三星NAND FLASH命名规则

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闪存颗粒命名规则

闪存颗粒命名规则
闪存颗粒的命名规则一般遵循以下原则：
1. 芯片功能和类型：第1位通常代表芯片功能，k代表的是内存芯片；第2位代表芯片类型，4代表的是DRAM。

2. 容量和刷新速率：第4、5位表示容量和刷新速率，例如64、62、63、65、66、67、6a代表64Mbit的容量；28、27、2a代表128Mbit的容量；
56、55、57、5a代表256Mbit的容量；51代表512Mbit的容量。

3. 数据线引脚个数：第6、7位表示数据线引脚个数，例如08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。

4. 厂商和内存类型：厂商通常会使用特定的字母或缩写来标识，例如Micron的厂商名称是MT。

第48位数字代表内存的类型，例如48代表SDRAM；46 代表DDR。

5. 供电电压和封装方式：LC代表3V供电电压；C 代表5V供电电压；V 代表供电电压。

封装方式通常会用特定的字母或缩写来表示，例如TG即TSOP封装。

6. 工作速率和内核版本号：-75代表内存工作速率是133MHz，-65则表示工作速率是150MHz。

内核版本号也会被记录下来，例如A2代表内存内核版本号。

请注意，以上规则可能因厂商和具体产品而有所不同，因此在实际应用中，建议查阅具体产品的技术规格书或联系厂商获取准确信息。

nandflash的oob及坏块管理

nandflash的oob及坏块管理0.NAND的操作管理⽅式NAND FLASH的管理⽅式：以三星FLASH为例，⼀⽚Nand flash为⼀个设备(device)，1 (Device) = xxxx (Blocks)，1 (Block) = xxxx (Pages)，1(Page) =528 (Bytes) = 数据块⼤⼩(512Bytes) + OOB 块⼤⼩(16Bytes，除OOB第六字节外，通常⾄少把OOB的前3个字节存放Nand Flash硬件ECC码)。

关于OOB区，是每个Page都有的。

Page⼤⼩是512字节的NAND每页分配16字节的OOB；如果NAND物理上是2K的Page，则每个Page分配64字节的OOB。

如下图：以HYNIX为例，图中⿊体的是实际探测到的NAND，是个2G bit（256M）的NAND。

PgSize是2K字节，PgsPBlk表⽰每个BLOCK包含64页，那么每个BLOCK占⽤的字节数是64X2K=128K字节；该NAND包好2048个BLOCK，那么可以算出NAND占⽤的字节数是2048X128K=256M，与实际相符。

需要注意的是SprSize就是OOB⼤⼩，也恰好是2K页所⽤的64字节。

1.为什么会出现坏块　由于NAND Flash的⼯艺不能保证NAND的Memory Array在其⽣命周期中保持性能的可靠，因此，在NAND的⽣产中及使⽤过程中会产⽣坏块。

坏块的特性是：当编程/擦除这个块时，会造成Page Program和Block Erase操作时的错误，相应地反映到Status Register的相应位。

2.坏块的分类　总体上，坏块可以分为两⼤类：（1）固有坏块：这是⽣产过程中产⽣的坏块，⼀般芯⽚原⼚都会在出⼚时都会将每个坏块第⼀个page的spare area的第6个byte标记为不等于0xff的值。

（2）使⽤坏块：这是在NAND Flash使⽤过程中，如果Block Erase或者Page Program错误，就可以简单地将这个块作为坏块来处理，这个时候需要把坏块标记起来。

三星电容命名规则

规格说明：CL=积层陶瓷电容03=0201(0603) 21=0805(2012) 42=1808(4520)05=0402(1005) 31=1206(3216) 43=1812(4532)10=0603(1608) 32=1210(3225) 55=2220(5750)14=0504(1410) 01=0306(0816) 12=0508(1220)电容容量用三位数表示，前面两位为有效数字，第三位为有效数字后"O"的位数如：105 = 10 00000 （单位pF）如果中间一位为R 则表示"."如：3R3 = 3.3pFA=常规产品钯/银/镍屏蔽/锡 100% N=常规产品镍/铜/镍屏蔽/锡100%G=常规产品铜/铜/镍屏蔽/锡 100% L=低侧面产品镍/铜/镍屏蔽/锡 100%A =阵列(2-元素) L =LICCB =阵列(4-元素) N =常规 P =自动 C=高频预留的用途第1页规格事例:I类符号EIA编码工作温度范围（℃）温度系数范围（ppm/℃）C C0G -55～+125 0±30P P2H -55～+125 -150±60R R2H -55～+125 -220±60S S2H -55～+125 -330±60T T2H -55～+125 -470±60U U2J -55～+125 -750±120L S2L -55～+125 -1000～+350II类符号EIA编码工作温度范围（℃）电容变化（?C%）A X5R -55～+85 ±15B X7R -55～+125 ±15X X6S -55～+105 ±22F Y5V -30～+85 -82～+22**系列TC电容步骤***第2页外型尺寸：特征.尺寸的大小从：从0402到2220；.PCB高可靠公差和高速自动芯片更换；.大电容范围；.大温度补偿和电压范围：从COG到Y5V和从6.3V到50V；.高可靠性性能；.高电阻端子金属；.表面贴装组件的带料和料盘尺寸表示图（值见下表）鈀 MLCC(MLCC=A鈀零件编码第12号).I类电容<10pF（I类。

三星内存编号命名揭秘

三星内存编号命名揭秘!三星内存编号揭秘（一）三星DDR内存颗粒的编号共分为四段数字或字母，19个部分组成。

请看下面的三星内存编号示意图，图中有A、B、CDE和F为四段数字或字母，而19部分则是指包含在A、B、CDE和F四段数字或字母组成的编号，主要对内存规格进行说明。

下面，就给大家分别解释。

首先来解释一下四段号码的大概含义。

A部分我想不用解释了吧，标明的是生产企业的名称——SAMSUNG。

B部分说明的是该内存模组的生产日期，以三个阿拉伯数字的形式表现。

其中第一个阿拉伯数字表明，生产的年份，后面两位数字表明是在该年的第XX周生产的。

例如，上图中的446就该表示该模组是在04年的第46周生产的。

如果三位数字是532，则表明该内存模组是05年第32周生产的。

C部分说明的是该内存的封装类型，由一个英文字母表示。

该部分将分别以T、U、N、V、G、Z几个字母来代表不同的封装类型。

其中T代表是TSOP2封装，U表示TOSP2（Lead-Free）封装，N表示sTSOP2封装，V表示sTOSP2（Lead-Free）封装，G表示FBGA封装，Z表示FBGA（Lead-Free）封装。

D部分说明是该内存模组的工作温度与功耗，由一个英文字母表示。

该部分将以C和L两个字母来表示该内存颗粒的不同工作温度与功耗。

其中C表示该内存模组为大众商用型内存，普通功耗，工作温度在0 °C~70 °C之间；L表示该内存模组也属于大众商业型，但却是低功耗，工作温度也在0 °C~70 °C之间。

这部分标注为L的模组，在笔记本内存中比较常见。

E部分说明的是该内存模组的频率和各项延迟（即CL-tRCD-tRP），由两个英文字母或数字组成。

该部分分别以A0、B0、A2、B3和CC这五个字母/数字组合来代表不同频率和延迟的DDR内存模组。

其中，A0代表该模组的工作做频率为DDR-200（100MHz），延迟为2-2-2；B0代表DDR 266（133MHz），延迟为2.5-3-3；A2代表DDRDDR 266（133MHz），延迟为2-3-3；B3代表DDR333（166MHz），延迟为2.5-3-3；CC代表DDR400（200MHz），延迟为3-3-3。

三星固态颗粒命名规则

三星固态颗粒命名规则
根据我所了解，三星固态颗粒的命名规则通常遵循以下几个方面：
1. 产品系列和型号：三星固态颗粒通常具有不同的产品系列，比如860系列、970系列等。

每个产品系列又会有不同的型号，例如860 EVO、860 PRO等。

型号通常与产品的性能和特点相关。

2. 存储容量：固态颗粒的存储容量通常以单位为GB（千字节），TB（兆字节）或者GB（吉字节）表示。

常见的存储容量有250GB、500GB、1TB等。

3. 接口类型：固态颗粒的接口类型通常有SATA、PCIe、NVMe等。

接口类型决定了固态颗粒的数据传输速度和连接方式。

综上所述，三星固态颗粒的命名通常包括产品系列、型号、存储容量和接口类型等相关信息。

请注意，以上仅为一般规则，具体命名可能还会根据产品的特殊情况而有所变动。

内存命名规则

内存条可以通过查看内存颗粒的型号来确认其容量大小。

下面就以几个大厂的内存颗粒编码规则为例来说明内存容量的辨识方法。

三星内存颗粒目前使用三星的内存颗粒来生产内存条的厂家非常多，在市场上有很高的占有率。

由于其产品线庞大，所以三星内存颗粒的命名规则非常复杂。

三星内存颗粒的型号采用一个16位数字编码命名的。

这其中用户更关心的是内存容量和工作速率的识别，所以我们重点介绍这两部分的含义。

编码规则：K 4 X X X X X X X X - X X X X X主要含义：第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。

第2位——芯片类型4，代表DRAM。

第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。

第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。

64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit 的容量；28、27、2A代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit 的容量；51代表512Mbit的容量。

第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。

第11位——连线“-”。

第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为 7ns；7B为7.5ns (CL=3)；7C为7.5ns (CL=2) ；80为 8ns；10 为10ns (66MHz)。

知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。

例如一条三星DDR内存，使用18片SAMSUNG K4H280838B-TCB0颗粒封装。

颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存条的容量是128Mbits（兆数位）× 16片/8bits=256MB（兆字节）。

注：“bit”为“数位”，“B”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。

Samsung-NAND-FLASH命名规则

三星的pure nand flash（就是不带其他模块只是nand flash存储芯片）的命名规则如下：1. Memory (K)2. NAND Flash : 93. Small Classification(SLC : Single Level Cell, MLC : Multi Level Cell,SM : Smart Media, S/B : Small Block)1 : SLC 1 Chip XD Card2 : SLC 2 Chip XD Card4 : SLC 4 Chip XD CardA : SLC + Muxed I/ F ChipB : Muxed I/ F ChipD : SLC Dual SME : SLC DUAL (S/ B)F : SLC NormalG : MLC NormalH : MLC QDPJ : Non-Muxed OneNandK : SLC Die StackL : MLC DDPM : MLC DSPN : SLC DSPQ : 4CHIP SMR : SLC 4DIE STACK (S/ B)S : SLC Single SMT : SLC SINGLE (S/ B)U : 2 STACK MSPV : 4 STACK MSPW : SLC 4 Die Stack4~5. Density（注：实际单位应该是bit，而不是Byte）12 : 512M16 : 16M28 : 128M32 : 32M40 : 4M56 : 256M64 : 64M80 : 8M1G : 1G2G : 2G4G : 4G8G : 8GAG : 16GCG : 64GDG : 128G00 : NONE6~7. Organization00: NONE08: x816: x168. VccA : 1.65V~3.6VB : 2.7V (2.5V~2.9V)C : 5.0V (4.5V~5.5V)D : 2.65V (2.4V ~ 2.9V)E : 2.3V~3.6VR : 1.8V (1.65V~1.95V)Q : 1.8V (1.7V ~ 1.95V)T : 2.4V~3.0VU : 2.7V~3.6VV : 3.3V (3.0V~3.6V)W : 2.7V~5.5V, 3.0V~5.5V0 : NONE9. Mode0 : Normal1 : Dual nCE & Dual R/ nB4 : Quad nCE & Single R/ nB5 : Quad nCE & Quad R/ nB9 : 1st block OTPA : Mask Option 1L : Low grade10. GenerationM : 1st GenerationA : 2nd GenerationB : 3rd GenerationC : 4th GenerationD : 5th Generation11. "─"12. PackageA : COBB : TBGAC : CHIP BIZD : 63-TBGAE : TSOP1 (Lead-Free, 1217)F : WSOP (Lead-Free)G : FBGAH : TBGA (Lead-Free)I : ULGA (Lead-Free)K : TSOP1 (1217)L : LGAM : TLGAN : TLGA2P : TSOP1 (Lead-Free)Q : TSOP2 (Lead-Free)R : TSOP2-RS : SMART MEDIAT : TSOP2U : COB (MMC)V : WSOPW : WAFERY : TSOP113. TempC : CommercialI : IndustrialS : SmartMediaB : SmartMedia BLUE0 : NONE (Containing Wafer, CHIP, BIZ, Exceptionhandling code)3 : Wafer Level 314. Bad BlockA : Apple Bad BlockB : Include Bad BlockD : Daisychain SampleK : Sandisk BinL : 1~5 Bad BlockN : ini. 0 blk, add. 10 blkS : All Good Block0 : NONE (Containing Wafer, CHIP, BIZ, Exceptionhandling code)15. NAND-Reserved0 : Reserved16. Packing Type- Common to all products, except of Mask ROM- Divided into TAPE & REEL(In Mask ROM, divided into TRAY, AMMO Packing Separately) 【举例说明】K9GAG08U0M 详细信息如下:1. Memory (K)3. Small Classification(SLC : Single Level Cell, MLC : Multi Level Cell,SM : SmartMedia, S/B : Small Block)G : MLC Normal4~5. DensityAG : 16G (Note: 这里单位是bit而不是byte，因此实际大小是16Gb=2GB)6. Technology0 : Normal (x8)7. Organization0 : NONE 8 : x88. VccU : 2.7V~3.6V9. Mode0 : Normal10. GenerationM : 1st Generation11. "─"12. PackageP : TSOP1 (Lead-Free)13. TempC : Commercial14. Customer Bad BlockB : Include Bad Block15. Pre-Program Version0 : None整体描述就是：K9GAG08U0M是，三星的MLC Nand Flash，工作电压为2.7V~3.6V，x8（即I/O是8位），大小是2GB（16Gb），TSOP1封装。

三星电容型号命名规则

三星电容型号命名规则
嘿，亲爱的朋友们！今天咱们来聊聊三星电容的型号命名规则，这
可有趣又实用哦！
先来说说三星电容型号里的那些数字和字母到底都代表啥。

比如说，型号中的前几位数字，那可代表着电容的电容值大小。

可别小瞧这几
个数字，它们就像密码一样，能告诉咱们这个电容能存多少电。

还有啊，字母部分也有大讲究。

有的字母表示电容的封装类型，不
同的封装，适用的场景也不一样。

就像不同的鞋子适合不同的运动一样。

再讲讲那些特殊的标记。

有的标记能告诉咱们电容的精度等级，精
度高的电容在一些对电性能要求很严格的地方就特别重要，比如说精
密仪器里。

那咱也说说不允许出现的情况。

比如说，你可不能只看型号的一部
分就下结论，那准得搞错。

也不能看到个差不多的型号就以为是自己
想要的，得仔仔细细把整个型号看清楚咯。

比如说，有个型号是“104K”，这里的“104”就表示电容值是0.1μF，“K”就表示精度是 ±10%。

要是你只看“104”，那可就闹笑话啦。

总之呢，搞清楚三星电容的型号命名规则，就像是拿到了一把打开电容世界大门的钥匙。

咱们能更准确地选择适合自己需求的电容，让咱们的电路设计啥的都顺顺利利，不出岔子。

所以啊，朋友们，好好记住这些规则，让咱们在电容的世界里畅游无阻，为咱们的电子小制作或者大工程选到最合适的“小伙伴”——三星电容！。

三星公司型号K9F1208U08的NandFlash内部物理结构

k9f1208U0B NandFlash: 4096 block 数据区：
64MB
NandFlash的总容量=4096 Blocks=66MB=64MB(Data Field+2MB(Spare Field) Data Field=512Byte*32*4096=16KB*4096=64MB （实际可以操作的容量） Spare Field=16Byte *32 *4096=0.5KB*4096=2MB （存储检验码用的）
1Byte = 8 bits
cell
bit line
bit
以页为单位读写数据
512 Bytes
数Байду номын сангаас区存
6
2.2 page（页）
数据 512B
Data field
528 Bytes
16 Bytes
Spare field
1page=528Byte=512Byte(Data Field)+16Bytes(Spare Field)
三星公司型号K9F1208U08的 NandFlash内部物理结构
2
1. Flash闪存
1.1 Flash的属性
Flash闪存的英文名称：Flash Memory,简称Flash. 属于非易失型存储器：即：在没有电源供应的条件下能够持久的保持数据。
3
1. Flash闪存
1.2 Flash的作用
备用区：存检验码
16B
7
2.2 page（页）数据区分二区
512 Bytes
1st half 256B 2st half 256B
528 Bytes
16 Bytes
Spare field

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三星的pure nand flash（就是不带其他模块只是nand flash存储芯片）的命名规则如下：第1位.Memory(K)
第2位.NAND Flash:9
第3位.
Small Classification(SLC:Single Level Cell,MLC:Multi Level Cell,SM:SmartMedia,S/B:Small Bl ock)
1:SLC1Chip XD Card
2:SLC2Chip XD Card
4:SLC4Chip XD Card
A:SLC+Muxed I/F Chip
B:Muxed I/F Chip
D:SLC Dual SM
E:SLC DUAL(S/B)
F:SLC Normal
G:MLC Normal
H:MLC QDP
J:Non-Muxed OneNand
K:SLC Die Stack
L:MLC DDP
M:MLC DSP
N:SLC DSP
Q:4CHIP SM
R:SLC4DIE STACK(S/B)
S:SLC Single SM
T:SLC SINGLE(S/B)
U:2STACK MSP
V:4STACK MSP
W:SLC4Die Stack
第4~5位.Density（注：实际单位应该是bit，而不是Byte）
12:512M
16:16M
28:128M
32:32M
40:4M
56:256M
64:64M
80:8M
1G:1G
2G:2G
4G:4G
8G:8G
AG:16G
BG:32G
CG:64G
DG:128G
00:NONE
第6~7位.organization 00:NONE
08:x8
16:x16
第8位.Vcc
A:1.65V~3.6V
B:2.7V(2.5V~2.9V)
C:5.0V(4.5V~5.5V)
D:2.65V(2.4V~2.9V)
E:2.3V~3.6V
R:1.8V(1.65V~1.95V) Q:1.8V(1.7V~1.95V)
T:2.4V~3.0V
U:2.7V~3.6V
V:3.3V(3.0V~3.6V)
W:2.7V~5.5V,3.0V~5.5V 0:NONE
第9位.Mode
0:Normal
1:Dual nCE&Dual R/nB 4:Quad nCE&Single R/nB 5:Quad nCE&Quad R/nB 9:1st block OTP
A:Mask Option1
L:Low grade
第10位.Generation
M:1st Generation
A:2nd Generation
B:3rd Generation
C:4th Generation
D:5th Generation
第11位."─"
第12位.Package
A:COB
B:TBGA
C:CHIP BIZ
D:63-TBGA
E:TSOP1(Lead-Free,1217) F:WSOP(Lead-Free)
G:FBGA
H:TBGA(Lead-Free)
I:ULGA(Lead-Free)
J:FBGA(Lead-Free)
K:TSOP1(1217)
L:LGA
M:TLGA
N:TLGA2
P:TSOP1(Lead-Free)
Q:TSOP2(Lead-Free)
R:TSOP2-R
S:SMART MEDIA
T:TSOP2
U:COB(MMC)
V:WSOP
W:WAFER
Y:TSOP1
第13位.Temp
C:Commercial
I:Industrial
S:SmartMedia
B:SmartMedia BLUE
0:NONE(Containing Wafer,CHIP,BIZ,Exception handling code)
3:Wafer Level3
第14位.Bad Block
A:Apple Bad Block
B:Include Bad Block
D:Daisychain Sample
K:Sandisk Bin
L:1~5Bad Block
N:ini.0blk,add.10blk
S:All Good Block
0:NONE(Containing Wafer,CHIP,BIZ,Exception handling code)
第15位.NAND-Reserved
0:Reserved
第16位.Packing Type
- Common to all products,except of Mask ROM
- Divided into TAPE&REEL(In Mask ROM,divided into TRAY,AMMO Packing Separately)【举例说明】
1.Memory(K)
2.NAND Flash:9
3.Small Classification
(SLC:Single Level Cell,MLC:Multi Level Cell,SM:SmartMedia,S/B:Small Block)
G:MLC Normal
4~5.Density
AG:16G(Note:这里单位是bit而不是byte，因此实际大小是16Gb=2GB)
6.Technology
0:Normal(x8)
anization
0:NONE8:x8
8.Vcc
U:2.7V~3.6V
9.Mode
0:Normal
10.Generation
M:1st Generation
11."─"
12.Package
P:TSOP1(Lead-Free)
13.Temp
C:Commercial
14.Customer Bad Block
B:Include Bad Block
15.Pre-Program Version
0:None
整体描述就是：
K9GAG08U0M是，三星的MLC Nand Flash，工作电压为2.7V~3.6V，x8（即I/O是8位），大小是2GB（16Gb），TSOP1封装。