电子电路第六章习题及参考答案
习题六
6-1 什么是本征半导体？什么是杂质半导体？各有什么特征？
答：所谓本征半导体就是指完全纯净的、结构完整的半导体。在本征半导体中掺入杂质后的半导体称为杂质半导体。本征的半导体中的自由电子数量和空穴的数量是相等的，而杂质半导体中根据掺杂的元素不同可分为N 型半导体和P 型半导体，在N 型半导体中电子的浓度远远大于空穴的浓度，而P 型半导体恰恰相反。
6-2 掺杂半导体中多数载流子和少数载流子是如何产生的？
答：在本征半导体中，由于半导体最外层有四个电子，它与周边原子的外层电子组成共价键结构，价电子不仅受到本身原子核的约束，而且受到相邻原子核的约束，不易摆脱形成自由电子。但是，在掺杂的半导体中，杂质与周边的半导体的外层电子组成共价键，由于杂质半导体的外层电子或多（5价元素）或少（3价元素），必然有除形成共价键外多余的电子或不足的空穴，这些电子或空穴，或者由于受到原子核的约束较少容易摆脱，或者容易被其它的电子填充，就形成了容易导电的多数载流子。而少数载流子是相对于多数载流子而言的另一种载流子，它是由于温度、电场等因素的影响，获得更多的能量而摆脱约束形成的。 6-3
，黑表笔插入COM ，红表笔插入V/Ω（红笔的极性为“+”），将表笔连接在二极管，其读数为二极管正向压降的近似值。 用模拟万用表测量二极管时，万用表内的电池正极与黑色表笔相连；负极与红表笔相连。测试二极管时，将万用表拨至R ×1k 档，将两表笔连接在二极管两端，然后再调换方向，若一个是高阻，一个是低阻，则证明二极管是好的。当确定了二极管是好的以后就非常容易确定极性，在低阻时，与黑表笔连接的就是二极管正极。
6-4 什么是PN 结的击穿现象，击穿有哪两种。击穿是否意味着PN 结坏了？为什么？ 答：当PN 结加反向电压（P 极接电源负极，N 极接电源正极）超过一定的时候，反向电流突然急剧增加，这种现象叫做PN 结的反向击穿。击穿分为齐纳击穿和雪崩击穿两种，齐纳击穿是由于PN 结中的掺杂浓度过高引起的，而雪崩击穿则是由于强电场引起的。PN 结的击穿并不意味着PN 结坏了，只要能够控制流过PN 结的电流在PN 结的允许范围内，不会使PN 结过热而烧坏，则PN 结的性能是可以恢复正常的，稳压二极管正式利用了二极管的反向特性，才能保证输出电压的稳定。
6-5 理想二极管组成电路如题图6-1所示，试确定各电路的输出电压u o 。
解：理想二极管的特性是：当二极管两端加正向电压，二极管导通，否则二极管截止。分析含有二极管电路的方法是：假定二极管是开路，然后确定二极管两端的电位，若二极管的阳极电位高于阴极电位，则二极管导通，否则截止。
对于图(a)假定D 1、D 2、D 3截止，输出端的电位为-18V ，而D 1、D 2、D 3的阳极电位分
别是-6V 、0V 、-6V ，因此，理论上D 1、D 2、D 3都能导通，假定D 1导通，则输出点的电位为-6V ，由于该点电位也是D 2的阴极电位，因此D 2会导通，一旦D 2导通，u O 点的电位就为0V ，因此，D 1、D 3的阴极电位为0V ，而阳极端为-6V ，这样D 1、D 3必定截止，所以输出电压u o =0V （这就是脉冲数字电路中的或门，0V 为高电平，-6V 为低电平，只要输入端有一个高电平，输出就为高电平）。
对于图(b)依同样的道理可知：D 1、D 2、D 3的阳极电位都低于+18V ，所以三个二极管均截止，流过R 的电流为0，故输出电位u o =18V
试分析图(b)中的三个二极管极性都反过来，输出电压u o =？
6-6 二极管电路如题图6-2所示，判断图中的二极管是导通还是截止，并求出AO 两端的电压U AO 。
解：对于土(a)，在闭合回路中12V 电源大于6V 电源，故在二极管D 的两端加了正向电压，二极管导通，由于是理想二极管，二极管的管压降为0，所以U AO =-6V ；
对于图(b)，假定D 1、D 2截止，A 点电位是-12V ，D 1的阳极电位是0V ，D 2的阳极电位是-15V ，所以D 1两端加正向电压导通，D 2加反向电压截止，因此，U AO =0V
对于图(c)，同样假定D 1、D 2截止，A 点电位是12V ，D 1的阴极电位是-6V ，D 2的阴极电位是0V ，两个二极管都具备导通条件，但一旦D 1导通，A 点的电位就为-6V ，D 2两端加反向电压，故D 2必截止，所以输出U AO =-6V （也可以假定D 2导通，则A 点电位为0V ，而D 1仍是正向偏置，所以D 1必然导通，一旦D 1导通，U AO =-6V ）。
6-7 二极管电路如题图6-3所示。输入波形u i =U im sin ωt ，U im >U R ，二极管的导通电压降可忽略，试画出输出电压u o 1~u o 4的波形图。
解：由于u i =U im sin ωt ，且U im >U R ，则有：
图(a)当u i U R 时，二极管D 导通，输出为U R ； 图(b)当u i U R 时，二极管D 截止，输出为u i ； 图(c)当u i U R 时，二极管D 截止，输出为U R ； 图(d)当u i U R 时，二极管D 导通，输出为u i 。 其波形如下图所示。其中下图(a)是上图(a)、(c)的波形图；图(b)是上图(b)、(d)的波形图。
A
O (a) (b) (c)
题图6-2 习题6-6电路图
2 o 4
(a) (b) (c) (d)
题图6-3 习题6-7电路图
6-8 利用稳压二极管组成的简单稳压电路如题图6-4所示。R 为限流电阻，试定性说明R L 变动或U I 变动时，U O 基本恒定的理由。
答：由于稳压管工作在反向击穿状态，由反向击穿特性知，当D Z 两端电压有微小变化，必然引起D Z 中电流很大变化。
例如：当R L 变小时→U O 减小→D Z 两端电压减小→流过D Z 的电流减小→流过R 的电流减小→在R 上的压降减小→U O 上升。R L 变大可以做同样的分析。
当U I 变大时→流过D Z 中的电流急剧增加→流过电阻R 中的电流急剧增加→在R 上的压降急剧增加→U O 维持不变。
6-9 单相桥式整流电路如题图6-5所示。试说明
当某只二极管断路时的工作情况，并画出负载电压波形。 解：假设D 4断路，当u 2的正半周时，D 1、D 3导通，负载上有电流流过；当u 2的负半周时，由于D 4断路，在负载中无电流流过，这一桥式电路在一个二
极管断路的情况下实际上是一个半波整流电路。其波形图如图所示。 6-10 为了使三极管能有效地起放大作用，对三极管的发射区掺杂浓度有什么要求、基区宽度有什么
要求、集电结面积比发射结面积大小有何要求。其理
由是什么？如果将三极管的集电极和发射极对调使用（即三极管反接），能否起放大作用。
答：为了使三极管能有效地起放大作用，要求三极管的发射区掺杂浓度 高 ；基区宽度 薄 ；集电结结面积比发射结面积 大 。
其理由是，由于发射极的掺杂浓度高，所以可以利用浓度差使多数载流子向基区扩散，只有基区宽度薄才能保证扩散到基区的多数载流子向集电极附近扩散，又因为集电区面积比较大，所以在集电结反向偏置下，就可以尽可能多的收集扩散到集电结附近的多数载流子。
如果集电极和发射极对调，是不能起到放大作用的。因为集电极的掺杂浓度低，
由于浓
T a
o + u o
- 题图6-5 习题6-9电路图
U I
题图6-4 习题6-8电路图
度差扩散到基区的载流子较少，且由于发射区的面积不够大，也不能将接近发射极的载流子大量的收集到发射极。
6-11 工作在放大区的某个三极管，当I B 从20μA 增大到40μA 时，I C 从1mA 变成2mA 。它的β值约为多少？ 解：根据动态放大倍数的定义得：5020
1000204010002000==--=??=b c I I β 6-12 工作在放大状态的三极管，流过发射结的电流主要是什么？流过集电结的电流主要是什么？
答：工作在放大状态的三极管，流过发射结的电流主要是 扩散电流 ，流过集电结的电流主要是 漂移电流 。
6-13 某三极管，其α=0.98，当发射极电流为2mA 时，基极电流是多少？该管的β多大？另一只三极管，其β=100。当发射极电流为5mA 时，基极电流是多少？该管的α多大？
解：根据α定义E
C E C I I I I ≈≈??=αα， 所以A mA I I I mA mA I I c E B E C μα4004.096.1296.1298.0==-=-==?=≈ 4904
.096.1===B C I I β 由于100==
B C I I β，所以A mA I I C B μβ5005.01005==== 99.005
.055=+=+==E C C E C I I I I I α 6-14 放大电路中，测得几个三极管的三个电极电位U 1、U 2、U 3分别为下列各组数值，判断它们是NPN 型还是PNP 型？是硅管还是锗管？确定e 、b 、c 。
（1）U 1=3.3V ，U 2=2.6V ，U 3=15V
（2）U 1=3.2V ，U 2=3V ，U 3=15V
（3）U 1=6.5V ，U 2=14.3V ，U 3=15V
（4）U 1=8V ，U 2=14.8V ，U 3=15V
答：先确定是硅管还是锗管。由于硅管的结电压降一般为0.6~0.8V ，锗管的结电压降约为0.1~0.3V ，所以(1) (3.3-2.6=0.7V)、(3) (15-14.3=0.7V)为硅管，(2) (3.2-3=0.2V)、(4) (15-14.8=0.2V)为锗管。
然后确定是NPN 还是PNP 管。对于NPN 管，基极电位高于发射极电位（发射极正向偏置），而集电极的电位高于基极（集电极反向偏置）。对于PNP 管，发射极电位高于基极电位（发射结正向偏置），基极电位高于集电极电位（集电结反向偏置），所以（1）、（2）是NPN 管；（3）、（4）是PNP 管
因此：（1）是NPN 硅三极管；3.3V —b 极，2.6V —e 极，15V —c 极
（2）是NPN 锗三极管；3.2V —b 极，3V —e 极，15—c 极
（3）是PNP 硅三极管；6.5V —c 极，14.3V —b 极，15V —e 极
（4）是PNP 锗三极管；8V —c 极，14.8V —b 极，15V —e 极
6-15 电路如题图6-2所示，已知三极管为硅管，U BE =0.7V ，β=50，I CBO 忽略不计，若希望I C =2mA ，试求（a ）图的R e 和(b)图的R b 值，并将两者比较。
解：对于图(a)，在输入回路中（图中左边回路），R e 两端的电压降为6-0.7V ，所以B C E B e
e E I I I I R R I ββ=+==-=13.57.06， 故Ω=??=
?=+=+=K I I R C B e 598.2251503.5502
513.5)1(3.5)1(3.5β
ββ 对于图(b)，βC B b B I I R I =-=7
.06，所以Ω=?=?=k I R C b 5.1322
503.53.5β
(a) 题图6-6 习题6-15电路图
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A.增大 B.不变 C.减小 当输入电压不变时，R B减小到一定程度，输出将产生 A 失真。 A.饱和 B.截止 3、如图1所示电路中， （1）若测得输入电压有效值为10mV，输出电压有效值为1.5V，则其电压放大倍数= 150；若已知此时信号源电压有效值为20mV，信号源内阻为1kΩ，则放大电路的输入电阻R i= 1 。 （2）若已知电路空载时输出电压有效值为1V，带5 kΩ负载时变为0.75V，则放大电路的输出电阻Ro 1.67 。 （3）若输入信号增大引起电路产生饱和失真，则可采用将R B增大或将Rc 减小的方法消除失真；若输入信号增大使电路既产生饱和失真又产生截止失真，则只有通过设置合适的静态工作点的方法才能消除失真。 4、文氏桥正弦波振荡电路的“桥”是以RC串联支路、RC并联支路、 电阻R1 和R2 各为一臂而组成的。 5、正弦波振荡电路按选频网络所用元件可分为变压器反馈式、电感三点式和 电容三点式三种电路，其中电容三点式振荡电路的振荡频率最为稳定。 6、为了得到音频信号发生器，应采用正弦波振荡电路。 7、稳压电源一般由整流电路、滤波电路和稳压电路三部分电路组成。 8、在负载电流比较小且其变化也比较小的时候，应采用电容滤波电
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第一章 1.1 在一本征硅中，掺入施主杂质，其浓度D N =?214 10cm 3 -。 （1）求室温300K 时自由电子和空穴的热平衡浓度值，并说明半导体为P 型或N 型。 （2 若再掺入受主杂质，其浓度A N =?31410cm 3 -，重复（1）。 （3）若D N =A N =1510cm 3 -,，重复（1）。 （4）若D N =16 10cm 3 -，A N =14 10cm 3 -，重复（1）。 解：（1）已知本征硅室温时热平衡载流子浓度值i n =?5.110 10 cm 3 -，施主杂质 D N =?21410cm 3->> i n =?5.11010 cm 3-，所以可得多子自由浓度为 0n ≈D N =?214 10cm 3 - 少子空穴浓度 0p =0 2 n n i =?125.16 10cm 3- 该半导体为N 型。 （2）因为D A N N -=14101?cm 3 ->>i n ，所以多子空穴浓度 0p ≈14 101?cm 3 - 少子电子浓度 0n =0 2 p n i =?25.26 10cm 3- 该半导体为P 型。 （3）因为A N =D N ,所以 0p = 0n = i n =?5.11010cm 3 - 该半导体为本征半导体。 （4）因为A D N N -=10-16 1014 =99?1014 （cm 3 -）>>i n ，所以，多子自由电子浓度 0n =?9914 10 cm 3- 空穴浓度 0p =0 2 n n i =14 2101099)105.1(??=2.27?104（cm 3 -）
该导体为N 型。 1.3 二极管电路如图1.3所示。已知直流电源电压为6V ，二极管直流管压降为0.7V 。 （1） 试求流过二极管的直流电流。 （2）二极管的直流电阻D R 和交流电阻D r 各为多少？ 解：（1）流过二极管的直流电流也就是图1.3的回路电流，即 D I = A 1007 .06-=53mA (2) D R =A V 3 10537.0-?=13.2Ω D r =D T I U =A V 3310531026--??=0.49Ω 1.4二极管电路如题图1.4所示。 （1）设二极管为理想二极管，试问流过负载L R 的电流为多少？ （2）设二极管可看作是恒压降模型，并设二极管的导通电压7.0)(=on D U V ，试问流过负载L R 的电流是多少？ （3）设二极管可看作是折线模型，并设二极管的门限电压7.0)(=on D U V ，()Ω=20on D r ，试问流过负载的电流是多少？ （4）将电源电压反接时，流过负载电阻的电流是多少？ （5）增加电源电压E ，其他参数不变时，二极管的交流电阻怎样变化？ 解：（1）100== L R E I mA D 题图1.4 10V + E R L 100Ω + 6V D R 100Ω 图1.3
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思考题与习题 2-1 列表比较串、并联调谐回路的异同点（通频带、选择性、相位特性、幅度特性等）。 表2.1
2-2 已知某一并联谐振回路的谐振频率f p=1MHz，要求对990kHz的干扰信号有足够的衰减，问该并联回路应如何设计？ 为了对990kHz的干扰信号有足够的衰减，回路的通频带必须小于20kHz。 取kHz B10 =， 100 10 1 = = = kHz MHz B f Q p p 2-3 试定性分析题图2-1所示电路在什么情况下呈现串联谐振或并联谐振状态？ 1 2 C2 L1 C2 1 (b) (c) 题图2-1
图（a ）：2 21 11 11 1L C L C L o ωωωωω- + - = 图（b ）：2 21 11 11 1C L C L C o ωωωωω- + - = 图（c ）：2 21 11 11 1C L C L C o ωωωωω- + - = 2-4 有一并联回路，其通频带B 过窄，在L 、C 不变的条件下，怎样能使B 增宽？ P o Q f B 2 =, 当L 、C 不变时，0f 不变。所以要使B 增宽只要P Q 减小。 而C L R Q p P =，故减小P R 就能增加带宽 2-5 信号源及负载对谐振回路有何影响，应如何减弱这种影响？ 对于串联谐振回路（如右图所示）：设没有接入信 号源内阻和负载电阻时回路本身的Q 值为o Q ，则： R L Q o o ω= 设接入信号源内阻和负载电阻的Q 为L Q 值，则： R R R R Q R R R L Q L s L + += ++= 1L s o L ω 其中R 为回路本身的损耗，R S 为信号源内阻，R L 为负载电阻。 由此看出：串联谐振回路适于R s 很小（恒压源）和R L 不大的电路，只有这样Q L 才不至于太低，保证回路有较好的选择性。 对于并联谐振电路（如下图所示）：
武汉科技大学通信电子电路期末试卷+答案教学总结
试题纸A -1 - 课程名称：通信电子线路专业班级：电子信息工程07级 考生学号：考生姓名： 闭卷考试，考试时间120分钟，无需使用计算器 一、单项选择（2' *12=24分） 1、根据高频功率放大器的负载特性，由于RL减小，当高频功率放大器从临界状态向欠压区 变化时。 （A）输出功率和集电极效率均减小（B）输出功率减小，集电极效率增大 （C）输出功率增大，集电极效率减小（D）输出功率和集电极效率均增大 2、作为集电极调幅用的高频功率放大器，其工作状态应选用。 （A）甲类状态（B）临界状态（0 过压状态（D）欠压状态 3、对于三端式振荡器，三极管各电极间接电抗元件X（电容或电感），C、E电极间接电抗 元件X1，B、E电极间接X2，C B电极间接X3,满足振荡的原则是。 （A）X1与X2性质相同，X1、X2与X3性质相反 （B）X1与X3性质相同，X1、X3与X2性质相反 （C）X2与X3性质相同，X2、X3与X1性质相反 （D）X1与X2、X3性质均相同 4、在常用的反馈型LC振荡器中，振荡波形好且最稳定的电路是。 （A）变压器耦合反馈型振荡电路（B）电容三点式振荡电路 （C）电感三点式振荡电路（D）西勒振荡电路 5、为使振荡器输出稳幅正弦信号，环路增益KF（j oo）应为。 （A）KF（j o ）= 1 （B）KF（j o ）> 1 （C）KF（j o）v 1 （D）KF（j o ）= 0 6、单音正弦调制的AM?幅波有个边频，其调制指数ma的取值范围是 (A) 1、(0,1) (B) 1、(-1,1) (C) 2、(0,1) (D) 2、(-1,1) 7、某已调波的数学表达式为u（ t） = 2（1 + Sin（2 nX 103t））Sin2 nX 106t，这是一个（A）AM 波（B）FM 波（C）DSB 波（D）SSB 波 8、在各种调制电路中，最节省频带和功率的是。 （A）AM电路（B）DSB电路（C）SSB电路（D）FM电路
管理学第六章习题及答案.doc
一、习题 ( 一 ) 填充题 1、决策是计划的前提，计划是决策的____ 逻辑延续 _____。 2、计划的编制过程，既是决策的___组织落实过程______，也是决策的更为详细的检查和修 订的过程。 3、所有层次的、不同职能的管理人员都要做计划工作，这反映了计划的___普遍 ______性；同时计划工作要求纵向层次性和横向协作性，这反映了计划工作的____秩序 _____性。 4、计划工作的目的就是使 ____所有的行动保持同一方向 _____，促使组织目标实现。 5、计划工作的普遍性中蕴含着一定的秩序，最主要的秩序表现为计划工作的____纵向协作性_____和 ____横向协作性 _____。 6、在衡量代价时，不仅用时间、金钱或者生产等来衡量，而且还有衡量____个人和集体的满意程度 _____。 7、计划是将决策实施所需完成的活动任务进行____时间和空间 _____上的分解，以便将其具体地落实到组织中的不同部门和个人。 8、根据综合性标准，可以把计划分为___战略性计划 ______和 ___战术性计划 ______。 9、根据 ___职能空间 ______标准，可以把计划分为业务计划，财务计划，人事计划。 10、战略性计划是战术性计划的_____依据 ____。 11、战术性计划是在战略性计划的指导下制定的，是战略性计划的____落实 _____。 12、常规计划包括___政策 ______、 __标准方法 _______和 ___常规作业程序 ______，所有这些都是准备用来处理常发性问题的。 13、 ____面向未来 _____和 _面向行动 ________是计划的两大显著特征。 14、目标结构描述了组织中各层次目标间的___协作关系 ______。 ( 二 ) 选择题 1、 ____AB_____的计划是有效率的。
模拟电子技术基础试题汇总附有答案.
模拟电子技术基础试题汇总 1.选择题 1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将 ( A )。 A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2. 某三极管各电极对地电位如图所示，由此可判断该三极管( D ) A. 处于放大区域 B. 处于饱和区域 C. 处于截止区域 D. 已损坏 3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0，则在静态时该三极管 处于( B ) A.放大区 B.饱和区 C.截止区 D.区域不定 4. 半导体二极管的重要特性之一是( B )。 ( A)温度稳定性 ( B)单向导电性 ( C)放大作用 ( D)滤波特性 5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中，如静态工 作点过高，容易产生
( B )失真。 ( A)截止失真( B)饱和v失真( C)双向失真( D)线性失真 6.电路如图所示，二极管导通电压U D＝0.7V，关于输出电压的说法正确的是( B )。 A：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为3.7V。 B：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为1V。 C：u I1=3V，u I2=3V时输出电压为5V。 D：只有当u I1=0.3V，u I2=0.3V时输出电压为才为1V。 7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线，静态工作点由Q2点移动到Q3点可 能的原因是 。 A：集电极电源+V CC电压变高B：集电极负载电阻R C变高 C：基极电源+V BB电压变高D：基极回路电阻 R b变高。
8. 直流负反馈是指( C ) A. 存在于RC耦合电路中的负反馈 B. 放大直流信号时才有的负反馈 C. 直流通路中的负反馈 D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈 9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( B ) A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声 C. 反馈环外的干扰和噪声 D. 输出信号中的干扰和噪声 10. 在图所示电路中，A为理想运放，则电路的输出电压约为( A ) A. －2.5V B. －5V C. －6.5V D. －7.5V 11. 在图所示的单端输出差放电路中，若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输 入电压△υid为( B ) A. 10mV B. 20mV C. 70mV D. 140mV 12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信 号源与低阻负载间接入 ( C )。 A. 共射电路 B. 共基电路
通信电子线路期末考试复习
1、调频电路的两种方式是什么。 2、小信号谐振放大器的主要特点是什么？具有哪些功能。。 3、为了有效地实现基极调幅，调制器必须工作在什么状态，为了有效地实现集电极调幅， 调制器必须工作在什么状态。 4、调幅的原理和过程是什么？ 5、高频小信号谐振放大器的常用的稳定方法有什么？引起其工作不稳定的主要原因是什 么？该放大器级数的增加，其增益和通频带将如何变化。 6、接收机分为两种各是什么。 7、扩展放大器通频带的方法有哪些。 8、在集成中频放大器中，常用的集中滤波器主要有什么？ 9、丙类谐振功放有哪些状态，其性能可用哪些特性来描述。 10、调频电路有什么方式？ 11、调制有哪些方式？ 12、小信号谐振放大器的技术指标是什么？ 13、某调幅广播电台的音频调制信号频率100Hz～8KHz ，则已调波的带宽会在8KHz之下 吗？为什么？ 14、调幅电路、调频电路、检波电路和变频电路中哪个电路不属于频谱搬移电路？ 15、串联型石英晶振中，石英谐振器相当于什么元件？ 16、在大信号峰值包络检波器中，由于检波电容放电时间过长而引起的失真是哪种？ 17、在调谐放大器的LC回路两端并上一个电阻R的结果是？ 18、在自激振荡电路中，下列哪种说法是正确的，为什么？ LC振荡器、RC振荡器一定产生正弦波；石英晶体振荡器不能产生正弦波；电感三点式振荡器产生的正弦波失真较大；电容三点式振荡器的振荡频率做不高 19、如图为某收音机的变频级，这是一个什么振荡电路？ 20、功率放大电路根据以下哪种说法可分为甲类、甲乙类、乙类、丙类等，其分类的标准是 什么？ 21、若载波u(t)=Ucosωt,调制信号uΩ(t)= UΩcosΩt，则调频波的表达式为？ 22、多级耦合的调谐放大器的通频带比组成它的单级单调谐放大器的通频带宽吗？ 23．功率放大器是大信号放大器，在不失真的条件下能够得到足够大的输出功率。
模拟电子电路基础答案第四章答案
简述耗尽型和增强型HOS场效应管结构的区别：对于适当的电压偏置(Es>OV,仏>%), 画出P沟道增强型HOS场效应管，简要说明沟道、电流方向和产生的耗尽区，并简述工作原理。 解：耗尽熨场效应管在制造过程中预先在衬底的顶部形成了一个沟道，连通了源区和漏区，也就是说，耗尽型场效应管不用外加电压产生沟道。而增强型场效应管需要外加电压入产生沟道。 氧化层 源极(S稠极(G) /涌极(D) 甘底WB) (a) 随着役逐渐增人，栅极下面的衬底农闻会积聚越来越多的空穴，当空穴数量达到?定时, 栅极下闻的衬底农闻空穴浓度会超过电犷浓度,从而形成了?个''新的P型区”，它连接源区和漏区。如果此时在源极和漏极之间加上?个负电压bs，那么空穴就会沿着新的P型区定向地从源区向漏区移动，从而形成电流，把该电流称为漏极电流，记为当咲?定，而l，SD持续增人时，则相应的1&；减小，近漏极端的沟道深度进-步减小，直至沟道预夹断，进入饱和区。电流咕不再随的变化而变化，而是?个恒定值。 考虑?个N沟道MOSFET,其监二50 u A/V\ K = IV,以及疗Z = 10。求下列情况下的漏极电流： (1)Ks = 5V且仏二IV： (2)= 2V 且仏二： (3)Vis = J L =: (4)Ks = ^ = 5Vo (1)根据条件v GS^V；, v DS<(v GS-V,),该场效应管工作在变阻区。 Z D = K 7；［(V GS _V t)V DS - | V DS = (2)根据条件v GS^V；, v IJS>(y GS-V l),该场效应管工作在饱和区。 (3)根据条件该场效应管工作在截止区，咕=0 (4)根据条件匕2?，%>(沧一?)，该场效应管工作在饱和区B =4；学(心 -％)SmA 由实验测得两种场效应管具有如图题所示的输出特性曲线，试判断它们的类型，并确宦夹断电压或开启电压值。
通信电子线路习题解答
思考题与习题 2-1列表比较串、并联调谐回路的异同点（通频带、选择性、相位特性、幅度特性等）。 表2.1 2-2已知某一并联谐振回路的谐振频率f p =1MHz ，要求对990kHz 的干扰信号有足够的衰减，问该并联回路应如何设计？ 为了对990kHz 的干扰信号有足够的衰减，回路的通频带必须小于20kHz 。 取kHz B 10=， 2-3试定性分析题图2-1所示电路在什么情况下呈现串联谐振或并联谐振状态？ 题图2-1 图（a ）：2 21 11 11 1L C L C L o ωωωωω- + - = 图（b ）：2 21 11 11 1C L C L C o ωωωωω- + - = 图（c ）：2 21 11 11 1C L C L C o ωωωωω- + - = 2-4有一并联回路，其通频带B 过窄，在L 、C 不变的条件下，怎样能使B 增宽？ P o Q f B 2 =,当L 、C 不变时，0f 不变。所以要使B 增宽只要P Q 减小。 而C L R Q p P =，故减小P R 就能增加带宽 2-5信号源及负载对谐振回路有何影响，应如何减弱这种影响？ 对于串联谐振回路（如右图所示）：设没有接入信号源内阻和负载电阻时回路本身的Q
值为o Q ，则：R L Q o o ω= 值，则： 设接入信号源内阻和负载电阻的Q 为L Q R R R R Q R R R L Q L s L ++=++=1L s o L ω 其中R 为回路本身的损耗，R S 为信号源内阻，R L 为负载电阻。 由此看出：串联谐振回路适于R s 很小（恒压源）和R L 不大的电路，只有这样Q L 才不至于太低，保证回路有较好的选择性。 对于并联谐振电路（如下图所示）： 设接入信号源内阻和负载电阻的Q 值为L Q 由于没有信号源内阻和负载接入时的Q 值为 由式（2-31）可知，当R s 和R L 较小时，Q L 也减小，所以对并联回路而言，并联的电阻越大越好。因此并联谐振回路适于恒流源。 2-6已知某电视机一滤波电路如题图2-2所示，试问这个电路对什么信号滤除能力最强，对什么信号滤除能力最弱，定性画出它的幅频特性。 V1=V2? 题图2-2题图2-3 2-7已知调谐电路如题图2-3所示，回路的谐振频率为465kHz ，试求： （1）电感L 值； （2）L 无损耗时回路的通频带； （3）L 有损耗（Q L =100）回路的通频带宽度。 左侧电路的接入系数： 25.040120401=+= T T T p 右侧电路的接入系数：25.040120402=+= T T T p 等效电源： s s i p i 1' = 等效阻抗：Ω=Ω + Ω+Ω= k k p k k p R p 67.265.21601 101 2 221 等效容抗：2 22 1' 16?10p pF p pF C ?++?= 电容值未知 2-8回路的插入损耗是怎样引起的，应如何减小这一损耗？ 由于回路有谐振电阻R p 存在，它会消耗功率因此信号源送来的功率不能全部送给负载R L ，有一部分功率被回路电导g p 所消耗了，这就是插入损耗。增大回路本身的Q 值可以减小插入损耗。 2-9已知收音机某中放的负载回路如题2-4所示，回路的f 0=465kHz ，电感的Q 0=100，要求回路的带宽B=20kHz ，试求： （1）电感L 值； （2）回路插入损耗；
现代通信技术期末试卷
北京邮电大学2007——2008学年第二学期《现代通信技术》期末考试试题（A） 试题一：（共35分） 1．（6分，每题1.5分）选择题：请在括号内填入你的选择。 （1）无论怎么设置子网掩码，IP地址为（）的两台主机肯定不在同一个子网内。 a）46.15.6.1和46.100.6.150 b）128.255.150.1和128.255.5.253 c）129.46.200.5和129.46.200.95 （2）在Internet中，由主机名字到物理地址的转换过程不涉及（）。 a）ARP b）DNS c）RARP （3）如图所示，已知交换网络A由B、C两级交换网络构成，B交换网络的出线等于C 交换网络的入线。如果A的连接函数为δ(x2 x1 x0)= x0 x1 x2，C的连接函数为δ(x2 x1 x0)= x1 x0 x2，那么B的连接函数应当是（）。 a）δ(x2 x1 x0)= x0 x1 x2 b）δ(x2 x1 x0)= x1 x2 x0 c）δ(x2 x1 x0)= x2 x0 x1 （4）已知A和B是两个TST型电话交换网络。A方案满足T接线器的容量为1024，S 接线器为16?16矩阵；B方案满足T接线器的容量为512，S接线器为32?32矩阵。在上述两种情况下，S接线器电子交叉矩阵的所有控制存储器需要的存储单元总数和每个存储单元至少需要的比特数的乘积M符合（）。 a）M A>M B b）M A=M B
c）M A 第六章练习题及参考解答 6.1 下表给出了美国1960-1995年36年间个人实际可支配收入X 和个人实际消费支出 Y 的数据。 表6.6 美国个人实际可支配收入和个人实际消费支出 (单位：百亿美元) 注：资料来源于Economic Report of the President ，数据为1992年价格。 要求：（1）用普通最小二乘法估计收入—消费模型； t t u X Y ++=221ββ （2）检验收入—消费模型的自相关状况（5%显著水平）； （3）用适当的方法消除模型中存在的问题。 练习题6.1参考解答: （１）收入—消费模型为 t t X Y 0.93594287.9?+-= Se = (2.5043) (0.0075) t = (-3.7650) (125.3411) R 2 = 0.9978，F = 15710.39，d f = 34，DW = 0.5234 （２）对样本量为36、一个解释变量的模型、5%显著水平，查DW 统计表可知，d L =1.411，d U = 1.525，模型中DW **9484.07831.3?t t X Y +-= )8710.1(=Se （0.0189） t = （-2.0220） （50.1682） R 2 = 0.9871 F = 2516.848 d f = 33 DW = 2.0972 查5%显著水平的DW 统计表可知d L = 1.402，d U = 1.519，模型中DW = 2.0972> d U ，说明广义差分模型中已无自相关。同时，可决系数R 2 、t 、F 统计量均达到理想水平。 93661372855 017831 31 ...?=--=β 最终的消费模型为 Y t = 13.9366+0.9484 X t 6.2 在研究生产中劳动所占份额的问题时，古扎拉蒂采用如下模型 模型1 t t u t Y ++=10αα 模型2 t t u t t Y +++=2 210ααα 其中，Y 为劳动投入，t 为时间。据1949-1964年数据，对初级金属工业得到如下结果： 模型1 t Y t 0041.04529.0?-= t = （-3.9608） R 2 = 0.5284 DW = 0.8252 模型2 20005.00127.04786.0?t t Y t +-= t = （-3.2724）(2.7777) R 2 = 0.6629 DW = 1.82 其中，括号内的数字为t 统计量。 问：（1）模型1和模型2中是否有自相关； （2）如何判定自相关的存在？ （3）怎样区分虚假自相关和真正的自相关。 练习题6.2参考解答: （1）模型1中有自相关，模型2中无自相关。 （2）通过DW 检验进行判断。 模型1：d L =1.077, d U =1.361, DW 第8章 滤波电路及放大电路的频率响应 习 题 8 8.1 设运放为理想器件。在下列几种情况下，他们分别属于哪种类型的滤波电路（低通、高通、带通、带阻）？并定性画出其幅频特性。 （1）理想情况下，当0f =和f →∞时的电压增益相等，且不为零； （2）直流电压增益就是它的通带电压增益； （3）理想情况下，当f →∞时的电压增益就是它的通带电压增益； （4）在0f =和f →∞时，电压增益都等于零。 解：（1）带阻 （2）低通 （3）高通 （4）带通 V A (2)理理理理 (3)理理理理 (4)理理理理 (1)理理理理 H A A A A V A V A V A 8.2 在下列各种情况下，应分别采用哪种类型（低通、高通、带通、带阻）的滤波电路。 （1）希望抑制50Hz 交流电源的干扰； （2）希望抑制500Hz 以下的信号； （3）有用信号频率低于500Hz ； （4）有用信号频率为500 Hz 。 解：（1）带阻 （2）高通 （3）低通（4）带通 8.3 一个具有一阶低通特性的电压放大器，它的直流电压增益为60dB ，3dB 频率为1000Hz 。分别求频率为100Hz ，10KHz ，100KHz 和1MHz 时的增益。 解：H Z o 100H ,60dB f A ==，其幅频特性如图所示 3dB -20dB/理 理理理 20 40 60 f/Hz Z v 20lg /dB A ? ??(a)理理理理 u 100Hz,60dB f A == u H 10KHz,6020lg 40,40dB f f A f =-== u H 100KHz,6020lg 20,20dB f f A f =-== u H 10MHz,6020lg 0,0dB f f A f =-== 8.4 电路如图8.1所示的，图中C=0.1μF ，R=5K Ω。 （1）确定其截止频率； （2）画出幅频响应的渐进线和－3dB 点。 图8.1 习题8.4电路图 解：L 36 11 318.3(Hz)225100.110 f RC ππ--= ==???? 通信电子线路典型习题 01、电感的等效电路如图所示，L=100μH，r=1Ω，工作频率f=100kHz。 （1）求电感L的Q0， （2）将电感的等效电路转换为并联形式。 02、电路如图所示，L=100μH，C=100pF。 （1）当i=5cos(106/2π)t时，确定电路的阻抗性质； （2）当i=5cos(107/2π)t时，确定电路的阻抗性质。 i 03、电路如图所示，已知：L=50μH，C=100pF，、r=5Ω，求ω0、回路的Q0、BW、B0.1、D。 04、电路如图所示，工作在谐振状态。已知：L=100μH，电感的r=5Ω、N1=6、N2=4、C1=100pF、C2=300pF、Rs=100KΩ、R L=50KΩ，求ω0、回路的Q、BW、B0.1、D。 5、电路如图所示，工作在谐振状态。已知：L1=100μH，L2=50μH，M=5μH，电感的r=5Ω、N1= 6、N2=4、C1=100pF、C2=300pF、Rs=100KΩ、R L=50KΩ，求ω0、回路的Q、BW、B0.1、D。 6、计算3级选频放大器（n=3）,单谐振回路数目为（n+1=4）时的3Db带宽BW=？ 7、晶振的f q和f p的数值有什么特点？（提示：有3） 8、为了提高效率，高频功率放大器多工作在或状态。 9、为了兼顾高的输出功率和高的集电极效率，在实际应用中，通常取θ= 。 10、为什么低频功率放大器不能工作于丙类？而高频功率放大器可以工作于丙类？ 11、有一谐振功率放大器电路如图所示，工作于临界状态。 （1）已知V cc=30V，I cm=1A，U CES=1.2V，导通角θ=700，α0(700)=0.25，α1(700)=0.44。试求P0和ηc； （2）如果电路中的变压器的效率为90%，负载电阻R L=75Ω，试求负载电阻R L两端的电压u RL=? 12、将习题016所描述的功率放大器改成2倍频器，电路应作哪些修改与调整？ 13、有一振荡电路如图所示，试在电路图上标注高频变压器的线圈的同名端。 电子信息科学与技术专业（本）2007级 《高频电子电路》试卷（A） 一、填空题（每空分，共30分） 1.无线电通信中信号是以形式发射出去的。它的调制方式有、、。 2.二极管峰值包络检波器的工作原理是利用和RC网络特性工作的。 3.已知LC回路并联回路的电感L在谐振频率f0=30MHz时测得L=1H μ，Q0=100，则谐振时的电容C= pF和并联谐振电阻R P= Ω k。 4.谐振回路的品质因数Q愈大，通频带愈；选择性愈。 5.载波功率为100W，当m a =1时，调幅波总功率和边频功率分别为和。 6.某调谐功率放大器，已知V CC =24V，P0=5W，则当% 60 = c η，= C P ,I CO= ，若 P 0保持不变，将 c η提高到80%，P c减小。 7.功率放大器的分类，当θ2= 时为甲类，当θ2= 时为乙类；当θ< 为丙 类。 8.某调频信号，调制信号频率为400Hz，振幅为2V，调制指数为30，频偏Δf= 。当调制信号频率减小为200Hz，同时振幅上升为3V时，调制指数变为。 二、选择题（每题2分，共20分） 1.下列哪种信号携带有调制信号的信息（） A.载波信号 B.本振信号 C.已调波信号 D.高频振荡信号 2.设AM广播电台允许占有的频带为15kHz，则调制信号的最高频率不得超过（） D.不能确定 3.设计一个频率稳定度高且可调的振荡器，通常采用（） A.晶体振荡器 B.变压器耦合振荡器相移振荡器 D.席勒振荡器 4.在调谐放大器的LC回路两端并上一个电阻R，可以（） A.提高回路的Q值 B.提高谐振频率 C.加宽通频带 D.减小通频带 5.二极管峰值包络检波器适用于哪种调幅波的解调（） A.单边带调幅波 B.抑制载波双边带调幅波 C.普通调幅波 D.残留边带调幅波 4.1 简述耗尽型和增强型MOS 场效应管结构的区别；对于适当的电压偏置（V DS >0V ，V GS >V T ），画出P 沟道增强型MOS 场效应管，简要说明沟道、电流方向和产生的耗尽区，并简述工作原理。 解：耗尽型场效应管在制造过程中预先在衬底的顶部形成了一个沟道，连通了源区和漏区，也就是说，耗尽型场效应管不用外加电压产生沟道。而增强型场效应管需要外加电压V GS 产生沟道。 随着V SG 逐渐增大，栅极下面的衬底表面会积聚越来越多的空穴，当空穴数量达到一定时，栅极下面的衬底表面空穴浓度会超过电子浓度，从而形成了一个“新的P 型区”，它连接源区和漏区。如果此时在源极和漏极之间加上一个负电压DS V ，那么空穴就会沿着新的P 型区定向地从源区向漏区移动，从而形成电流，把该电流称为漏极电流，记为D i 。当SG v 一定，而SD v 持续增大时，则相应的DG v 减小，近漏极端的沟道深度进一步减小，直至DG t v V =，沟道预夹断，进入饱和区。电流D i 不再随SD v 的变化而变化，而是一个恒定值。 4.2 考虑一个N 沟道MOSFET ，其n k '= 50μA/V 2，V t = 1V ，以及W /L = 10。求下列情况下的漏极电流： （1）V GS = 5V 且V DS = 1V ； （2）V GS = 2V 且V DS = 1.2V ； （3）V GS = 0.5V 且V DS = 0.2V ； （4）V GS = V DS = 5V 。 (1) 根据条件GS t v V …，()DS GS t v v V <-，该场效应管工作在变阻区。 ()2D n GS t DS DS 1W i k v V v v ??'=--???? =1.75mA (2) 根据条件GS t v V …，()DS GS t v v V >-，该场效应管工作在饱和区。 ()2 D n GS t 12W i k v V L '=-=0.25mA (3) 根据条件GS t v V <，该场效应管工作在截止区，D 0i = (4) 根据条件GS t v V …，()DS GS t v v V >-，该场效应管工作在饱和区 ()2 D n GS t 1W i k v V '=-=4mA 4.3 由实验测得两种场效应管具有如图题4.1所示的输出特性曲线，试判断它们的类型，并确定夹断电压或开启电压值。第六章练习题及参考解答
电路与模拟电子技术基础(第2版)-习题解答-第8章习题解答
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高频电子电路期末考试试题
模拟电子电路基础答案(胡飞跃)第四章答案