电子电路第六章习题及参考答案
电子电路基础第六章习题答案
第六章习题6. 1求习题图6・1所示的电路的传递函数H(a)) = V o/V t•习题图6. 1•• RH ——解：（%-匕）-MC 八V jwLjcoL - 3、RLCR + jcoL-cerRLCjcoCR一ja）CR — e f CL6・2对于习题图6. 2所示的电路，求传递函数二丿6. 3串联RLC网络有R二5G, L二10川H, C二1 “F,求该电路的谐振角频率.特征阻抗和品质因数。
当外加电压有效值为24V时，求谐振电流、电感和电容上的电压值。
解：电路的谐振角频率卧忌一皿特征阻抗0二姑= 100。
品质因数0二二20谐振电流人吕十A电感和电容上的电压值U L = U c = U a Q = 480V 6・4设计一个串联RLC电路，使其谐振频率q 二50m〃/“品质因数为80,且谐振时的阻抗为10Q,并求英带宽。
解:B 二色=0. 625rad / 56. 5对于习题图6. 5所示的电路，求和，（/）为同相时的频率解••阶S叫+盏血5将厶二1乩厶二\H、C =一"+ y(w_ ♦W 1 + M rIQ F卜I w谐振时虚部为零，沙——+——二0W 1 +讥厂得出，W二0・7861 6. 6并联RLC网络有R二50G, L二4〃M・C二160 “八求并联电路谐振频率和品质因数。
若外接电流源有效值为2A,求谐振时电阻、电感及电容上的电流值。
解：电路的谐振角频率％二二I・25xl0rad/s4LC品质因数Q二毬CR ==10谐振时电阻、电感及电容上的电流值h二2AJ L二Ic二I K・Q = 2OA6. 7并联谐振电路,其品质因数为120,谐振频率是6x10%/ 〃/ “计算其带宽。
6・8计算习题图6. 8所示的电路的谐振角频率叫，品质因数Q和带宽Bo3好20m H 冒2jfcQ i6“戸〒习题图6・81 1 1 c C 1解：y 二 >・(5//C2)+一+— = 一+7 (=_)谐振时Y的虚部为0沙• g-一丄=0 C] + C、wL得出w =Q = qRC = CD O R(C( //CJ 二20B二八二2^0rad/.y 6. 9习题图6. 9所示的电路，已知电容值C为固圧，欲使电路在© 时发生并联谐振，而在©时发生串联谐振，求厶、乙的值。
《电工电子学》第6章习题答案
第6章习题答案6.1.1 选择题(1)在LC并联谐振回路谐振时，若电感的中间抽头交流接地，则首端与尾端的信号电压相位_B __________ 。
A. 相同B. 相反C. 90 。
D. -90 。
(2)在LC并联谐振回路谐振时，若电感的首端或尾端交流接地，则电感其它两个端点的信号电压相位A __________ 。
A. 相同B. 相反C. 90 。
D. -90 。
(3)自激振荡是电路在__B—的情况下，产生了有规则的、持续存在的输出波形的现象。
A.外加输入激励B.没有输入信号C.没有反馈信号(4)正反馈是放大电路产生自激振荡的 A QA.必要条件B. 充分条件C.充要条件(5)在正弦波振荡电路中，能产生等幅振荡的幅度条件是 A QA.丄- .B.丄-■ .C. .5 ■- 1(6)正弦波振荡电路的起振条件是__B QA.丄口 - *B.丄口 -■ *C. 匸■- 1(7)在RC型正弦波振荡器中，通常是利用—B ■来自动的稳定振荡器输出的幅度。
A.线性特性元件B. 非线性特性元件C. 电抗特性元件(8)在题图6.1.1所示电路中，谐振回路由A元件组成。
A. . 1B. “、1C. = 7 =1 1 1纭爲C. 河石B.(10)电路如题图6.1.2所示，设运放是理想器件，厂二1小「，为使该电路能产生正弦波, 则要求C _________ 。
a.Ry = 10kQ+4?kQ（可调）b.=100kQ+4.7kQ （可调）c.$=18kQ+47kfi （可调）题图6.1.2(11)对于LC正弦波振荡电路，若已满足相位平衡条件，则反馈系数越大， A QA.越容易起振B. 越不容易起振错误C.输出越小6.1.2判断下列说法是否正确，在括号中画上“V”或“X” Q(1)在反馈电路中，只要安排有LC谐振回路，就一定能产生正弦波振荡。
(x )(2)对于LC正弦波振荡电路，若已满足相位平衡条件，则反馈系数越大，越容易起振。
电子技术(非电类)第六章课后习题答案
第六章习题参考答案6-1 在图6-23中，已知直流电压表V 2的读数为90V ，负载电阻Ω100=L R ，二极 管的正向压降忽略不计。
试求：①直流电流表A 的读数；②交流电压表V 1的读数；③变压器二次侧电流有效值。
图6-23 习题6-1图解 1）直流电流表A 的读数 A 9.0100902===L A R U I 2）交流电压表1V 的读数 V 20045.09045.021===U U 3）变压器二次侧电流有效值 A 245.0==A I I 6-2 图6-24为变压器二次侧绕组有中心抽头的单相整流电路，二次侧电压有效值为U ，试分析：1）标出负载电阻L R 上电压o u 和滤波电容C 的极性;2）分别画出无滤波电容和有滤波电容两种情况下o u 的波形。
整流电压平均值o U 与变压器二次侧电压有效值U 的数值关系如何？3）有无滤波电容两种情况下,二极管上所承受的最高反向电压DRM U 各为多大?4）如果二极管VD 2虚焊；极性接反；过载损坏造成短路，电路会出现什么问题?5）如果变压器二次侧中心抽头虚焊；输出端短路两种情况下电路又会出现什么问题?图4－2 题4－2图图6-24 习题6-2图解 1）负载电阻L R 上电压o u 和滤波电容C 的极性如题6-2解图（a ）所示。
2）无滤波电容和有滤波电容两种情况下o u 的波形分别如题6-2解图（b ）和题6-2解图（c ）所示。
无滤波电容时U U o 9.0=有滤波电容时 U U o 2.1= 3）有无滤波电容两种情况下，二极管上所承受的最高反向电压皆为U U DRM 22=。
4）二极管V 2虚焊时相当于开路，电路变为单相半波整流电路，输出电压将降为原来的一半。
极性接反和过载损坏造成短路时，在输入电压正半周，1V 、2V 通路导通，由于二极管正向电阻很小，产生很大电流，将造成电源、变压器和二极管烧毁。
5）变压器二次侧中心抽头虚焊时相当于断路，无论是u 的正半周还是u 的负半周都不会构成电流的通路，因此负载电阻没有电压输出。
高频电子线路第六章课后习题答案
因此,输出信号中包含了的基频分量和 ( ωc + ) ,ωc ) ( 频率分量.
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高频电子线路习题参考答案
(2) u u u′ 1 = c + u , u′ 2 = c u D D 2 2 在忽略负载的反作用时,
u ′ 1 = g D K ( ωc t ) c + u i1 = g D K (ωc t )uD 2 i = g K (ω t )u′ = g K (ω t ) uc u D c D2 D c 2 2 uo = ( i1 i2 ) RL = 2 RL g D K (ωc t )u 2 2 1 2 = 2 RL g DU + cos ωc t cos 3ωc t + cos 5ωc t + ..... cos t 3π 5π 2 π
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高频电子线路习题参考答案
所以,(b)和(c)能实现DSB调幅 而且在(b)中,包含了ωc的奇次谐波与Ω的和频与差频分 量,以及ωc的偶次谐波分量. 在(c)中,包含了ωc的奇次谐波与Ω的和频与差频分量, 以及ωc的基频分量.
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高频电子线路习题参考答案
6-5试分析图示调制器.图中,Cb对载波短路,对音频开路; uC=UCcosωct, u =U cos t (1)设UC及U 均较小,二极管特性近似为i=a0+a1u2+a2u2.求 输出uo(t)中含有哪些频率分量(忽略负载反作用)? (2)如UC>>U ,二极管工作于开关状态,试求uo(t)的表示式. (要求:首先,忽略负载反作用时的情况,并将结果与(1) 比较;然后,分析考虑负载反作用时的输出电压.
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高频电子线路习题参考答案
i Lc = ( i1 i2 ) = g D K (ωc t )( u + uc ) g D K (ωc t π )( u uc ) = g D K (ωc t ) K (ωc t π ) u + g D K (ωc t ) + K (ωc t π ) uc = g D K ′(ωc t )u + g D uc 4 4 cos 3ωc t + ...... U cos ω t + g DU c cos ωc t = g D cos ωc t 3π π cos(ωc + ω )t + cos(ωc ω )t 2 g DU + g U cos ω t 1 1 D c c π cos(3ωc + ω )t cos(3ωc ω )t + ..... 3 3
电子电路第六章习题及参考答案
习题六6-1 什么是本征半导体？什么是杂质半导体？各有什么特征？答：所谓本征半导体就是指完全纯净的、结构完整的半导体。
在本征半导体中掺入杂质后的半导体称为杂质半导体。
本征的半导体中的自由电子数量和空穴的数量是相等的，而杂质半导体中根据掺杂的元素不同可分为N 型半导体和P 型半导体，在N 型半导体中电子的浓度远远大于空穴的浓度，而P 型半导体恰恰相反。
6-2 掺杂半导体中多数载流子和少数载流子是如何产生的？答：在本征半导体中，由于半导体最外层有四个电子，它与周边原子的外层电子组成共价键结构，价电子不仅受到本身原子核的约束，而且受到相邻原子核的约束，不易摆脱形成自由电子。
但是，在掺杂的半导体中，杂质与周边的半导体的外层电子组成共价键，由于杂质半导体的外层电子或多（5价元素）或少（3价元素），必然有除形成共价键外多余的电子或不足的空穴，这些电子或空穴，或者由于受到原子核的约束较少容易摆脱，或者容易被其它的电子填充，就形成了容易导电的多数载流子。
而少数载流子是相对于多数载流子而言的另一种载流子，它是由于温度、电场等因素的影响，获得更多的能量而摆脱约束形成的。
6-3，黑表笔插入COM ，红表笔插入V/Ω（红笔的极性为“+”），将表笔连接在二极管，其读数为二极管正向压降的近似值。
用模拟万用表测量二极管时，万用表内的电池正极与黑色表笔相连；负极与红表笔相连。
测试二极管时，将万用表拨至R ×1k 档，将两表笔连接在二极管两端，然后再调换方向，若一个是高阻，一个是低阻，则证明二极管是好的。
当确定了二极管是好的以后就非常容易确定极性，在低阻时，与黑表笔连接的就是二极管正极。
6-4 什么是PN 结的击穿现象，击穿有哪两种。
击穿是否意味着PN 结坏了？为什么？ 答：当PN 结加反向电压（P 极接电源负极，N 极接电源正极）超过一定的时候，反向电流突然急剧增加，这种现象叫做PN 结的反向击穿。
击穿分为齐纳击穿和雪崩击穿两种，齐纳击穿是由于PN 结中的掺杂浓度过高引起的，而雪崩击穿则是由于强电场引起的。
电子技术——几种常用的组合逻辑电路习题及答案
第六章几种常用的组合逻辑电路一、填空题1、（8-1易）组合逻辑电路的特点是：电路在任一时刻输出信号稳态值由决定（a、该时刻电路输入信号；b、信号输入前电路原状态），与无关（a、该时刻电路输入信号；b、信号输入前电路原状态），属于（a、有；b、非）记忆逻辑电路。
2、（8-2易）在数字系统中，将具有某些信息的符号变换成若干位进制代码表示，并赋予每一组代码特定的含义，这个过程叫做，能实现这种功能的电路称为编码器。
一般编码器有n个输入端，m个输出端，若输入低电平有效，则在任意时刻，只有个输入端为0，个输入端为1。
对于优先编码器，当输入有多个低电平时，则。
3、（8-3易，中）译码是的逆过程，它将转换成。
译码器有多个输入和多个输出端，每输入一组二进制代码，只有个输出端有效。
n 个输入端最多可有个输出端。
4、（8-2易）74LS148是一个典型的优先编码器，该电路有个输入端和个输出端，因此，又称为优先编码器。
5、（8-4中）使用共阴接法的LED数码管时，“共”端应接，a~g应接输出有效的显示译码器；使用共阳接法的LED数码管时，“共”端应接，a~g应接输出有效的显示译码器，这样才能显示0~9十个数字。
6、（8-4中）译码显示电路由显示译码器、和组成。
7.（8-4易）译码器分成___________和___________两大类。
8.（8-4中）常用数字显示器有_________,_________________,____________等。
9.（8-4中）荧光数码管工作电压_______，驱动电流______，体积_____，字形清晰美观，稳定可靠，但电源功率消耗______，且机械强度_____。
10．（8-4中）辉光数码管管内充满了_________，当它们被______时，管子就发出辉光。
11.（8-4易）半导体发光二极管数码管（LED）可分成_______，_______两种接法。
12.（8-4中）发光二极管正向工作电压一般为__________。
高频电子线路最新版课后习题解答第六章 频谱搬移电路习题解答
6.１ 已知某广播电台的信号电压为()620(10.3cos6280)cos5.7650410t t t υ=+⨯mV ，问此电台的频率是多少？调制信号频率是多少？解：该电台的频率是65.7650410918kHz 2c f π⨯==； 调制信号率是62801000Hz 2F π== 6.２ 已知非线性器件的伏安特性为3012i a a a υυ=++，试问它能否产生频谱搬移功能？ 解：不能产生频谱搬移功能，因为伏安特性中没有平方项。
6.3 画出下列各式的波形图和频谱图，并指出是何种调幅波的数学表达式。
（1）cos )cos 1(t Ω+t c ω （2）cos )cos 211(t Ω+t c ω （3）cos cos ⋅Ωt t c ω (假设Ω=10c ω) 解：（1）cos )cos 1(t Ω+t c ω是1a M =的普通调幅波；波形图频谱图：（2）cos )cos 211(t Ω+t c ω是12a M =的普通调幅波波形图频谱图（3）cos cos ⋅Ωt t c ω是抑制载波的双边带调幅波波形图频谱图6.4 已知调制信号()()()32cos 22103cos 2300t t t υππΩ⎡⎤=⨯⨯+⨯⎣⎦V ，载波信号()()55cos 2510c t t υπ=⨯⨯V ，1a k =，试写出调幅波的表示式，画出频谱图，求出频 带宽度BW 。
解：调幅波的表示式()()()()()()()()()5a 3535[5k ]cos 2510{52cos 22103cos 2300}cos 25105[10.4cos 22100.6cos 2300]cos 2510c t t t t t t t t t υυπππππππΩ=+⨯⨯⎡⎤=+⨯⨯+⨯⨯⨯⎣⎦=+⨯⨯+⨯⨯⨯ 频谱图频带宽度 322104kHz BW =⨯⨯=6.5 已知调幅波表示式()()()62012cos 2500cos 210AM t t t υππ=+⨯⨯⎡⎤⎣⎦V ，试求该调幅波的载波振幅cm V 、载波频率c f 、调制信号频率F 、调幅系数a M 和频带宽度BW 的值。
电力电子技术第四版课后题答案第六章
三角波载波始终是有正有负为双极性的，所得的PWM波形在半个周期中有正、有负，则称之为双极性PWM控制方式。
三相桥式PWM型逆变电路中，输出相电压有两种电平：0.5Ud和-0.5 Ud。输出线电压有三种电平Ud、0、- Ud。
答：采用梯形波控制方式，即用梯形波作为调制信号，可以有效地提高直流电压的利用率。
对于三相PWM逆变电路，还可以采用线电压控制方式，即在相电压调制信号中叠加3的倍数次谐波及直流分量等，同样可以有效地提高直流电压利用率。
9．什么是电流跟踪型PWM变流电路？采用滞环比较方式的电流跟踪型变流器有何特点？
第6章 PWM控制技术
1．试说明PWM控制的基本原理。
答：PWM控制就是对脉冲的宽度进行调制的技术。即通过对一系列脉冲的宽度进行调制，来等效地获得所需要波形（含形状和幅值）。
在采样控制理论中有一条重要的结论：冲量相等而形状不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果基本相同，冲量即窄脉冲的面积。效果基本相同是指环节的输出响应波形基本相同。上述原理称为面积等效原理
当逆变电路输出频率很高时，同步调制时的载波频率fc会过高，使开关器件难以承受。
此外，同步调制方式比异步调制方式复杂一些。
分段同步调制是把逆变电路的输出频率划分为若干段，每个频段的载波比一定，不同频段采用不同的载波比。其优点主要是，在高频段采用较低的载波比，使载波频率不致过高，可限制在功率器件允许的范围内。而在低频段采用较高的载波比，以使载波频率不致过低而对负载产生不利影响。
5．什么是异步调制？什么是同步调制？两者各有何特点？分段同步调制有什么优点？
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习题六6-1 什么是本征半导体？什么是杂质半导体？各有什么特征？答：所谓本征半导体就是指完全纯净的、结构完整的半导体。
在本征半导体中掺入杂质后的半导体称为杂质半导体。
本征的半导体中的自由电子数量和空穴的数量是相等的，而杂质半导体中根据掺杂的元素不同可分为N 型半导体和P 型半导体，在N 型半导体中电子的浓度远远大于空穴的浓度，而P 型半导体恰恰相反。
6-2 掺杂半导体中多数载流子和少数载流子是如何产生的？答：在本征半导体中，由于半导体最外层有四个电子，它与周边原子的外层电子组成共价键结构，价电子不仅受到本身原子核的约束，而且受到相邻原子核的约束，不易摆脱形成自由电子。
但是，在掺杂的半导体中，杂质与周边的半导体的外层电子组成共价键，由于杂质半导体的外层电子或多（5价元素）或少（3价元素），必然有除形成共价键外多余的电子或不足的空穴，这些电子或空穴，或者由于受到原子核的约束较少容易摆脱，或者容易被其它的电子填充，就形成了容易导电的多数载流子。
而少数载流子是相对于多数载流子而言的另一种载流子，它是由于温度、电场等因素的影响，获得更多的能量而摆脱约束形成的。
6-3，黑表笔插入COM ，红表笔插入V/Ω（红笔的极性为“+”），将表笔连接在二极管，其读数为二极管正向压降的近似值。
用模拟万用表测量二极管时，万用表内的电池正极与黑色表笔相连；负极与红表笔相连。
测试二极管时，将万用表拨至R ×1k 档，将两表笔连接在二极管两端，然后再调换方向，若一个是高阻，一个是低阻，则证明二极管是好的。
当确定了二极管是好的以后就非常容易确定极性，在低阻时，与黑表笔连接的就是二极管正极。
6-4 什么是PN 结的击穿现象，击穿有哪两种。
击穿是否意味着PN 结坏了？为什么？ 答：当PN 结加反向电压（P 极接电源负极，N 极接电源正极）超过一定的时候，反向电流突然急剧增加，这种现象叫做PN 结的反向击穿。
击穿分为齐纳击穿和雪崩击穿两种，齐纳击穿是由于PN 结中的掺杂浓度过高引起的，而雪崩击穿则是由于强电场引起的。
PN 结的击穿并不意味着PN 结坏了，只要能够控制流过PN 结的电流在PN 结的允许范围内，不会使PN 结过热而烧坏，则PN 结的性能是可以恢复正常的，稳压二极管正式利用了二极管的反向特性，才能保证输出电压的稳定。
6-5 理想二极管组成电路如题图6-1所示，试确定各电路的输出电压u o 。
解：理想二极管的特性是：当二极管两端加正向电压，二极管导通，否则二极管截止。
分析含有二极管电路的方法是：假定二极管是开路，然后确定二极管两端的电位，若二极管的阳极电位高于阴极电位，则二极管导通，否则截止。
对于图(a)假定D 1、D 2、D 3截止，输出端的电位为-18V ，而D 1、D 2、D 3的阳极电位分别是-6V 、0V 、-6V ，因此，理论上D 1、D 2、D 3都能导通，假定D 1导通，则输出点的电位为-6V ，由于该点电位也是D 2的阴极电位，因此D 2会导通，一旦D 2导通，u O 点的电位就为0V ，因此，D 1、D 3的阴极电位为0V ，而阳极端为-6V ，这样D 1、D 3必定截止，所以输出电压u o =0V （这就是脉冲数字电路中的或门，0V 为高电平，-6V 为低电平，只要输入端有一个高电平，输出就为高电平）。
对于图(b)依同样的道理可知：D 1、D 2、D 3的阳极电位都低于+18V ，所以三个二极管均截止，流过R 的电流为0，故输出电位u o =18V试分析图(b)中的三个二极管极性都反过来，输出电压u o =？6-6 二极管电路如题图6-2所示，判断图中的二极管是导通还是截止，并求出AO 两端的电压U AO 。
解：对于土(a)，在闭合回路中12V 电源大于6V 电源，故在二极管D 的两端加了正向电压，二极管导通，由于是理想二极管，二极管的管压降为0，所以U AO =-6V ；对于图(b)，假定D 1、D 2截止，A 点电位是-12V ，D 1的阳极电位是0V ，D 2的阳极电位是-15V ，所以D 1两端加正向电压导通，D 2加反向电压截止，因此，U AO =0V对于图(c)，同样假定D 1、D 2截止，A 点电位是12V ，D 1的阴极电位是-6V ，D 2的阴极电位是0V ，两个二极管都具备导通条件，但一旦D 1导通，A 点的电位就为-6V ，D 2两端加反向电压，故D 2必截止，所以输出U AO =-6V （也可以假定D 2导通，则A 点电位为0V ，而D 1仍是正向偏置，所以D 1必然导通，一旦D 1导通，U AO =-6V ）。
6-7 二极管电路如题图6-3所示。
输入波形u i =U im sin ωt ，U im >U R ，二极管的导通电压降可忽略，试画出输出电压u o 1~u o 4的波形图。
解：由于u i =U im sin ωt ，且U im >U R ，则有：图(a)当u i <U R 时，二极管截止，输出为u i ，当u i >U R 时，二极管D 导通，输出为U R ； 图(b)当u i <U R 时，二极管导通，输出为U Ri ，当u i >U R 时，二极管D 截止，输出为u i ； 图(c)当u i <U R 时，二极管导通，输出为u i ，当u i >U R 时，二极管D 截止，输出为U R ； 图(d)当u i <U R 时，二极管截止，输出为U R ，当u i >U R 时，二极管D 导通，输出为u i 。
其波形如下图所示。
其中下图(a)是上图(a)、(c)的波形图；图(b)是上图(b)、(d)的波形图。
AO (a) (b) (c)题图6-2 习题6-6电路图2 o 4(a) (b) (c) (d)题图6-3 习题6-7电路图6-8 利用稳压二极管组成的简单稳压电路如题图6-4所示。
R 为限流电阻，试定性说明R L 变动或U I 变动时，U O 基本恒定的理由。
答：由于稳压管工作在反向击穿状态，由反向击穿特性知，当D Z 两端电压有微小变化，必然引起D Z 中电流很大变化。
例如：当R L 变小时→U O 减小→D Z 两端电压减小→流过D Z 的电流减小→流过R 的电流减小→在R 上的压降减小→U O 上升。
R L 变大可以做同样的分析。
当U I 变大时→流过D Z 中的电流急剧增加→流过电阻R 中的电流急剧增加→在R 上的压降急剧增加→U O 维持不变。
6-9 单相桥式整流电路如题图6-5所示。
试说明当某只二极管断路时的工作情况，并画出负载电压波形。
解：假设D 4断路，当u 2的正半周时，D 1、D 3导通，负载上有电流流过；当u 2的负半周时，由于D 4断路，在负载中无电流流过，这一桥式电路在一个二极管断路的情况下实际上是一个半波整流电路。
其波形图如图所示。
6-10 为了使三极管能有效地起放大作用，对三极管的发射区掺杂浓度有什么要求、基区宽度有什么要求、集电结面积比发射结面积大小有何要求。
其理由是什么？如果将三极管的集电极和发射极对调使用（即三极管反接），能否起放大作用。
答：为了使三极管能有效地起放大作用，要求三极管的发射区掺杂浓度 高 ；基区宽度 薄 ；集电结结面积比发射结面积 大 。
其理由是，由于发射极的掺杂浓度高，所以可以利用浓度差使多数载流子向基区扩散，只有基区宽度薄才能保证扩散到基区的多数载流子向集电极附近扩散，又因为集电区面积比较大，所以在集电结反向偏置下，就可以尽可能多的收集扩散到集电结附近的多数载流子。
如果集电极和发射极对调，是不能起到放大作用的。
因为集电极的掺杂浓度低，由于浓T ao + u o- 题图6-5 习题6-9电路图U I题图6-4 习题6-8电路图度差扩散到基区的载流子较少，且由于发射区的面积不够大，也不能将接近发射极的载流子大量的收集到发射极。
6-11 工作在放大区的某个三极管，当I B 从20μA 增大到40μA 时，I C 从1mA 变成2mA 。
它的β值约为多少？ 解：根据动态放大倍数的定义得：50201000204010002000==--=∆∆=b c I I β 6-12 工作在放大状态的三极管，流过发射结的电流主要是什么？流过集电结的电流主要是什么？答：工作在放大状态的三极管，流过发射结的电流主要是 扩散电流 ，流过集电结的电流主要是 漂移电流 。
6-13 某三极管，其α=0.98，当发射极电流为2mA 时，基极电流是多少？该管的β多大？另一只三极管，其β=100。
当发射极电流为5mA 时，基极电流是多少？该管的α多大？解：根据α定义EC E C I I I I ≈≈∆∆=αα， 所以A mA I I I mA mA I I c E B E C μα4004.096.1296.1298.0==-=-==⨯=≈ 4904.096.1===B C I I β 由于100==B C I I β，所以A mA I I C B μβ5005.01005==== 99.005.055=+=+==E C C E C I I I I I α 6-14 放大电路中，测得几个三极管的三个电极电位U 1、U 2、U 3分别为下列各组数值，判断它们是NPN 型还是PNP 型？是硅管还是锗管？确定e 、b 、c 。
（1）U 1=3.3V ，U 2=2.6V ，U 3=15V（2）U 1=3.2V ，U 2=3V ，U 3=15V（3）U 1=6.5V ，U 2=14.3V ，U 3=15V（4）U 1=8V ，U 2=14.8V ，U 3=15V答：先确定是硅管还是锗管。
由于硅管的结电压降一般为0.6~0.8V ，锗管的结电压降约为0.1~0.3V ，所以(1) (3.3-2.6=0.7V)、(3) (15-14.3=0.7V)为硅管，(2) (3.2-3=0.2V)、(4) (15-14.8=0.2V)为锗管。
然后确定是NPN 还是PNP 管。
对于NPN 管，基极电位高于发射极电位（发射极正向偏置），而集电极的电位高于基极（集电极反向偏置）。
对于PNP 管，发射极电位高于基极电位（发射结正向偏置），基极电位高于集电极电位（集电结反向偏置），所以（1）、（2）是NPN 管；（3）、（4）是PNP 管因此：（1）是NPN 硅三极管；3.3V —b 极，2.6V —e 极，15V —c 极（2）是NPN 锗三极管；3.2V —b 极，3V —e 极，15—c 极（3）是PNP 硅三极管；6.5V —c 极，14.3V —b 极，15V —e 极（4）是PNP 锗三极管；8V —c 极，14.8V —b 极，15V —e 极6-15 电路如题图6-2所示，已知三极管为硅管，U BE =0.7V ，β=50，I CBO 忽略不计，若希望I C =2mA ，试求（a ）图的R e 和(b)图的R b 值，并将两者比较。