现代半导体器件第二十一讲概要
刘飞
Tel：84110916 Email：liufei@
中山大学理工学院
第五章 结型场效应晶体管
5.1 JFET 结构与工作原理 5.2 MESFET 5.3 JFET 直流特性 5.4 直流特性的非理想效应 ¾ 5.5 JFET 交流小信号特性
上一节 回忆
g
* d
=
gd
1 + gd (RS
+ RD )
b. 饱和区中：
5.5 JFET交流小信号效应
(a) 理想情况：(不存在沟道长度调制效应，即L不变)
g ds = 0
(b) 非理想情况： (存在沟道长度调制效应)
g ds = λI DSat
(从实验曲线中可以测得 λ 值)
(4) a. b.
漏端的小信号输出电阻rds：
b. 与ND、μn和沟道厚度a成正比。 (7) 增大gm的有效途径：通常增大W/L值。
a. L不能过小，否则可能发生沟道调制效应；
b. W增大通常通过并联多个单元器件来实现。
2. 漏极电导gd：
(1) gd的定义：VGS一定时，IDS随VDS的变化率；
(2)
表达式：
gd
=
∂I DS ∂V DS
V GS
(即要考虑IDSub和极板面积A的变化)
5.5 JFET交流小信号效应
三、交流小信号等效电路
1.交流状态器件参数:(交流小信号叠加直流偏压之上)
(1)交流下栅源电压vGS:vGS＝VGS＋vgs (vgs为交流小信号)
(2)相应的漏极电流iDS：iDS＝IDS＋ids (ids为交流分量)
b. 栅漏电容Cgd：
(a) 定义:VGS不变时,VDS变化所引起耗尽层电荷的变化。
(存在于栅极的下方)
(b) 表达式：
Cgd
=
∂QC ∂V DS
V GS=C
5.5 JFET交流小信号效应
(c) 物理意义：
I. Cgd的充、放电影响了FET的高频特性； II. 反映了漏极和栅极之间的反馈作用。
(2) 本征电容的具体计算：(非对称的MESFET为例)
a. RS的存在从VGS和VDS中分取电压，使降落于器件 内部电压下降；
b. JFET上的有效栅压降低 (VGS＝V’GS＋IDSRS)；
c. RS的存在时使有效跨导
g
* m
减小。
g
* m
= gm 1 + gm RS
5.5 JFET交流小信号效应
(6) gm的影响因素：(从表达式分析) a. 与沟道宽长比W/L呈正比；
；
5.5 JFET交流小信号效应
(3)gd的具体求解过程： ⎡
a.
非饱和区中：g d
=
G0
⎢1 ⎢⎣
−
VD
− VGS
+ VDS
⎤ ⎥
VP0
⎥⎦
(a) 线性区中，即VDS很小，趋于0时：⎡
g d1
≈g ms=Fra bibliotekG0⎢1 ⎢⎣
−
VD
− VGS
⎤ ⎥
VP0 ⎥⎦
(b)考虑源区和漏区串联电阻RS和RD时，gd下降；
(1)试简述弱场下大注入所引起的有效基区扩展效应？ 其中弱场指的是什么？
(2)什么叫做发射极电流集边效应？试对这个效应物理 过程作简单解释？
(3)集电极最大ICM的定义是什么？实际应用怎样选取ICM？ (4)晶体管的安全工作区是如何规定的？二次击穿对其
有何影响？
5.5 JFET交流小信号效应
一、JFET低频小信号参数
b.gm称为JFET的增益。
5.5 JFET交流小信号效应
(4)gm的具体求解过程：
( ) gm =
G0 Vp0
VDS + VD − VGS − VD − VGS
a. 线性区中：即VDS很小时，(VDS《VD－VGS)
g m1 = 2
G0VDS V p0 (VD − VGS )
⎡
b.
饱和区中:
即发生夹断之后
I. 线性区MESFET的Cgs为耗尽层厚度为h(0)的栅结
电容的一半(MESFET中考虑肖特基势垒电容)；
C gs
≈ C gd
≈
1 ⋅ ε 0ε s
2 h(0)
⋅WL =
1 2 CGS
II.总的栅源电容电容为栅源电容和栅漏电容并联组成。
b. 饱和区中本征电容的计算：
(a) Cgs的计算要考虑实际沟道被夹断的情况； (b) Cgd的计算要考虑两电极之间的尺寸。
1. JFET低频小信号输入下的基本假设：
(1)采取准静态近似:将交流下I－V关系用直流关系处理;
(2)忽略电荷的储存效应:小信号下,端电压变化《kT/q。
2. 跨导gm：
(1) gm的定义：VDS一定时，IDS随VGS的变化率；
(2)
表达式：g m
=
∂I DS ∂V GS
V DS
；
(3)物理意义:a.gm反映栅极电压对漏极电流的控制能力;
a. 线性区：VDS很小，Cgs电容可看为平行板电容。
(a) 直流偏压为VGS时耗尽区长度h(01 )的表达式如下：
h(0)
=
⎡ ⎢ ⎣
2ε
0ε
s
(VD −VGS qN D
)
⎤ ⎥ ⎦
2
(b)
此时的Cgs的表达式为： C gs
=
1 ⋅ ε0ε s
2 h(0)
⋅WL
5.5 JFET交流小信号效应
(c) 物理意义：
(2) 本征电容的分类： Cgd和Cgs两种。
a. 栅源电容Cgs：
(a) 定义:VGD不变时,VGS变化所引起耗尽层电荷的变化。
(存在于栅极的下方)
(b) 表达式：
Cgd
=
∂QC ∂V GS
V GD=C
5.5 JFET交流小信号效应
(c) 物理过程及意义： I. Cgs的充、放电决定了FET的高频特性； II.耗尽层的电荷变化意味着沟道电荷的变化； (沟道中电荷增加量等于耗尽层电荷减少量) III.总冶金沟道电荷保持不变。 (总冶金沟道电荷等于沟道电荷和耗尽层电荷之和)
定义：漏电导的倒数，即 rd
测定：
rds
= ∂VDS
∂I
* DS
= ΔVDS
ΔI
* DS
=
1 gd
；
5.5 JFET交流小信号效应
二、JFET本征电容
1. JFET与MESFET中均存在电容。
(任何两极中电位变化所引起耗尽层电荷变化都看为电容)
2. 本征电容Cgd和Cgs： (1) 定义：存在于栅区或沟道区的栅源和栅漏电容；
g ms
=
G0
⎢1 ⎢⎣
−
VD
− VGS
⎤ ⎥
VP0 ⎥⎦
利用IDSS近似公式可求得gms的近似公式：
g ms
≈
− 2I DSS VP
⎜⎜⎝⎛1
−
VGS VP
⎟⎟⎠⎞
5.5 JFET交流小信号效应
最大饱和跨导gmmax： g m max
= G0
=
2aWqND μn
L
(a)当VGS＝VD时，gms取最大值； (b)gm随VGS的增大而增大。 (5) 实际工作中的JFET：(即考虑电路中的串联电阻RS)
半导体光电子材料与器件教学大纲
附件2：《半导体光电子材料与器件》教学大纲（理论课程及实验课程适用）一、课程信息课程名称（中文）：半导体光电子材料与器件课程名称（英文）：Semiconductor Optoelectronic materials and devices课程类别：选修课课程性质：专业方向课计划学时：32（其中课内学时：40 ，课外学时：0）计划学分：2先修课程：量子力学、物理光学、固体物理、激光原理与技术、半导体物理等选用教材：《半导体物理学简明教程》，孟庆巨胡云峰等编著，电子工业出版社，2014年6月，非自编；普通高等教育“十二五”规划教材，电子科学与技术专业规划教材开课院部：理学院适用专业：光电信息科学与工程、微电子学等专业课程负责人：梁春雷课程网站：无二、课程简介（中英文）《半导体光电子材料与器件》是光电信息科学与工程本科专业的专业课。
学习本课程之前，要求学生已经具有量子力学、热力学与统计物理、固体物理和半导体物理方面的知识。
本课程论述基于电子的微观运动规律为基础的各种半导体器件的工作原理。
其核心内容是硅光电子器件的工作原理和设计方法。
本课程的目的是让学生了解和掌握半导体器件相关的物理知识，熟练掌握各种常见半导体器件参数与器件的结构参数和材料参数之间的关系。
能够使用典型的光电子器件进行光电探测。
初步具备新型器件的跟踪研究能力和自主开发能力。
Semiconductor Optoelectronic Materials and Devices is the course designed for the undergraduate students of optoelectronic information science and engineering specialty. Before taking this class, the students are required to have the knowledge of quantum mechanics, thermodynamics and statistical physics, solid state physics and semiconductor physics.The class will discuss the principles of working of all kinds of Semiconductor devices based on the microscopic movement of electron. The main content will be the principle of working and the method of design of optoelectronic devices base on silicon. The purpose is to let the students understand and master physical knowledge related to the semiconductor devices, skillfully master all kinds of relations of semiconductor devices parameters with structural parameter and material parameter. The students are requires to be able to employ some typical devices for photoelectric detection, also they will be able to have the basic ability to follow and develop new devices.三、课程教学要求序号专业毕业要求课程教学要求关联程度1 工程知识本课程注重培养学生理论联系实际的能力、科学研究的思想方法、创新能力以及工程实践能力等。
半导体器件物理II必背公式定理考点概要
半二复习笔记1.1M OS结构1.费米势：禁带中心能级(EFi)与费米能级(EF)之差的电势表示2.表面势：半导体表面电势与体内电势之差，体内EFi和表面EFi之差的电势表示3.金半功函数差4.P沟道阈值电压注意faifn是个负值1.3 MOS原理1. MOSFET非饱和区IV公式2. 跨导定义：VDS一定时，漏电流ID随VGS变化率，反映了VGS 对ID 的控制能力3. 提高饱和区跨导途径4.衬底偏置电压VSB>0，其影响5. 背栅定义：衬底能起到栅极的作用。
VSB变化，使耗尽层宽度变化，耗尽层电荷变化；若VGS不变，则反型沟道电荷变化，漏电流变化1.4 频率特性1. MOSFET频率限制因素：①沟道载流子的沟道运输时间（通常不是主要的限制因素）②栅电容充放电需要时间2. 截止频率：器件电流增益为1时的频率高频等效模型如下：栅极总电容CG看题目所给条件。
若为理想，CgdT为0，CgsT约等于Cox，即CG=Cox；非理想情况即栅源、栅漏之间有交叠，产生寄生电容：①CgdT的L为交叠部分长度②CgsT的L为L+交叠部分长度（CgsT=Cgs+Cgsp）。
3. 提高截止频率途径1.5 CMOS1.开关特性2.闩锁效应过程2.1 非理想效应1. MOSFET亚阈特性①亚阈值电流：弱反型态：势垒较低→电子有一定几率越过势垒→形成亚阈值电流②关系式：③注：若VDS>4（kT/e），最后括号部分≈1，IDsub近似与VDS无关④亚阈值摆幅S：漏电流减小一个数量级所需的栅压变化量，S是量化MOS管能否随栅压快速关断的参数。
⑤快速关断：电流降低到Ioff所需VGS变化量小。
因此S越小越好⑥亚阈特性的影响：开关特性变差：VGS=0时不能理想关断；静态功耗增加⑦措施：提高关断/待机状态下器件的阈值电压VT（如通过衬底和源之间加反偏压，使VT增加）、减小亚阈值摆幅2. 沟长调制效应（VDS↑⇒ID↑）①机理理想长沟：L`≈L，导电沟道区的等效电阻近似不变，饱和区电流饱和；实际器件(短沟)：L` <L ，导电沟道区的等效电阻减小，ID增加,②夹断区长度③修正后的漏源电流④影响因素衬底掺杂浓度N 越小⇒ΔL的绝对值越大⇒沟道长度调制效应越显著；沟道长度L越小⇒ΔL的相对值越大⇒沟道长度调制效应越显著3. 迁移率变化①概念：MOSFET载流子的迁移率理想情况下：近似为常数；实际受沟道内电场的影响，迁移率非常数。
半导体器件原理和工艺2
半导体器件
晶体管的频率特性---小信号模型
▪ 小信号工作条件：
➢ 输入信号电压以及输出信号电压都远小于热电压 (kT/q)
vBE VBE vbe iC IC ic
半导体器件
小信号模型-1
i1
i2
v1
T
v2
短路输入导纳 短路反向跨导纳
短路正向跨导纳 短路输出导纳
半导体器件
h参数 短路输入阻抗
小信号模型-2
短路正向电流传输系 数、即电流增益
开路反向电压传输系 数，即电压反馈系致
半导体器件
开路输出导纳
小信号模型-3
共发射极h参数等效电路
b vbe
c vce e
半导体器件
小信号等效电路
▪ 混合模型
g
-g
gm
go
由E-M方程：
正向有源区
半导体器件
混合模型-1
▪ 跨导gm
1. gm正比于Ic，反比于T。 2. gm只决定于工作电流及工作温度，与器件所用材
半导体器件
Bardeen, Brattain, and Schockley 获1956年诺贝尔物理奖
晶体管的特性
半导体器件
半导体器件
理想NPN掺杂分布
▪ 集电结外延， 发射结离子 注入
eb
半导体器件
c
晶体管的静电特性
▪ 两个独立的PN结构成
N+
P
N
半导体器件
背靠背二极管
半导体器件
工作原理
半导体器件
特征频率和截止频率
▪ 特征频率fT和截止频率f 是根据hFE随频率的变化 关系定义的
半导体器件
特征频率和截止频率-1
半导体物理与器件物理
10nm ? Atomic level?
第二个关键技术： 互连技术
铜互连已在 0.25/0.18um技术代 中使用；但在0.13um 后，铜互连与低介 电常数绝缘材料共 同使用；在更小的 特征尺寸阶段，可 靠性问题还有待继 续研究开发
与其它学科互相渗透， 形成新的学科领域： 光 电集成、MEMS、生物 芯片
半导体及其基本特性
什么是半导体？
固体材料：绝缘体、半导体、导体 （其它：半金属，超导体）
绪论：微电子、IC的发展历史
早期历史发展
ENIAC（1946）
Solutions
New, new, new…we got to find something new…
主要参考书：
《半导体物理与器件》（第三版），Donald A. Neamen著， 电子工业出版社
《现代半导体器件物理》，施敏，科学出版社，2001年 《集成电路器件电子学》，R. S. Muller, T. I. Kamins, M.
Chan著，王燕等译，电子工业出版社，2004年第3版
Outline
QCE(准恒场)律 1/ / / 2/ 1/ 1/ 3/2 3 2/3 1/2 2
硅微电子技术的三个发展方向
A、 特征尺寸继续等比例缩小，晶圆尺寸增大（主要 影响集成度、产量和性价比）
B、 集成电路(IC)将发展成为系统芯片(SOC)（主要影 响功能）
C 、微电子技术与其它领域相结合将产生新的产业和 新的学科，例如MEMS、DNA芯片等（主要影响功能 和新兴交叉增长点）
栅介质的限制
超薄栅 氧化层
大量的 晶体管
G
S
现代半导体器件习题答案
2
xyz 中检测到粒子的概率正比于 r , t xyz 。
2
1.3 试从能带的角度说明导体、半导体和绝缘体在导电性能上的差异。 解：如图 1.3 所示，从能带的观点来看，半导体和 绝缘体都存在着禁带，绝缘体因其禁带宽度较大 (6~7eV)，室温下本征激发的载流子近乎为零，所 以绝缘体室温下不能导电。半导体禁带宽度较小， 只有 1~2eV，室温下已经有一定数量的电子从价 带激发到导带。所以半导体在室温下就有一定的 导电能力。而导体没有禁带，导带与价带重迭在 一起，或者存在半满带，因此室温下导体就具有 良好的导电能力。 1.4 为什么说本征载流子浓度与温度有关？ 解： 本征半导体中所有载流子都来源于价带电子的本征激发。 由此产生的载流子称为本征载 流子。本征激发过程中电子和空穴是同时出现的，数量相等， n0 p0 ni 。对于某一确定 的半导体材料，其本征载流子浓度为 ni n0 p0 NC NV e
10 5 cm 3
1.6 有两块单晶硅样品，它们分别掺有 10 cm 的硼和磷，试计算 300K 时这两块样品的电 阻率，并说明为什么 N 型硅的导电性比同等掺杂的 P 型硅好。 解 ： 查 P.22 图 1.4.2 可 得 空 穴 迁 移 率
3
p 400 cm 2 V s ， 电 子 迁 移 率
n 1200 cm 2 V s
现代半导体器件第二十一讲
刘 飞
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中山大学理工学院
第五章 结型场效应晶体管
5.1 JFET 结构与工作原理 5.2 MESFET 5.3 JFET 直流特性 5.4 直流特性的非理想效应 ¾ 5.5 JFET 交流小信号特性
上一节 回忆
5.5 JFET交流小信号效应
三、交流小信号等效电路
1.交流状态器件参数:(交流小信号叠加直流偏压之上) (1)交流下栅源电压vGS:vGS＝VGS＋vgs (vgs为交流小信号) (2)相应的漏极电流iDS：iDS＝IDS＋ids (ids为交流分量) (3)出现交流小信号产生的栅电流ig： a.出现原因:Cgs和Cgd随输入信号变化而充、放电形成； dvgs dvgd (由电荷控制方程写出) b.表达式：
μVDS
2πL
b. 强场下：( E ≥ E C ，迁移率μ将随电场发生变化) L 引入平均漂移速度 V = ，
τ 渡越 V f0 = 则此时的f0表达式为： 2πL
5.5 JFET交流小信号效应
(2) f0的最大值f0max：(即 V 取最大值时) Vs1 a. Si器件： f 0 max = 2πL 载流子在沟道中最大速度 V ＝Vs1； VP b. GaAs器件： f 0 max = 2πL
fM = fT 2 ( R gs + RS + RG ) g ds + ωT RG C gd
b.当忽略串联电阻时：(即RS＝RG＝0时)
fT fM = 2 Rgs g ds
5.5 JFET交流小信号效应
五、JFET交流小信号特性的研究意义
1. 2. 3. 4. 分析交流小信号下JFET特性所发生的变化； 给出JFET的两个重要器件参数：跨导和漏极电导； 了解JFET在交流小信号下所出现的本征电容; 得出JFET交流小信号下的等效电路，并得出与JFET 实际工作相关的三个频率参数：f0、fT和fM。
CH21半导体器件基本原理dlj
CH2--功率半导体器件授课内容内容总学时PN结、二极管4晶闸管& GTO3场效应管1 BJT & IGBT & IPM2IGCT1器件发展趋势及小结1刁利军***************.cnCH2--功率半导体器件授课目的1、理解二极管、晶闸管、MOSFET、IGBT、IPM和IGCT等常用功率半导体器件的动态开关性能；2、掌握功率半导体器件开关过程分析方法；3、了解功率半导体器件的应用现状和发展趋势。
重点：①功率半导体器件的动态开关性能；②功率半导体器件开关过程分析方法。
难点：①功率半导体器件开关过程分析方法。
刁利军***************.cn讲课的原则阐述科技发展的逻辑脉络着重电力电子器件方面基本知识着重培养分析电力电子器件性能的能力着重电力电子器件应用中最复杂和关键的问题 着重锻炼应用电力电子器件的基本技能刁利军***************.cn教学参考书《电力电子器件及应用技术》徐德鸿浙江大学出版社扩展阅读☐功率模块应用手册(from Semikron)☐Principle of Power Electronics刁利军***************.cn第2章半导体器件基本原理 半导体的基本知识PN结及半导体二极管×特殊二极管刁利军***************.cn本章的学习要求半导体“神奇”的性能是如何形成的？半导体材料为什么要使用搀杂工艺？P型和N型半导体内是否具有静电场？在PN结区域到底发生了什么，使得PN结具有单向导电性？PN结特性会受到什么环境因素的影响？刁利军***************.cn1、半导体的基本知识容易导电的物质称为导体，金属是最常见的导体。
有的物质几乎不导电，称为绝缘体，如橡皮、陶瓷、塑料和石英。
另有一类物质的导电特性处于导体和绝缘体之间，称为半导体，如锗、硅、砷化镓和一些硫化物、氧化物等。
刁利军***************.cn物体导电性能取决于自由电子浓度导体原子核对电子的束缚较小，自由电子浓度高，导电性能好；绝缘体中大多数电子都被原子核束缚，自由电子浓度很低，导电性能差；半导体则介于两者之间，且易受外界因数的影响；刁利军***************.cn刁利军***************.cn半导体的导电特性半导体的导电特性：(可做成温度敏感元件，如热敏电阻)。
现代教育技术课件——半导体基础知识教案
现代教育技术课件——半导体基础知识教案第一篇：现代教育技术课件——半导体基础知识教案《半导体基础知识》说课稿尊敬的各位评委、各位老师：大家好！今天我说课的内容是《模拟电子技术基础》第一章第1课时的《半导体基础知识》。
下面我将从以下六个方面对本节课的设计加以阐述：一、说教材的地位与作用半导体是模拟电路的的主要内容，在模拟电子技术占有重要的地位。
半导体技术应用广泛，衍生出很多半导体材料，其中半导体二极管，三极管为模拟电子技术基础的重点，所以本章节为本书籍的最底层，最基础的部分。
同时，本章节也让同学认识到模拟电子技术的最原始的理论。
二、教学目标的确定及依据根据教学大纲要求，结合教材，考虑到学生已有的认知结构心理特征，我制定了如下的教学目标：(1)知识目标：认识什么是半导体，半导体的材料物理特性，电特性等概念。
(2)能力目标：通过类比，让同学们认识到空穴，电子等概念，半导体的工作原理。
(3)情感目标：通过图解法与等效电路法的对比，使学生体验到两种方法能化难为简美妙之处，调动学生学习数学的积极性。
三、教学重点与难点重点：1、PN结的单向导电性；2、PN结的伏安特性；难点：1、半导体的导电机理:两种载流子参与导电；2、掺杂半导体中的多子和少子3、PN结的形成；四、教学组织过程本讲宜教师讲授。
用多媒体演示半导体的结构、导电机理、PN结的形成过程及其伏安特性等，便于学生理解和掌握。
五、主要内容1、半导体及其导电性能根据物体的导电能力的不同，电工材料可分为三类：导体、半导体和绝缘体。
半导体可以定义为导电性能介于导体和绝缘体之间的电工材料，半导体的电阻率为10-3～10-9 •cm。
典型的半导体有硅Si 和锗Ge以及砷化镓GaAs等。
半导体的导电能力在不同的条件下有很大的差别：当受外界热和光的作用时，它的导电能力明显变化；往纯净的半导体中掺入某些特定的杂质元素时，会使它的导电能力具有可控性；这些特殊的性质决定了半导体可以制成各种器件。
《半导体材料与器件》课程教学大纲(本科)
《半导体材料与器件》课程教学大纲课程编号：课程名称：半导体材料与器件英文名称： Semiconductor materials and devices课程类型：专业课课程要求：选修学时/学分：32/2 （讲课学时：32 ）适用专业：功能材料一、课程性质与任务半导体材料与器件是现代自动化、微电子学、计算机、通讯等设备仪器研制生产的基础材料及核心部件，具有专门的生产设备、工艺和方法，在现代各方面得到大量的研究和应用，半导体材料与器件是功能材料工程专业一门主要的专业方向课。
通过本课程的学习使学生掌握半导体材料与器件的基础理论、主要的生产技术、工艺原理和方法。
为今后从事相关工作奠定良好的基础。
二、课程与其他课程的联系本课程涉及功能材料的晶体结构和物理性能，应在《材料科学基础》《功能材料物理基础》和《材料物理化学》课程之后进行授课。
三、课程教学目标1.掌握半导体材料物理的基本理论，硅、信和化合物半导体材料结构和性能。
（支撑毕业能力要求1, 4, 5）2.了解和掌握常见半导体材料的结构与性能的关系，能够正确选择和使用半导体材料，能够提高和改善常见半导体材料的相关性能。
（支撑毕业能力要求1, 3, 4, 5, 7）3.掌握利用各种电子材料制备双极性晶体管、MOS场效应晶体管、结型场效应晶体管及金属-半导体场效应晶体管、功率MOS场效应晶体管、绝缘栅双极晶体管IGBT、LED和厚、薄膜集成电路的技术及生产工艺，能够对设计和实验结果进行综合分析。
（支撑毕业能力要求3, 4, 5, 12）4.能够使学生充分利用所学的半导体材料知识，在半导体和微电子材料领域研究、开发、生产高质量器件，为信息行业发展提供基础硬件支持，为国民经济服务。
（支撑毕业能力要求3, 4, 5, 7）四、教学内容、基本要求与学时分配五、其他教学环节（课外教学环节、要求、目标）无六、教学方法本课程以课堂理论教学为主，通过理论讲授、提问、讨论、演示等教学方法和手段让学生理解授课的基本内容，结合完成作业等教学手段和形式完成课程教学任务。
双极型晶体管电路
+
版权：孙文生
晶体管电流分配规律： 发射区每向基区提供一个复合用的载流子，就要向集电区提
供个载流子，因此到达集电区的载流子数等于在基区复合的倍。
版权：孙文生
版权：孙文生
版权：孙文生
晶体管的电流传输关系
1. 三种组态
晶体管为三端器件，根据输入、输出、公共端子的不同，晶体 管有三种连接方式，也称三种组态.
流称为集电极最大允许电流ICM。 可见，当IC＞ICM时，并不表示 晶体管会损坏。
版权：孙文生
版权：孙文生
版权：孙文生
2.1.4 晶体管的主要参数－极限参数
2. 反向击穿电压
(a) V(BR)CBO——发射极开路时的集电 结击穿电压，通常为几十伏。
(b) V(BR) EBO——集电极开路时发射 结的击穿电压，通常为几伏。
孙文生214晶体管的主要参数极限参数集电极最大允许电流icm当集电极电流增加时就要下降当值下降到线性放大区值的23时对应的电流称为集电极最大允许电流icmcm时并不表示晶体管会损坏
电子电路基础
Electronic and Circuit Foundation
第二章 双极型晶体管电路
版权：孙文生
2.1 双极型晶体管
共发射极电路，发射极作为公共电极，用CE表示； 共基极电路，基极作为公共电极，用CB表示; 共集电极电路，集电极作为公共电极，用CC表示.
版权：孙文生
晶体管的三种组态
版权：孙文生
版权：孙文生
2. 共基极组态的电流传输关系
为表明发射极电流iE 对集电极电流iC 的控制作用, 引入定义:
iCn
iE
当vCE一定，即 vCE ＝0时