flash命名规则

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SN号码标识说明091016

SN号标识说明SN号标识信息：1.生产年月日2.型号3.序列号SN号在生产线上的使用：使用SN号控制生产线软件版本与硬件版本对应关系；同一PCB板不同型号的控制；同一型号不同BOM版本的控制；生产线隔离标识的使用同一物料不同状态的隔离，如不良品物料不同PCBA的分类不同状态的裸机放置要求注意人员工艺科，维修科，测试科，SMT车间，总装组装车间SN号标识分类试产SN号标识量产SN号标识量产)(量产)SN号的命名规则1.手机型号命名规则根据手机的名称进行命名，比如M860机型，那在打SN号时就将其手机型号描述为M860，依次类推。

2. Flash命名规格目前Flash品牌有：SPANSION、TOSHIBA和SAMSUNG，只要是SPANSION 的FLASH就标识“S”，如果是TOSHIBA的FLASH就标识“T”，只要是SAMSUNG 的FLASH就标识“K”SPANSION品牌的FLASH在使用的有：S71PL127NBOHFW4B、S71PL127JBOBAW9ZO、S71PL064JBOBAW0U、S7IPL032J80BFWOBO等，按照编写的先后顺序依次为S1、S2、S3、S4、、、、、S9、S0、SA、SB顺延去TOSHIBA品牌的FLASH在使用的有:TV00570002ADGB、TV00579002003CAGD 或TV00579002003EAGD，按照编写的先后顺序依次为T1、T2、T3、、、、、T9、T0、TA、TB顺延下去。

SAMSUNG品牌的FLASH使用的有：K5A6317CTM-D770、K5L2731CAA-D770、K5L2763CAA-D770等，按照编写的先后顺序依次为K1、K2、K3、、、、K9、K0、KA、KB顺延下去。

3. CPU命名规则目前我司CPU种类有：MT6226B、MT6226A、MT6205B、MT6228T/AB等，按照编写的先后顺序依次为01、02、03、04、、、09、10、11顺延下去。

allegro中焊盘的命名规则

allegro中焊盘的命名规则2012-07-17 13:54:35| 分类：allegro软件设计|字号订阅allegro软件中，常用焊盘的一些命名规则：一、通孔pad命名规则：1.圆孔padMMcirNN.pad，MM代表外盘，NN代表孔径，单位为mm，如：pad2_5cir1_5.pad；2.长条孔padMM_NNoblXX_YY.pad，MM_NN代表外盘，XX_YY孔形，单位mm，如：pad4_5obl2_5.pad；二、表贴pad命名规则：类似通孔，如：smdMMcir.pad和smdMM_NNobl.pad；三、过孔命名规则：viaMMcirNN.pad；四、flash命名规则：类似通孔，只是外尺寸表示：thermal relief，内尺寸表示盘面，如：tr120_92obl100_72.dra是通孔pad100_72obl160_32.pad的flash盘。

五、shape命名规则：表贴孔，通常以shp开始，平时用的较少，自己命名看得懂就好，如：梅花clubs 的shape，我们命名为：shp304clu.dra（用于eth类）、shp308clu.dra（用于soldermask）、shp344clu.dra（用于anti pad）、tr344clu304.dra(用于thermal relief)；六、单盘多孔命名规则：类似通孔，如：pad120cir72d196.pad 表示焊盘直径120、孔72、孔距196，d表示双孔的意思。

强制标准：制作package symbol时，必须使用分发库模板文件template-mil和template-mm.dra，以回避allegro使用默认模板导致pad中flash丢失的问题。

flash开发中的命名

1、违反：代码规范的目的是增加代码的可读性，便于程序的维护所有有利于代码可读性的违反都是被允许的.左大括号须放置于组合语句开始的末尾。

If(loggedin()){bel=”Welcome’;}else{bel=”Access”;}2、命名规则使用含义丰富的名字(Use meaningful names)在缩写中，只将首字母大写如果一个类成员是由缩写开始，则该缩写全部使用小写字母，此约定不适用到常量再说句废话，所有的名字都应该使用英文3、包命名（package namesPackage names should be lower case包的名字应全部为小写；4、类命名（class names）Class neames should be nouns in singular form,written in mixed cases starting with upper case(类应该以名词单数形式，首字母大写，大小写混排，方式命名)Class representing collections should have names in plural form(表示一组事物的类应使用复数形成；)Names of exception classes should be prefixed with Error(异常类的名字须以Error开头)Defauit implementations of interfaces can be prefixed with Default;（接口的默认实现类可以以Ddfault开头）接口命名Interface namesInterface names should be nouns or adjectives prefixed with letter”I”(接口的名字应为字母“I”开头的名词或形容词)变量/属性命名Variable/property namesPrivate class variable names should be in mixed cases starting with lower case prefixed with ”_’;（私有类的变量名称应为以下划线为前缀，小写字母开头的大小写混排）Private var _lastYear:int;Private var _loader:Loader;注：函数中局部变量的名字不必在前面加_;Property names should be in mixed cases starting with lower case(属性名应以小写字母开头，大小写字母混排)Parameter name can be suffixed with “_’ to differentiate it with variabke/property name(参数名可以增加一个后缀_,以便于变量或者属性区分)Public function get loaderSwf(type_:String):void{return loaderSwf}常量的名字必须全部为大写Math.PI var MATTEN:int;同类别的一组常量，名字前应加一个相同的前缀；布尔型变量不应使用否定行名字；在嵌套循环中，使用有意义丰富的名字来命名循环控制变量；（嵌套循环中常出现Bug，通过使用意义丰富的名字来命名循环控制变量，不仅可以减少Bug，还可以增加代码的可读性）Prefix names of variables referencing UI components with proper abbreviations of the UI type(使用合适的前缀来命名类型为UI组建的变量)对于一个已知类型的变量来说，其名称以类型开头要比以类型结尾更容易识别。

stm32f命名规则

stm32f命名规则STM32F是STMicroelectronics（意法半导体）推出的一系列32位Flash微控制器产品。

它们具有高性能、低功耗和丰富的外设功能，广泛应用于工业控制、消费电子、汽车电子等领域。

本文将介绍STM32F命名规则以及其背后的含义。

STM32F的命名规则可以分为三个部分：系列、型号和特性。

首先，STM32F的系列代表了不同的产品线，常见的有STM32F0、STM32F1、STM32F3、STM32F4、STM32F7和STM32F9等。

每个系列都针对不同的应用场景和性能需求进行了优化。

STM32F的型号部分表示了不同的芯片型号。

例如，STM32F103C8T6是一种常见的型号，它属于STM32F1系列，并具有丰富的外设功能和较高的性能。

在型号中，字母代表了特定的功能和特性，数字则表示了具体的性能等级。

STM32F的特性部分表示了不同的功能和特性。

这些特性可以帮助用户更好地了解芯片的功能和适用范围。

例如，字母"C"表示该芯片采用了Cortex-M3内核，数字"8"表示该芯片的Flash容量为64KB，字母"T"表示该芯片封装为LQFP-48。

通过特性部分的组合，我们可以快速了解芯片的基本信息。

除了上述命名规则外，STM32F还有一些其他的命名约定。

例如，字母"A"表示该芯片为第一版，字母"B"表示该芯片为第二版，以此类推。

此外，字母"R"表示该芯片为工程样品，字母"I"表示该芯片为工业级别。

通过遵循这些命名规则和约定，STMicroelectronics使得用户可以快速准确地找到适合自己需求的STM32F芯片。

同时，这些命名规则也帮助用户了解芯片的基本性能和特性，为芯片的选择和应用提供了指导。

STM32F系列是STMicroelectronics推出的一系列32位Flash微控制器产品，具有高性能、低功耗和丰富的外设功能。

flash常量、变量和自定义函数

常量、变量和自定义函数
• • • • •
1．常量、变量和注释（1）常量：常量有数值型、字符串型和逻辑型3种，它们的特点如下。数值型：就是具体的数值。例如129、519和68.9等。字符串型：用引号括起来的一串字符。例如“Flash 8”和“奥运北京2008”等。逻辑型：用于判断条件是否成立。True或“1”表示真（成立），False或“0” 表示假（不成立）。逻辑型常量也叫布尔常量。 • （2）变量：变量可以赋值一个数值、字符串、布尔值和对象等。而且，还可以为变量赋一个Null值，即空值，它既不是数值0，也不是空字符串，是什么都没有。数值型变量都是双精度浮点型。不必明确地指出或定义变量的类型， Flash 会在变量赋值的时候自动决定变量的类型。在表达式中，Flash 会根据表达式的需要自动改变数据的类型。 • （3）变量的命名规则：变量的开头字符必须是字母、下画线或美元符号，后续字符可以是字母、数字等，但不能是空格、句号、保留字（即关键字，它是ActionScript语言保留的一些标示符，例如play、stop、int等）和逻辑常量等字符。
• （6）注释： • 2．运算符和表达式 • 运算符（即操作符）是能够提供对常量与变量进行运算的元件。表达式是用运算符将常量、变量和函数以一定的运算规则组织在一起的式子。表达式可分为3种：算术表达式、字符串表达式和逻辑表达式。在Flash 8 的表达式中，同级运算按照从左到右的顺序进行。 • 使用运算符可以在“动作”面板程序编辑区内直接输入。也可以在“动作” 面板命令列表区的“运算符”目录下，双击其中一个运算符来输入。还可以单击“动作”面板内辅助按钮栏中的【将新项目添加到脚本中】按钮，再单击“运算符”菜单下的一个运算符。 • 字符串的比较是与字符相应的ASCII码大小的比较。 • 3．文本的3种类型和文本“属性”面板 • 文本的3种是静态文本、动态文本和输入文本。利用文本的“属性”面板中的

FLASH命名规则

FLASH命名规则今天找三星闪存资料,发现了他的命名规则,发上来与⼤家分享下.三星的pure nand flash（就是不带其他模块只是nand flash存储芯⽚）的命名规则如下：1. Memory (K)2. NAND Flash : 93. Small Classification(SLC : Single Level Cell, MLC : Multi Level Cell,SM : SmartMedia, S/B : Small Block)1 : SLC 1 Chip XD Card2 : SLC 2 Chip XD Card4 : SLC 4 Chip XD CardA : SLC + Muxed I/ F ChipB : Muxed I/ F ChipD : SLC Dual SME : SLC DUAL (S/ B)F : SLC NormalG : MLC NormalH : MLC QDPJ : Non-Muxed OneNandK : SLC Die StackL : MLC DDPM : MLC DSPN : SLC DSPQ : 4CHIP SMR : SLC 4DIE STACK (S/ B)S : SLC Single SMT : SLC SINGLE (S/ B)U : 2 STACK MSPV : 4 STACK MSPW : SLC 4 Die Stack4~5. Density（注：实际单位应该是bit，⽽不是Byte）16 : 16M28 : 128M32 : 32M40 : 4M56 : 256M64 : 64M80 : 8M1G : 1G2G : 2G4G : 4G8G : 8GAG : 16GBG : 32GCG : 64GDG : 128G00 : NONE6~7. organization00 : NONE08 : x816 : x168. VccA : 1.65V~3.6VB : 2.7V (2.5V~2.9V)C : 5.0V (4.5V~5.5V)D : 2.65V (2.4V ~ 2.9V)E : 2.3V~3.6VR : 1.8V (1.65V~1.95V)Q : 1.8V (1.7V ~ 1.95V)T : 2.4V~3.0VU : 2.7V~3.6VV : 3.3V (3.0V~3.6V)W : 2.7V~5.5V, 3.0V~5.5V 0 : NONE9. Mode1 : Dual nCE & Dual R/ nB4 : Quad nCE & Single R/ nB5 : Quad nCE & Quad R/ nB9 : 1st block OTPA : Mask Option 1L : Low grade10. GenerationM : 1st GenerationA : 2nd GenerationB : 3rd GenerationC : 4th GenerationD : 5th Generation11. "─"12. PackageA : COBB : TBGAC : CHIP BIZD : 63-TBGAE : TSOP1 (Lead-Free, 1217)F : WSOP (Lead-Free)G : FBGAH : TBGA (Lead-Free)I : ULGA (Lead-Free)J : FBGA (Lead-Free)K : TSOP1 (1217)L : LGAM : TLGAN : TLGA2P : TSOP1 (Lead-Free)Q : TSOP2 (Lead-Free)R : TSOP2-RS : SMART MEDIAT : TSOP2U : COB (MMC)W : WAFERY : TSOP113. TempC : CommercialI : IndustrialS : SmartMediaB : SmartMedia BLUE0 : NONE (Containing Wafer, CHIP, BIZ, Exceptionhandling code)3 : Wafer Level 314. Bad BlockA : Apple Bad BlockB : Include Bad BlockD : Daisychain SampleK : Sandisk BinL : 1~5 Bad BlockN : ini. 0 blk, add. 10 blkS : All Good Block0 : NONE (Containing Wafer, CHIP, BIZ, Exceptionhandling code)15. NAND-Reserved0 : Reserved16. Packing Type- Common to all products, except of Mask ROM- Divided into TAPE & REEL(In Mask ROM, divided into TRAY, AMMO Packing Separately)K9GAG08U0M 详细信息如下:1. Memory (K)2. NAND Flash : 93. Small Classification(SLC : Single Level Cell, MLC : Multi Level Cell,SM : SmartMedia, S/B : Small Block)AG : 16G (Note: 这⾥单位是bit⽽不是byte，因此实际⼤⼩是16Gb=2GB)6. Technology0 : Normal (x8)7. Organization0 : NONE 8 : x88. VccU : 2.7V~3.6V9. Mode0 : Normal10. GenerationM : 1st Generation11. "─"12. PackageP : TSOP1 (Lead-Free)13. TempC : Commercial14. Customer Bad BlockB : Include Bad Block15. Pre-Program Version0 : None整体描述就是：K9GAG08U0M是，三星的MLC Nand Flash，⼯作电压为2.7V~3.6V，x8（即I/O 是8位），⼤⼩是2GB（16Gb），TSOP1封装。

英特尔 nand flash 命名规则

英特尔nand flash 命名规则
英特尔的NAND Flash命名规则通常包括以下几个部分：
1. 容量：NAND Flash的容量通常以GB（千兆字节）或TB（太字节）为单位表示。

例如，256GB或1TB表示存储容量。

2. 速度：NAND Flash的速度可以通过不同的规格进行标识，例如读取速度、写入速度和擦除速度等。

这些规格通常以MB/s为单位表示。

3. 寿命：NAND Flash的寿命通常以写入周期数或保修期限来表示。

例如，10000次写入周期或5年保修期限。

4. 接口：NAND Flash的接口类型可能有所不同，例如SATA、PCIe 等。

这些接口类型决定了NAND Flash与计算机或其他设备之间的连接方式。

5. 制造商和品牌：NAND Flash的制造商和品牌可能对命名规则产生影响。

例如，某些品牌可能采用特定的命名方式来标识其产品。

总的来说，英特尔的NAND Flash命名规则通常根据其容量、速度、寿命、接口和制造商品牌等方面进行标识。

具体命名规则可能会因产品而异，因此建议参考英特尔官方文档或与制造商联系以获取更准确的信息。

Flash编程命名规则(私藏)

在编写程序的时候，选择一个易读、方便的好名字是非常关键的。

你需要经常考虑一下自己的命名是否恰当，特别是会不会和已有API冲突。

我们的命名规则基本和ECMAScript与Flash Player 9一致。

缩写缩写也不一定就是好事，比如说calculateOptimalValue()，这个方法名就比calcOptVal()要好。

通常来说，语义清楚比少敲几次键盘更加重要。

如果你滥用缩写，将会使代码的可读性降低。

当然，我们也有一些标准的缩写形式：• acc 代替accessibility, 比如ButtonAccImpl• auto代替automatic, 比如autoLayout• auto代替automatic, 比如autoLayout• eval代替evaluate, 比如EvalBindingResponder• impl代替implementation, 比如ButtonAccImpl• info代替information, 比如GridRowInfo• num代替number of, 比如numChildren• min代替minimum, 比如minWidth• m ax代替maximum, 比如maxHeight• nav代替navigation, 比如NavBar• regexp代替regular expression, 比如RegExpValidator• util代替utility, 比如StringUtil这里只是列举了一些常用的缩写。

如果这里没有你想用到的缩写，请你多加注意大多数人的写法。

这样还没有找到的话，那你就要慎重考虑到底要不要使用缩写了。

当然缩写的形式也是多种多样的。

举个例子，我们经常使用“horizontal”和“vertical”，如horizontalScrollPolicy、verticalScrollPolicy。

但是我们经常把他缩写成普遍认可的H和V。

首字母缩略词变量的首字母缩略写法在Flex中是非常普遍的, 比如AIR, CSS, HLOC, IME, MX, MXML, RPC, RSL, SWF, UI, UID, URL, WSDL, XML。

华邦flash芯片命名规则

华邦flash芯片命名规则华邦（Winbond）是一家知名的半导体公司，专注于存储器产品的研发和生产。

其中，华邦的Flash芯片在市场上享有很高的声誉和知名度。

而这些Flash芯片的命名规则，也是华邦公司在产品定位和市场推广方面的重要策略之一。

华邦的Flash芯片命名规则主要包括产品系列、容量和速度等方面的标识。

首先，产品系列是华邦Flash芯片命名的第一个要素。

华邦的Flash芯片主要分为三个系列，分别是W25、W29和W39系列。

其中，W25系列是华邦的主打产品系列，具有广泛的应用领域和市场份额。

W29系列则是华邦的高性能产品系列，适用于对速度和可靠性要求较高的应用场景。

而W39系列则是华邦的低功耗产品系列，适用于对功耗要求较高的应用场景。

其次，容量是华邦Flash芯片命名的第二个要素。

华邦的Flash芯片容量通常以数字表示，例如8、16、32、64等。

这些数字代表了芯片的存储容量，单位为兆字节（MB）。

不同容量的Flash芯片适用于不同的应用场景，用户可以根据自己的需求选择合适的容量。

最后，速度是华邦Flash芯片命名的第三个要素。

华邦的Flash芯片速度通常以字母和数字的组合表示，例如Q、P、S等。

这些字母代表了芯片的读写速度等性能指标。

一般来说，字母越靠前，代表的速度越快。

用户可以根据自己的应用需求选择合适的速度等级。

除了以上三个要素，华邦的Flash芯片命名还可能包括其他的标识，例如温度范围、封装类型等。

这些标识可以帮助用户更准确地选择合适的芯片。

华邦的Flash芯片命名规则的设计，旨在为用户提供更便捷、准确的选择。

通过产品系列、容量和速度等要素的标识，用户可以快速了解到芯片的主要特点和适用场景，从而更好地满足自己的需求。

此外，华邦还通过不断创新和技术升级，不断推出新的Flash芯片产品，以满足市场的不断变化和用户的不断需求。

华邦的Flash芯片在性能、可靠性和功耗等方面都具有优势，得到了广大用户的认可和信赖。

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三星flash命名规则如何根据Samsung的Nand Flash的芯片型号(Part Number)读懂芯片详细信息+ 举例K9GAG08U0M说明【Samsung ：NAND Flash Code Information】三星的NAND Flash Code Information：/global/business/semiconductor/productInfo.do?fmly_id=672&partnum=K9GA G08U0M中的Part Number Decoder拷贝出来如下：NAND Flash Code Information1. Memory (K)2. NAND Flash : 93. Small Classification(SLC : Single Level Cell, MLC : Multi Level Cell,SM : SmartMedia, S/B : Small Block)1 : SLC 1 Chip XD Card2 : SLC 2 Chip XD Card3 : 4bit MLC Mono4 : SLC 4 Chip XD Card5 : MLC 1 Chip XD Card6 : MLC 2 Chip XD Card7 : SLC moviNAND8 : MLC moviNAND9 : 4bit MLC ODPA : 3bit MLC MONOB : 3bit MLC DDPC : 3bit MLC QDPF : SLC NormalG : MLC NormalH : MLC QDPK : SLC Die StackL : MLC DDPM : MLC DSPN : SLC DSPO : 3bit MLC ODPP : MLC ODPQ : SLC ODPR : MLC 12-die stackS : MLC 6 Die StackT : SLC SINGLE (S/B)U : MLC 16 Die StackW : SLC 4 Die Stack4~5. Density（注：实际单位应该是bit，而不是Byte）12 : 512M 16 : 16M 28 : 128M32 : 32M 40 : 4M 56 : 256M64 : 64M 80 : 8M 1G : 1G2G : 2G 4G : 4G 8G : 8GAG : 16G BG : 32G CG : 64GDG : 128G EG : 256G FG : 256GGG : 384G HG : 512G LG : 24GNG : 96G ZG : 48G 00 : NONE6. Technology0 : Normal (x8) 1 : Normal (x16)C : Catridge SIPD : DDRM : moviNAND N : moviNAND FABP : moviMCP T : Premium eSSDZ : SSD7. Organization0 : NONE 8 : x86 : x168. VccA : 1.65V~3.6VB : 2.7V (2.5V~2.9V)C : 5.0V (4.5V~5.5V)D : 2.65V (2.4V ~ 2.9V)E : 2.3V~3.6V R : 1.8V (1.65V~1.95V)Q : 1.8V (1.7V ~ 1.95V) T : 2.4V~3.0VS : 3.3V (3V~3.6V/ VccQ1.8V (1.65V~1.95V)U : 2.7V~3.6V V : 3.3V (3.0V~3.6V)W : 2.7V~5.5V, 3.0V~5.5V 0 : NONE9. Mode0 : Normal1 : Dual nCE & Dual R/nB3 : Tri /CE & Tri R/B4 : Quad nCE & Single R/nB5 : Quad nCE & Quad R/nB6 : 6 nCE & 2 RnB7 : 8 nCE & 4 RnB8 : 8 nCE & 2 RnB9 : 1st block OTPA : Mask Option 1L : Low grade10. GenerationM : 1st GenerationA : 2nd GenerationB : 3rd GenerationC : 4th GenerationD : 5th GenerationE : 6th GenerationY : 25th GenerationZ : 26th Generation11. "─"12. Package8 : TSOP1 (Lead-Free, Halogen-Free, CU)9 : 56TSOP1 (Lead-Free, Halogen-Free, CU)A : COBB : FBGA (Halogen-Free, Lead-Free)D : 63-TBGAE : ISM (Lead-Free, Halogen-Free)F : WSOP (Lead-Free)G : FBGAH : BGA (Lead-Free, Halogen-Free)I : ULGA (Lead-Free) (12*17)J : FBGA (Lead-Free)K : ULGA (Lead-Free, Halogen-Free) (12*17)L : ULGA (Lead-Free, Halogen-Free) (14*18)M : 52-ULGA (Lead-Free, Halogen-Free) (13*18)P : TSOP1 (Lead-Free)Q : TSOP2 (Lead-Free)R : 56-TSOP1 (Lead-Free, Halogen-Free)S : TSOP1 (Lead-Free, Halogen-Free)T : WSOP (Lead-Free, Halogen-Free)U : COB (MMC)V : WSOP W : WaferY : TSOP1 Z : WELP (Lead-Free)13. TempC : Commercial I : IndustrialS : SmartMediaB : SmartMedia BLUE0 : NONE (Containing Wafer, CHIP, BIZ, Exception handling code)NAND Flash Code Information(2/3)K 9 X X X X X X X X - X X X X X X X1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 1814. Customer Bad BlockB : Include Bad BlockD : Daisychain SampleK : Special HandlingL : 1~5 Bad BlockN : ini. 0 blk, add. 10 blkS : All Good Block0 : NONE (Containing Wafer, CHIP, BIZ, Exceptionhandling code)15. Pre-Program Version0 : NoneSerial (1~9, A~Z)16. Packing Type- Common to all products, except of Mask ROM- Divided into TAPE & REEL(In Mask ROM, divided into TRAY, AMMO Packing Separately 17~18. Customer "Customer List Reference"【举例说明】K9GAG08U0M 详细信息如下:1. Memory (K)2. NAND Flash : 93. Small Classification(SLC : Single Level Cell, MLC : Multi Level Cell,SM : SmartMedia, S/B : Small Block)G : MLC Normal4~5. DensityAG : 16G (Note: 这里单位是bit而不是byte，因此实际大小是16Gb=2GB)6. Technology0 : Normal (x8)7. Organization0 : NONE 8 : x88. VccU : 2.7V~3.6V9. Mode0 : Normal10. GenerationM : 1st Generation11. "─"12. PackageP : TSOP1 (Lead-Free)13. TempC : Commercial14. Customer Bad BlockB : Include Bad Block15. Pre-Program Version0 : None整体描述就是：K9GAG08U0M是，三星的MLC Nand Flash，工作电压为2.7V~3.6V，x8（即I/O是8位），大小是2GB（16Gb），TSOP1封装。

Hynix 海力士H 2 7 X X X X X X X X X - X X(1) HYNIX(2) PRODUCT FAMILY(4) POWER SUPPLY(VCC)(8) NAND CLASSIFICATION(7) ORGANIZATION(14) BAD BLOCK(11) PACKAGE TYPE2 : FlashS: SLC + Single Die + Small BlockA: SLC + Double Die + Small BlockB: SLC + Quadruple Die + Small BlockF: SLC + Single Die + Large BlockG: SLC + Double Die + Large BlockH: SLC + Quadruple Die + Large BlockJ: SLC + ODP + Large BlockK: SLC + DSP + Large BlockT: MLC + Single Die + Large BlockU: MLC + Double Die + Large BlockV: MLC + Quadruple Die + Large BlockW: MLC + DSP + Large BlockY: MLC + ODP + Large BlockC: Included Bad BlockE: 1~5 Bad Block IncludedM: All Good BlockI: TSOP1B: WSOPS: USOPP: LSOP1T: FBGAV: LGAS: WLGAN: VLGAF: ULGAX: WaferM: PGD1 (chip)Y: KGDU: PGD2W: 1stC: 2ndK: 3rdD: 4thMABC(5), (6) DENSITY1: 1 nCE & 1 R/nB; Sequential Row Read Enable 2: 1 nCE & 1 R/nB; Sequential Row Read Disable 4: 2 nCE & 2 R/nB; Sequential Row Read Enable 5: 2 nCE & 2 R/nB; Sequential Row Read Disable D: Dual Interface; Sequential Row Read Disable F: 4 nCE & 4 R/nB ; Sequential Row Read Disablemicron镁光nand命名规则/support/designsupport/documents/pngStandard NAND Flash Part Numbering SystemMicron's part numbering system is available atStandard NAND Flash*MT 29F 2G 08 A A A WP - xx xx xx xx ES : AMicron Technology Design Revision (shrink)A = 1st design revision1. Single-Supply Flash29F = Single-Supply NAND Flash Production Status29H = High Speed NAND Blank = ProductionES = Engineering samples2. Density QS = Qualification samples1G = 1Gb MS = Mechanical samples2G = 2Gb4G = 4Gb Operating Temperature Range8G = 8Gb Blank = Commercial (0°C to +70°C)16G = 16Gb ET = Extended (–40°C to +85°C)32G = 32Gb WT = Wireless (–25°C to +85°C)64G = 64Gb128G = 128Gb Block Option (Reserved for use)256G = 256Gb Blank = Standard device3. Device Width Flash Performance08 = 8 bits Blank = Full specification16 = 16 bits4. Speed Grade (MT29H Only)Classification 15 = 133 MT/s12 = 166 MT/s5. Mark Bit/cell Die RnBA SLC 1 1 Package CodeB SLC 2 1 WP = 48-pin TSOP I (CPL version) (Pb-free)C SLC 2 1 WC = 48-pin TSOP I (OCPL version) (Pb-free)D SLC 2 2 H1 = 100-ball VFBGA (Pb-free), 12 x 18 x 1.0E SLC 2 2 H2 = 100-ball TFBGA (Pb-free), 12 x 18 x 1.2F SLC 4 2 HC = 63-ball VFBGA, 10.5 x 13 x 1.0G SLC 4 2 C2 = 52-pad ULGA, 12 x 17 x 0.4 (use TBD)J SLC 4 + 4 2 + 2 C3 = 52-pad ULGA, 12 x 17 x 0.65K SLC 8 4 C4 = 52-pad VLGA, 12 x 17 x 1.0 (SDP/DDP/QDP)Z SLC 1 NA C5 = 52-pad VLGA, 14 x 18 x 1.0 (SDP/DDP/QDP)C6 = 52-pad LLGA, 14 x 18 x 1.47 (8DP, QDP, DDP)M MLC 1 1 C7 = 48-pad LLGA, 12 x 20 x 1.47 (8DP)N MLC 2 1 SWC = 48-pin Stacked TSOP (OCPL version) (Pb-free)P MLC 2 1 SWP = 48-pin Stacked TSOP (CPL version) (Pb-free)Q MLC 2 2R MLC 2 2 Generation (M29 only)/Feature SetT MLC 4 2 A = 1st set of device featuresU MLC 4 2 B = 2nd set of device features (rev only if different than 1st set)V MLC 4 + 4 2 + 2 C = 3rd set of device features (rev only if different)W MLC 8 4 D = 4th set of device features (rev only if different)Y MLC 8 4 etc.6. Operating Voltage RangeA = 3.3V (2.70–3.60V), VccQ 3.3V (2.70–3.60V)B = 1.8V (1.70–1.95V)C = 3.3V (2.70–3.60V), VccQ 1.8V (1.70–1.95V)*Contact Micron for help differentiating between standard and next-generation NAND offerings.。