模拟电子技术期中考试卷
模拟电子技术期中考试卷
1.（10分）两级阻容耦合放大电路如图所示，已知T 1的g m =1ms ，r ds =200k Ω， T 2的β=50，r be =1k Ω，⑴画出该放大电路的微变等效电路；
⑵求放大电路的电压放大倍数i O U U A .
../ ；
⑶求放大电路的输入电阻R i 和输出电阻R o ;
2. （10分）已知电路如图所示，T1和T2管的饱和管压降│U CES │＝3V ，V CC ＝15V ， R L ＝8Ω。
选择正确答案填入空内。
（1）电路中D1和D2管的作用是消除 。
A ．饱和失真
B ．截止失真
C ．交越失真
（2）静态时，晶体管发射极电位U EQ 。
A ．＞0V
B ．＝0V
C ．＜0V
（3）最大输出功率P OM 。
A ．≈28W
B ．＝18W
C ．＝9W
（4）当输入为正弦波时，若R 1虚焊，即开路，则输出电压 。
A ．为正弦波
B ．仅有正半波
C ．仅有负半波
（5）若D1虚焊，则T1管 。
A ．可能因功耗过大烧坏
B ．始终饱和
C ．始终截止
U
o
CC。
模拟电子技术期中考试卷
模拟电子技术期中考试卷
1.（10分）两级阻容耦合放大电路如图所示，已知T 1的g m =1ms ，r ds =200k Ω， T 2的β=50，r be =1k Ω，⑴画出该放大电路的微变等效电路；
⑵求放大电路的电压放大倍数i O U U A .
../ ；
⑶求放大电路的输入电阻R i 和输出电阻R o ;
2. （10分）已知电路如图所示，T1和T2管的饱和管压降│U CES │＝3V ，V CC ＝15V ， R L ＝8Ω。
选择正确答案填入空内。
（1）电路中D1和D2管的作用是消除 。
A ．饱和失真
B ．截止失真
C ．交越失真
（2）静态时，晶体管发射极电位U EQ 。
A ．＞0V
B ．＝0V
C ．＜0V
（3）最大输出功率P OM 。
A ．≈28W
B ．＝18W
C ．＝9W
（4）当输入为正弦波时，若R 1虚焊，即开路，则输出电压 。
A ．为正弦波
B ．仅有正半波
C ．仅有负半波
（5）若D1虚焊，则T1管 。
A ．可能因功耗过大烧坏
B ．始终饱和
C ．始终截止
U
o
CC。
模拟电子技术期中考试题
模拟电子技术期中考试题1.填空题：（每空2分，任意选择选作，最多可得50分）（1）三种双极型管的基本组态放大电路中，输入电阻最大的是共集电放大电路；输入电阻最小的是共基放大电路；输出电压与输入电压反相的是共射放大电路；电压放大倍数最大的是共射和共基放大电路；电压放大倍数最小的是共集电放大电路；输出电阻最小的是共集电放大电路；电流放大倍数最大的是共集电放大电路；既有电流放大又有电压放大的是共射放大电路。
（2）天然的硅和锗经过高度提纯后形成具有共价键（或晶格对称）结构的本征半导体；在本征半导体中掺入微量的三价杂质元素，可形成P型半导体，其多子是空穴，少子是自由电子，不能移动的离子带负电；掺入微量的五价杂质元素，可获得N型半导体，其多子是自由电子，少子是空穴，不能移动的离子带正电。
（3）二极管的伏安特性曲线上可分为死区、正向导通区、反向截止区和反向击穿区四个区。
双极型三极管的输出特性曲线上可分为放大区、饱和区和截止区三个区。
（4）双极型管主要是通过改变基极小电流来改变集电极大电流的，所以是一个电流控制型器件；场效应管主要是通过改变栅源间电压来改变漏极电流的，所以是一个电压控制型器件。
（5）组成放大电路的基本原则是：外加电源的极性应使三极管的发射结正偏、集电结反偏。
（6）放大电路的基本分析法有静态分析法和动态分析法；其中动态分析法的微变等效电路法只能用于分析小信号放大电路；确定放大电路的静态工作点可采用估算法和图解法。
（7）多级放大电路的耦合方式通常有阻容耦合、直接耦合和变压器耦合三种方式；集成电路中一般采用直接耦合方式。
（8）放大电路中出现的饱和失真和截止失真称为非线性失真；频率失真称为线性失真。
2.简答题：（每小题10分，也可任意选作）（1）双踪示波器在电子仪器中的功能是什么？说说信号为1kHz时，周期档位如何选择？答：双踪示波器在电子仪器中可以用来准确显示任意波形、任意频率和一定幅度的电信号轨迹。
模拟电子技术(期中考试)
·《模拟电子技术》课程(期中)第一题：填空题（每空2分，共32分）。
1、N型半导体是在本征半导体中掺入价元素；其多数载流子为。
2、二极管伏安特性方程,表达式为。
3、BJT放大电路静态工作点选得偏高，可能使放大器进入区，并使输出信号的波形产生失真。
4、场效应管的输出特性曲线可分为三个区域，分别是截止区、、。
5、画放大电路的直流通路时，应将隔直电容看作；直流电压源可看作。
6、理想放大器，两输入端电压差可认为0，这种现象被称为概念。
7、电压的国际单位是；电感的国际单位是。
8、某放大器开环放大倍数为A，反馈系数为F，引入负反馈后放大倍数为。
9、乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流I C Q= ，静态时的电源功耗P D C=，但这种功放有失真。
10、长尾式差分放大器中电阻Re的作用是引入一个；所学过的基本放大电路中电压放大系数近似为1的是。
第二题：判断题（每题2分，共10分）。
1、场效应管是电压控制型器件。
( )2、运放在线性应用时，必需使它处于开环或正反馈状态。
( )3、乙类互补对称功放电路在输出功率最大时，管子的管耗最大。
( )4、长尾式差分放大电路中，Re越大，K CMR越小。
( )5、放大器的组态中，共射极具有电压倒相作用，而共集电极没有。
（）第三题：单选题（每题2分，共10分）。
1、硅稳压管在稳压电路中时，工作在（）状态。
A.正向导通状态B.反向齐纳击穿状态C.反向截止状态D.放大状态2、若三级放大电路中的各级电压增益Au1=40dB、Au2= Au3=20dB，则该放大电路的电压放大倍数为（）倍。
A.100B.80C.1000D.100003、在某放大电路中，测得三极管三个电极的静态电位分别为0 V，-10 V，-9.3 V，则这只三极管是（）。
A.NPN 型硅管B.NPN 型锗管C.PNP 型硅管D.PNP 型锗管4、在图中，能够构成复合管的是( ) 。
5、放大器引入串联负反馈后，闭环输入电阻（）。
模拟电子技术期中考试题1[1页]
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模拟电子技术期中考试题1.填空题：（每空2分，任意选择选作，最多可得50分）（1）三种双极型管的基本组态放大电路中，输入电阻最大的是 放大电路；输入电阻最小的是 放大电路；输出电压与输入电压反相的是 放大电路；电压放大倍数最大的是 和 放大电路；电压放大倍数最小的是 放大电路；输出电阻最小的是 放大电路；电流放大倍数最大的是 放大电路；既有电流放大又有电压放大的是 放大电路。
（2）天然的硅和锗经过高度提纯后形成具有 结构的本征半导体；在本征半导体中掺入微量的三价杂质元素，可形成 型半导体，其多子是 ，少子是 ，不能移动的离子带 电；掺入微量的五价杂质元素，可获得 型半导体，其多子是 ，少子是 ，不能移动的离子带 电。
（3）二极管的伏安特性曲线上可分为 区、 区、 区和 区四个区。
双极型三极管的输出特性曲线上可分为 区、 区和 区三个区。
（4）双极型管主要是通过改变 极小电流来改变 极大电流的，所以是一个 控制型器件；场效应管主要是通过改变 间电压来改变 电流的，所以是一个 控制型器件。
（5）组成放大电路的基本原则是：外加电源的极性应使三极管的发射结 偏、集电结 偏。
（6）放大电路的基本分析法有 分析法和 分析法；其中 分析法的微变等效电路法只能用于分析 信号放大电路；确定放大电路的静态工作点可采用 法和 法。
（7）多级放大电路的耦合方式通常有 耦合、 耦合和 耦合三种方式；集成电路中一般采用 耦合方式。
（8）放大电路中出现的饱和失真和截止失真称为 失真；频率失真称为 失真。
2.简答题：（每小题10分，也可任意选作）（1）双踪示波器在电子仪器中的功能是什么？说说信号为1kHz 时，周期档位如何选择？（2）函数信号发生器在电子线路的测量中能做什么？（3）电子线路的测量中，为什么要使用电子毫伏表而不用普通电压表测量电压？电子毫伏表的读数是所测电压的有效值还是最大值？还是峰-峰值？3.计算题：（可任选一题，其中第1题作对可得40分，第2题作对可得60分）（1）图示分压式偏置放大电路中，已知R C ＝3k Ω，R B1＝80k Ω，R B2＝20k Ω，R E ＝1k Ω，β=80，①画出直流通道，进行静态分析（设U BE =0.7V ）；②画出微变等效电路，进行动态分析（设r bb’=300Ω）。
模拟电子技术期中试题(2020)
课程： 模拟电子技术（期中） 分数： 班级： 学号： 姓名： 第一题、分析计算题（共计15分）如题1图所示电路中，稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，最小稳定电流I Zmin ＝5mA ，最大稳定电流I Zmax ＝25mA 。
当U I = 32V 时，请回答：1. 求此时输出电压U O 的值；2. 此时该电路是否能空载工作？为什么？题1图 第二题、读图分析题（共计20分）有一MOS 型场效应管输出特性曲线如题2图所示，试判断：1. 它是哪一类型的场效应管？2. 它的V GS（th）和I D0是多少？3. 画出其相应的转移特性曲线。
DS (V)题2图第三题、分析画图题（共计16分）电路如题3图所示，已知10sin (V)i u t ω=，E= 4V ，试对应i u 画出ou的波形，并标出对应的幅值。
设二极管正向导通电压可忽略不计。
（要求：写出分析过程）题3图第四题、读图分析题（共计15分）如题4图所示，已知115k R =Ω，235k R R ==Ω，4 2.3k R =Ω，5100k R =Ω，6L 5k R R ==Ω，500S R =Ω，12V CC V =，两只晶体管的12150ββ==，BEQ1BEQ20.7V U U ==，请回答：1. 分别说明T1和T2管的组态；（10分）2. 说明该多级放大器采用的耦合方式；（5分）3. 求该多级放大器的输入电阻i R 。
（选做）R +ou u题4图第五题、分析计算题（共计34分）如题5(a)图所示三极管放大电路的50β=， BE 0.7V U =，200bb r '=Ω1. 现已测得静态管压降CEQ 6V U =,估算R b 约为多少千欧；（6分）2. 画出交流微变等效电路；（6分）3. 计算r be ；（5分）4. 若输入电压有效值U i =1mV ，经过该电路放大后测得的输出电压有效值U O 为多少？（6分）5.若Ce 开路，则在U i =1mV 时，输出电压有效值U O 为多少？（6分）6. 若测得o u波形出现如题5(b) 图所示时，说明电路产生什么失真？产生这种现象的原因是什么？（5分）tωo /u 题5(a)图 题5 (b)图。
模拟电子题期中考试题
《模拟电子技术》期中考试试卷姓 名： 学 号： 专业班级：一、填空题(本题共3小题,每空1分,共10分)⒈ 电路如图所示，设二极管D 为理想二极管，则此时 A 、B 之间的电压U AB ＝ 伏。
⒉ 一共射放大电路及其输出特性曲线如下图所示。
若静态工作点由Q 1移到Q 2位置，则应调整 电阻，如何调 （调大或调小）。
若静态工作点由Q 2移到Q 3位置，则应调整电阻，如何调 （调大或调小）。
假设该电路出现非线性失真，调整R b ，使其阻值变大后，失真消失，则此失真为 失真。
容易产生截至失真的是 ，容易产生饱和失真的是 。
3. PN 结的伏安特性方程 i = ，表明PN 结呈现 导电性。
二、单选题（共20小题，每题1分，共20分） 选择正确答案填入空内，只需填入A 、B 、C … 。
⒈ PN 结加正向电压时，空间电荷区将 。
A. 变窄B. 基本不变C. 变宽⒉ 设二极管的端电压为U ，则二极管的电流方程是 。
A. UI e S B. TU U I eS C . )1e (S －T U U I⒊ 稳压管的稳压区是其工作在 。
A. 正向导通 B .反向截止 C .反向击穿⒋ 当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 。
A. 前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏⒌ 放大电路中三极管的三个电极为U X ＝－8V ，U Y ＝－7.3V ，U Z ＝0V ，如图所示。
则e 、b 、c 三极为 。
⒍ 放大器A u ＝100，输入电阻为10KΩ，当引入反馈系数F u ＝0.09的电压串联负反 馈后，电压放大倍数和输入电阻为 。
A. A uf ＝9，R id ＝100 KΩB. A uf ＝10，R id ＝100 KΩC. A uf ＝10，R id ＝90 KΩD. A uf ＝9， R id ＝90 KΩ ⒎ 放大器引入电压并联负反馈后可以稳定 。
A. 电压放大倍数B. 互阻放大倍数C. 互导放大倍数 D .电流放大倍数 ⒏ 差动放大器如图所示，则其电压放大倍数为 。
模拟电子技术期中测试
模电期中测试一、 填空题(1空1分，共30分)1. 自然界的各种物质按导电能力分__导体____、_半导体______、__绝缘体________。
2. 杂质半导体具有___P______型和_____N _____型之分。
3. PN 结加正向电压，是指电源的正极接_P________区，电源的负极接_______N __区，这种接法叫___正向偏置法______。
4. N 型半导体是在本征半导体中掺入___+5_____价元素，其多数载流子是___自由电子_________，少数载流子是___空穴________。
5. P 型半导体是在本征半导体中掺入__+3______价元素，其多数载流子是____空穴________，少数载流子是___自由电子________。
6. 二极管的最主要特性是____单向导电性___________，它的两个主要参数是反映正向特性的___电流_____和反映反向特性的___电压________。
7. 稳压二极管是利用二极管的___反向击穿________特性进行稳压的。
8. .双极型晶体管从结构上可以分成__NPN____和___PNP ____两种类型，它们工作时有_自由电子____和____空穴__两种载流子参与导电。
9. 晶体三极管用来放大时，应使发射结处于__正向___偏置，集电结处于_反向____偏置。
10. 为了实现下列目的，应引入A.电压B.电流C.串联D.并联①为了稳定放大电路的输出电压，应引入_A ____。
②为了稳定放大电路的输出电流，应引入__B ___。
③为了增大放大电路的输入电阻，应引入__C ___。
④为了减小放大电路的输入电阻，应引入__D ___。
⑤为了增大放大电路的输出电阻，应引入__B ___。
⑥为了减小放大电路的输出电阻，应引入__A ___。
※电流串联电阻大，电压并联电阻小，对应出入电阻二、 判断题(每题2分，共10分)1.漂移电流是少数载流子在内电场作用下形成的。
模拟电子技术期中试卷.pptx
10、判断下面三级管的工作状态（
C．-4V ）
三、判断题（每题 1 分，共 10 分）
1、晶体二极管击穿后立即烧毁。 （）
2、用万用表测二极管正向电阻，插在万用表标“+”号插孔的测试棒（通常是红色棒 ）
所连接的二极管的管脚是二极管正极，另一为负极。 （ ）
3、晶体三极管的发射区和集电区是由同一类半导体（P 型或 N 型）构成的，所以 极 e 和 c 极可以互换使用。（）
4、三极管处于截止状态时，发射结正偏 （）
5、晶体三极管具有能量放大功能。 （）
6、硅和锗是制作半导体器件的主要材料。 （）
7 、 二 极 管 两 端 加 上 0.7V 的 电 压 就 能 导 通 。 （ ）8 、 无论是 NPN 还是 PNP 三极管处于放大状态时都要求 Vc>Vb>Ve 。 （ ）
A．一定导通 B．超过死区电压才能导通 C．超过 0.7 伏才导通 D．超过 0.3 伏才导通 2.下列 元器件中，（）可将电信号转化成光信号。 A．二极管 B．三极管 C．发光二极管 D．光电二极管 3.处于饱和状态时，三极管的发射结和集电结分别处于（ ） A. 发射结和集电结都处于正偏 B. 发射结处于正偏，集电结处于反偏 C. 发射结处于反偏，集电结处于正偏 4.对直流通路而言，放大电路中的电容应视为 。 A、直流电源 B、开路 C、短路 5、测得放大电路中三极管的各极电位如图，则该三极管为（ ）
Rb1 Rc
C2 C2
+ +
++
V
C1
+
V
RL
Re
+ Ce
_
（a）
Rb2
Re
Ce
_
模拟电子技术期中测验题及答案
模拟电子技术期中测验题及答案————————————————————————————————作者：————————————————————————————————日期：2013－2014学年第(2)学期期中考试答案课程代码 0471003/3122200 课程名称 模拟电子技术A/模拟电子技术教师签字一、选择及填空题:（共52分，每空2分）1．在某放大电路中，测得晶体管的三个电极①、②、③的流入电流分别为－1.2mA 、－0.03mA 、1.23mA 。
由此可判断电极①是 C ，电极②是__B __，电极③是_A ___（A ．发射极， B ．基极， C ．集电极）； 该晶体管的类型是_ A ___（A ．PNP 型， B ．NPN 型）；该晶体管的共射电流放大系数约为_ A ___（A ．40 ，B ．100，C ．400）。
2．写出图示各电路的输出电压值（设二极管导通电压V U D 7.0=），=1O U 1.3V ，=2O U 0v 。
3.已知下面图（a ）所示电路的幅频响应特性如图（b ）所示。
影响f L 大小的因素是 C ，影响f H 大小的因素是 A 。
（A ．晶体管极间电容，B ．晶体管的非线性特性，C ．耦合电容）ff Hf LOC R b R c+V CCu i( a )( b ).A u20lg u o当信号频率等于放大电路的f L 或f H 时，放大倍数的值约下降到中频时的 B （A. 0.5 B. 0.7 C.0.9）倍。
当f ＝ f L 时，o U 与iU 相位关系是 C （A. 45˚ B. -90˚ C. －135˚）。
题号 一 （52分） 二.1 （18分） 二.2 （14分） 二.3（16分） 总成绩 得分 班 级 学 号 姓 名密封装订线密封装订线R b +V CCC 2R LC 1u i u o 120236u CE V60μA 40μA50μA 30μA 51448=10μA I B 20μA 2610VTR c Qi C mA4．有一放大电路对一电压信号进行放大，当输出端开路时输出电压是5V ；接入2k Ω负载后，输出电压降为 4V ，这说明放大电路的输出电阻为 0.5K Ω 。
模拟电路期中试卷
模拟电子技术期中考试试卷教师签字一、选择及填空题:（共54分，每空2分）1．在某放大电路中，测得晶体管的三个电极①、②、③的流入电流分别为－1.2mA 、－0.03mA 、1.23mA 。
由此可判断电极①是 ，电极②是__ __，电极③是_ ___（A ．发射极， B ．基极， C ．集电极）； 该晶体管的类型是____（A ．PNP 型， B ．NPN 型）；该晶体管的共射电流放大系数约为____（A ．40 ，B ．100，C ．400）。
2．已知某N 沟道增强型MOS 场效应管的V V T 4=。
下表给出了三种状态下u GS 和u DS 的值，判断各状态下管子工作在什么区。
A. 恒流区B. 可变电阻区C. 截止区3.已知下面图（a ）所示电路的幅频响应特性如图（b ）所示。
影响f L 大小的因素是 ，影响f H 大小的因素是 。
（A ．晶体管极间电容，B ．晶体管的非线性特性，C ．耦合电容）HLV CC( a )( b )当信号频率等于放大电路的f L 或f H 时，放大倍数的值约下降到中频时的 （A. 0.5 B. 0.7 C. 0.9）倍。
当f ＝ f L 时，oU 与i U 相位关系是 （A. 45˚ B. -90˚ C. －135˚）。
4．有一放大电路对一电压信号进行放大，当输出端开路时输出电压是5V ；接入2k Ω负载后，输出电压降为班 级 学 号 姓密封装订线 密封装订线 密封装订线R L12E V4826104V，这说明放大电路的输出电阻为。
5．为下列不同的要求分别从图示电路中选择合适的电路形式。
（1）．电压放大倍数uA >10，并具有较大的电流放大能力的电路是。
（2）．电压放大倍数uA >10，并且输出电压与输入电压同相的电路是。
（3）．电压放大倍数uA ≈1，输入电阻iR>100kΩ的电路是。
L( a )L( b )L( c )6．放大电路及相应的晶体管输出特性如下图所示，直流负载线和Q点也标在图上（设U BEQ＝0.7V）。