SnAgCu钎料焊点电化学迁移的原位观察和研究
石墨烯增强Sn-Ag-Cu复合无铅钎料的设计与性能研究

天津大学硕士学位论文石墨烯增强Sn-Ag-Cu复合无铅钎料的设计与性能研究Design and Property Study on a Sn-Ag-Cu Lead-free Solder Reinforced with Graphene学科专业:材料加工工程研 究 生:刘向东指导教师:徐连勇副教授天津大学材料科学与工程学院2012年12月独创性声明本人声明所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行的研究工作和取得的研究成果,除了文中特别加以标注和致谢之处外,论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果,也不包含为获得天津大学或其他教育机构的学位或证书而使用过的材料。
与我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中作了明确的说明并表示了谢意。
学位论文作者签名:签字日期:年月日学位论文版权使用授权书本学位论文作者完全了解天津大学有关保留、使用学位论文的规定。
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(保密的学位论文在解密后适用本授权说明)学位论文作者签名:导师签名:签字日期:年月日签字日期:年月日中文摘要在无铅钎料中,Sn-Ag-Cu系钎料因其良好的力学性能及可靠性,目前被广泛的应用。
但是,随着微/纳机电系统技术的不断进步,微电子器件不断向小型化、轻量化、功能化发展。
传统的无铅钎焊技术已经难以满足钎焊接头可靠性的要求。
因此,急需开发出一种新型无铅钎料以满足更为苛刻的服役条件。
一个可行且具有前景的解决方案就是引入强化相,制备出复合钎料。
在本研究中,采用具有超强的力学性能、热稳定性及导电性的新型二维纳米材料石墨烯作为强化相,加入传统的Sn-Ag-Cu钎料中形成复合钎料。
本文的主要工作可分为两部分。
(1)利用粉末冶金法成功制备了石墨烯纳米片(GNSs)复合无铅钎料,并测试了材料的一系列物理性能及微观组织。
电迁移现象对钎焊界面组织的影响及作用机制

第45卷第3期2019年6月兰州理工大学学报Journal of Lanzhou University of TechnologyVol.45No.3Jun.2019文章编号:1673-5196(2019)03-0022-04电迁移现象对钎焊界面组织的影响及作用机制俞伟元,吴炜杰,孙学敏(兰州理工大学省部共建有色金属先进加工与再利用国家重点实验室,甘肃兰州730050)摘要:使用Zn-Al合金作为钎料,采用直流电阻钎焊技术对6063铝合金进行钎焊连接.研究了电迁移现象对钎焊界面显微组织及形貌的影响,并分析了其作用机理.结果表明:直流电阻钎焊过程中,在电场驱动力和化学驱动力共同作用下,母材中的A1从负极向正极发生电迁移,在此过程中大量空位的存在诱导产生背力促使Zn从正极迁移至负极,进一步研究发现这种由于空位浓度诱导形成的背力梯度使得正极区域固溶体层生长受到抑制,而促进负极区域固溶体层的生长.关键词:铝合金;直流电阻钎焊;电迁移效应;背力中图分类号:TG454文献标志码:AEffect of electromigratory phenomenon on brazed interfacialmicrostructures and its functional mechanismYU Wei-yuan,WU Wei-jie,SUN Xue-min(State Key Laboratory of Advanced Processing and Recycling of Nonferrous Metals,Lanzhou Univ,of Tech.,Lanzhou730050,China)Abstract:Taking Zn-Al alloy as solder,brazing connection of6063aluminum alloy is carried out by means of DC resistance brazing technology.The influence of electromigratory phenomenon on microstructure and morphology of brazed interface is studied and its functional mechanism is analyzed.The result shows that,in the process of DC resistance brazing,the electromigration of Al from negative pole to positive one is caused by the electric field driving force and chemical driving force.In this process,the existence of massive vacancy will induce backing force to drive Zn from positive pole to negative one.It is found by further study that the growth of the solid solution layer in the positive polar region will be inhibited by the backing force gradient9which also promote the growth of the solid solution layer in the negative region.Key words:aluminum alloy;DC resistance brazing;electromigration effect;backing force在材料制备、焊接成型等工艺过程中施加电场⑴、声场、磁场⑵等物理场,获得所需组织结构和性能,是近来学术研究的热点•在众多物理场的应用中,以电场的应用最为普遍和成熟•由电场所产生的热电效应、感生出的电磁力引起的驱动效应和电迁移效应,使得电场在材料加工的传热、传质和能量传输中扮演了“能量调控者”的角色.在施加电场的钎焊过程中,液态金属原子偏离原有位置沿着电子运动方向发生移动的电迁移效应,导致了孔洞、裂纹等缺陷的产生以及局部区域化收稿日期:2018-11-18基金项目:国家自然科学基金(51465032)作者简介:俞伟元(1973-),男,甘肃兰州人,博士,教授.合物堆积3〕.已有的研究表明,电迁移效应会对焊点的微观组织及力学性能产生影响,Cheng-En Ho 等⑸基于Huntington和Grone的电迁移理论提出了一个数学模型,对垂直于电子流方向的特定Sn磁通量和Cu扩散以及Cu6Sri5累积之间的联系进行了定量描述・Xu L等⑹学者对热电联合效应下SnAgCu体系的电迁移行为进行了研究,通过观察热电效应下焊点界面IMC生长的情况,发现在阳极界面的IMC层生长速度大于阴极界面的IMC层生长速度,且二者均快于等温时效•有效证明了金属间化合物在电迁移下的极性效应.H Gan等⑺报道了阳极和阴极电迁移极性效应对在焊料槽中IMC形成的动力学影响,实验结果表明,与不施加电流的热第3期俞伟元等:电迁移现象对钎焊界面组织的影响及作用机制・23・处理相比,在正极施加电流促进IMC生长而在负极则会阻碍其生长,同时正极处IMC的生长速率与时间呈抛物线关系且生长速率随着电流密度增大而增大.基于上述研究背景,本文将采用直流电阻钎焊方法,探究钎焊过程中接头界面电迁移行为的作用机理及其对界面微观组织形貌带来的影响.1实验材料和方法1.1实验材料所用母材与钎料分别为6063铝合金和1mm厚的箔片状Zn-2A1钎料,其化学成分见表1,6063铝合金的熔点低于615°C,Zn-Al钎料的熔点为382〜440°C.表1实验用母材、钎料成分及熔点Tab.1Chemical composition and melting points of basematerials and solders for experiment合金质量分数/%固相线温度/°c A1Zn Mg Si Cu606399-0.45〜0.900.20〜0.600.10<615 Zn-Al982---382〜4401.2实验方法直流电阻钎焊原理如图1所示•焊前将8cm厚的铝合金板加工成尺寸为20mmXlO mmX8mm (长X宽X高)的钎焊试样,其中下工件加工一个8mmX6mmXO.15mm(长X宽X高)的凹槽,其中放置用砂纸打磨后的箔片状Zn-2A1钎料0.1g.用240目砂纸打磨工件接触面去除表面致密连续的氧化膜和杂质,随后用丙酮擦拭去除油污,再用无水乙醇清洗;将加工好的试样放置到如图所示的上下电极上,施加80N的恒定压力•钎焊时采用两步电阻钎焊方法,在钎焊第一阶段,通以3.5kA的小电流持续500ms,空隙时间为500ms,在钎焊第二阶段通以7.5kA大电流持续2s,随后空冷至室温•为了确定电流流向对于界面反应的影响,改变电流流向,进行对比实验•钎焊结束后,焊缝沿纵向切开,用金相砂纸逐级打磨并抛光,腐蚀后采用广视场万能图1直流电阻钎焊原理Fig.1Principle diagram of direct-current resistance brazing 金相MEF3显微镜观察试样的焊缝形貌,使用QUANA-FEG450型场发射扫描电镜观察界面微观组织形貌,并分析其组织演变•同时使用能谱分析仪(EDS)对钎焊接头微区进行元素分析,分析焊缝及界面物相的组成.2结果与讨论2.1钎料与铝基体界面微观组织图2为直流电阻钎焊接头微观组织.由图可知,接头主要由两侧界面不等宽固溶体层和共晶相组成(如图2a).通过EDS测得接头微观组织中黑色、灰色和白色相的Zn元素质量分数分别为30.62%、46.61%和95.38%•结合相图,可知图2b中共析cr Al呈灰色条块状,其间分布着块状白色共析p-Zn 相,初晶*A1相呈黑色花瓣状•图2c、d分别为正极界面和负极界面局部放大图像,从图中可以看出,在正极和负极界面处均存在连续的固溶体层,且衬度较深•值得注意的是正极界面的固溶体层厚度明显小于负极界面固溶体层厚度.(a)接头的界面微观组织(b)钎焊接头中的各相组成成分(c)图2(a)中I区域的局部放大图(d)图2(a)中II区域的局部放大图图2直流电阻钎焊接头SEM图像Fig.2SEM images of DC resistance brazed joint2・2合金元素在晶界处的偏聚机理图3为钎焊接头元素面分布图•从图中可以看出,A1原子主要分布在花瓣状的初晶*A1相和共晶a-Al相中,而Zn原子则主要分布在p-Zn相中. Mg和Si原子沿晶界呈现偏聚分布,其中Si元素的偏聚尤为明显•晶界上的Mg和Si原子来自于铝合金基体,随着基体熔蚀扩散进入接头偏聚于晶界.一方面,这是由于和晶内相比晶界上的空位较多,形成空位团簇后的尺寸大小不一,因此晶界上容易出现杂质原子的偏聚;另一方面,熔点低的晶界最后凝・24・兰州理工大学学报第45卷固,当钎焊接头凝固时使液相富含Mg和Si原子、又当相邻晶粒长大至互相接壤时,把富含Mg和Si 原子的液体集中在晶粒之间,凝固成为元素偏聚的晶界,因此存在于晶界.(a)钎焊接头界面FDS面扫图像(b)Al元素面分布图常数,T是温度,Zf是有效电荷数弋是电子电荷,E,是电场.在钎焊初始阶段,化学梯度差和电势差引起的原子流动如图5所示J讣为A1化学电位梯度差导致的扩散相J件为A1电子动量传递效应引起的流动相J严为Zn化学电位梯度差导致的扩散相J分为Zn电子动量传递效应引起的流动相,人为空位通量,箭头为流动方向.(0)Mg元素面分布图(d)Si元素面分布图图3钎焊接头元素面分布Fig.3Distribution maps of element interface in brazed joint图5电迁移作用下传质过程Al界面7FZn(Al)钎料7FX界面jfA1阴彼—阳极Fig.5Schematic diagram of mass-transfer process under action of electromigration2.3直流电阻钎焊过程中电迁移现象通常情况下电迁移是金属原子沿着电子运动方向(负极至正极)而发生迁移的一种物理现象⑻,这是由于施加电场过程中高密度电流聚集,电子与金属原子撞击发生动量传递,因为带负电的电子向阳极移动,因此动量传递致使原子向阳极移动,最终导致金属原子沿导体产生了质量的输送•从图4中固溶体层厚度变化可以看出,Zn的电迁移方向是从正极向负极,这与一般的电迁移现象截然相反•这种异常的“电迁移效应”可能是界面上Al.Zn原子电迁移速率不同导致的背力诱导产生的,其机理可能如下:界面原子扩散主要由电场和化学势驱动,原子的流动通量可以由如下方程描述⑷:Ji=誓(kT驾严+Zf幺E J(1)其中:N,是原子密度,D是扩散系数M是玻尔兹曼稳态原子流动通量如下〔7—:Ji=J^+J^+J?+J?+J a(2)根据方程(2),在阳极和阴极界面Zn原子流动通量为丿anocle=JT+JT—人(3)丿cathode=JT—JT+人(4)其中Janode是流向正极的Zll的流动通量;J c athode是流向负极的Zn的流动通量•结合方程式(3、4)可以得出:J cathode—丿anode=2(人一丿严)(5)同理可得流向正极与流向负极的A1的流动通量差值:(6)由式(5、6)可知相对净流动通量由空位密度和电势产生的流动通量差值决定.温度为600°C时A1的有效电荷为一16,Zn的有效电荷为一2.5+0.2,A1的有效电荷值是Zn的6.4倍,即在相同的电势差作用下,A1所受到的电场驱动力要远大于Zn.由方程(7)可以计算出电场(a)负极在上时的钎焊界面(b)正极在上时的钎焊界面图4电迁移后的钎焊界面Fig.4Brazing interface after electromigration 驱动力下Al.Sn原子的电迁移速率:型=争畑〜15.4(7)经计算,在相同电势差下,Al的电迁移速率是Zn的15.4倍,即在电迁移作用下A1原子的流动通量远大于Zn原子的流动通量,此时A1电迁移产生大量空位,此空位浓度梯度作用大于作用在Zn上的电场驱动力和化学驱动力,因而有大量Zn原子将在A1电子电迁移引起的背力梯度效应下迁移至负极.第3期俞伟元等:电迁移现象对钎焊界面组织的影响及作用机制•25•由此相反的化学势能电位梯度产生一个背力⑹:九一疇⑻其中4是原子量,先是电子通量方向的应力梯度.由以上计算可知,成立,显然与实验结果相符合.因而可以得出结论,A1在电迁移作用下产生的极大空位浓度诱导产生背力,促使Zn改变流动方向,迁移至阴极.Zn原子则在背力梯度和不均匀热场作用下,沿晶界进行扩散.进一步观察发现在钎焊界面正极端固溶体层的厚度小于负极端固溶体层厚度,如图6所示.(a)正极在上时的钎焊界面(b)负极在上时的钎焊界面图6钎焊焊缝界面SEM图像Fig.6SEM image of brazing seam interface 界面固溶体层厚度取决于电流流向,这与之前的分析相符合•高密度直流电的通入在负极区域形成极大的空位,这空位浓度梯度差克服了电场驱动力以及化学驱动力使得Zn从正极向负极流通,促进负极区域附近固溶体的生长,而电流在正极区域附近则起到阻碍作用,使得固溶体层厚度减薄.3结论1)在电场作用下,界面原子扩散主要受电场和化学势驱动,其运动方向是两个驱动力竞争的结果. Zn这种不寻常的电迁移行为使界面上Al、Zn原子电迁移速率不同,而产生极大空位浓度梯度诱导产生背力,在此背力作用下,诱导Zn从正极向负极发生“异常迁移”.2)母材中的A1电迁移产生的背力梯度同时使得正极区域固溶体层的生长受到抑制,而在负极区域固溶体的生长得到促进.参考文献:[1]NOVOSELVO K S,GEIM A K,MOROZOV S N.et al.Electric field effect in atomically thin carbon films[J].Science, 2004,306(22):666-669.[2]GOERBIG M O.Electronic properties of grapheme in a strongmagnetic field[J].Review of Modem Physics,2011,83(4): 1193-1196.[3]NEWMAN D C.Novel uses of electric fields and electric currents in powder metal(P/M)processing[J].Materials Science &Engineering A,2000,287(2):198-204.[4]CHIANG K N,LEE C C,LEE C C,et al.Current crowding-induced electromigration in SnAg3.o Cuo.5microbumps[J].Applied Physics Letters,2006,88(7):0721021-0721023.[5]HO C E,LEE P T,CHEN C N,al.Electromigration in3D-IC scale Cu/Sn/Cu solder joints[J].Journal of Alloys&Compounds,2016,676:361-36&[6]XU L,PANG J H L.Electronic components and technologyconference[C].San Diego:IEEE,2006.[7]GAN H,TU K N.Polarity effect of electromigration on kinetics of intermetallic compound formation in Pb-free solder V-groove samples[J].Journal of Applied Physics,2005,97(6): 0635141-0635144.[8]OU S Q.Electronic components and technology conference[C].Lake Buena Vista:IEEE,2005.[9]CONRAD H.Influence of an electric or magnetic field on theliquid-solid transformation in materials and on the microstructure of the solid[J].Materials Science&Engineering A, 2000,287(2):205-212.[10]BLECH I A,HERRING C.Stress generation by electromigration[J].Appled Physics Letter,1976,29(3):131-133.。
Sn—Ag—Cu无铅钎料互连焊点的电迁移研究进展

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I 1 . C h i n a N a t i o n a l E l e c t r i c A p p a r a t u s R e s e a r c h I n s t i t u t e C o . , L t d . , G u a n g z h o u 6 1 0 3 0 0 , C h i n a ; 2 . H a r b i n I n s t i t u t e o f T e c h n o l o g y S h e n z h e n G r a d u a t e S c h o o 1 . S h e n z h e n 5 1 8 1 2 9 , C h i n中国 电器科学研究院有 限公 司,广 东 广州 5 1 0 3 0 0 ; 2 . 哈尔滨 工业 大学深圳研究生院 ,广东 深圳 ,5 1 8 1 2 9)
摘
要 :电迁移 问题作 为影 响焊点可靠性 的关键 问题之一 ,容易导致焊点 出现裂纹 、丘 凸和空洞等焊接缺
陷 。其失效机制有 电流拥 挤效应 、焦耳热效应 、极化效应和金属间化合物失效等 。聚焦s n — A g — c u 系无铅钎料焊
点的 电迁移 问题 ,介绍 了这一领域 电迁移的失效机制 、影响因素和防止措施 的研究现状 ,并展 望了今后的研究发
展趋势 。
关键 词 :S n — A g — C u 无铅钎料 ;电迁移 ;电流拥挤效应 ;焦耳热效应 ;极化效应
A b s t r a c t : A s o n e o f t h e k e y i s s u e s a f f e c t i n g t h e s o l d e r j o i n t r e l i a b i l i t y , e l e c t r o - m i g r a t i o n p r o b l e m s c a n c a u s e t h e f a l l u r e i n
微电子封装中焊点的电迁移现象分析与研究

微电子封装中焊点的电迁移现象分析与研究房加强;于治水;苌文龙;王波;姜鹤明【摘要】综述了当前对微电子封装中焊点的电迁移现象及其影响因素的研究现状,分析了电流密度、温度和合金成分对电迁移失效过程的影响,以及电迁移对焊点力学性能、疲劳强度和焊点断裂机制的影响.研究发现,电迁移显著降低焊点的力学性能,对微焊点平均拉伸强度的影响存在尺寸效应,明显地降低了微焊点的振动疲劳寿命,且电迁移使微焊点的断裂机制由塑性断裂转向脆性断裂.【期刊名称】《上海工程技术大学学报》【年(卷),期】2013(027)001【总页数】6页(P76-81)【关键词】微电子封装;电迁移;金属间化合物;断裂失效【作者】房加强;于治水;苌文龙;王波;姜鹤明【作者单位】上海工程技术大学材料工程学院,上海201620【正文语种】中文【中图分类】TN305.94电子技术的飞速发展,促使电子元件集成度的不断提高,互连焊点直径大小和焊点间距随之缩小,从而导致互连焊点中电流的密度不断增大,可达104 A/cm2,甚至更高[1].在高密度的电流作用下,互连焊点中的原子或离子随着电子迁移造成焊点内的成分偏析,会出现丘凸和空洞[2],导致微互连焊点电迁移失效,严重影响电子产品的性能和高可靠性,这是电子元器件微型化、精密化以及互连焊点极小化的结果[3],已引起业内专家和科研人员的广泛关注.因此,电迁移失效已成为电子封装工业中的一个关键问题.1 电迁移现象与原理1.1 电迁移现象电子在导体中长时间移动,推动金属原子或离子运动的现象,称为电迁移现象[4-5].电子元器件的集成度越来越高,微焊点间的距离越来越小,造成互连焊点中的电流密度不断增加,导致金属原子的高能态迁移,在金属互连线中形成空洞、小丘或凸起破坏焊点,如图1 所示[6].有研究[7-8]表明,高电流密度下在锡铅(SnPb)焊点多处发生电迁移现象.图1为一个典型的倒装芯片互连焊点的结构示意图[9].图1 典型倒装芯片结构示意图Fig.1 Schematic diagram of typical structurefor flip chip1.2 电迁移原理对于互连微焊点而言,由于焊点特殊的几何形状,在焊点与导线的接点处发生电流拥挤效应和金属间化合物(IMC)生长的极性效应,即金属原子由阴极向阳极扩散,溶解了阴极的IMC,导致阴极裂纹和空洞的出现,同时使阳极的IMC 得到生长[10-11].因此,阳极发生原子的堆积,而阴极处裂纹和空洞逐渐长大,最终导致焊点断裂失效;而阳极处则由于原子的堆积而形成一些凸丘(如图2所示),最终导致焊点破坏,元件短路失效,缩短了焊点平均失效时间[1,4].在高电流密度下,焊点互连线中高速向阳极运动的电子碰撞金属原子,发生动量交换,虽然金属原子受到电子风力[12]和静电场力的双向作用,但电子风力起主导作用,因此电迁移中原子的迁移是在电子风力作用下的定向迁移[5,9].图2 铝箔在高电流密度下的电迁移效应Fig.2 Electromigration effect ofaluminium foil in a high electric current densityTu等[9]研究表明,在电迁移过程中铝(Al)片越长,阴极的损耗越明显,如图3所示.铝片的长度存在一个“临界尺寸”,由Nabarro-Herring 蠕变模型的晶体内部平衡空位浓度理论模型可推算,如果空位浓度梯度效应和电迁移效应在“临界尺寸”下处于平衡状态,就不会出现明显的原子迁移,因而也不会出现电迁移失效.这说明在高电流密度下导线中同时存在背应力效应和电迁移效应[5,9].图3 Blech电迁移实验结构图Fig.3 Structural diagram of Blech electromigration experiment2 电迁移的影响因素Brandenbury等[13]于1998年首次提出电迁移失效现象,随后电迁移被作为微电子封装可靠性问题进行研究[14].Tu等[6-11]在电迁移研究领域做了大量的研究发现,焊料合金的低熔点及较高的原子扩散率是电子产品在服役时产生电迁移现象的主要原因[15].2.1 电流密度对电迁移的影响在微电子封装中,由于微焊点结构特征的影响,电流从导线流动到焊点时,导电路径的横截面面积发生突然变化,造成电流聚集,而电流聚集对电迁移有显著的影响.一般凸点中的平均电流密度为104 A/cm2,接触点即电流拥挤区域的电流密度可达105 A/cm2,甚至更高.Chen等[16]研究发现,在焊点中发生电迁移需要一个临界电流密度,当焊点承载的电流密度低于临界电流密度时,电迁移不会发生;反之,电流密度越大,电迁移失效越严重.而临界电流密度的大小和钎料、温度有关.Hsu等[17]研究发现,对于Sn-3.8Ag-0.7Cu钎料,当温度为80℃时,临界电流密度为4.3×104 A/cm2;当温度为100℃时,临界电流密度为3.2×104 A/cm2;而当温度为120℃时,临界电流密度为1.4×104 A/cm2.此外,电流密度的大小对阴极处IMC的溶解速度也有很大影响.Tu 等[18]研究发现,增加电流密度会加快阴极处IMC的溶解速度,当焊点互连线中的电流密度为2×104 A/cm2 时,经过10h,电迁移就几乎全部溶解了阴极处的IMC.Shao等[19]研究发现,电流密度对电迁移失效机制也会产生影响,Sn-3.5Ag在不同的电流密度下失效机制也不同.文献[7]研究指出,焊点下的金属化层UBM芯片为2μm 时,电流拥挤区域出现在钎料中;而UBM为10μm 时,电流拥挤出现在UBM 中而不是在钎料中.为了避免电流拥挤的出现,Tu等[8]提出了加厚UBM,加宽钎料凸点和高电流密度区域.2.2 温度对电迁移的影响在电迁移过程中,空洞、凸起的形成导致了互连线的线性阻值增加,产生焦耳热,当焦耳热越积越多达到1 000~1 500℃/cm 时,就会引发热迁移[20-22].热迁移的存在对电迁移有重要影响,当两者迁移的方向一致时,热迁移加速电迁移的过程;当两者迁移方向相反时,热迁移减缓电迁移的过程.文献[23]经过有限元模拟和理论分析证实了这一点,但是研究者发现,不管热迁移单独存在还是两种迁移并存,都会出现IMC在热端变薄、冷端变厚的现象[24-26].当电迁移的过程中存在热迁移时,在迁移驱动力方面,热迁移会高于电迁移.因此,在研究原子迁移时,考虑温度水平的同时,还要考虑另一重要因素即温度梯度[26].在传统的锡铅(SnPb)焊点中,Sn和Pb 原子的迁移方向受温度的影响非常明显.当温度大于等于100℃时,Pb原子从阴极迁向阳极,Sn原子从阳极迁向阴极;室温下,Pb原子从阳极迁向阴极,Sn原子从阴极迁向阳极[5].此外,温度不同时,扩散的主导元素也不同.如传统Sn-Pb钎料,当温度低于100℃时,Sn 扩散比Pb 快;而当温度高于100℃时,Pb却比Sn扩散快[27].另外,焊点内温度梯度也会对空洞迁移产生影响.电迁移中电流拥挤效应产生的大量焦耳热会引起焊点内温度梯度变化,引起空洞迁移和长大,导致焊点失效.Wang等[28]研究了焊点内温度梯度对焊点内空洞的影响,研究表明,温度梯度会改变空洞附近的电阻系数和扩散系数,使得空洞沿界面处长大,加速电迁移失效.2.3 合金成分对电迁移的影响Lee等[15]研究表明,焊料合金的熔点越低越容易导致电迁移失效.传统的SnPb焊点中,主要的迁移原子为Sn 原子和Pb 原子,Sn 原子和Pb原子有异向迁移倾向,并在两端分别聚集着大量的Sn原子和Pb原子,如图4所示[5].图4 SnPb焊点在电迁移前后内部组织形貌分布对比图Fig.4 Comparison of internal morphology of SnPb solder joints before and after electromigration无铅锡银铜(SnAgCu)焊料和SnPb焊料的电迁移过程明显不同.在SnAgCu焊点中,Sn原子和Cu原子为主要的迁移原子,且Sn原子和Cu原子的迁移方向沿着电子的方向从阴极迁向阳极.不同的焊料合金会呈现不一样的极性效应,如锡锌(Sn9Zn)钎料刚好呈现出与一般钎料相反的极性效应.Wang等[30]研究发现,Sn9Zn在温度为140℃,电流密度为4.26×104 A/cm2 时,电迁移166h后,阴极处的IMC比阳极处的IMC要厚.一般情况下,焊点中Sn在阴极的浓度(质量分数,全文同)总是高于在阳极的浓度[8],但Sn浓度的增加会导致Sn的扩散速率下降.研究还发现,Sn原子的电迁移方向与Sn的浓度梯度方向相反[30-31].Chen等[32]试验发现,在钎料中添加Sb,金属间化合物的厚度减小,并且晶粒得到细化,充分证实了在钎料中添加Sb等固溶原子,不仅可以抑制IMC的生长,而且还提高了焊点的力学性能[33].同样Li等[34]研究也表明,钎料中添加了Sb后,金属间化合物的生长速率明显下降.Chen等[33]发现,向SnAgCu 钎料中添加Sb,虽能显著提高其力学性能,但Sb的掺杂也降低了无铅焊点抵抗电迁移的特性,故在钎料中是否添加Sb,或添加多少Sb,应根据实际情况全面考虑.3 电迁移对微焊点的影响3.1 电迁移对焊点力学性能的影响三元合金SnAgCu是目前最常用的无铅互连焊点材料.Sn的化学活性和润湿性较好,它与贵重金属元素形成的IMC 聚集在焊点的界面处,但消耗了UBM 层,且IMC易脆,故显著影响了焊点的机械强度.通过对不同电迁移时间的试样做拉伸试验[5],绘制材料的拉伸曲线图如图5所示,由图可知,电迁移效应会导致焊点的力学性能下降.图5 不同电迁移时间的试样拉伸曲线图Fig.5 Tensile curves of samples in different electromigration times电迁移是焦耳热和电流综合作用下的质量传输过程.杨艳等[35]研究表明,电迁移与热时效均导致微焊点平均拉伸强度明显退化,并且在确定的服役时间内高密度电流作用引起的平均拉伸强度下降幅度更大,对微焊点可靠性的影响更明显.常红等[36]研究表明,电迁移使Sn-3.0Ag-0.5Cu焊点的剪切强度显著下降,电迁移36h使剪切抗力降低了约30%;而电迁移48h后,降低了50%,不仅降低速度快,降低幅度也很大.电迁移对微焊点平均拉伸强度的影响存在明显的尺寸效应.随着微焊点高度尺寸(体积)的不断减小,由电迁移和热时效导致的微焊点平均拉伸强度明显减弱.因此,在焊点微小化过程的焊点设计和制作及可靠性评价时应予以考虑[35].3.2 电迁移对焊点断裂机制的影响在无电迁移作用时,微焊点断裂是发生在焊点的钎料部分且呈延性断裂,而经历过电迁移极化效应的影响,微焊点最终在钎料与铜导线界面的阴极处断裂呈现延性与脆性并存的断裂[37].通过对不同电迁移时间的试样做断裂机制和端面形貌研究[5],发现在高电流密度下,微互连焊点的断裂模式是一个由塑性断裂向脆性断裂的过程.3.3 电迁移对微焊点振动疲劳性能的影响尹立孟等[37-38]研究了微焊点在不同电迁移时间和电流密度时的振动疲劳行为及性能.研究发现,电迁移严重影响微焊点的振动疲劳失效,使振动疲劳寿命下降,不论是延长电迁移时间,还是增大电流密度都会加速微焊点由塑性断裂向脆性断裂转变的过程,微焊点的振动疲劳失效就是振动疲劳与蠕变共同作用的结果.4 结语电流密度、电迁移时间与温度、合金元素等因素,明显影响了电迁移的失效过程.电迁移显著降低焊点的力学性能,其对微焊点平均拉伸强度的影响存在明显的尺寸效应,电迁移使微焊点的振动疲劳寿命明显下降,且无论是延长电迁移时间还是增大电流密度,都会加速微焊点由塑性断裂向脆性断裂转变的过程.目前,多数研究学者对微电子中的电迁移问题的研究,基本上还停留在电迁移失效机制和电迁移对微焊点影响的层面上,缺少实际的解决微电子封装中凸点电迁移失效的解决方案,期待研究学者作进一步研究.另外,互连焊点的电迁移失效实际是多种影响因素的叠加或耦合(如在“电-热-力-化学”的综合作用)造成的,因此以后应该对综合作用下的电迁移作更多的研究和探讨.参考文献:[1]杨艳.无铅电子封装微互连焊点中的热时效和电迁移及尺寸效应研究[D].广州:华南理工大学,2010.[2]张新平,尹立孟,于传宝.电子和光子封装无铅钎料研究和应用进展[J].材料研究学报,2008,22(1):1-9.[3]Tu K N.Recent advances on electro-migration in verylarge-scale-integration interconnects[J].Journal of Applied Physics,2003,94(9):5451-5473.[4]杨邦朝,苏宏,任辉.无铅焊料的研究(4):电迁移效应[J].印制电路信息,2005(10):60-72.[5]谷丰.SnAgCu无铅焊料润湿性及焊点电迁移研究[D].广州:华南理工大学,2010.[6]Tu K N,Mayer J W,Feldman L C.Electronic Thin Film Science:for Electrical Engineers and Materials Scientists [M].New York:Macmillan College Publishing Company,1992.[7]Tu K N,Gu X,Gan H,et al.Electromigration in solder joints and solder lines[J].JOM,2002,54(6):34-37.[8]Tu K N,Gusak A M,Li M.Physics and materials challenges for 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[23]常红,李明雨.SnAgCu焊点电迁移诱发IMC 阴极异常堆积[J].电子元件与材料,2011,30(4):50-52.[24]Huang A T,Gusak A M,Tu K N,et al.Thermomigration in SnPb composite flip chip solder joints[J].Appl Phys Lett,2006,88(14):141911-141913.[25]Chuang Y C,Liu C Y.Thermomigration in eutectic SnPb alloy[J].Appl Phys Lett,2006,88(17):174105-174108.[26]Hsiang Y H,Chih C.Thermomigration in Pb-free SnAg solder joint under alternating current stressing[J].Appl Phys Lett,2009,94(9):92107-92110.[27]Rinne G A.Electromigration in SnPb and Pb-Free Solider Bumps[C]∥Processings of the 54th Electric Components and Technology s Vegas:IEEE,2004:974-978.[28]Wang H,Li Z H,Sun J.Effects of stress and temperature gradients on the evolution of void in metal interconnects driven by electric current and mechanical stress[J].Modelling and Simulation in Materials Science and Engineering,2006,14(4):607-615.[29]Zhang X F,Guo J D,Shang J K.Abnormal polarity effect of electromigration on intermetallic compound formation in Sn-9Zn solder interconnect[J].Scripta Materialia,2007,57(6):513-516.[30]Blech I A.Electromigration in thin aluminium film on the titanium nitride[J].Journal of Applied Physics,1976,47(4):1203-1208.[31]Blech I A,Herring C.Stress generation by electromigration [J].Appl Phys Lett,1976,29(3):131-133.[32]Chen B L,Li G Y.Influence of Sb on IMC growth in Sn-Ag-Cu-Sb Pb-free solder joints in reflow process[J].Thin Solid Films,2004,462-463(9):395-401.[33]何洪文,徐广臣,郭福.Sb掺杂对SnAgCu无铅焊点电迁移可靠性的影响[J].电子元件与材料,2008,27(8):65-67.[34]Li G Y,Chen B L,Shi X Q,et al.Effects of Sb addition on tensile strength of Sn-3.5Ag-0.7Cu solder alloy and joint[J].Thin Solid Films,2006,504(1-2):421-425.[35]杨艳,尹立孟,马骁,等.电迁移致SnAgCu微焊点强度退化及尺寸效应研究[J].电子元件与材料,2010,29(2):70-73.[36]常红,李明雨.电迁移对Sn3.0Ag0.5Cu无铅焊点剪切强度的影响[J].电子元件与材料,2011,30(2):29-31.[37]尹立孟,张新平.电迁移致无铅钎料微互连焊点的脆性蠕变断裂行为[J].电子学报,2009,37(2):253-257.[38]尹立孟,李镇康,刘斌.电迁移作用下的微焊点振动疲劳行为研究[J].电子元件与材料,2011,30(4):63-66.。
电子封装用Sn-Ag-Cu低银无铅钎料研究进展及发展趋势

电子封装用Sn-Ag-Cu低银无铅钎料研究进展及发展趋势卢晓;张亮;王曦;李木兰
【期刊名称】《包装工程》
【年(卷),期】2022(43)23
【摘要】目的为了适应高银钎料向低银钎料转变的发展趋势,综述近年来对低银SnAgCu钎料的最新研究,展示其在电子封装材料领域中宽广的应用前景。
方法通过分析国内外有关低银钎料的研究成果,详细介绍合金化和颗粒强化等方法对低银钎料熔化特性、润湿性、显微结构、界面组织、力学性能的影响,重点总结元素掺杂的最佳添加量以及改性机理。
结论通过添加金属元素、稀土元素、纳米颗粒,采用新型搅拌技术能有效提升钎料性能,部分改性后的低银复合钎料性能达到了高银钎料性能水平。
【总页数】19页(P118-136)
【作者】卢晓;张亮;王曦;李木兰
【作者单位】江苏师范大学机电工程学院
【正文语种】中文
【中图分类】TG425
【相关文献】
1.低银Sn-Ag-Cu无铅钎料的发展现状及发展趋势
2.Sn-Ag-Cu系无铅钎料的研究进展
3.低银Sn-Ag-Cu无铅钎料的性能研究
4.新型低银无铅电子钎料的开发与应用研究
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SnAgCu-nano Al钎料Anand本构关系及焊点可靠性

SnAgCu-nano Al钎料Anand本构关系及焊点可靠性张亮;韩继光;郭永环;何成文【摘要】In this paper, the constitutive relation of SnAgCu-nano Al is investigated and the constitutive model is used in the finite element simulation to analyze the stress-strain response in FCBGA devices. The results show that the nine parameters of the Anand model can be fitted based on nonlinear data fitting method with different temperature and strain rate. Combining Anand model, the stress-strain response of solder joints is calculated by using the finite element method, and it is found that the distribution of stress-strain of solder joints in FCBGA device can be affected by the solder joints array, i.e., the maximum stress-strain concentrates in the concern solder joints. The results also demonstratethat the stress-strain of SnAgCu-nano Al solder joints is lower than that of SnAgCu solder joints, which implies that the addition of nano Al particles can enhance the reliability of SnAgCu solder joints.%研究了含纳米0.1 wt.%Al颗粒SnAgCu无铅钎料Anand本构关系,将本构关系应用于有限元模拟,分析FCBGA器件SnAgCu-nano Al焊点的应力-应变响应。
微量稀土元素铈对Sn_Ag_Cu无铅钎料物理性能和焊点抗拉强度的影响

1. 1 试验材料 试验选择 Sn - 3. 5Ag - 0. 5Cu钎料为初始合金
(以下简称为 Sn - Ag - Cu) ,添加的铈含量见表 1。 试验采用免清洗助焊剂和尺寸为 10 mm ×30 mm × 0. 3 mm 的标准测试紫铜片 。 Sn、Ag、Cu按添加不同 含量的铈后余 量的 96∶3. 5∶0. 5质量 比进 行配 制 、
收稿日期 : 2005 - 10 - 12 基金项目 : 南京航空航天大学引进人才科研基金项目 ( S0462 - 061)
表 1 试验钎料合金的成分组成 (质量分数 , % ) Ta b le 1 Com po ne n ts o f so lde r a llo ys
序号
1
2
3
4
5
铈
0
0. 01
te n s ile s tre ng th s o f Q FP m ic ro 2jo in ts
从图 3可知 ,随着铈含量的增加 ,抗拉强度随之 增加 ,当铈含量 (质量分数 )为 0. 03%时达到最大 ; 到 0. 1%时 ,抗拉强度反而下降到未添加稀土元素 的钎料的水平 。
3 分析与讨论
根据 1. 4 章节的试验方法 ,采用常用的镀锡焊 盘焊接 QFP48元器件 ,焊点采用微焊点强度测试仪 测试焊点的抗拉强度 ,结果见图 3。
图 3 不同铈含量的钎料与 Q FP焊点拉伸强度之间的关系 F ig. 3 R e la tio n be tw e e n d iffe re n t co n te n ts o f C e a nd
第 10期 薛松柏 ,等 :微量稀土元素铈对 Sn - Ag - Cu无铅钎料物理性能和焊点抗拉强度的影响 25
电子封装无铅互连焊点的电迁移研究进展

电子封装无铅互连焊点的电迁移研究进展姜楠;张亮;熊明月;赵猛;何鹏【摘要】随着电子封装逐渐向小型化和多功能化发展,互连焊点中的电迁移问题备受关注.本文针对电子封装无铅互连焊点中出现的电迁移问题,先探究了电迁移的影响因素,其中包括电流密度、温度、焊点的成分和微观结构.其次,阐述了电迁移对无铅焊点的力学性能、界面组织、振动疲劳性能和断裂机制的影响.然后针对电迁移问题,介绍了通过添加合金元素和控制电流密度两个方面来提高焊点的抗电迁移失效的能力.最后,简述了该领域的研究发展方向,为进一步研究电迁移对无铅互连焊点的可靠性提供了理论基础.【期刊名称】《电子元件与材料》【年(卷),期】2019(038)008【总页数】8页(P1-8)【关键词】互连焊点;电迁移;综述;界面组织;电流密度【作者】姜楠;张亮;熊明月;赵猛;何鹏【作者单位】江苏师范大学机电工程学院,江苏徐州 221116;江苏师范大学机电工程学院,江苏徐州 221116;哈尔滨工业大学先进焊接与连接国家重点实验室,黑龙江哈尔滨 150001;江苏师范大学机电工程学院,江苏徐州 221116;江苏师范大学机电工程学院,江苏徐州 221116;哈尔滨工业大学先进焊接与连接国家重点实验室,黑龙江哈尔滨 150001【正文语种】中文【中图分类】TG425随着电子产品向微型化和多功能化的方向转变,芯片上焊点的密度逐渐增大。
而焊点的间距和尺寸逐渐减小,导致焊点内的电流密度增加[1],电子封装互连焊点间的电迁移问题越来越严重,已经成为影响高密度互连封装技术发展的关键因素。
电迁移通常是指互连金属或者焊点在电流的作用下,离子或者原子随着电子迁移导致的成分偏析使得裂纹、空洞等材料结构发生的现象[2]。
而空洞的形成会增加扩散通道和空位形核位置,导致空洞进一步长大,从而贯穿整个焊点。
长期以来,锡铅合金因其具有良好的导电性、优良的机械性能、成本相对较低等一系列优点[3],已经成为电子封装领域中不可或缺的钎焊材料。
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SnAgCu钎料焊点电化学迁移的原位观察和研究摘要: 通过恒定电压条件下的水滴实验,对Sn-4Ag-0.5Cu钎料焊点的电化学迁移(ECM)行为进行了原位观察和研究。
结果表明,树枝状的金属沉积物总是在阴极上生成,并向着阳极方向生长,在接触阳极的瞬间,发生短路失效。
外加电压不超过2 V 时,形成的沉积物数目往往比较少并且粗大。
焊点间距的减少和外加电压的增加都会使得ECM造成的短路失效时间显著缩短。
当钎料不能完全包裹焊盘或者焊盘局部位置上钎料的厚度很薄时,发生ECM的金属除了来自钎料焊点,还来自Cu焊盘;钎料中的Ag 不发生迁移。
关键词:电化学;电化学迁移;SnAgCu钎料;焊点;原位观察电化学迁移(ECM)是一个电化学过程。
在一定温度和湿度条件下,当相邻的钎料焊点或连线之间存在电位差时,就有可能发生ECM。
电位较正的钎料焊点或连线上的金属失去电子,发生电化学溶解,以离子的形式进行迁移,然后在电位较负的焊点或连线上沉积下来,生成树枝状导电沉积物,使得相邻的钎料焊点或连线之间发生短路,造成严重的可靠性问题。
目前,对于电子产品的电化学迁移性能的检测标准,通常采用美国印刷电路学会(Institute of Printed Circuits,简称IPC)的IPC—TM—650 Method 2.6.14.1抗电化学迁移试验(Electrochemical Migration Resistance Test)[1]。
该测试方法是将具有一定图形结构的样片,在温度/相对湿度分别为(40 ± 2)℃/(93 ± 2)%、(65 ± 2)℃/(88.5 ± 3.5)%,以及(85 ± 2)℃/(88.5 ± 3.5)%的条件下,外加10 V的直流电压进行加速试验,通过500 h考察电阻的变化来确定电子产品的抗电化学迁移性能是否合格。
但是该检测试验并不能告诉我们电化学迁移究竟是怎样一个过程。
为此,不同领域的研究人员都从各自专业角度开展了很多有意义的研究工作。
研究方法主要有恒定电压和扫描电压两种条件下的水滴实验法[2, 8, 9, 10],并且以短路失效时间、短路失效瞬间的电压和电流作为ECM灵敏度的依据[2, 3]。
目前,国外对电化学迁移的研究报导较多[2~5]。
但是国内中文报导基本上没有。
对于不同材质的基板,比如陶瓷或聚合物基板,由于化学组成以及表面状况的差异,在上述实验条件下的ECM 灵敏度是会不一样的,但涉及的电化学迁移过程具有很多共同点。
笔者选用环氧树脂FR —4基板,利用水滴实验方法,对Sn-4Ag-0.5Cu 钎料焊点的电化学迁移行为进行研究,希望能对改进钎料包括抗电化学迁移在内的综合物理化学性能有帮助。
1 实验方法 1.1 样片制备首先,采用铜膜厚度为18 μm 的覆铜板,制作具有一定图形结构的基板(图1)。
图1 FR —4基板结构Fig.1 Pattern of Cu laminations on FR —4 board制作步骤如下:裁板→前处理→压膜→曝光→显影→蚀铜→去膜→清洗→预镀锡→干燥→基板利用轮廓仪扫描基板表面,测得锡镀层厚度为3.5 μm 左右。
然后利用丝网印刷的方法涂覆钎膏,并进行回流。
回流后,将样片依次在丙酮中超声清洗30 min 、乙醇中超声清洗10 min ,然后去离子水冲洗,压缩空气吹干,即得到实验用的样片。
为了研究焊点间距对短路失效时间的影响,制作了0.15,0.35,0.65和0.95 mm 四种不同间距的焊点样片。
图1所示的是其中一种,对应间距为0.35 mm 。
1.2 实验设备和步骤水滴实验装置主要包括以下几个部分:皮安计(Model 6487, Keithley, USA )——与计算机相连,既用作直流电源,又可同时读取和记录实验过程中的时间、电流和电压。
体视金相显微镜(6.5~40倍,MDG17,Wild Heerbrugg, Switzerland )。
数字摄像机(Model GP KR —222E, Panasonic, Japan ),图像采集系统,显示器。
测试仪器有:轮廓仪(Profilometer ),Rodenstock, RM 600 ST-100;多功能显微镜(Multi-Function Microscope ),Zeiss Axioplan2;扫描电子显微镜(Scanning Electron Microscope ,SEM ),LEJTZ-AMR 1200;X 射线能谱仪(Energy Dispersive X-ray Spectroscopy ,EDS ),Oxford INCA 200。
将样片固定在显微镜载物台上,滴加一滴(约0.04 mL )1 M Ω・cm 的去离子水,然后施加一定外加电压就可以实验了。
利用数字摄像机记录整个ECM 过程,然后回放录像或者利用计算机记录的电流随时间变化的数据构建I -t 曲线,就可以判断出短路失效时间。
2 结果和讨论2.1 电化学迁移过程的原位观察 2.1.1 一般过程和特征在体视显微镜下,可以很清楚地观察到电化学迁移造成短路失效的整个过程。
图2给出了一个典型的ECM 过程。
在图2中的小图中,左侧圆孤为阴极焊点,右侧的为阳极焊点。
在滴加了去离子水并施加一定外加电压后,即可观察到回路中有电流通过。
在经过较长的一段时间(即所谓的孕育期,图2中t C )之后,在阴极焊点上的靠近阳极的距离比较近的位置上开始形成突出来的金属沉积物。
这些突出的金属沉积物一旦形成,接下来的电化学沉积就会优先在这些位置发生,成长为树枝状的沉积物,并向着阳极的方向生长。
一旦生长到阳极,立即引起短路失效,电流急剧升高(图2中t S )。
从图中还可以知道,长出金属沉积物突起需要的孕育期较长,但是一旦金属沉积物突起出现了,它就会在较短的时间内从阴极生长到阳极上,造成短路失效。
图2 ECM 过程I - t 曲线 ( 2 V , 0.95 mm )Fig.2 I - t curve for ECM ( 2 V , 0.95 mm )水滴实验中,电化学迁移的特征主要表现为:(1)施加外加电压后,水滴中的阴极上立刻会有气泡生成。
当外加电压升到一定程度时,阳极上也有气泡生成。
(2)树枝状沉积物总是在阴极上产生,并向阳极t c t st / sI / μA生长。
(3)树枝状沉积物并不是一通电就开始生长,往往需要一段较长的孕育期。
但是一旦长出来,就生长很快,会在较短时间内长到阳极上。
(4)当外加电压很低时,不会生成树枝状沉积物。
(5)往往会有絮状沉淀吸附在树枝状沉积物表面或悬浮在水滴中。
2.1.2 树枝状沉积物的形貌和发生位置SEM 照片显示,树枝状沉积物都有一个主干,由很多小的枝晶组成(图3)。
当外加电压不同,树枝状沉积物的形貌不同,主要体现在数目、直径以及分布范围上。
外加电压较低时(比如2 V ),会在较窄范围内产生沉积物突起,只有个别位置的突起能够长大,因此形成数目较少、较粗大的树枝状沉积物。
当外加电压较高时(比如5 V ),会在较宽的范围内产生较多的树枝状沉积物突起,并且较多位置上的沉积物突起能够长大,形成数目较多,分布位置较宽的树枝状沉积物(图4,体视金相显微镜照片)。
图3 树枝状沉积物的SEM 照片Fig.3 SEM photo of dendrites图4 外加电压对树枝状沉积物形貌的影响 (0.35 mm)Fig.4 Influence of applied voltage on the morphology of the dendrites (0.35 mm)通常情况下,阴、阳极焊点最靠近的位置,是电化学反应发生的最活跃位置,在大多数情况下,金属沉积物总是在这个位置发生的(图5a )。
但是在一定条件下,树枝状沉积物会在其他位置发生。
从图5b 中可以看到,当外加电压较高,在阴极上析氢反应活跃的中间位置,生成的氢气激烈地冲刷焊点电极表面,树枝状沉积物很难稳定地生长,所以中间位置往往看不到树枝状沉积物。
图5c 给出的是当外加电压较低时,由于析氢反应使得中间局部位置附近的OH –离子浓度较高,而此时迁移过来的金属离子在该外加电压下不能满足放电沉积的条件,但是达到了金属离子与OH –离子发生沉淀的浓度要求,从而沉淀并吸附在焊点表面,阻碍金属离子在该位置发生放电沉积(图5为体视金相显微镜照片)。
a. 中间位置 (2 V , 0.35 mm);b. 析氢反应造成生长位置偏移 (5 V , 0.35 mm);c. 沉淀反应造成生长位置偏移 (1.8 V , 0.35 mm)图5 树枝状沉积物生长位置Fig.5 Sites for the formation of dendrites2.2 焊点间距对短路失效时间的影响在0.15,0.35,0.65,0.95 mm 四种不同间距条件下,施加同样的外加电压2 V ,记录电流和时间的关系。
每个间距条件重复5次,取平均值进行比较。
结果如图6所示。
图6 焊点间距对短路失效时间的影响Fig.6 Influence of solder joints distances on time of short circuit从图中可以看出,焊点间距对短路失效时间的影响是很明显的。
间距减少时,短路失效时间呈指数性减少。
2.3 外加电压对短路失效时间的影响保持间距不变(0.35 mm ),施加不同的外加电压2,3,5,7和10 V 。
每个外加电压条件重复5次,取平均值进行比较。
结果如图7所示。
图7 外加电压对短路失效时间的影响Fig.7 Influence of applied voltage on time of short circuit2 V 5 Vabc0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0间距 /mm 4 0003 5003 0002 5002 0001 5001 000500t / s2 4 6 8 10V / V1 2001 0008006004002000t / s从图中可以看出,短路失效时间随外加电压的增加而急剧减少,其原因是,外加电压增加到一定值后,阴极和阳极上的气泡析出反应非常显著,析出的气泡对水滴起了强烈的搅拌作用,强化了传质过程,使得金属离子能够在较短时间内从阳极传递到阴极,阴极附近区域的金属离子的浓度可以在较短时间内达到电化学沉积需要的程度,形成树枝状沉积物。
当外加电压大于5 V 时,短路失效时间变化不大。
2.4 树枝状沉积物的EDS 分析利用EDS ,对外加电压2 V ,焊点间距0.35 mm 条件下得到的树枝状沉积物的成分进行了分析,结果见表1的钎料焊点组分。
表1 树枝状沉积物的EDS 分析 Tab. 1 EDS analysis of dendrites树枝状沉积物组成 / % (质量分数)元素钎料焊点沉积物组分钎料合金沉积物组分Sn 2.6464.12Ag 00Cu 38.69 2.68Au 11.7513.76C 10.257.88O 28.1911.57Br8.480Au 来源于SEM 测试前在样片表面溅射的薄金层;O 和Br 来源于FR —4板。