电力电子技术中常用的控制方式?()A. 脉宽调制B. 脉冲频率调制C. 恒压控制D. 恒流控制答案:ABD三、填空题(每题2分,共10分)1. 电力电子技术中,______是一种常用的交流-直流变换器。

答案:整流器2. 电力电子器件的开关特性决定了其在______电路中的应用。

答案:开关电源3. 电力电子技术在______领域可以实现能量的高效转换。

答案:新能源4. 电力电子变换器的输出电压与输入电压之间的关系可以通过______实现控制。

答案:调制技术5. 电力电子技术在______系统中可以实现对电机的精确控制。

答案:伺服驱动四、简答题(每题5分,共20分)1. 简述电力电子技术在电力系统中的应用。

答案:电力电子技术在电力系统中的应用主要包括电力系统的稳定控制、电能质量的改善、电力系统的自动化管理、以及电力系统的保护等。

最全电力电子技术试题及答案

最全电力电子技术试题及答案

最全电力电子技术试题及答案1、请在空格内标出下面元件的简称:电力晶体管GTR;可关断晶闸管GTO ;功率场效应晶体管MOSFET;绝缘栅双极型晶体管IGBT;IGBT是MOSFET 和GTR 的复合管。

2、晶闸管对触发脉冲的要求是要有足够的驱动功率、触发脉冲前沿要陡幅值要高和触发脉冲要与晶闸管阳极电压同步。

3、多个晶闸管相并联时必须考虑均流的问题,解决的方法是串专用均流电抗器。

4、在电流型逆变器中,输出电压波形为正弦波波,输出电流波形为方波波。

5、型号为KS100-8的元件表示双向晶闸管晶闸管、它的额定电压为800V伏、额定有效电流为100A安。

6、180°导电型三相桥式逆变电路,晶闸管换相是在_同一桥臂上的上、下二个元件之间进行;而120º导电型三相桥式逆变电路,晶闸管换相是在_不同桥臂上的元件之间进行的。

7、当温度降低时,晶闸管的触发电流会增加、、正反向漏电流会下降、;当温度升高时,晶闸管的触发电流会下降、、正反向漏电流会增加。

8、在有环流逆变系统中,环流指的是只流经两组变流器之间而不流经负载的电流。

环流可在电路中加电抗器来限制。

为了减小环流一般采用控制角α= β的工作方式。

9、常用的过电流保护措施有快速熔断器、串进线电抗器、接入直流快速开关、控制快速移相使输出电压下降。

(写出四种即可)10、逆变器按直流侧提供的电源的性质来分,可分为电压型型逆变器和电流型型逆变器,电压型逆变器直流侧是电压源,通常由可控整流输出在最靠近逆变桥侧用电容器进行滤波,电压型三相桥式逆变电路的换流是在桥路的本桥元件之间元件之间换流,每只晶闸管导电的角度是180º度;而电流型逆变器直流侧是电流源,通常由可控整流输出在最靠近逆变桥侧是用电感滤波,电流型三相桥式逆变电路换流是在异桥元件之间元件之间换流,每只晶闸管导电的角度是120º度。

11、直流斩波电路按照输入电压与输出电压的高低变化来分类有降压斩波电路;升压斩波电路;升降压斩波电路。

电力电子技术试题20套及答案

电力电子技术试题20套及答案

考试试卷( 1 )卷一、填空题(本题共8小题,每空1分,共20分)1、电子技术包括______________和电力电子技术两大分支,通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。

2、为减少自身损耗,提高效率,电力电子器件一般都工作在_________状态。

当器件的工作频率较高时,_________损耗会成为主要的损耗。

3、在PWM控制电路中,载波频率与调制信号频率之比称为_____________,当它为常数时的调制方式称为_________调制。

在逆变电路的输出频率围划分成若干频段,每个频段载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为___分段同步_________调制。

4、面积等效原理指的是,___冲量______相等而__形状_____不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时,其效果基本相同。

5、在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中,开关速度最快的是__MOSFET_,单管输出功率最大的是__GTO_,应用最为广泛的是__IGBT___。

6、设三相电源的相电压为U2,三相半波可控整流电路接电阻负载时,晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值,即,其承受的最大正向电压为。

7、逆变电路的负载如果接到电源,则称为逆变,如果接到负载,则称为逆变。

8、如下图,指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用V1,VD1,V2,VD2表示)。

(1) 0~t1时间段,电流的通路为___VD1_____;(2) t1~t2时间段,电流的通路为___V1____;(3) t2~t3时间段,电流的通路为__VD2_____;(4) t3~t4时间段,电流的通路为__V2_____;(5) t4~t5时间段,电流的通路为___VD1____;1 / 1112 / 111二、选择题(本题共10小题,前4题每题2分,其余每题1分,共14分)1、单相桥式PWM逆变电路如下图,单极性调制工作时,在电压的正半周是( B )A、V1与V4导通,V2与V3关断B、V1常通,V2常断,V3与V4交替通断C、V1与V4关断,V2与V3导通D、V1常断,V2常通,V3与V4交替通断2、对于单相交流调压电路,下面说法错误的是( C )A、晶闸管的触发角大于电路的功率因素角时,晶闸管的导通角小于180度B、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角时,必须加宽脉冲或脉冲列触发,电路才能正常工作C、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角正常工作并达到稳态时,晶闸管的导通角为180度D、晶闸管的触发角等于电路的功率因素角时,晶闸管的导通角不为180度3、在三相三线交流调压电路中,输出电压的波形如下图所示,在t1~t2时间段,有()晶闸管导通。

电力电子技术试题及答案

电力电子技术试题及答案

电力电子技术试题1、请在空格内标出下面元件的简称:电力晶体管GTR;可关断晶闸管GTO;功率场效应晶体管MOSFET;绝缘栅双极型晶体管IGBT;IGBT是MOSFET 和GTR 的复合管。

2、晶闸管对触发脉冲的要求是要有足够的驱动功率、触发脉冲前沿要陡幅值要高和触发脉冲要与晶闸管阳极电压同步。

3、多个晶闸管相并联时必须考虑均流的问题,解决的方法是串专用均流电抗器。

4、在电流型逆变器中,输出电压波形为正弦波波,输出电流波形为方波波。

5、型号为KS100-8的元件表示双向晶闸管晶闸管、它的额定电压为800V伏、额定有效电流为100A安。

6、180°导电型三相桥式逆变电路,晶闸管换相是在_同一桥臂上的上、下二个元件之间进行;而120º导电型三相桥式逆变电路,晶闸管换相是在_不同桥臂上的元件之间进行的。

7、当温度降低时,晶闸管的触发电流会增加、、正反向漏电流会下降、;当温度升高时,晶闸管的触发电流会下降、、正反向漏电流会增加。

8、在有环流逆变系统中,环流指的是只流经两组变流器之间而不流经负载的电流。

环流可在电路中加电抗器来限制。

为了减小环流一般采用控制角α= β的工作方式。

9、常用的过电流保护措施有快速熔断器、串进线电抗器、接入直流快速开关、控制快速移相使输出电压下降。

(写出四种即可)10、逆变器按直流侧提供的电源的性质来分,可分为电压型型逆变器和电流型型逆变器,电压型逆变器直流侧是电压源,通常由可控整流输出在最靠近逆变桥侧用电容器进行滤波,电压型三相桥式逆变电路的换流是在桥路的本桥元件之间元件之间换流,每只晶闸管导电的角度是180º度;而电流型逆变器直流侧是电流源,通常由可控整流输出在最靠近逆变桥侧是用电感滤波,电流型三相桥式逆变电路换流是在异桥元件之间元件之间换流,每只晶闸管导电的角度是120º度。

11、直流斩波电路按照输入电压与输出电压的高低变化来分类有降压斩波电路;升压斩波电路;升降压斩波电路。

电力电子技术试题20套及答案

电力电子技术试题20套及答案

t1~t2 时间段内,有(
闸管导通。
)晶
A、1个
B、2 个
C、3 个
D、 4 个
4、对于单相交交变频电路如下图,在
置的工作状态是(

A 、 P 组阻断, N 组整流
C、 N 组阻断, P 组整流
t1~t2 时间段内, P 组晶闸管变流装置与 N 组晶闸管变流装
B 、P 组阻断, N 组逆变 D 、 N 组阻断, P 组逆变
1、简述晶闸管导通的条件与关断条件。( 7 分)
2、电压型逆变电路的主要特点是什么?( 8 分)
3、简述实现有源逆变的基本条件,并指出至少两种引起有源逆变失败的原因( 7 分)
四、 作图题(共 2 小题,每题 12 分,共 24 分)
1、三相全控桥,阻感负载,主回路整流变压器的接法是 D,y5,采用 NPN 管的锯齿
二、选择题(本题共 11 小题, 9, 10,11 小题每题 2 分,其余每题 1 分共 14 分)
1、下列电路中,不可以实现有源逆变的有(
D )。
A 、三相半波可控整流电路
B、三相桥式全控整流电路
C、单相桥式可控整流电路
D 、单相全波可控整流电路外接续流二极管
2、晶闸管稳定导通的条件(
A)
A 、晶闸管阳极电流大于晶闸管的擎住电流
A、
B、
C、 K f =I dT ·I T
D 、 K f =Id T-I T
7、降压斩波电路中,已知电源电压 Ud=16V ,负载电压 U o=12V ,斩波周期 T=4ms,则开通时
T on=( C )
A 、 1ms
B、 2ms
C、 3ms
D、 4ms
8、关于单相桥式 PWM 逆变电路,下面说法正确的是(

电力电子技术试卷(含答案)

电力电子技术试卷(含答案)

电力电子技术试卷(含答案)一.填空(共15分,1分/空)1.电力电子技术通常可分为()技术和()技术两个分支。

2.按驱动电路信号的性质可以将电力电子器件分为()型器件和()型器件两类,晶闸管属于其中的()型器件。

3.晶闸管单相桥式全控整流电路带反电动势负载E时(变压器二次侧电压有效值为U2,忽略主电路各部分的电感),与电阻负载时相比,晶闸管提前了电角度δ停止导电,δ称为()角,数量关系为δ=()。

4.三相桥式全控整流电路的触发方式有()触发和()触发两种,常用的是()触发。

5.三相半波可控整流电路按联接方式可分为()组和()组两种。

6.在特定场合下,同一套整流电路即可工作在()状态,又可工作在()状态,故简称变流电路。

7.控制角α与逆变角β之间的关系为()。

二.单选(共10分,2分/题)1.采用()是电力电子装置中最有效、应用最广的一种过电流保护措施。

A.直流断路器B. 快速熔断器C.过电流继电器2.晶闸管属于()。

A.不可控器件B. 全控器件C.半控器件3.单相全控桥式整流电路,带阻感负载(L足够大)时的移相范围是()。

A.180OB.90OC.120O4.对三相全控桥中共阴极组的三个晶闸管来说,正常工作时触发脉冲相位应依次差()度。

A.60B. 180C. 1205.把交流电变成直流电的是()。

A. 逆变电路B.整流电路C.斩波电路三.多选(共10分,2分/题)1.电力电子器件一般具有的特征有。

A.所能处理电功率的大小是其最重要的参数B.一般工作在开关状态C.一般需要信息电子电路来控制D.不仅讲究散热设计,工作时一般还需接散热器2.下列电路中,不存在变压器直流磁化问题的有。

A.单相全控桥整流电路B.单相全波可控整流电路C.三相全控桥整流电路D.三相半波可控整流电路3.使晶闸管关断的方法有。

A.给门极施加反压B.去掉阳极的正向电压C.增大回路阻抗D.给阳极施加反压4.逆变失败的原因有。

A.触发电路不可靠B.晶闸管发生故障C.交流电源发生故障D.换相裕量角不足5.变压器漏抗对整流电路的影响有。

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德州科技职业学院机电系14级机电专业
期末考试试题
《电力电子技术》试卷
题号一二三四合计
分数
阅卷人得分
一、选择(每题1.5分,共60分)
1、晶闸管内部有()个PN结。

A、1
B、2
C、3
D、4
2、晶闸管在电路中的门极正向偏压()越好。

A、越大
B、越小
C、不变
D、越稳定
3、晶闸管的通态电流(额定电流)是用电流的()来表示的。

A、有效值
B、最大值
C、平均值
D、瞬时值
4、双向晶闸管是用于交流电路中的,其外部有()个电极。

A、一个
B、两个
C、三个
D、四个
5、下列电力半导体器件电路符号中,表示IGBT器件电路符号的是()
6、比较而言,下列半导体器件中开关速度最快的是()
A、IGBT
B、MOSFET
C、GTR
D、GTO
7、比较而言,下列半导体器件中开关速度最慢的是()
A、IGBT
B、MOSFET
C、GTR
D、GTO
8、比较而言,下列半导体器件中性能最好的是()
A、IGBT
B、MOSFET
C、GTR
D、GTO
9、比较而言,下列半导体器件中输入阻抗最大的的是()
A、IGBT
B、MOSFET
C、GTR
D、GTO
10、下列半导体器件中属于电流型控制器件的是()
A、IPM
B、MOSFET
C、IGBT
D、GTO
11、逆变电路输出频率较高时,电路中的开关元件应采用()
A、晶闸管
B、单结晶体管
C、电力晶体管
D、绝缘栅双极型晶体管
12、电力场效应管MOSFET适于在()条件下工作
A、直流
B、低频
C、中频
D、高频
13、要使绝缘栅双极型晶体管导通,应()
A、在栅极加正电压
B、在集电极加正电压
C、在栅极加负电压
D、
在集电极加负电压
14、电力晶体管的开关频率()电力场效应管
A、稍高于
B、低于
C、远高于
D、等于
15、如晶闸管的正向阻断重复峰值电压为745V,反向重复峰值电压为825V,则该晶闸管的额定电压为()
A、700V
B、750V
C、800V
D、850V
16、下列电力电子器件中,()的驱动功率小,驱动电路简单
A、普通晶闸管
B、可关断晶闸管
C、电力晶体管
D、功率场效应晶体管
17、二极管两端加上正向电压时()
A、一定导通
B、超过死区电压才导通
C、超过0.3V才导通
D、超过0.7V才导通
18、下列电力半导体器件电路符号中,表示GTO器件电路符号的是()
19、下列电力半导体器件电路符号中,表示GTR器件电路符号的是()
20、下列电力半导体器件电路符号中,表示MOSFET器件电路符号的是()
21、单结晶体管振荡电路是利用单结晶体管的()工作特性设计的
A、截止区
B、负阻区
C、饱和区
D、任意区域
22、在晶闸管直流电动机调速系统中,改变()就能改变直流电动机的转速。

A、整流方式
B、晶闸管导通角
C、电源电压
D、电源频率
23、按逆变电路的(),分为全控型逆变电路和半控型逆变电路。

A、器件
B、输出电能
C、直流侧电源性质
D、电流波形
24、在一般可逆电路中,最小逆变角βmin选在下面哪一种范围合理()
A、300-350
B、100-150
C、00-100
D、00
25、在有源逆变电路中,逆变角β的移相范围应选()为最好
A、900-1800
B、350-900
C、00-900
26、不属于换流方式的是()
A、器件换流
B、电网换流
C、单相换流
D、负载换流
27、通过附加的换流装置,给欲关断的器件强迫施加反向电压或反向电流的换流方式称为( )
A、器件换流
B、电网换流
C、单相换流
D、强迫换流
28、串联谐振式逆变器属于()
A、电压型
B、电流型
C、电阻性
29、并联谐振式逆变器属于()
A、电压型
B、电流型
C、电阻性
30、通过变流器把直流电能变成某一频率或可调频率的交流电能直接供给负载,称为()
A、有源逆变
B、无源逆变
C、整流
D、反馈
31、并联谐振式逆变器的换流()电流并联
A、电感与电阻
B、电感与负载
C、电容与电阻 D电容与负载
32、()是依靠专门的换流回路使晶闸管在需要的时刻关断
A、负载振荡式换流
B、强迫换流
C、可关断晶闸管换流
D、大功率晶体管换流
33、双向晶闸管内部有()个PN结A、3 B、4 C、5 D、6
34、交流调压是把不变的交流电压变换成()可调的交流电压
A、最大值
B、有效值
C、瞬时值
D、可调值
35、单相交流调压电路带电阻性负载时,控制角α的移相范围为()
A、00-600
B、00-900
C、00-1800
D、00-2700
36、双向晶闸管的四种触发方式中()触发灵敏度最高。

A、Ⅰ+
B、Ⅰ-
C、Ⅲ+
D、Ⅲ-
37、晶闸管触发电路中,若改变()的大小,则输出脉冲产生相位移动,达到移相控制的目的
A、控制电压
B、控制电流
C、同步电压
D、脉冲变压器变比
38、晶闸管是一种既具有(),又具有整流作用的大功率半导体器件
A、稳压
B、滤波
C、开关作用
D、变压
39、交流调压电路是维持()不变,只改变输出电压幅值的电路
A、电流
B、功率
C、电压
D、频率
40、在室温下门极断开时,元件从较大的通态电流降至刚好能保持导通的最小阳极电流称为()
A、擎住电流
B、维持电流
C、最小电流
D、最大电流
二、判断题(每题1分,共20分)
1、给晶闸管阳极和阴极之间加正向电压它就会导通。

()
2、给晶闸管门极和阴极之间加正向电压它就会导通。

()
3、给晶闸管的阳极和阴极之间加反向电压,已经导通的晶闸管会截止。

()
4、给晶闸管的门极和阴极之间加反向电压,已经导通的晶闸管会截止。

()
5、双向晶闸管的额定电流与普通晶闸管的额定电流相同。

()
6、双向晶闸管可用两个反并联的普通晶闸管代替。

()
7、KP30—9表示该晶闸管的额定电压是30V。

()
8、KP30—9表示该晶闸管的额定电流是9A。

()
9、KP30—9表示该晶闸管的额定电压是9V。

()
10、KP30—9表示该晶闸管的额定电流是30A。

()
11、电力电子器件在使用中必须要加散热器。

()12、电力电子器件通常工作在开关状态。

()
13、晶闸管有三个电极,分别称为正极、负极和门极。

()
14、晶闸管由截止状态进入到导通状态必须同时具备两个条件。

()
15、普通晶闸管、功率晶体管、功率场效应管、绝缘栅双极型晶体管均属于全控型器件。

()
16、普通晶闸管为全控型器件,可关断晶闸管为半控型器件。

()
17、按逆变后能量馈送去向的不同来分类,电力电子元件构成的逆变器可分为有源逆变器与无源逆变器两大类。

()
18、有源逆变指的是把直流电能转变成交流电能送给负载。

()
19、有源逆变装置是把逆变后的交流能量送回电网。

()
20、无源逆变指的是不需要逆变电源的逆变。

()
三、简述晶闸管的导通、关断条件。

(8分)
四、双向晶闸管有哪几种触发方式?最常用的是哪些?(12分)
《电力电子技术》14级期末考试试题评分标准
一、选择题(每题2分,共80分)
1-5 C A C C C 6-10 B D C B D 11-15 D D A B A
16-20 D B A D B 21-25 B B A A B 26-30 C D A B B
31-35 D B B B C 36-40 A A C D B
二、判断题(每题1分,共20分)
1-5 ХХ√ХХ 6-10 ХХХХ√
11-15√√Х√Х 16-20 Х√Х√Х
三、(8分)
导通条件:门极和阴极之间加正向电压;阳极和阴极之间加正向电压,两者缺一不可。

关断条件:降低阳极和阴极之间的电流至维持电流以下。

四、(12分)
四种触发方式:Ⅰ+触发、Ⅰ_触发、Ⅲ+触发、Ⅲ_触发
最常用的是Ⅰ+触发、Ⅲ_触发。

(注:专业文档是经验性极强的领域,无法思考和涵盖全面,素材和资料部分来自网络,供参考。

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