晶体磁光效应
一维磁光子晶体的光学和法拉第磁光效应的研究

n-
,消光系数分别为
κ +
和
κ -
, 则光在磁介质中的折射率为
n
= n+
+ n2
κ ,消光系数为 κ = +
+κ2
,折射率
之差为 Δn
= n+
- n2κ Leabharlann 消光系数之差为 Δκ = +
-
κ -
.
2
:1′= n2
- κ2 , :1″= 2nκ, :2′= nΔκ +Δnκ , :2″= -
nΔn +
κΔκ.
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72
苏 州 大 学 学 报 (自然科学版 )
第 26卷
好与之相反. 光在磁介质中的状态就可以表示为
第 26卷第 1期 2010年 1月
苏 州 大 学 学 报 (自然科学版 ) JOURNAL OF SUZHOU UN IVERSITY (NATURAL SC IENCE ED ITION )
Vol126 No. 1 Jan. 2010
一维磁光子晶体的光学和法拉第磁光效应的研究
罗 杰 ,金志明 ,须 萍 ,周凌燕
( School of Physical Science and Technology, Suzhou Univ. , Suzhou 215006, China)
Abstract: The 4 ×4 transm ission matrix method has been deduced in detail. B ased on this m ethod, the op tical and magneto2op tical p roperties of three different structures of one2dimensional magneto2 photonic crystals have been studied. The distribution of the electric field in the crystal has been also calculated. Satisfied op tical and magneto2op tical p roperties are obtained at the central wavelength 720nm. Key words: m agnetophotonic crystals (M PC ) ; transfer matrix; Faraday effect; space distribution of electric field
5.5磁光调制制

与磁场强度H成正比。
由马吕斯定律:强度为I0的偏振光,通过检偏器后, 透射光的强度为:I=I0 cos2α 其中α为检偏器的偏振化方向与入射偏振光的偏 振化方向之间的夹角。
因此,只要用调制信号控制磁场强度的变化,就会使光
的偏振面发生相应的变化。但这里因加有恒定磁场 Hdc ,
(n左 n右 )l
左旋圆 偏振光
右旋椭圆 偏振光
迎着光线看(对着光的传播方向),光矢量顺时针转 的称右旋圆偏振光(或椭圆偏振光);光矢量逆时针 转的称左旋圆偏振光(或椭圆偏振光)
二、磁光相互作用
当光波进入施加了磁场的介质时,其传播特性发生变化,这种 现象称为磁光效应。磁光效应包括法拉第旋光效应、克尔效应、 磁双折射效应等
• 实验测量糖溶液的旋光系数
三、磁光器件
1.磁光隔离器
利用磁致旋光只依赖于磁场方向,而与光传播方向无关 的性质制成。 • B // k, 产生法拉弟旋光效应
• 起偏与检偏夹角 45
B
45介质后(调整B或L), 偏振面旋转 45 ,正好通过P2
•反向光,线偏振光通过磁光介质后(调整B或L), 偏振面同方向旋转 450,与P1成900,不通过P1
0
二、磁光调制器 磁光调制是把欲传递的信息转换成光载波的强度(振幅)等参量
随时间的变化,与电光调制、声光调制所不同的是,磁光调制
是电信号先转换成与之对应的交变磁场,由磁光效应改变在介 质中传输的光波的偏振态,从而达到改变光强度等参量的目的。
磁光体调制器的组成如图所示。
工作物质钇铁石榴石(YIG或掺Ga的YIG棒)放在沿
但在很多晶体中,线偏振光沿光轴方向通过晶体后,偏
磁光晶体

其主要优点:
TGG单晶具有大的磁光常数、高热导性、低的光损失和高激光损 TGG单晶具有大的磁光常数、高热导性、低的光损失和高激光损 伤阈值,广泛应用于YAG 、掺Ti蓝宝石等多级放大、环型、种子注入 伤阈值,广泛应用于YAG 、掺Ti蓝宝石等多级放大、环型、种子注入 激光器中。
提拉法
• 又称丘克拉斯基法,是丘克拉斯基(J.Czochralski) 又称丘克拉斯基法,是丘克拉斯基(J.Czochralski)
在1917年发明的从熔体中提拉生长高质量单晶的 1917年发明的从熔体中提拉生长高质量单晶的 方法。这种方法能够生长无色蓝宝石、红宝石、 钇铝榴石、钆镓榴石、变石和尖晶石等重要的宝 石晶体。 提拉法的基本原理:提拉法是将构成晶体的原料 提拉法的基本原理:提拉法是将构成晶体的原料 放在坩埚中加热熔化,在熔体表面接籽晶提拉熔 体,在受控条件下,使籽晶和熔体在交界面上不 断进行原子或分子的重新排列,随降温逐渐凝固 断进行原子或分子的重新排列,晶体在外磁场的作用下,线偏振光通 定义:晶体在外磁场的作用下,线偏振光通 过该晶体时光的偏振面发生旋转的现 象称为法拉第效应,此种晶体称为磁 旋光晶体,简称磁光晶体。
3D电影原理: 3D电影原理:
偏光式3D是利用光线有“振动方向” 偏光式3D是利用光线有“振动方向”的原理来分解原始图像的, 先通过把图像分为垂直向偏振光和水平向偏振光两组画面,然后3D眼 先通过把图像分为垂直向偏振光和水平向偏振光两组画面,然后3D眼 镜左右分别采用不同偏振方向的偏光镜片,这样人的左右眼就能接收 两组画面,再经过大脑合成立体影像。
知识延伸——什么是 知识延伸——什么是
偏振光
• 光是一种电磁波,电磁波是横波。而振动 光是一种电磁波,电磁波是横波。而振动
磁光晶体的法拉第效应

磁光晶体的法拉第效应引言法拉第效应是指当电磁波通过具有非线性光学性质的物质时,会发生光的相位和振幅的变化。
这种变化可以通过磁场来控制,因此被称为磁光效应。
磁光晶体是一种特殊的晶体材料,能够表现出法拉第效应并对磁场敏感。
本文将详细介绍磁光晶体的法拉第效应。
磁光晶体的基本原理磁光晶体是一种具有非线性光学性质的晶体材料,它能够在存在磁场时改变光的传播特性。
这种改变是由于法拉第效应引起的。
法拉第效应法拉第效应是指当电磁波通过介质时,介质中的电子会受到电场力和磁场力的作用而发生偏转。
这种偏转会导致电子云的重分布,进而引起介质折射率和透过率的变化。
磁光效应磁光效应是法拉第效应在具有非线性光学性质的物质中的表现形式。
当光线通过磁光晶体时,磁场会改变晶体中的电子云分布,从而改变晶体的折射率。
这种折射率的变化可以通过改变磁场的强度来控制。
磁光晶体的应用由于磁光晶体具有可控性强、响应速度快等特点,因此在许多领域都有广泛的应用。
光通信磁光晶体可以用作光通信系统中的光开关和调制器。
通过改变磁场的强度,可以控制光信号的传输和调制,实现高速、高效率的数据传输。
显示技术磁光晶体可以用于显示技术中,例如液晶显示器和投影仪。
通过改变磁场,可以调节液晶分子的排列方式,从而实现像素点的开关和调制,显示出不同的图像。
光存储磁光晶体还可以用于光存储技术中。
通过改变磁场,可以控制晶体中折射率的变化,从而实现对光信号的存储和读取。
其他应用除了上述应用领域外,磁光晶体还可以应用于激光器、传感器、光学信息处理等领域。
其可调控性和高速响应的特点使得磁光晶体在这些领域中具有广阔的应用前景。
磁光晶体的发展趋势目前,磁光晶体的研究仍处于初级阶段,存在一些挑战和问题需要解决。
材料选择目前已经发现的磁光晶体材料较为有限,需要进一步研究和发现新的材料。
这些材料需要具有良好的磁光性能,并且易于制备和加工。
增强效应当前磁光效应的强度较低,需要进一步提高效应的增强程度。
晶体的磁光效应

这个测量方法我们称之为磁光调制倍频法。
Page
14
实验内容
1.测定样品的θ—B关系。(每点测3次,测量10个点) (1)把待测样品放入电磁铁的磁场中,在不加励磁电流的状态下, 旋转测角仪手轮(检偏器与之同轴旋转),观察示波器显示的波形, 到示波器上出现倍频信号为止,记录下测角仪上的刻度值θo。再给电 磁铁供一励磁电流,此时,通过检偏器的直线偏振光的偏振面将会有 一定的旋转,示波器上显示的倍频信号将会发生变化,需重新微调测 角仪的手轮,直到示波器上重新出现倍频信号时,记录下此状态下的 励磁电流值I1及测角仪上的刻度值θ1。如此重复以上操作过程,得到 不同电流Ii的状态下的θi值,列表记录数据。 (2)取出待测样品,将测量磁感应强度的特斯拉计的探头放入电磁 铁的磁场中,对应列表中的励磁电流Ii,测量其相应的磁感应强度Bi 值。 (3)θi—θo值就是相应的Bi对应下的θ值。以Bi为横坐标,θi为纵坐 标,在直角坐标纸上作θ—B的关系图,验证θ=VBd关系。 2.计算维尔德常数V(T-1· m-1):V=θ/Bd
设由交变电流产生的交变磁场引起的交变法拉 第旋转角为θ´,则系统的输出光强度为:
2 I (a ) I 0 cos (a ) ( I 0 / 2)[1 cos2(a )]
Page 10
θ’
sin t 0
a
I (a ) I 0 cos (a ) (I 0 / 2)[1 cos2(a )]
θ F为光传播方向单位长度的旋转角,称为法拉第旋光率;V叫 维尔德常数;B为磁感应强度
磁光效应

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• 法拉第旋转效应的应用
法拉第效应可以应用于测量 仪器。例如,法拉第效应被用于 测量旋光度、或光波的振幅调变 、或磁场的遥感。在自旋电子学 里,法拉第效应被用于研究半导 体内部的电子自旋的极化。法拉 第旋转器(Faraday rotator)可 以用于光波的调幅,是光隔离器 与光循环器(optical circulator )的基础组件,在光通讯与其它 激光领域必备组件。
克尔磁光效应的应用
克尔磁光效应主要应 用与磁光光盘存储系统中。 人们很早就知道光信息的记 录和再生技术----照相技术 。激束发明后,照相技术有 了很大的发展。光盘就是用 激光非接触式高密度地记录 图像,声音,数据等信息的 圆板状媒体。
参考资料
李国栋 -《 磁性材料及器件》 都有为 - 《功能材料》 牛永宾,许丽萍等 - 《红外与激光工程》
• 克尔磁光效应
线偏振光入射到磁化媒
质表面反射出去时,偏振面
发生旋转的现象。也叫克尔
磁光效应或克尔磁光旋转。
这是继法拉第效应发现
后,英国科学家J.克尔于
图一
1876年发现的第二个重要
的磁光效应。
按磁化强度和入射面的相对取向,克尔磁光效应分极向 克尔磁光效应、横向克尔磁光效应和纵向克尔磁光效应 (图一)。极向和纵向克尔磁光旋转都正比于样品的磁 化强度。通常极向克尔旋转最大、纵向次之。
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磁光调制实验
实验七 磁光调制实验一、 实验背景介绍(一)概述磁光调制是利用某些晶体的磁光效应,对光信号进行调制,使光信号的幅度随着调制信号的变化而变化,实现把调制信号加载到光信号上。
磁光调制在光电检测,光通讯,光显示等领域有着广泛的应用。
(二)磁光效应原理 磁光效应置于外磁场中的物体,在光与外磁场作用下,其光学特性(如吸光特性,折射率等)发生变化的现象。
法拉第效应 1845年由M.法拉第发现。
当线偏振光(见光的偏振)在介质中传播时,若在平行于光的传播方向上加一强磁场,则光振动方向将发生偏转,偏转角度θ与磁感应强度B 和光穿越介质的长度l 的乘积成正比,即V B L θ=⋅⋅,比例系数V 称为费尔德常数,与介质性质及光波频率有关。
偏转方向取决于介质性质和磁场方向。
2 直流磁光调制当线偏振光平行于外磁场入射磁光介质的表面时,偏振光的光强I 可以分解成如图2所示的左旋圆偏振光I L 和右旋圆偏振光I R ,对应的电矢量为E L 和E R ,两者旋转方向相反。
在磁场作用下,处于磁场中的介质呈现各向异性,由于介质对两者具有不同的折射率n L 和n R ,E L 的传播速度与E R 不同,当它们穿过厚度为L 的介质后会产生相位差,E L 与E R 旋转角度为θL 与θR ,合成电矢量则旋转一个角度θ。
2L L n L πθλ= y=Acos(wt+θ) 初相位的改变 2R R n L πθλ=因θθθθ+=-R L1()()()22L R L R R L Ln n L n n cπωθθθλ=-=-=- (2)其中n R 为在磁场作用下,右旋圆偏振光通过介质的折射率,n L 为左旋圆偏振光通过介质的折射率,c 为真空中的光速。
如折射率差()R L n n -正比于磁场强度B ,即可得(1)式,并由θ值与测得的B 与L 求出维尔德常数V图2 入射光偏振面的旋转运动3 交流磁光调制二、磁光调制实验(一)实验要求1、了解磁光调制实验的原理和方法2、了解磁光调制器用于光通讯的基本原理3、掌握磁光调制器的主要参数的测试方法 (二)实验内容1、测定旋光角与激励电流的关系2、出来晶体的半波电压和工作电压3、观察输出光强极小时,产生的倍频信号4、电光调制实现光通讯演示5、测试电光晶体的消光比和透射率 (三)实验步骤1、实验前的准备(1)按图组成实验系统,首先在光具座上放置好激光器和电接受器(2)设置实验仪(3)光路校准(4)插入起偏器,调节起偏器的高度和转角,使激光束垂直入射镜面,旋转起偏器,使透射光强最大。
晶体磁光效应实验
(3)
其中 n 是受外场作用时晶体的折射率,n0 是自然状态下晶体的折射率,E 是外加电场强度, 和 p 是与物质有关 的 常 数 。 ( 3 ) 式 右 边 第 一 项 表 示 /item.htm?spm=686.1000925.1000774.13.37sYlu&id=38784138046 的是线性电光效应,又称为普克尔效应,因此 叫做线性电光系数;第二项表示的是二次电光效应,又称为 克尔效应,因此 p 也叫做二次电光系数。本实验只涉及到线性电光效应。 LN 晶体通常采用横向加压,z 向通光的运用方式,即在主轴 y 方向加电场 Ey 而 Ex = Ez = 0 ,有外电场时折射 率椭球的主轴一般不再与原坐标轴重合。将坐标系经过适当的旋转后得到一个新的坐标系(x′,y′,z′) ,使 折射率椭球变为:
Io 1 V 1 V sin 2 [ ( )] [1 sin( )] Ii 2 2 V 2 V
(17)
其中 V 是外加电压,可以写成 V Vm sin mt ,但是如果 Vm 太大,就会发生畸变,输出光强中将包含奇次高 次谐波成份。当 Vm / V 1 时
【实验内容】 一、光路的调节 1.首先将起偏器 P 与检偏器 A 调节成相互垂直(即偏振方向相互正交) ,此时透过 A 的光强应为最小(如果 P 和 A 都是理想的话,则应无光通过) 。 2.将装有 LN 晶体的支架放在 P 与 A 之间,调节 LN 支架,使 LN 晶体的光轴(z 轴)与激光束平行。方法为: 在 A 之后放一白纸,可看到,由于锥光干涉产生的十字阴影,使激光束处在黑十字阴影的正中时,就可以认为大
将(5)式同(4)式比较,就可得出:
(5)
1 1 1 1 2 22 E y , 2 2 22 E y , 2 nx no n y no
电光磁光效应实验 讲
晶体的电光效应贺艺华 2013.3【实验目的】1. 掌握晶体的电光效应和实验方法。
2. 掌握晶体电光调制器的工作原理。
3. 掌握LiNbO 3电光晶体半波电压和晶体透过率的测量方法。
【实验仪器】电光效应实验仪【实验原理】1、一次电光效应和晶体的折射率椭球我们知道光波在介质中的传播规律受到介质折射率分布的制约。
理论和实验均表明晶体介质的介电系数与晶体中电荷的分布有关。
对于一些晶体材料,当上施加电场之后,将引起束缚电荷的重新分布,并可能导致离子晶格的微小形变,其结果将引起介电系数的变化,最终导致晶体折射率的变化,所以折射率成为外加电场E 的函数,即++=-=2210ΔE c E c n n n (1)式中第一项称为线性电光效应或泡克耳(Pockels )效应;第二项,称为二次电光效应或克尔(Kerr )效应。
对于大多数电光晶体材料,一次效应要比二次效应显著,故在此只讨论线性电光效应。
当光线穿过某些晶体(如方解石、铌酸锂、钽酸锂等)时,会折射成两束光。
其中一束符合一般折射定律称之为寻常光(简称o光),折射率以0n 表示;而另一束的折射率随入射角不同而改变,称为非常光(简称e光),折射率以e n 表示。
一般讲晶体中总有一个或二个方向,当光在晶体中沿此方向传播时,不发生双折射现象,把这个方向叫做晶体的光轴方向。
只有一个光轴的称为单轴晶体,有两个光轴方向的称为双轴晶体。
对电光效应的分析和描述有两种方法:一种是电磁理论方法,但数学推导相当繁复;另一种是用几何图形——折射率椭球的方法,这种方法直观简洁,故通常采用这种方法。
光在各向异性晶体中传播时,因光的传播方向不同或矢量的振动方向不同,光的折射率就不同。
根据光的电磁理论知道,光波是一种电磁波。
在各向异性介质中,光波中的电场强度矢量E 与电位移矢量D的方向是不同的。
对于任意一种晶体,我们总可以找到一个直角坐标系(z y x ,,),在此坐标系中有i o ri i D E εε= (z y x i ,,=)。
磁光晶体的法拉第效应
磁光晶体的法拉第效应法拉第效应是指在磁场中,光线通过磁光晶体时出现的偏振旋转现象。
磁光效应是许多材料中的一种特殊光学效应,它与磁场的强度和方向有关。
磁光晶体在磁场中产生的法拉第旋转是基于光的偏振态的改变。
磁光晶体是一种具有特殊光学性质的晶体材料。
通过控制磁场的强度和方向,可以改变光线的传播方向和偏振状态。
磁光晶体广泛应用于光通信、光存储和光信息处理等领域。
磁光晶体的法拉第效应是由磁光晶体的磁性和光学性质共同作用而产生的。
当光线通过磁光晶体时,光的偏振方向会发生变化,这种变化与磁场的强度和方向有关。
当外加磁场作用在磁光晶体上时,会引起晶格中的电子重新排列,从而影响光的传播。
磁光晶体的法拉第效应可以分为正法拉第效应和反法拉第效应。
正法拉第效应是指光的偏振方向与磁场的方向相同,光线在通过磁光晶体时逆时针旋转。
反法拉第效应是指光的偏振方向与磁场的方向相反,光线在通过磁光晶体时顺时针旋转。
正、反法拉第效应的大小与磁场的强度和磁光晶体的特性有关。
法拉第效应的大小可以通过法拉第转角来表示。
法拉第转角是指光线通过磁光晶体后偏振方向的改变角度。
法拉第转角与磁光晶体的长度、磁场的强度和偏振方向有关。
法拉第效应的强度与磁光晶体的磁感应强度成正比,与光线的波长和磁光晶体的厚度成反比。
磁光晶体的法拉第效应在光通信和光存储中有着重要的应用。
在光通信中,磁光晶体可以用作光调制器,通过控制磁场的强度和方向来调节光信号的传输速度和方向。
在光存储中,磁光晶体可以用来存储和读取光信号,通过磁场的作用来改变光信号的偏振方向和传播路径。
除了光通信和光存储,磁光晶体的法拉第效应还可以应用于光信息处理和激光器等领域。
在光信息处理中,磁光晶体可以用来处理光信号,实现光信号的调制、滤波和分析等功能。
在激光器中,磁光晶体可以用来调节激光器的输出功率和频率,实现激光器的稳定和调谐。
磁光晶体的法拉第效应是一种基于磁场的光学现象,通过控制磁场的强度和方向,可以改变光线的传播方向和偏振状态。
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中国石油大学 近代物理实验 实验报告 成 绩:
班级: 姓名: 同组者: 教师:
晶体磁光效应
【实验目的】
1. 理解磁光效应的物理意义;
2. 掌握法拉第旋转角的测量方法;
3. 计算物样品的费尔德常数。
【实验原理】
1、法拉第效应实验规律
当磁场不是非常强时,法拉第效应中偏振面转过的角度θ,与沿介质厚度方向所加磁场的磁感 应强度B 及介质厚度L 成正比,即:
VBL θ= (1—1) 式中比例常数V 叫做费尔德常数,由物质和工作波长决定,它表征物质的磁光特件,随波长λ的 增加而减小。
实验表明,法拉第旋光方向仅由磁场方向决定,而与光的传播方向无关。
2、法拉第效应的旋光角
一束线偏振光可以视为两个频率相等,振幅相等的左旋和右旋圆偏振光的叠加,它们在加有磁 场的介质中传播的速度不同,也就是两偏振光在介质中的折射率不同,在介质中通过相同的距离, 产生的相位延迟不同。
设线偏振光的电矢量为R L E E E =+。
角频率为ω,真空中的波长为λ。
L E 的传播速度为L v ,折射率为L n 。
R E 的传播速度为R v ,折射率为R n 。
正入射到磁场中的介质时, 两光振动的相位差为零。
通过长度D 的介质后,出射的线偏振光相对于入射介质前的线偏振光振动 方向转过的角度F α即为法拉第效应的旋转角:
[][]D n -n -21R L R L F λ
π
ϕϕα== (1—2) 3、法拉第旋转角的计算
在磁场作用下,具有能量为()ω的左旋光子所遇到的轨道电子能级机构等于不加磁场时能量为(
)L V ω∆-的左旋光子所遇到的轨道电子能级结构(其中L eB
V 2m
∆=
),因此有 ()()L L n n V ωω∆=- (1—3)
d d ()()()()d d L
L L V V n eB n
n n n 2m ∆∆ωωωωωω
=-
≈-
=- (1—4)
同理,右旋光量子,有:
()()R R n n V ωω∆=- (1—5)
d d ()()()()d d R
R R V V n eB n
n n n 2m ∆∆ωωωωωω
=-
≈-
=+ (1—6)
把式 (1—5)和式(1—6)代入式(1—3)得:
DB )(V d dn
mc 2DBe d dn mc 2DBe λλ
λωωφ=== (1—7) 其中d ()d e n
V 2mc λλλ
=-
,称费尔德常数,它反映了介质材料的光学特性。
对于CGS 制,则有: d d 2
DBe n
2mc φλλ
= (1—8) d ()d 2e n
V 2mc λλλ
=- (1—9) (1—7)和(1—9)就是法拉第效应旋转角的计算公式。
它表明法拉第旋光角的大小和样品厚度成正比,和磁场强度成正比,并且和入射波光的波长及介质
d d n
λ
的色散有密切关系。
【实验装置】
半导体激光器,偏振片,光功率计,光学导轨,滑座,电磁铁,特斯拉计,样品。
实验装置图如下图图1所示。
图1 法拉第效应实验装置图
【实验内容】 1、仪器调整
1)调正激光器的位置,使得出射光线与电磁铁的通光孔在一条水平线上。
2)注意在电磁体中间样品的位置,通光孔径应与样品表面垂直。
3) 打开激光器光源及光功率计的电源,预热5分钟,使仪器工作状态处于稳定。
2、 实验步骤:测量法拉第效应偏振面旋转角θ与外加磁场电流I 的关系曲线。
1) 关闭实验室顶灯,打开试验台上小台灯,并注意使功率计处于位于台灯的背光处; 2) 调整靠近激光器的偏振片P 1的偏振方向,使透过样品的光功率最强;
3) 调整靠近功率计的偏振片P 2的偏振方向,使功率计的读数显示最小(可能小于零); 4) 记录样品处(记住此位置,每次都在同一位置处测量B )的磁感应强度,记为B 0; 5) 记录P 2指针的角度读数,记为φ01;
6)打开电磁铁电源,逐渐增加直流电流至0.3A ,测量样品的B 值,不再增加后,边观察光 功率计读数,边旋转偏振片P 2,调整旋转方向使得光功率计读数逐渐减为最小,记录P 2指针的角度 读数,记为φ0.31;
7) 1
01
3.0-ϕϕ即为0.3A 直流电流下第一次测量的角度读数(法拉第旋转角);
8)缓慢降低直流电流至零,(注意:不能直接关闭电源)测量样品的B 值,待B 值不再改 变或者等于B 0后,边观察光功率计读数,边旋转偏振片P 2,使得光功率计读数逐渐减为最小,记 录P 2指针的角度读数,记为φ0.31’;
9)101
3.0-'
ϕϕ即为0.3A 直流电流下第一次测量的重复误差;
10)10
2
3.0'
=
ϕϕ 11)逐渐增加直流电流至0.3A ,测量样品的B 值,不再增加后,边观察光功率计读数,边旋 转偏振片P 2,使得光功率计读数逐渐减为最小,记录P 2指针的角度读数,记为φ0.32;
12)重复上述操作。
每增加0.1A 电流,重复测量三次,求平均值,减小误差。
电流范围0.3A~0.7A 。
【注意事项】
1、磁铁中间的样品位置必须保证其表面与入射光方向垂直,否则会严重影响测量结果。
2、施加或撤除磁化电流时,应先将电源输出电位器逆时针旋回到零,以防止接通或切断电源时磁体电流的突变。
3、为了保证能重复测得磁感应强度及与之相应的磁体激磁电流的数据,磁体电流应从零上升到正向最大值,否则要进行消磁。
4、测量过程中,不能直接关闭直流恒流电源,要逐渐减小电流直到为零。
5、光功率计未与其主机相连接之前切勿接通电源,以免激光直接入射造成器件损害。
6、测量样品处磁感应强度时,必须始终在同一位置。
【数据记录及处理】
1、 测量法拉第效应偏振面旋转角θ与外加磁场电流I 的关系曲线。
实验测量旋转角,外加电流以及磁场强度数据表格如下表表1:
表1旋转角θ与外加磁场电流I 的关系数据记录表
依据表1,可以作出旋转角θ与外加磁场电流I 的关系图,如下图图1所示。
2
3
4
θ (゜)
I (A)
图1 旋转角θ与外加磁场电流I 的关系曲线
由图像得出:旋转角θ与电流I 成线性关系,因为磁场强度B 和电流成线性关系,所以可以得到旋转角θ和磁感应强度B 也成线性关系,这与法拉第实验效应理论VBL θ=吻合。
误差分析:
1、偏振片旋转时读数存在一定误差。
2、电磁铁器件在低电流时发生不稳定现象。
2、计算物样品的费尔德常数
根据公式VBL θ=可以计算出在不同电流下的费尔德常数,如下表表3所示。
因为菲尔德常数在材料等确定时为一常数,表中第二组数据和其余组数据相差太大,可能是由操作错误造成的,故舍去不用。
由测量结果可以求出V 的平均值为:
V =
0.185+0.194+0.190+0.185
=1.885×104゜/(T −1×m −1)
误差分析:
1、 旋光角度θ的读数存在一定误差。
2、 磁感应强度B 的测量有一定误差,读数不稳定。
【思考题】
1、电磁铁的剩磁现象会对实验数据记录带来一定程度的影响,请问实验过程中用何方法能够消除
剩磁现象?
首先在给铁磁冲磁使用结束后应该缓慢将电流调小,使磁性渐渐消失。
如果仍有剩磁可以通过施加适当的反向磁场消除。
2、为什么实验中电流值及其测量范围小会影响实验结果?
电流值小首先会影响测量的广度,进而不能保证实验的准确性,其次电流值小时,旋转角与磁场的基数小,可能在一段变化中,仪器示数都不会有变化。
【实验总结】
光学实验中最重要的是调整仪器高度一致,保证光路畅通,实验中进行仪器调节时,要保证激光穿过介质中间的小孔而不受到阻挡,因此需要小心调节。
在测量旋转角度时,要正对检偏器的读数面,防止读数方面增大实验的误差。
进行实验时,考虑到剩磁的影响,改变电流时,不能直接关掉电源,而是慢慢减小电流,这时就出现了重复误差,但计算旋转角时,并没有怎么使用。