微纳光电子系统_第二章微纳光电器件简介
微纳光电子器件设计及应用
微纳光电子器件设计及应用微纳光电子器件是一种尺寸在微米和纳米量级的光电子器件。
它们具有小尺寸、低功耗、高集成度和高效率等优势，在光通信、光传感、生物医学等领域具有重要的应用价值。
本文将着重介绍微纳光电子器件的设计原理和应用。
微纳光电子器件的设计涉及多学科的知识，包括材料科学、微纳加工技术、光学原理和电子学原理等。
在微纳加工技术方面，常用的方法包括光刻、薄膜沉积、离子注入和电子束光刻等。
这些技术可以制造出微米和纳米级的光电子器件。
在微纳光电子器件的设计中，材料的选择非常重要。
常用的材料包括硅、III-V 族化合物和有机材料等。
硅作为一种常规的半导体材料，具有优良的光电性质和可靠的工艺流程，因此被广泛应用于微纳光电子器件的制备。
而III-V族化合物如氮化镓等具有优异的光电子性能，可以用于高频率和高功率的光电子器件。
有机材料则具有较高的光感度和柔性，适用于可弯曲的光电子器件。
微纳光电子器件的应用非常广泛。
首先是在光通信领域，微纳光电子器件可以用于制造高速光调制器、光放大器和光检测器等。
这些器件可以实现光信号的调制、放大和检测，提高光通信系统的传输速率和传输距离。
其次是在光传感领域，微纳光电子器件可以用于制造高灵敏度的生物传感器、环境传感器和化学传感器等。
这些器件可以通过光信号的变化来检测物质的浓度、温度和压力等，具有高灵敏度和高选择性。
此外，微纳光电子器件还可以应用于光存储、光计算和量子信息等领域。
在光存储方面，微纳光电子器件可以用于制造高密度和高速度的光存储器件，可以实现大容量的数据存储。
在光计算方面，微纳光电子器件可以用于制造光逻辑门和光开关等，可以实现光计算的高速度和低功耗。
在量子信息方面，微纳光电子器件可以用于制造单光子源、光量子纠缠等，可以实现量子通信和量子计算。
综上所述，微纳光电子器件是一种具有重要应用价值的光电子器件。
随着微纳加工技术和材料科学的不断发展，微纳光电子器件的设计和应用将得到进一步的推动。
微纳光电子器件的设计和制备技术
微纳光电子器件的设计和制备技术微纳光电子器件是目前光电子领域中的前沿研究领域。
因其微小的体积，具有良好的性能和独特的功能，被广泛应用于信息处理、生物医药、新能源等领域。
本文概述微纳光电子器件设计制备技术。
一、微纳光电子器件概述微纳光电子器件是指体积尺寸在微米乃至纳米量级的光电子器件，与传统的光电子器件相比，具有更高的集成度、更低的功耗、更高的速度、更强的可靠性和稳定性，因此在应用领域有着广泛发展前景。
目前，微纳光电子器件主要包括微波光子晶体、微环谐振器、微腔光机械振子、微进易出激光等。
这些器件均是基于微纳米加工技术制备的，因此需要掌握相应的设计和制备技术。
二、微纳光电子器件设计技术1. 光学仿真技术在微纳光电子器件设计中，光学仿真技术是非常重要的一部分。
通过对无限远场问题的研究，可以建立器件的电磁模型，并利用计算机仿真技术进行分析和设计优化。
光学仿真技术最常用的软件是COMSOL Multiphysics和Lumerical等。
通过光学仿真技术，可以优化器件的结构形状、材料选择、呈现和低损耗等。
2. 异质结构设计技术在微纳光电子器件很多器件应用中都需要通过异质结设计实现。
异质结异质材料的导带能带区在交界处会产生能带弯曲现象，从而形成能带偏差，这样就能够改变器件的电子结构和光学性质。
异质结是一种典型的二维和三维的结构，可以通过量子阱、能带混合、带隙调制等技术实现。
在微波光子晶体、微腔光学器件等方面有重要应用。
三、微纳光电子器件制备技术1. 电子束光刻技术电子束光刻技术（EBL）是一种高分辨率的微纳米制造技术，其分辨率可以达到亚纳米级别。
EBL主要是利用电子束照射石英等电子敏感材料，石英中会产生可溶解的空穴，再通过腐蚀、蒸镀等方式制造出器件形状。
EBL技术可以实现器件的多层加工和三维加工，但是其缺点是加工速度较慢，不能进行大面积加工和生产级量产。
2. 等离子体刻蚀技术等离子体刻蚀技术（RIE）是一种高效的微纳米制造技术，其主要原理是通过气体放电等离子体刻蚀目标材料。
第二章 微纳光学理论基础
第二章微纳光电子理论基础参考：微光学与系统，杨国光编著，浙大出版社2.1 微纳结构光学理论概述理论涉及领域-微纳光学主要设计尺寸在微米或纳米量级的器件以及尺寸在亚微米量级或纳米量级的表面微纳结构。
-当器件或微结构的尺寸接近入射波长或小于入射波长时，光进入共振区（衍射区）。
常规光学的标量理论已无法设计这类微光学器件，必须采用光共振区的矢量理论进行设计。
-涉及三个理论领域：►标量理论领域——适用于设计结构周期尺寸d>=10λ的微光学器件；►矢量理论领域——适用于设计结构周期尺寸d～λ的微光学器件；►等效折射领域——适用于计算结构周期尺寸d<=λ/10的微光学器件；三个理论领域的光物性变化设计模型●标量模型：二维模型，是复振幅的强度模型。
当微结构尺寸d>>λ时有效，当d～λ时计算精度不够，且不能计算偏振状态。
●矢量模型：三维模型，是严格模型。
计算光栅微结构已较成熟，但计算任意曲面算法上还有困难。
●光线追踪模型：从光的偏折来描述微光学，且只做±1级计算，是实用模型。
●等效折射模型：适用于d<=λ/10，作微结构计算。
微光学分类●从原理上分： 衍射型和折射型●从功能上分：- 非成像微光学阵列——以聚能为主要目的，起提高光能利用率的作用。
- 成像微光学——以多重成像为目的，实现光学系统微型化。
- 光束变换器——利用衍射原理实现传统光学取法实现的功能如光束整形、光束变换、光互连等。
●从设计与加工原理上分：- 折射型微透镜： 可获得大的数值孔径和短焦距 - 二元型微透镜： 平面型- 混合型微透镜 ： 具有消色差高像质功能 2.2 标量衍射理论基础●标量衍射模型)()()(0P A P U P U i ∙=问题： 已知使用要求U0(P),如何确定微结构的P点的复振幅A(P)? 设微结构的轮廓高度为h(P), 基底S 的折射率为n(λ),则此微结构引入的光程差OPD 为：[])(1)()(P h n P OPD -=λλ故有： )(2)()(P O PD j P j e e P A λλπϕλ==光程差或相位分布一般可用多项式来拟合： ∑∑==-=n i ij jji j i n y x A y x 10,),(ϕ标量衍射系统空间模型●典型衍射系统：- I 为光波入射空间：平面或球面简谐波均匀波；- 衍射光学元件II 为光透射空间:入射光波振幅或相位受到微结构调制，波前改变；- III 为衍射空间： 透射光波传播形成光强起伏的衍射图样，非均匀波。
微纳电子学微型电子器件与系统的设计与制造
微纳电子学微型电子器件与系统的设计与制造微纳电子学是一门研究微米和纳米级尺寸电子器件与系统的学科，它与传统电子学相比，更加注重在微小尺寸下实现高性能和功能丰富的电子器件和系统。
微纳电子学的应用领域非常广泛，包括信息技术、生物医学、能源和环境等多个领域。
本文将介绍微纳电子学微型电子器件与系统的设计与制造的相关内容。
一、微纳电子学的基础原理微纳电子学的基础原理主要包括集成电路技术、材料科学、纳米加工技术和器件物理等方面。
其中，集成电路技术是微纳电子学的核心，它通过不断缩小元器件的尺寸，提高集成度和性能，实现了计算机、通信和消费电子产品的飞速发展。
材料科学则是支撑微纳电子学研究的基础，研究高性能、高稳定性和可制造性的材料对于微纳电子器件的设计制造至关重要。
纳米加工技术是微纳电子学中实现微米和纳米级尺寸器件的关键技术，包括光刻、薄膜沉积、电子束曝光和离子注入等多种制造工艺。
器件物理则是理解和研究微纳电子器件行为的基础，研究电子在微纳结构中的输运和量子效应，为器件设计提供理论指导。
二、微纳电子器件设计微纳电子器件的设计是微纳电子学的核心任务之一。
在微纳尺度下，器件的结构和材料的选择对其性能有着重要影响。
常见的微纳电子器件包括晶体管、电容器、电感器和传感器等。
在设计过程中，需要考虑电路的功能需求、电路结构的优化以及材料的选择。
在晶体管的设计中，常用的结构包括MOSFET、BJT和HEMT等，不同结构的优缺点可根据具体应用需求来选择。
电容器和电感器的设计则需要考虑电容或电感的大小和频率响应等性能指标。
传感器的设计需要考虑传感器的灵敏度、选择性和稳定性等因素。
此外，还需要考虑功耗和可靠性等问题，以满足实际应用需求。
三、微纳电子器件的制造技术微纳电子器件的制造技术是实现微纳电子学的关键。
常用的微纳制造技术包括光刻、薄膜沉积、离子注入和电子束曝光等。
光刻是一种常用的制造技术，通过光刻胶的曝光和显影，将所需的器件图形转移到硅片表面。
光电子技术在微纳电子器件中的应用
光电子技术在微纳电子器件中的应用微纳电子器件是当前世界上最有前景的科技领域之一，而光电子技术则是该领域中备受关注的一种技术。
光电子技术的发展一直在受到越来越多的关注，并且被广泛地用于微纳电子器件的研究和应用中。
在这篇文章中，我们将讨论光电子技术在微纳电子器件中的应用。
1. 微纳电子器件的定义与应用在开始讨论光电子技术在微纳电子器件中的应用之前，我们先来了解一下微纳电子器件的定义和应用。
微纳电子器件是指在微观或纳米尺度下制造的电子器件，由于特小的尺寸和独特的物理特性，这种器件具有广泛的应用前景。
无论是在电子通信、能源、医疗、生物医药、环境保护等领域，微纳电子器件都有着不可或缺的作用。
举例来说，微纳电子器件被广泛地应用于磁盘驱动器、光纤通信、太阳能电池、生物芯片、飞行器、智能手机等领域。
2. 光电子技术的定义与应用光电子技术是指把光学和电学相结合的一种技术，它主要涉及到电子与光子间相互转化的过程。
这种技术的发展具有很多的应用前景，尤其是在信息通信、医疗保健、物理学、环境监测等领域。
光电子技术的应用范围非常广泛，比如在通信领域中，它被广泛地应用于光纤通信、卫星通信、高速数字通信、光纤传感器等方面。
在物理学领域，光电子技术可用于测量超快过程、测量高能粒子等。
在医疗保健领域，它被用于放射治疗、光疗等方面。
在环境监测领域，光电子技术可用于水质检测、空气质量检测等。
3. 光电子技术在微纳电子器件中的应用光电子技术在微纳电子器件中的应用是一种比较新的技术，但是它的应用前景还是非常广泛的。
下面我们将详细地探讨光电子技术在微纳电子器件中的应用。
3.1 无线通信无线通信是一种通过无线电波进行信息传递的技术。
如今，它是当今世界上最主要的通信方式之一，并且被广泛地应用于移动通信、互联网、广播、卫星通信等领域。
光电子技术可以非常容易地与无线通信技术相结合，用于实现光无线通信系统。
3.2 光纤通信光纤通信是一种利用光纤传输数据的技术。
微纳电子材料与器件知识讲解
纳米材料发展简介
❖ 1965年诺贝尔物理奖获得者R.P Feynman说过：“如果有一 天能按人的意志安排一个个原子分子将会产生什么样的奇 迹”，纳米科学技术的诞生将使这个美好的设想成为现实 。
❖ 1982年，IBM公司苏黎世研究所Binnig和Rohrer发明了扫描 隧道显微镜(STM),这项发明为纳米科技的发展起到巨大的 促进作用。
(a) Schematic representation of the transfer process to invert the VA-MWNT array onto a polystyrene thin film,
(b, c) SEM images of the invert VA-MWNT array.
纳米结构与低维性的概念
❖ 纳米材料：指材料在三维空间中至少有一维处于纳米尺度
范围内的，或由纳米基本单元构成的材料。
❖ 纳米结构是以纳米尺度的物质单元为基础,按一定规律构筑
或营造一种新的体系,它包括一维的、二维的、三维的体系 。
❖ 纳 米 结 构 通 常 是 指 0.1 ～ 100nm 的 超 微 结 构 , 在 这 种 尺 度
介观体系的材料。
❖ 低维性：指的是维数小于三，具体来说就是二维、 一维和零维
d=3，完全不受 量子约束
三维（3D）
定义d为维度
d=2，一个方向上 受到量子约束
二维（2D）
d=1，两个方向上 受到量子约束
d=0，三个方向上 受到量子约束
一维（1D） 零维（0D）
纳米材料根据三维空间中未被纳米尺度约束的自由度定义
用传统的化学分子极性理论來解释，不仅解释不 通，恰恰是相反。
从机械学的粗糙度、光洁度角度來解释也不行， 因为它的表面光洁度根本达不到机械学意义上的 光洁度（粗糙度），用手触摸就可以感到它的粗 糙程度。
微纳光学元件
微纳光学元件微纳光学元件是指在微纳米尺度下制备的光学元件，其物理尺寸与波长相当或小于波长。
由于微纳米尺度下的光学元件具有精细的结构和独特的光学性能，因此它们在纳米光学、纳米电子学、生物医学、光子学和量子信息等领域都有着广泛的应用。
本文将介绍微纳光学元件的种类、制备方法和应用领域。
1.微型透镜微型透镜是一种具有微观尺度的透镜。
在微型透镜中，光线沿着一个由两个球形凸面镜构成的小光学系统进行聚焦。
微型透镜可以用于大规模的太阳能电池板、荧光探针和微小的成像器件中。
2.表面等离子体共振元件表面等离子体共振元件（SPR）是由金属和介电质组成的结构，在金属表面激发出介电质与金属相互作用而形成的等离子体振荡。
SPR可以用于生物传感和化学传感器，便携式光谱仪和科学研究中。
3.纳米图案化二维材料纳米图案化二维材料是通过纳米图案化技术在二维材料表面形成的纳米图案阵列。
这些阵列可以用于各种应用，如有机太阳能电池、晶体管和量子点发光二极管等。
4.纳米光阀门纳米光阀门可以在纳米尺度下控制光的传输。
这种阀门利用有机材料在受激电荷转移时的光响应和半导体的光学和电学特性制成。
纳米光阀门可以用于光开关和光电子学器件中。
5.量子点量子点是一种极小的材料，其长度为纳米级别。
由于量子点的尺寸非常小，因此它们的行为在经典物理学和量子力学之间。
量子点已被证明在计算机处理、太阳能电池板、生物传感和医学成像等领域中具有应用潜力。
1.电子束光刻电子束光刻是一种制备微纳米结构的先进技术，利用电子束在光刻胶层和光学材料表面刻蚀微纳米结构。
该技术相对于其他光刻技术具有更高的分辨率和更好的控制能力。
2.激光直写3.纳米压印纳米压印技术是一种将微纳米尺度的结构转移至各种材料表面的方法。
该技术利用硅基底上制作的微纳米结构进行压印，从而制造出具有高分辨率和复杂形状的微纳米结构。
4.分子束外延分子束外延是一种利用分子束在晶体表面上生长高质量微纳米结构的方法。
通过控制分子束的数量和速度，可以精确地控制微纳米结构的形成和生长过程。
第二章 微纳光学理论基础(1)
明确了倾斜因子，任意闭合面都可以作为衍射积分面， 计算远场衍射场实用。
平面角谱分析
波场的角谱表示法就是对光传播空间中任一 平面上的光场分布 通过傅里叶变换进行平面波分解，各个傅里叶分量看做 沿不同 方向传播的平面波，在任一 其他点上的复振幅是经过相移后的 平面波之和。
U ( x, y, z)
故有：
A ( P ) e
j ( P )
e
j
2
OPD
(P)
光程差或相位分布一般可用多项 式来拟合：
n ( x, y )
n
i
Ai , j x
i j
y
j
i 1 j 0
标量衍射系统空间模型
典型衍射系统： - I为光波入射空间：平面或球 面简谐波均匀波； - 衍射光学元件II为光透射空间: 入射光波振幅或相位受到微结 构调制，波前改变； - III为衍射空间： 透射光波传 播形成光强起伏的衍射图样， 非均匀波。
R R
是标量领域的一个精确方法，但是在z=0时，存在一个 奇点。
基于标量理论的衍射光学设计
• 衍射光学设计的基本问题是在在孔径A内找到适当的衍射光 学元件结构，使得目标平面上的输出光场满足所需要求。 • 实质是一个优化问题。优化设计方法有： 模拟退火算法、遗 传算法、GS算法、Y-G算法等。
矢量衍射理论基础
第二章 微纳光电子理论基础
参考：微光学与系统， 杨国光编著，浙大出版社
2.1 微纳结构光学理论概述
理论涉及领域
- 微纳光学主要设计尺寸在微米或纳米量级的器件以及尺寸在亚微米量 级或纳米量级的表面微纳结构。
- 当器件或微结构的尺寸接近入射波长或小于入射波长时，光进入共振 区（衍射区）。常规光学的标量理论已无法设计这类微光学器件，必须 采用光共振区的矢量理论进行设计。 - 涉及三个理论领域：
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2010-9-5
32×32微测辐射热计SEM照片
×200 倍
×500倍
测试系统原理图
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像元编号
像元黑体响应电压 (µ V)
像元响应率 (V/W) 1.52×104 1.23×104 1.11×104 1.46×104 1.42×104 1.35×104 0.99×104 1.44×104 1.56×104 1.28×104
读出电路 X 向电极
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微桥结构设计
• 热学设计 低热导和合适的热响应时间 • 光学设计 提高填充系数和红外吸收率 • 力学设计 确保结构的机械力学稳定性
1. 00 0. 90
吸 0. 70 收 0. 60 率 0. 50 （ 0. 40 ％） 0. 30
0. 20 0. 10 0. 00 1. 0 3. 0 5. 0 7. 0 9. 0 11. 0 13. 0 15. 0
硅 3.4
400μm 4μm 1 8 2π 1.67μm 1.96
硅 3.4
400μm 4μm 1 8 1.7 π 1.42μm 2.35
硅 3.4
400μm 4μm 1 8 0.95π 0.798μm 2.35
石英 1.47
400μm 0.5μm 1 8 2π 1.06μm 4.5
性能测试
衍射效率
微测辐射热计物理模型
微测辐射热计热学模型
热绝缘微桥结构
V dV I 0 dR dT I 0 R ＝ dQ dT dQ Geff
微桥结构 50 μm Y 向电极 红外 辐射 0.5μm
Gleg kleg
Aleg l
探测器响应率与探测 器和衬底间的热导G 呈反比，利用微桥结 构降低二者间的热导
• 应力平衡技术
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读出电路芯片制作
光 敏 区 积分 电容 区 时序驱动 和信号读 取区 单个CMOS读出电路芯片照片
CMOS读出电路4英寸晶元照片
互连孔刻蚀
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单片集成优点
•
• • 构 •
低互连成本 高可靠性 可以实现极低热导结
可以制作谐振腔,提高 吸收率 • 芯片成本低
-1
磁控溅射
薄 膜 电 阻 （k 10 Ω）
100
2# TCR=-2.7%K
-1
3# TCR=-2.0%K
-1
4# TCR=-1.1%K
-1
薄 膜 电 阻 （k Ω）
1 20 30 40 50 60 70 80
温度（℃）
温度（℃）
氧化钒薄膜电阻－温度关系曲线
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氧化钒薄膜XRD测试图谱
射
• 制备温度：25~250 ℃ • 薄膜方块电阻：20 ~ 50 kΩ • 薄膜薄膜电阻温度系数：-1%～-3%/K • 均匀性：<5% (4 in，磁控) • 薄膜结构: 混合相VOx或者亚稳态相VO2(B)
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工艺优化（离子束溅射）
B
100
1000
薄 膜 800 电 阻 600 （k Ω）
130.0 120.0 110.0 100.0 90.0 80.0 70.0 *<64.8癋 *>230.0癋 220.0 200.0 180.0 160.0 140.0 120.0 100.0 80.0 60.0 *<59.0癋
6
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TCR
1 dR d ln R R dT dT
成像效果对比
未集成微透镜
集成微透镜
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• 石英衍射微透镜
自对准工艺 (专利ZL02138792.3)
Array: 1500640 Pixel: 25 m 25 m
聚合物微透镜制作技术
• 使用聚合物的理由
第一次光刻胶图形 （ a）
· 第一次离子刻蚀（二相位微透镜）
· 理论衍射效率：４１％
第二次光刻掩模版
第二次光刻胶图形
（b）
· 第二次离子刻蚀（四相位微透镜） · 理论衍射效率：85%
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第三次光刻掩模版
第三次光刻胶图形
（C）
· 第三次离子刻蚀（八相位微透镜） · 理论衍射效率：95%
400 200 0 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
薄 80 膜 电 阻 60 （ k 40 Ω ）
20 0 30 35 40 45 50 55 60
氧分压 (%)
屏栅电流（mA）
薄膜方块电阻与氧分压关系曲线
薄膜电阻与屏栅电流关系曲线
氧化钒薄膜电阻温度曲线测试
反应离子束溅射
1# TCR=-3.1%K
20
30
40
50
60
70
衍射角 2θ （°）
衍射角 2θ （°）
混合相VOx
亚稳态相VO2(B)
氧化钒薄膜SEM照片
离子束 (×100,000倍)
磁控 ×80,000倍
10
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微测辐射热计器件理论
像元A 光敏面Ad 支撑桥腿 四周环境 Grad
红外辐射 红外辐射
探测器
Gleg 硅衬底
读出电路 硅衬底
TCR=-0.0236K－1 R0(20℃)=13.5 kΩ/方 块
LnR(Ω)
室温电阻约15~20 kΩ， 电阻温度系数-2.0%K-1。 与VO2薄膜不同，这 种薄膜在68℃时无半 导体－金属相变，薄 膜电阻的对数与测试 温度的倒数呈近似直 线关系.
1/T (K)
氧化钒热敏薄膜制备
• 两种制备方法：反应离子束溅射和磁控溅
2010-9-5
微纳光电子系统
第二章 微纳光电器件简介
内 容
VO2薄膜材料及其应用 微透镜与红外CCD集成技术 微小型光学扫描器及其应用 MEMS红外气体传感器
1
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1. VOx薄膜材料及其应用
1959年美国贝尔实验室Morin发现钒的金属氧化物具有电 阻温度相变特性；目前该材料的相变机理至今仍然未完 全掌握。 该材料在相变过程中，许多物理参数，如电阻率，光学 折射率都发生了突变，具有非常广泛的器件应用前景。 金属钒的8℃附近，最接近室温;当温度 低于68℃时，VO2呈现半导体相，材料电阻率为10 Ω · cm 量级；当温度高于68℃时，VO2呈现金属相，电阻率下降 至10-3 Ω · cm左右。在很小的温度范围内(0.1℃），电阻 率变化了4-5个数量级。与此同时，材料的光学特性在相 变时也发生了突变，从低温半导体相对红外光的高透射 转变为高温金属相对红外光的高反射.
套刻误差的影响
菲涅耳透镜存在δ 对准误差
存在套刻误差的微透镜
在横向误差（包括线宽误差和对准误 差）和深度误差中，以对准误差的影响 最大 衍射效率随对准误差衰减速度很快。
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离子束刻蚀
反应离子刻蚀
集成技术
PtSi红外CCD: 256× 256元, 528× 528元
- 单元尺寸: 40 m × 40m, 30 m × 30 m;
V4O9
100000
低温 低速
V2O5 VO2 VO2 VO2 VO2 VO2 VO2 Si VO2 VO2 VO2 Si V2O3 VO2 VO2 VO2
中温,中速
12000
Si VO2(B)
9000
10000
6000
1000
3000
VO2(B) VO2(B)
100
0
20
30
40
50
60
70
80
10
应用 -- 国防、军事
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消防
医疗
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医疗 SARS
工业设备预知性检测及维护 -- 电子
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工业设备预知性检测及维护 -- 土木、建筑
工业设备预知性检测及维护 -- 电气设备
*>138.4癋
*>57.0癈 56.0 54.0 52.0 50.0 48.0 46.0 44.0 42.0 40.0 38.0 36.0 34.0 32.0 30.0 28.0 26.0 24.0 *<23.0癈
B (1,3) B (2,3) B (3,11) B (3,23) B (4,30) B (10,30) B (12,31) B (20,23) B (30,23) B (32,10)
76 61.5 55.5 73 71 67.5 49.5 72 78 64
2. 微透镜与红外CCD集成技术
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2010-9-5
像元噪声电压 (µ V) 10.2 11.3 8.9 11.5 12.1 12.6 11.2 7.6 9.0 8.5
噪声等效功率 （W） 6.7×10-10 9.2×10-10 8.0×10-10 7.9×10-10 8.5×10-10 9.3×10-10 11.3×10-10 5.3×10-10 5.8×10-10 6.6×10-10
基本工艺：
涂胶、前烘、曝光、显影、后烘、刻蚀、去胶 优化涂胶工艺，减少边缘 凸起效应、几何效应和伯努 利效应； 提高刻蚀重复性；
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2010-9-5
影响衍射效率的因素
光刻工艺中的线宽误差、图样对准误差、随机刻蚀深 度误差、轮廓倾斜、第二种淀积材料的重叠将会在面 浮雕结构上造成同心峰或同心谷，减少衍射效率 。 在横向误差（包括线宽误差和对准误差）和深度误差中， 以对准误差的影响最大。当相对深度误差小于10%时， 非涅尔衍射微透镜的衍射效率下降低于3%，而当大于 10%时，衍射效率下降很快。