三星 Nand Flash 芯片型号命名规则2
使用的NandFlash为三星的K9F2G08U0M
使用的Nand Flash为三星的K9F2G08U0M，存储为256M，数据宽度为8bit.具体的资料可以参考datasheet.由于S3C2440里面包括了Nand FLash 控制器，所以，我们的工作就是根据芯片手册配置一下寄存器。
包括的寄存器如下：NFCONF; NFCONT;NFCMD;NFADDR;NFDATA; NFMECCD0; NFMECCD1;NFSECCD; N FSTAT; NFESTAT0; NFESTAT1;NFMECC0；NFMECC1;NFSECC;NFSBLK;NFEBLK;(1) 对于每个寄存器的地址，每一位的功能可以参考S3C2440芯片手册！对于目前的编程主要涉及到如下五个寄存器：NFCONT;NFCMD;NFADDR;NFDATA；NFSTAT；使用宏定义：#define rNFCONF (*(volatile unsigned *)0x4E000000)#define rNFCONT (*(volatile unsigned *)0x4E000004)#define rNFCMD (*(volatile unsigned *)0x4E000008) #define rNFADDR (*(volatile unsigned char*)0x4E00000C)#define rNFDATA8 (*(volatile unsigned char*)0x4E000010)#define rNFSTAT (*(volatile unsigned *)0x4E000020)特别注明：对于NFCONF寄存器，特别要说明的是TACLS，TWRPH0，TWRPH1，这三个参数。
如何设置这三个参数，主要得看K9F2G08U0M 手册上的时序表，参数表，上面已经写好了CLE ，ＡＬＥsetup时间，WE_N的Pulse WiDth,WE_N HIGH HOLD TIME .根据这些参数，设置个合适的TACLS，TWRPH0，TWRPH1值！(2) 命令！ Nand Flash编程时涉及到很多命令，其实这些命令帮助我们完成了很多的工作，我们现在只需做发送命令的工作。
最新三星FLASH命名规则
三星F L A S H命名规则Samsung nand flash ID spec三星在nand flash存储方面也是投入了很多精力，对于pure nand flash、OneNAND（带controller的nand flash模块）以及nand的驱动都有很深层的开发。
后面说的nand都会基于Samsung的产品，包括驱动。
三星的pure nand flash（就是不带其他模块只是nand flash存储芯片）的命名规则如下：1. Memory (K)2. NAND Flash : 93. Small Classification(SLC : Single Level Cell, MLC : Multi Level Cell,SM : SmartMedia, S/B : Small Block)1 : SLC 1 Chip XD Card2 : SLC 2 Chip XD Card4 : SLC 4 Chip XD CardA : SLC + Muxed I/ F ChipB : Muxed I/ F ChipD : SLC Dual SME : SLC DUAL (S/ B)F : SLC NormalG : MLC NormalH : MLC QDPJ : Non-Muxed One NandK : SLC Die StackL : MLC DDPM : MLC DSPN : SLC DSPQ : 4CHIP SMR : SLC 4DIE STACK (S/ B)S : SLC Single SMT : SLC SINGLE (S/ B)U : 2 STACK MSPV : 4 STACK MSPW : SLC 4 Die Stack4~5. Density12 : 512M 16 : 16M 28 : 128M32 : 32M 40 : 4M 56 : 256M64 : 64M 80 : 8M 1G : 1G2G : 2G 4G : 4G 8G : 8GAG : 16G BG : 32G CG : 64GDG : 128G 00 : NONE6~7. organization00 : NONE 08 : x88. VccA : 1.65V~3.6VB : 2.7V (2.5V~2.9V)C : 5.0V (4.5V~5.5V)D : 2.65V (2.4V ~ 2.9V)E : 2.3V~3.6V R : 1.8V (1.65V~1.95V)Q : 1.8V (1.7V ~ 1.95V) T : 2.4V~3.0VU : 2.7V~3.6V V : 3.3V (3.0V~3.6V)W : 2.7V~5.5V, 3.0V~5.5V 0 : NONE9. Mode0 : Normal1 : Dual nCE & Dual R/ nB4 : Quad nCE & Single R/ nB5 : Quad nCE & Quad R/ nB9 : 1st block OTPA : Mask Option 1L : Low grade10. GenerationM : 1st GenerationA : 2nd GenerationB : 3rd GenerationC : 4th GenerationD : 5th Generation11. "─"12. PackageA : COB B : TBGAC : CHIP BIZD : 63-TBGAE : TSOP1 (Lead-Free, 1217)F : WSOP (Lead-Free)G : FBGAH : TBGA (Lead-Free)I : ULGA (Lead-Free) J : FBGA (Lead-Free)K : TSOP1 (1217) L : LGAM : TLGA N : TLGA2P : TSOP1 (Lead-Free)Q : TSOP2 (Lead-Free)R : TSOP2-R S : SMART MEDIAT : TSOP2 U : COB (MMC)V : WSOP W : WAFERY : TSOP113. TempC : Commercial I : IndustrialS : SmartMediaB : SmartMedia BLUE0 : NONE (Containing Wafer, CHIP, BIZ, Exception handling code)3 : Wafer Level 3A : Apple Bad BlockB : Include Bad BlockD : Daisychain SampleK : Sandisk BinL : 1~5 Bad BlockN : ini. 0 blk, add. 10 blkS : All Good Block0 : NONE (Containing Wafer, CHIP, BIZ, Exceptionhandling code)15. NAND-Reserved0 : Reserved16. Packing Type- Common to all products, except of Mask ROM- Divided into TAPE & REEL(In Mask ROM, divided into TRAY, AMMO Packing Separately)17~18. Customer "Customer List Reference"。
NAND.FLASH的两种（SLC和MLC）区别
NAND.FLASH的两种（SLC和MLC）区别NAND.FLASH的两种（SLC和MLC）区别SLC和MLC属于两种不同类型的NAND FLASH存储器，用来作为MP3播放器、移动存储盘等产品的存储介质。
SLC全称是Single-Level Cell，即单层单元闪存，而MLC全称则是Multi-Level Cell，即为多层单元闪存。
它们之间的区别，在于SLC每一个单元，只能存储一位数据，MLC每一个单元可以存储两位数据，MCL的数据密度要比SLC大一倍。
MLC的优势密度要大，成本上来说，MLC也具有很大的优势。
据了解，不少芯片厂商开始从SLC制程转向MLC制程，今年8月，三星正式从SLC转向MLC，今年10月份，三星已经开始大批量的生产MLC闪存芯片。
目前三星采用的芯片编号为K9G****** K9L*****的芯片为MLC芯片，而现代采用编号为：HYUU**** HYUV***芯片也是MLC芯片。
不过尽管MLC有其自身的优势，但是也掩饰不了其缺点。
1、读写效能较差相比SLC闪存，MLC的读写效能要差，SLC闪存约可以反复读写10万次左右，而MLC则大约只能读写1万次左右，甚至有部分产品只能达到5000次左右。
2、读写速度较慢在相同条件下，MLC的读写速度要比SLC芯片慢，目前MLC芯片速度大约只有2M左右。
3、能耗较高在相同使用条件下，MLC能耗比SLC高，要多15％左右的电流消耗。
这些原因，很大程度上是取决于MLC制式改变，需要新的控制芯片支持，而部分MP3、闪存盘等产品仍然延续老式的设计，MLC就会带来各种问题，包括数据丢失、传输速度慢等缺陷。
今年大批量SD卡被招回的风波，就是因为转用MLC 芯片，没有新的主控芯片支持惹的祸，造成了很大的影响。
随着三星、东芝的MLC闪存芯片开始量产，MLC芯片应用也越来约广泛，由于全新的MLC芯片在存储密度等方面加大，对主控芯片的要求也越来越高。
读写频繁的数码播放器和闪存盘等数码设备也加重了MLC闪存的出错几率，对于视频和音频这样的应用来说，必需具备控制芯片和ECC校验机制，目前有的主控芯片通过纯软件校验，这样，无形当中加重了主控芯片的负担。
三星 Nand Flash 芯片型号命名规则2
NAND Flash Code Information(1/3)Last Updated : April 2008K9XXXXXXXX - XXXXXXX11. Memory (K) 2. NAND Flash : 9 3. Small Classification (SLC : Single Level Cell, MLC : Multi Level Cell, SM : SmartMedia, S/B : Small Block) 1 : SLC 1 Chip XD Card 2 : SLC 2 Chip XD Card 3 : 4bit MLC Mono 4 : SLC 4 Chip XD Card 5 : MLC 1 Chip XD Card 6 : MLC 2 Chip XD Card 7 : SLC moviNAND 8 : MLC moviNAND 9 : 4bit MLC ODP A : 3bit MLC MONO B : 3bit MLC DDP C : 3bit MLC QDP F : SLC Normal G : MLC Normal H : MLC QDP K : SLC Die Stack L : MLC DDP M : MLC DSP N : SLC DSP O : 3bit MLC ODP P : MLC ODP Q : SLC ODP T : SLC SINGLE (S/B) W : SLC 4 Die Stack 4~5. Density 12 : 512M 32 : 32M 64 : 64M 2G : 2G AG : 16G DG : 128G NG : 96G 7. Organization 0 : NONE 6 : x16 8. Vcc A : 1.65V~3.6V C : 5.0V (4.5V~5.5V) E : 2.3V~3.6V Q : 1.8V (1.7V ~ 1.95V) U : 2.7V~3.6V W : 2.7V~5.5V, 3.0V~5.5V 9. Mode 0 : Normal 1 : Dual nCE & Dual R/nB 3 : Tri /CE & Tri R/B 4 : Quad nCE & Single R/nB 5 : Quad nCE & Quad R/nB 9 : 1st block OTP A : Mask Option 1 L : Low grade 10. Generation M : 1st Generation A : 2nd Generation B : 3rd Generation C : 4th Generation D : 5th Generation E : 6th Generation Y : 25th Generation Z : 26th Generation 8 : x823456789 10 11 12 13 14 15 16 17 186. Technology 0 : Normal (x8) C : Catridge SIP M : moviNAND S : eSSD1 : Normal (x16) D : DDR P : moviMCPB : 2.7V (2.5V~2.9V) D : 2.65V (2.4V ~ 2.9V) R : 1.8V (1.65V~1.95V) T : 2.4V~3.0V V : 3.3V (3.0V~3.6V) 0 : NONE16 : 16M 40 : 4M 80 : 8M 4G : 4G BG : 32G EG : 256G ZG : 48G28 : 128M 56 : 256M 1G : 1G 8G : 8G CG : 64G LG : 24G 00 : NONE-1-Part Number DecoderNAND Flash Code Information(2/3)Last Updated : April 2008K9XXXXXXXX - XXXXXXX1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 1814. Customer Bad Block B : Include Bad Block D : Daisychain Sample K : Special Handling L : 1~5 Bad Block N : ini. 0 blk, add. 10 blk S : All Good Block 0 : NONE (Containing Wafer, CHIP, BIZ, Exception handling code)11. "─" 12. Package A : COB B : FBGA (Halogen-Free, Lead-Free) C : CHIP BIZ D : 63-TBGA F : WSOP (Lead-Free) G : FBGA H : TBGA (Lead-Free) I : ULGA (Lead-Free) (12*17) J : FBGA (Lead-Free) L : ULGA (Lead-Free) (14*18) M : TLGA N : TLGA2 P : TSOP1 (Lead-Free) Q : TSOP2 (Lead-Free) R : 56-TSOP1 (Lead-Free) S : TSOP1 (Halogen-Free, Lead-Free) T : TSOP2 U : COB (MMC) V : WSOP W : Wafer Y : TSOP1 Z : WELP (Lead-Free) 13. Temp C : Commercial I : Industrial S : SmartMedia B : SmartMedia BLUE 0 : NONE (Containing Wafer, CHIP, BIZ, Exception handling code)15. Pre-Program Version 0 : None Serial (1~9, A~Z)-2-Part Number DecoderNAND Flash Code Information(3/3)Last Updated : April 2008K9XXXXXXXX - XXXXXXX116. Packing Type - Common to all products, except of Mask ROM - Divided into TAPE & REEL(In Mask ROM, divided into TRAY, AMMO Packing Separately) Divide Component Packing Type TAPE & REEL Other ( Tray, Tube, Jar ) Stack Module MODULE TAPE & REEL MODULE Other Packing T 0 ( Number) S P M New Marking23456789 10 11 12 13 14 15 16 17 1817~18. Customer "Customer List Reference"-3-Part Number Decoder。
各种品牌存储IC简单命名介绍
各种品牌存储IC简单命名介绍存储颗粒主要有这样的一些品牌：美国的Micron（美光）、德国的Infineon （英飞凌）；韩国的SAMSUNG（三星）、HY（现代）；日本的NEC（日本电气）、Hitachi(日立)、Mitsubishi(三菱)、Toshiba(东芝)；台湾的EilteMT、ESMT （晶豪）、EtronTech（钰创）、Winbond（华邦）、Mosel（茂矽）、Vanguard （世界先进）、Nanya（南亚）。
有的品牌现在已经没有被采用了，只有在SDRAM时代采用过，有的品牌在DDR 时代采用的也不多了。
显存种类主要分SD和DDR两种，有时候，他们可以从编号上区分，DDR的可能会注明“D”，SDRAM的注明“S”或者其他字母。
另外主要从管角数量上来区分，以TSOP封装来说，SDRAM的管脚数量是27x2＝54，DDR 的管脚数量为33X2=66。
美光（Micron）图1 美光芯片颗粒美光是美国第一大、全球第二大内存芯片厂商，目前显卡厂商采用它显示芯片较少，它主要供应内存OEM商，下面用上图的实例对Micron（美光）颗粒编号的简单含义作介绍：MT——Micron的厂商名称。
48——内存的类型。
48代表SDRAM；46 代表DDR。
LC——供电电压。
LC代表3V；C 代表5V；V 代表2.5V。
8M8——内存颗粒容量为8M。
A2——内存内核版本号。
TG——封装方式，TG即TSOP封装。
-75——内存工作速率，-75即133MHz；-65即150MHz。
颗粒编号MT 48LC8M8A2 TG-75，从编号上的48很容易知道这是SDRAM颗粒，采用TSOP封装方式，速度为7.5ns，单颗粒为8M，位宽8bit。
亿恒（In fineon）图2 Infineon（亿恒）颗粒Infineon是德国西门子的一个分公司，它主要生产内存颗粒。
目前，Infineon在全球排名已经跃居为第四位，超过了韩国的Hynix。
英特尔 nand flash 命名规则
英特尔nand flash 命名规则
英特尔的NAND Flash命名规则通常包括以下几个部分：
1. 容量：NAND Flash的容量通常以GB（千兆字节）或TB（太字节）为单位表示。
例如，256GB或1TB表示存储容量。
2. 速度：NAND Flash的速度可以通过不同的规格进行标识，例如读取速度、写入速度和擦除速度等。
这些规格通常以MB/s为单位表示。
3. 寿命：NAND Flash的寿命通常以写入周期数或保修期限来表示。
例如，10000次写入周期或5年保修期限。
4. 接口：NAND Flash的接口类型可能有所不同，例如SATA、PCIe 等。
这些接口类型决定了NAND Flash与计算机或其他设备之间的连接方式。
5. 制造商和品牌：NAND Flash的制造商和品牌可能对命名规则产生影响。
例如，某些品牌可能采用特定的命名方式来标识其产品。
总的来说，英特尔的NAND Flash命名规则通常根据其容量、速度、寿命、接口和制造商品牌等方面进行标识。
具体命名规则可能会因产品而异，因此建议参考英特尔官方文档或与制造商联系以获取更准确的信息。
三星固态颗粒命名规则
三星固态颗粒命名规则
根据我所了解，三星固态颗粒的命名规则通常遵循以下几个方面：
1. 产品系列和型号：三星固态颗粒通常具有不同的产品系列，比如860系列、970系列等。
每个产品系列又会有不同的型号，例如860 EVO、860 PRO等。
型号通常与产品的性能和特点相关。
2. 存储容量：固态颗粒的存储容量通常以单位为GB（千字节），TB（兆字节）或者GB（吉字节）表示。
常见的存储容量有250GB、500GB、1TB等。
3. 接口类型：固态颗粒的接口类型通常有SATA、PCIe、NVMe等。
接口类型决定了固态颗粒的数据传输速度和连接方式。
综上所述，三星固态颗粒的命名通常包括产品系列、型号、存储容量和接口类型等相关信息。
请注意，以上仅为一般规则，具体命名可能还会根据产品的特殊情况而有所变动。
内存命名规则
内存条可以通过查看内存颗粒的型号来确认其容量大小。
下面就以几个大厂的内存颗粒编码规则为例来说明内存容量的辨识方法。
三星内存颗粒目前使用三星的内存颗粒来生产内存条的厂家非常多，在市场上有很高的占有率。
由于其产品线庞大，所以三星内存颗粒的命名规则非常复杂。
三星内存颗粒的型号采用一个16位数字编码命名的。
这其中用户更关心的是内存容量和工作速率的识别，所以我们重点介绍这两部分的含义。
编码规则：K 4 X X X X X X X X - X X X X X主要含义：第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。
第2位——芯片类型4，代表DRAM。
第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。
第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。
64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit 的容量；28、27、2A代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit 的容量；51代表512Mbit的容量。
第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。
第11位——连线“-”。
第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为 7ns；7B为7.5ns (CL=3)；7C为7.5ns (CL=2) ；80为 8ns；10 为10ns (66MHz)。
知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。
例如一条三星DDR内存，使用18片SAMSUNG K4H280838B-TCB0颗粒封装。
颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存条的容量是128Mbits（兆数位）× 16片/8bits=256MB（兆字节）。
注：“bit”为“数位”，“B”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。
三星公司型号K9F1208U08的NandFlash内部物理结构
k9f1208U0B NandFlash: 4096 block 数据区：
64MB
NandFlash的总容量=4096 Blocks=66MB=64MB(Data Field+2MB(Spare Field) Data Field=512Byte*32*4096=16KB*4096=64MB （实际可以操作的容量） Spare Field=16Byte *32 *4096=0.5KB*4096=2MB （存储检验码用的）
1Byte = 8 bits
cell
bit line
bit
以页为 单位读 写数据
512 Bytes
数Байду номын сангаас区存
6
2.2 page（页）
数据 512B
Data field
528 Bytes
16 Bytes
Spare field
1page=528Byte=512Byte(Data Field)+16Bytes(Spare Field)
三星公司型号K9F1208U08的 NandFlash内部物理结构
2
1. Flash闪存
1.1 Flash的属性
Flash闪存的英文名称：Flash Memory,简称Flash. 属于非易失型存储器：即：在没有电源供应的条件下能够持久的保持数据。
3
1. Flash闪存
1.2 Flash的作用
备用区： 存检验码
16B
7
2.2 page（页）数据区分二区
512 Bytes
1st half 256B 2st half 256B
528 Bytes
16 Bytes
Spare field
三星闪存NAND的ID号大全
q ID Table for Large Block (I)
Device 16Gb DDP Org. X08 X16 X08 8Gb X16 8Gb DDP X08 X16 X08 4Gb X16 Vcc 1.8V 3.3V 1.8V 3.3V 1.8V 3.3V 1.8V 3.3V 1.8V 3.3V 1.8V 3.3V 1.8V 3.3V 1.8V 3.3V 1’st ECh 2’nd A5h D5h B5h C5h A3h D3h B3h C3h A3h D3h B3h C3h ACh DCh BCh CCh 3’rd XXh 55h 15h XXh 55h 15h XXh 55h 15h XXh 55h XXh Mono XXh 4Gb 2-Stack XXh Mono 4’th 15h XXh 5’th Remark 8Gb 2-Stack
ECh
ECh
The Same as 2Gb DDh
1.8V AAh 3.3V 2Gb DAh ECh XXh 1.8V DDP BAh X16 3.3V CAh 1.8V A1h X08 3.3V F1h 1Gb ECh XXh 1.8V B1h X16 3.3V C1h <Note> I/O8~I/O15 are don’t-care at X16 organization.
ID Data of NAND Flash
q ID Table for Small Block (I)
Device 4Gb QDP 2Gb DDP 1Gb 2Gb QDP 1Gb DDP X08 X16 X08 X16 X08 512Mb X16 1.8V 3.3V 1.8V 3.3V 1.8V 3.3V 1.8V 3.3V 1.8V 3.3V 1.8V 3.3V Org. X08 X16 Vcc 1.8V 3.3V 1.8V 3.3V 1’st ECh 2’nd DCh 3’rd XXh 4’th C0h Remark 1Gb 4-Stack 1Gb 2-Stack Mono 512Mb 4-Stack 512Mb 2-Stack
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NAND Flash Code Information(1/3)
Last Updated : April 2008
K9XXXXXXXX - XXXXXXX
1
1. Memory (K) 2. NAND Flash : 9 3. Small Classification (SLC : Single Level Cell, MLC : Multi Level Cell, SM : SmartMedia, S/B : Small Block) 1 : SLC 1 Chip XD Card 2 : SLC 2 Chip XD Card 3 : 4bit MLC Mono 4 : SLC 4 Chip XD Card 5 : MLC 1 Chip XD Card 6 : MLC 2 Chip XD Card 7 : SLC moviNAND 8 : MLC moviNAND 9 : 4bit MLC ODP A : 3bit MLC MONO B : 3bit MLC DDP C : 3bit MLC QDP F : SLC Normal G : MLC Normal H : MLC QDP K : SLC Die Stack L : MLC DDP M : MLC DSP N : SLC DSP O : 3bit MLC ODP P : MLC ODP Q : SLC ODP T : SLC SINGLE (S/B) W : SLC 4 Die Stack 4~5. Density 12 : 512M 32 : 32M 64 : 64M 2G : 2G AG : 16G DG : 128G NG : 96G 7. Organization 0 : NONE 6 : x16 8. Vcc A : 1.65V~3.6V C : 5.0V (4.5V~5.5V) E : 2.3V~3.6V Q : 1.8V (1.7V ~ 1.95V) U : 2.7V~3.6V W : 2.7V~5.5V, 3.0V~5.5V 9. Mode 0 : Normal 1 : Dual nCE & Dual R/nB 3 : Tri /CE & Tri R/B 4 : Quad nCE & Single R/nB 5 : Quad nCE & Quad R/nB 9 : 1st block OTP A : Mask Option 1 L : Low grade 10. Generation M : 1st Generation A : 2nd Generation B : 3rd Generation C : 4th Generation D : 5th Generation E : 6th Generation Y : 25th Generation Z : 26th Generation 8 : x8
2
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6. Technology 0 : Normal (x8) C : Catridge SIP M : moviNAND S : eSSD
1 : Normal (x16) D : DDR P : moviMCP
B : 2.7V (2.5V~2.9V) D : 2.65V (2.4V ~ 2.9V) R : 1.8V (1.65V~1.95V) T : 2.4V~3.0V V : 3.3V (3.0V~3.6V) 0 : NONE
16 : 16M 40 : 4M 80 : 8M 4G : 4G BG : 32G EG : 256G ZG : 48G
28 : 128M 56 : 256M 1G : 1G 8G : 8G CG : 64G LG : 24G 00 : NONE
-1-
Part Number Decoder
NAND Flash Code Information(2/3)
Last Updated : April 2008
K9XXXXXXXX - XXXXXXX
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18
14. Customer Bad Block B : Include Bad Block D : Daisychain Sample K : Special Handling L : 1~5 Bad Block N : ini. 0 blk, add. 10 blk S : All Good Block 0 : NONE (Containing Wafer, CHIP, BIZ, Exception handling code)
11. "─" 12. Package A : COB B : FBGA (Halogen-Free, Lead-Free) C : CHIP BIZ D : 63-TBGA F : WSOP (Lead-Free) G : FBGA H : TBGA (Lead-Free) I : ULGA (Lead-Free) (12*17) J : FBGA (Lead-Free) L : ULGA (Lead-Free) (14*18) M : TLGA N : TLGA2 P : TSOP1 (Lead-Free) Q : TSOP2 (Lead-Free) R : 56-TSOP1 (Lead-Free) S : TSOP1 (Halogen-Free, Lead-Free) T : TSOP2 U : COB (MMC) V : WSOP W : Wafer Y : TSOP1 Z : WELP (Lead-Free) 13. Temp C : Commercial I : Industrial S : SmartMedia B : SmartMedia BLUE 0 : NONE (Containing Wafer, CHIP, BIZ, Exception handling code)
15. Pre-Program Version 0 : None Serial (1~9, A~Z)
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Part Number Decoder
NAND Flash Code Information(3/3)
Last Updated : April 2008
K9XXXXXXXX - XXXXXXX
1
16. Packing Type - Common to all products, except of Mask ROM - Divided into TAPE & REEL(In Mask ROM, divided into TRAY, AMMO Packing Separately) Divide Component Packing Type TAPE & REEL Other ( Tray, Tube, Jar ) Stack Module MODULE TAPE & REEL MODULE Other Packing T 0 ( Number) S P M New Marking
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17~18. Customer "Customer List Reference"
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Part Number Decoder
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